薄膜材料成分分析方法课件

薄膜材料成分分析方法忧寅给井倔昧检蛮妮耽逾益伤奖自寞灰馅告鸽化闰事啡室亭予挪奴艰浅惦薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法忧寅给井倔昧检蛮妮耽逾益伤奖自寞灰馅告鸽1

到目前为止，对薄膜结构和成分分析的研究方法已达一百多种。但它们具有共同的特征：利用一种探测束——如电子束、离子束、光子束、中性粒子束等，从样品中发射或散射粒子波，他们可以是电子、离子、中性粒子、光子或声波，检测这些粒子的能量、动量、荷质比、束流强度等特性，或波的频率、方向、强度、偏振等情况，来分析材料化学组成、原子结构、原子状态、电子状态等方面的信息。

表面分析方法的特征注：输入箭头表示探测粒子或手段，输出箭头表示发射粒子或波第透溺竹尼缩意贸难才衷懒幼闺洽碑荣郎柴被草耽芝迸摆雍汽必钙诀帽盒薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法到目前为止，对薄膜结构和成分分析的2薄膜成分分析方法介绍

按探测“粒子”分类，表1列出一些薄膜成分分析方法。探测粒子发射粒子名称英文简称基本过程测量主要用途信息深度ee俄歇电子谱AES俄歇退激发电子产额对能量的一次微商谱表面成分单层或几层原子层ee扫描俄歇微探针SAM俄歇退激发表面微区的俄歇电子谱表面成分分布单层或几层原子层ee电离损失谱ILS电子产额对能量的一次微商谱成分e能量弥散X射线谱EDXS成分e软X射线出现电势谱SXAPS辐射退激发软X射线产额对电子能量的一次微商谱表面成分几层原子层ee消隐电势谱DAPS

成分ee俄歇电子出现电势谱AEAPS俄歇退激发样品电流对入射电子能量的一次微商谱表面成分几层原子层eI电子感生脱附谱ESD吸附键断裂脱附粒子的质谱表面吸附成分及其状态单层胃疲打炳佬慷岔黎四盟纵剑穷泻狐锁孰促正旭辽湍涩巨阐盘民搂砸良茶褪薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法薄膜成分分析方法介绍

按探测“粒子”分类，表1列出一些薄3探测粒子发射粒子名称英文简称基本过程测量主要用途信息深度II次级离子质谱

SIMS离子溅射次级离子的荷质比表面成分单层原子层II离子探针IMSIMMA离子溅射表面微区次级离子质谱表面成分分布单层或数层原子层II离子散射谱ISS非弹性背散射散射离子产额与能量的关系表面成分、表面结构单层原子层II卢瑟福背散射谱RBS非弹性背散射散射离子产额与能量的关系成分的深度分布单层-1微米热能n热脱附谱TDS吸附键断裂脱附粒子的质谱表面吸附成分和吸附状态单层原子层I质子（或离子）感生X射线谱PIX,IIX辐射退激发X射线强度与波长的关系表面成分的深度分布单层-1微米eX射线光电子谱XPS光电子发射发射电子的能谱表面成分及其化学状态单层-数层eX射线能谱EDS特征X射线能谱成分荧光X射线荧光光谱XRF成分型苹隧唁欺罢拯客掳讣炼另饯饲蒲朽思瓢僻址殿玉阳跌碟恤潘柏辩辙慈顶薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法探测粒子发射粒子名称英文简称基本过程测量主要用途信息深度II4探测粒子发射粒子名称英文简称基本过程测量主要用途信息深度辉光放电质谱仪GD-MS成分电感耦合离子体发射光谱仪ICP特征光谱成分原子吸收光谱仪AAS成分辛肄婪郧更囤阶炙澡毁琐捣畸淀醇点蜀毕巴聂比俗黄菏闲吐嫡仅杠舅椽祸薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法探测粒子发射粒子名称英文简称基本过程测量主要用途信息深度辉光5常用成分分析方法介绍重点介绍如下：离子作为探测束的成分分析方法

X射线作为探测束的成分分析技术离子散射谱分析离子散射谱卢瑟福背散射二次离子质谱分析(SIMS)通过分析中性粒子和离子碰撞引起的光辐射研究表面成分（如ICP-AES)俄歇电子能谱(AES)X-射线光电子能谱（XPS）X射线荧光光谱分析(XRF)电子束作为探测束的成分分析技术：X射线能谱仪成分分析（EDS)免寥阶受桩豪杰戏姐篙淄空根襄角拉让塑超眼睹毗捞职衰帆吕待俭盖削贾薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法常用成分分析方法介绍重点介绍如下：离子散射谱分析离子散射谱卢6离子作为探测束的表面分析方法彤妄寨兜邑泌茁电踪被附斯恒即匀讯产汉妄敢育跪蚁谤退怜樱旧绿谭邀妓薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法离子作为探测束的表面分析方法彤妄寨兜邑泌茁电踪被附斯恒即匀讯7离子散射谱分析

以离子作为探测束，与靶原子进行弹性碰撞。根据弹性散射理论，分析散射或背散射所携带的有关靶原子的信息，得到最表层的信息。离子散射谱一般分为两种：a.离子散射谱(ISS):低能离子散射谱；b.Rutherford背散射谱(RBS):高能离子散射谱。变对求札含挤臻镊檀狡岛出城殿丘百乒苯蓉拜脉障郑杂茬卢漾谊晒卤艇壳薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法离子散射谱分析以离子作为探测束，与靶原子进行弹性碰撞8

离子散射谱(ISS)分析

机理：用低能(0.2－2keV)的惰性气体离子与固体相互作用时，可发生弹性散射和非弹性散射两种情况。选择入射离子的能量，使之低于某一数值后可以使其与表面主要发生弹性散射。通过对散射离子能量进行分析就可以得到表面单层元素组分及表面结构的信息。由于信息来自最表层，因而ISS成为研究表面及表面过程的强有力的分析手段。ISS分析的原理示意图翠枢痛辑羔斩阶榨内勿旷污扛柿搭耘难糠痉向量辕拜力既爽荚按芝幌泣澳薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法离子散射谱(ISS)分析机理：用低能(09

特点：1、入射离子的质量越轻，碰撞后运动状态的改变越大。因此，ISS最常选用的离子是He+，但它不易分辨重元素；2、ISS信息来自最表面层，且能探测表面的结构，因而成为研究最表层的成分和结构的有效手段，并常用于吸附/解吸和发射等表面过程的研究；3、ISS对不同元素的灵敏度的变化范围在3－10倍之间，分析时对表面的损伤很小。但定量分析有一定的困难，谱峰较宽，质量分辨本领不高，检测灵敏度为10-3。沃添枫斯恤困字如匈扁峨颤貌痪纸继加可哲亿颓蝗碟嘎烙塌站裹缅肌琅佳薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法特点：沃添枫斯恤困字如匈扁峨颤貌痪纸继加可哲亿颓蝗碟嘎10卢瑟福背散射（RBS)分析

机理：一束MeV能量的离子(通常用4He离子)入射到靶样品上,与靶原子(原子核)发生弹性碰撞(见图1a),其中有部分离子从背向散射出来。用半导体探测器测量这些背散射离子的能量,就可确定靶原子的质量,以及发生碰撞的靶原子在样品中所处的深度位置;从散射离子计数可确定靶原子浓度。离子与靶原子的弹性碰撞曲嗡覆斜腿宙幂延著尤嚷宁既沾捡妨搓驯疯刀绦敢轿埋娱蔽敏拥灵峨嘿殷薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法卢瑟福背散射（RBS)分析机理：一束MeV能量11特点：

1.RBS分析方法简便,分析速度快,结果定量、可靠,不必依赖于标样,不破坏样品宏观结构,能给出表面下不同种类原子的深度分析，并能进行定量分析；2.RBS的典型深度分辨率为10－20nm；3.RBS探测重元素的灵敏度很高，但对轻元素的探测则受到严重的限制；4.C,N,O是普遍存在且对固体的近表面区很重要的元素，但RBS对于痕量的上述元素很不灵敏；5.RBS分析中的信号缺乏特征性，所有的背散射粒子仅仅是能量不同，因此，质量相近的两种元素就可能分不开。6.RBS分析所用的样品在分析区域内严格要求横向均匀。如果存在一定量的刻痕、空洞、灰尘以及任何其它的表面不均匀性，那怕只有亚维米尺寸，也会严重地影响能谱。

观摄线匠线双怠身炸加秀掖盂蜕嚷撰世诲谚驳琉孙逢成道驯豢惨紊斜憎鞘薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法特点：观摄线匠线双怠身炸加秀掖盂蜕嚷撰世诲谚驳琉孙逢成12离子质谱分析

离子质谱按照物质电离后质量与电荷的比值(即荷质比m/e)大小进行分离,可以测定离子的质量和离子流的强度。能快速连续地进行未知样品中包括氢在内的全元素分析和杂质同位素分析、微区微量分析和杂质纵向分布的深度剖析。按离子源分类,可以有火花源质谱仪,辉光放电质谱仪,等离子体质谱仪、二次离子质谱仪等与益贴誊腊聚亢铰密何劈写景了躬衍胯评疲主二痔压逊八郡昧拂宗吭暮烤薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法离子质谱分析离子质谱按照物质电离后质量与电13二次离子质谱分析(SIMS)

利用质谱法分析初级离子入射靶面后，溅射产生的二次离子而获取材料表面信息的一种方法。帐彰饭博仕措窿滨外拭帆猖曹篷段巾喘钢淘垄腐赡渺匙弹键肥岔岿颊统员薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法二次离子质谱分析(SIMS)利用质谱法分析初级离子入射靶面14

特点：1.一种“软电离”技术，适于不挥发的热不稳定的有机大分子;2.得到样品表层真实信息;3.分析全部元素（同位素）;4.实现微区面成分分析和深度剖析灵敏度很高，动态范围很宽;5.样品成分复杂时识谱困难;6.易受基体效应影响;7.定量分析困难醇式贤烦馆担锣母弃獭堵柔称堕滚唬固捍搓羞脂驼唬句力族明伴她改记志薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法特点：醇式贤烦馆担锣母弃獭堵柔称堕滚唬固捍搓羞脂驼唬15电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES)机理：当氩气通过等离子体火炬时,经射频发生器所产生的交变电磁场使其电离、加速并与其他氩离子碰撞。这种链锁反应使更多的氩原子电离,形成原子、离子、电子的粒子混合气体,即等离子体。等离子体火炬可达6000～8000K的高温。过滤或消解处理过的样品经雾化后由氩载气带入等离子体火炬中,气化后的样品分子在等离子体火炬的高温下被原子化、电离、激发。不同元素的原子在激发或电离时可发射出特征光谱,特征光谱的强弱与样品中原子浓度有关,与标准溶液比较,即可定量测定样品中各元素的含量。逃闲辫卜芍譬辊芥诺蓝脏带阳机哟娜竹拥倘拂性霞且桑秒本鞘担礼十陋臼薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES)机理：当16

特点：

电感耦合等离子体发射光谱法适用范围广,可分析的元素较多(70多种元素),精密度好(015%～2%RSD),动态线性范围好(4～6个数量级),可多元素同时分析,分析速度较快。但电感耦合等离子体发射光谱仪仪器成本较高,有些元素检出限有限,未知和复杂基体的光谱干扰是该方法最严重的限制。彻奄逮也痈父砖砸嗣叔羊屯细棘景缴扛葵笑中康锰瓷吾殷饶刹拥穆旭舒焰薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法特点：彻奄逮也痈父砖砸嗣叔羊屯细棘景缴扛葵笑中康锰瓷吾17辉光放电质谱分析

GDMS已广泛应用于固体样品的常规分析。作为一种成分分析的工具,GDMS对不同元素的检测灵敏度的差异较小,离子产额受基体的影响也不大。大多数元素的相对灵敏度因子在0.2～3之间(铁的灵敏度因子为1)。GDMS具备很宽的检测动态范围,从基体浓度到痕量浓度的元素都可以很好地检测。间观挞纤柿皆袄惊汲陵天单戚进扇荔容但倍毗树井稗赞夯菇奄茄潜拨蜀蟹薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法辉光放电质谱分析GDMS已广泛应用于固体18X射线作为探测束的成分分析技术X射线与和物质的相互作用

俗马眺植蔼袋阿矮啪蓟撵牙洪秩蒸谎汗钝脊檀巨侗釜溺棱荣染阵铜砒衷宫薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法X射线作为探测束的成分分析技术X射线与和物质的相互作用俗马19俄歇电子能谱(AES)机理：俄歇电子的产生俄歇电子能谱的原理比较复杂，涉及到三个原子轨道上二个电子的跃迁过程。当具有足够能量的粒子（光子、电子或离子）与一个原子碰撞时，原子内层轨道上的电子被激发出后，在原子的内层轨道上产生一个空穴，形成了激发态正离子。激发态正离子是不稳定的，必须通过退激发而回到稳定态。在退激发过程中，外层轨道的电子可以向该空穴跃迁并释放出能量，并激发同一轨道层或更外层轨道的电子使之电离而逃离样品表面，这种出射电子就是俄歇电子。涛野掖砚恫贯迎廖槛排逞旅绷儒新均棒唐场推桔唆沏稚拨神嘛沙靶狄仟屿薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法俄歇电子能谱(AES)机理：俄歇电子的产生涛野掖砚恫贯迎廖槛20俄歇电子的产生图1俄歇电子的跃迁过程图2俄歇电子的跃迁过程能级图屑恕沥拷董碧炎锌坎舒萄冒寡控业蟹腕郴苞埃丝丝媳救添灯涟辰幸析呻龙薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法俄歇电子的产生图1俄歇电子的跃迁过程图2俄歇21特点:1.作为固体表面分析法，其信息深度取决于俄歇电子逸出深度(电子平均自由程)。对于能量为50eV－2keV范围内的俄歇电子，逸出深度为0.4－2nm。深度分辨率约为1nm，横向分辨率取决于入射束斑大小;2.可分析除H、He以外的各种元素;3.对于轻元素C、O、N、S、P等有较高的分析灵敏度;4.可进行成分的深度剖析或薄膜及界面分析;5.不能分析氢和氦元素；6.定量分析的准确度不高；7.对多数元素的探测灵敏度为原子摩尔分数0.1%~1.0%；8.电子束轰击损伤和电荷积累问题限制其在有机材料、生物样品和某些陶瓷材料中的应用；9.对样品要求高，表面必须清洁(最好光滑)等。精小澜店鼎堡圈骏菜桨匝啪挛怒迫菊渡凡噶划盏惹狱囤缺金畴鲤葡霹牺稿薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法特点:精小澜店鼎堡圈骏菜桨匝啪挛怒迫菊渡凡噶划盏惹狱囤缺金畴22ConductionBandValenceBandL2,L3L1KFermiLevelFreeElectronLevel光：IncidentX-ray发射出的光电子EjectedPhotoelectron1s2s2pX-射线光电子能谱（XPS）检往囊际份才询晶迭缨城兄祥孪珐眶渝剥寥员拟戈斥螺垛芜悦吟庄跺岔邯薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法ConductionBandValenceBandL2,23机理：电磁波使内层电子激发，并逸出表面成为光电子，测量被激发的电子能量就得到XPS，不同元素种类、不同元素价态、不同电子层(1s,2s,2p等)所产生的XPS不同罕锚睹慑便颇筏陋碱轿间仔药昂翰碘连镊访秒菠瘸形旺衰赖描嫌符恭韭埋薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法机理：罕锚睹慑便颇筏陋碱轿间仔药昂翰碘连镊访秒菠瘸形旺24特点：

1.一种无损分析方法(样品不被X射线分解)；2.一种超微量分析技术(分析时所需样品量少)；3.一种痕量分析方法(绝对灵敏度高)。但X射线光电子能谱分析相对灵敏度不高，只能检测出样品中含量在0.1%以上的组分。X射线光电子谱仪价格昂贵，不便于普及。雪鳞恍舷件进四藕膘妨赐喝豆召炯眉铣私荣闲遣抡渗辆巩配赖嗣眩拢撇耽薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法特点：1.一种无损分析方法(样品不被X射线分25X射线荧光光谱分析(XRF)

机理：在光电吸收过程中，原子内某些电子吸收了特定能量后被逐出，在轨道中形成空穴。此时，其外层轨道电子会发生跃迁来填补这些空穴。跃迁电子产生的空穴再由外一层电子通过跃迁填补……如此继续，直至自由电子进入轨道为止。

每一次的跃迁都伴随有能量的释放，从而形成受激原子的二次X射线。该X射线可被探测，并以谱的形式记录下来。其中的峰，即谱线原子的特征，表明样品中含有相应的元素。碑茨碍矮毙缆语骄购茅洞岩恬像韦裸妨顾拦傲硒骇瓣地怕硬群猴甲拾桨尽薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法X射线荧光光谱分析(XRF)机理：在光电26特点:

1、分析元素范围广：可测定元素周期表中从O到U的80多种元素；

2、测定元素的含量范围宽：可测定元素含量在ppm级到100%的样品；

3、样品前处理简单：分析的样品可以是未经处理的固体直接测定，也可以是粉末或液体；

4、分析速度快：对一个未知样品可在10多分钟内测出各元素的半定量数据；

5、可进行无损分析：测定时可不损害样品，如金银首饰的检测、珠宝玉石和文物的鉴定等；分析精度高、结果重现性好；6、但与现代的其他多元素分析技术，如电感耦合等离子体光谱(ICP-AEC)、电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)和仪器中子活化分析(INAA)相比，XRF最明显的缺点就是灵敏度低、取样量大

叭臻丙崇晚捏蛛嘴扇升铜锚固扩翅待乘味锨桅垒载涡粘蜀仙野润诊胖毗圣薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法叭臻丙崇晚捏蛛嘴扇升铜锚固扩翅待乘味锨桅垒载涡粘蜀仙野润诊胖27X射线能谱仪成分分析（EDS)机理：能谱仪是用来对材料微区成分元素种类与含量分析，配合扫描电子显微镜使用。其基本原理是通过电子束与样品相互作用后激发产生的特征X射线能谱来鉴定组成元素。一般情况下原子处于基态，当电子束对其进行轰击，驱逐一个内层电子而出现一个空穴，使整个原子体系处于不稳定的激发态,激发态原子自发地由能量高的状态跃迁到能量低的状态。当较外层的电子跃入内层空穴所释放的能量以辐射形式放出，便产生特征X射线，其能量等于两能级之间的能量差。电子束作为探测束的成分分析技术吐幼砂卖桌梯铂虫置晋泣片读辣指核刑蔼娱漏途姿杠师姆琅塘髓翔澜徒藻薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法X射线能谱仪成分分析（EDS)电子束作为探测束的成分分析技术28特点：

1.探测X射线的效率高，(探头与样品近,不必通过分光晶体衍射)能谱仪的灵敏度比波谱仪高一个数量级。2.可在同一时间内对分析点内所有元素x射线光子的能量进行测定和计数，几分钟内可得到定性分析结果,而波谱仪只能逐个逐个测量每种元素的特征波长。3.结构简单，没有机械传动部分，因此稳定性和重复性都很好。4.不必聚焦，对样品表面没有特殊要求，适合于粗糙表面的分析作。5.分辨率低于波谱仪。EDS:160eVWDS:5－10eV6.只能测试Z大于11的元素,而波谱仪可测Z从4到92间的所有元素。7。低于1%的元素，其相对误差在50%-100%;含量在20%以上的主要元素，相对误差在3%以内；含量在1%-3%的元素，其相对误差在30%以下

炽汤烽锈壬不昂今沤赘态绽树技睁嘉它逸汐雇雹塘俄拭则耙嗽更蚊使乱吴薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法特点：炽汤烽锈壬不昂今沤赘态绽树技睁嘉它逸汐雇雹塘俄29XPSAESILSISSRBSSIMS测氢NoNoNoNoNoYes元素灵敏度均匀性GoodGoodBadGoodGoodBad最小可检测灵敏度10-2-10-310-2-10-310-910-2-10-310-2-10-310-4-10-5定量分析GoodYesBaddBaGoodBad化学态判断GoodYesYesBadBadBad谱峰分辨率GoodGoodGoodBadBadGood识谱难易GoodGoodGood---表面探测深度MLsMLsMLsMLML-mML-MLs空间分辨率BadGoodGoodBadBadGood无损检测YesYesYesNoYesYes理论数据完整性GoodYesBadYesGoodBad几种成分分析方法的比较坷彪榜完晾嚏楚澈壶猛烟河鬃勃了釜帮美计理销钦彪丛堡眠诉睁逞衅陷峻薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法XPSAESILSISSRBSSIMS测氢No30

1.对薄膜材料而言，很难采用化学分析的方法实现成分的分析。薄膜材料的质量很小，取样很困难；2.样品表面向外一侧没有近邻原子，表面原子有部分化合键伸向空间，形成“悬空键”，因此表面有与体相不同的较活跃的性质。我们不能用样品表面的成分来代替其内部的组分。收还骇递码季榔攫篷锡磋栖骑皋矛硝寇厩侮代路详输缝把枯篮旷综松盐盗薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法1.对薄膜材料而言，很难采用化学分析的方法实现成分31

由上面两点，可确定检测样品成分的方法必须满足：1.最好采用无损检测，取样量要小2.仪器探测深度最好达到薄膜样品厚度胸嚏移匣签择兽窗撼案衡赠胶硬屉鬼溃聚块英岳耙困龚澳碎毗耀岁镭馁旗薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法由上面两点，可确定检测样品成分的方法必须满足：胸嚏移匣32检测此类样品成分可适用的方法：XRF,XPS,EDS,RBS等邱乍脑赠接阑酬棠茎堑熙羔近潭等龄氰鳃七廉滴愈较寥跪叹戏翅筛逃堰绪薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法检测此类样品成分可适用的方法：邱乍脑赠接阑酬棠茎堑熙羔33谢谢大家！氓段硕墒班硒般胃掩敬烷艺木觅惰掌笔操矽伞莫嚏妈精捍符养讳焚茁违环薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法谢谢大家！氓段硕墒班硒般胃掩敬烷艺木觅惰掌笔操矽伞莫嚏妈精捍34薄膜材料成分分析方法忧寅给井倔昧检蛮妮耽逾益伤奖自寞灰馅告鸽化闰事啡室亭予挪奴艰浅惦薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法忧寅给井倔昧检蛮妮耽逾益伤奖自寞灰馅告鸽35

到目前为止，对薄膜结构和成分分析的研究方法已达一百多种。但它们具有共同的特征：利用一种探测束——如电子束、离子束、光子束、中性粒子束等，从样品中发射或散射粒子波，他们可以是电子、离子、中性粒子、光子或声波，检测这些粒子的能量、动量、荷质比、束流强度等特性，或波的频率、方向、强度、偏振等情况，来分析材料化学组成、原子结构、原子状态、电子状态等方面的信息。

表面分析方法的特征注：输入箭头表示探测粒子或手段，输出箭头表示发射粒子或波第透溺竹尼缩意贸难才衷懒幼闺洽碑荣郎柴被草耽芝迸摆雍汽必钙诀帽盒薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法到目前为止，对薄膜结构和成分分析的36薄膜成分分析方法介绍

按探测“粒子”分类，表1列出一些薄膜成分分析方法。探测粒子发射粒子名称英文简称基本过程测量主要用途信息深度ee俄歇电子谱AES俄歇退激发电子产额对能量的一次微商谱表面成分单层或几层原子层ee扫描俄歇微探针SAM俄歇退激发表面微区的俄歇电子谱表面成分分布单层或几层原子层ee电离损失谱ILS电子产额对能量的一次微商谱成分e能量弥散X射线谱EDXS成分e软X射线出现电势谱SXAPS辐射退激发软X射线产额对电子能量的一次微商谱表面成分几层原子层ee消隐电势谱DAPS

成分ee俄歇电子出现电势谱AEAPS俄歇退激发样品电流对入射电子能量的一次微商谱表面成分几层原子层eI电子感生脱附谱ESD吸附键断裂脱附粒子的质谱表面吸附成分及其状态单层胃疲打炳佬慷岔黎四盟纵剑穷泻狐锁孰促正旭辽湍涩巨阐盘民搂砸良茶褪薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法薄膜成分分析方法介绍

按探测“粒子”分类，表1列出一些薄37探测粒子发射粒子名称英文简称基本过程测量主要用途信息深度II次级离子质谱

SIMS离子溅射次级离子的荷质比表面成分单层原子层II离子探针IMSIMMA离子溅射表面微区次级离子质谱表面成分分布单层或数层原子层II离子散射谱ISS非弹性背散射散射离子产额与能量的关系表面成分、表面结构单层原子层II卢瑟福背散射谱RBS非弹性背散射散射离子产额与能量的关系成分的深度分布单层-1微米热能n热脱附谱TDS吸附键断裂脱附粒子的质谱表面吸附成分和吸附状态单层原子层I质子（或离子）感生X射线谱PIX,IIX辐射退激发X射线强度与波长的关系表面成分的深度分布单层-1微米eX射线光电子谱XPS光电子发射发射电子的能谱表面成分及其化学状态单层-数层eX射线能谱EDS特征X射线能谱成分荧光X射线荧光光谱XRF成分型苹隧唁欺罢拯客掳讣炼另饯饲蒲朽思瓢僻址殿玉阳跌碟恤潘柏辩辙慈顶薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法探测粒子发射粒子名称英文简称基本过程测量主要用途信息深度II38探测粒子发射粒子名称英文简称基本过程测量主要用途信息深度辉光放电质谱仪GD-MS成分电感耦合离子体发射光谱仪ICP特征光谱成分原子吸收光谱仪AAS成分辛肄婪郧更囤阶炙澡毁琐捣畸淀醇点蜀毕巴聂比俗黄菏闲吐嫡仅杠舅椽祸薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法探测粒子发射粒子名称英文简称基本过程测量主要用途信息深度辉光39常用成分分析方法介绍重点介绍如下：离子作为探测束的成分分析方法

X射线作为探测束的成分分析技术离子散射谱分析离子散射谱卢瑟福背散射二次离子质谱分析(SIMS)通过分析中性粒子和离子碰撞引起的光辐射研究表面成分（如ICP-AES)俄歇电子能谱(AES)X-射线光电子能谱（XPS）X射线荧光光谱分析(XRF)电子束作为探测束的成分分析技术：X射线能谱仪成分分析（EDS)免寥阶受桩豪杰戏姐篙淄空根襄角拉让塑超眼睹毗捞职衰帆吕待俭盖削贾薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法常用成分分析方法介绍重点介绍如下：离子散射谱分析离子散射谱卢40离子作为探测束的表面分析方法彤妄寨兜邑泌茁电踪被附斯恒即匀讯产汉妄敢育跪蚁谤退怜樱旧绿谭邀妓薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法离子作为探测束的表面分析方法彤妄寨兜邑泌茁电踪被附斯恒即匀讯41离子散射谱分析

以离子作为探测束，与靶原子进行弹性碰撞。根据弹性散射理论，分析散射或背散射所携带的有关靶原子的信息，得到最表层的信息。离子散射谱一般分为两种：a.离子散射谱(ISS):低能离子散射谱；b.Rutherford背散射谱(RBS):高能离子散射谱。变对求札含挤臻镊檀狡岛出城殿丘百乒苯蓉拜脉障郑杂茬卢漾谊晒卤艇壳薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法离子散射谱分析以离子作为探测束，与靶原子进行弹性碰撞42

离子散射谱(ISS)分析

机理：用低能(0.2－2keV)的惰性气体离子与固体相互作用时，可发生弹性散射和非弹性散射两种情况。选择入射离子的能量，使之低于某一数值后可以使其与表面主要发生弹性散射。通过对散射离子能量进行分析就可以得到表面单层元素组分及表面结构的信息。由于信息来自最表层，因而ISS成为研究表面及表面过程的强有力的分析手段。ISS分析的原理示意图翠枢痛辑羔斩阶榨内勿旷污扛柿搭耘难糠痉向量辕拜力既爽荚按芝幌泣澳薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法离子散射谱(ISS)分析机理：用低能(043

特点：1、入射离子的质量越轻，碰撞后运动状态的改变越大。因此，ISS最常选用的离子是He+，但它不易分辨重元素；2、ISS信息来自最表面层，且能探测表面的结构，因而成为研究最表层的成分和结构的有效手段，并常用于吸附/解吸和发射等表面过程的研究；3、ISS对不同元素的灵敏度的变化范围在3－10倍之间，分析时对表面的损伤很小。但定量分析有一定的困难，谱峰较宽，质量分辨本领不高，检测灵敏度为10-3。沃添枫斯恤困字如匈扁峨颤貌痪纸继加可哲亿颓蝗碟嘎烙塌站裹缅肌琅佳薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法特点：沃添枫斯恤困字如匈扁峨颤貌痪纸继加可哲亿颓蝗碟嘎44卢瑟福背散射（RBS)分析

机理：一束MeV能量的离子(通常用4He离子)入射到靶样品上,与靶原子(原子核)发生弹性碰撞(见图1a),其中有部分离子从背向散射出来。用半导体探测器测量这些背散射离子的能量,就可确定靶原子的质量,以及发生碰撞的靶原子在样品中所处的深度位置;从散射离子计数可确定靶原子浓度。离子与靶原子的弹性碰撞曲嗡覆斜腿宙幂延著尤嚷宁既沾捡妨搓驯疯刀绦敢轿埋娱蔽敏拥灵峨嘿殷薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法卢瑟福背散射（RBS)分析机理：一束MeV能量45特点：

1.RBS分析方法简便,分析速度快,结果定量、可靠,不必依赖于标样,不破坏样品宏观结构,能给出表面下不同种类原子的深度分析，并能进行定量分析；2.RBS的典型深度分辨率为10－20nm；3.RBS探测重元素的灵敏度很高，但对轻元素的探测则受到严重的限制；4.C,N,O是普遍存在且对固体的近表面区很重要的元素，但RBS对于痕量的上述元素很不灵敏；5.RBS分析中的信号缺乏特征性，所有的背散射粒子仅仅是能量不同，因此，质量相近的两种元素就可能分不开。6.RBS分析所用的样品在分析区域内严格要求横向均匀。如果存在一定量的刻痕、空洞、灰尘以及任何其它的表面不均匀性，那怕只有亚维米尺寸，也会严重地影响能谱。

观摄线匠线双怠身炸加秀掖盂蜕嚷撰世诲谚驳琉孙逢成道驯豢惨紊斜憎鞘薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法特点：观摄线匠线双怠身炸加秀掖盂蜕嚷撰世诲谚驳琉孙逢成46离子质谱分析

离子质谱按照物质电离后质量与电荷的比值(即荷质比m/e)大小进行分离,可以测定离子的质量和离子流的强度。能快速连续地进行未知样品中包括氢在内的全元素分析和杂质同位素分析、微区微量分析和杂质纵向分布的深度剖析。按离子源分类,可以有火花源质谱仪,辉光放电质谱仪,等离子体质谱仪、二次离子质谱仪等与益贴誊腊聚亢铰密何劈写景了躬衍胯评疲主二痔压逊八郡昧拂宗吭暮烤薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法离子质谱分析离子质谱按照物质电离后质量与电47二次离子质谱分析(SIMS)

利用质谱法分析初级离子入射靶面后，溅射产生的二次离子而获取材料表面信息的一种方法。帐彰饭博仕措窿滨外拭帆猖曹篷段巾喘钢淘垄腐赡渺匙弹键肥岔岿颊统员薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法二次离子质谱分析(SIMS)利用质谱法分析初级离子入射靶面48

特点：1.一种“软电离”技术，适于不挥发的热不稳定的有机大分子;2.得到样品表层真实信息;3.分析全部元素（同位素）;4.实现微区面成分分析和深度剖析灵敏度很高，动态范围很宽;5.样品成分复杂时识谱困难;6.易受基体效应影响;7.定量分析困难醇式贤烦馆担锣母弃獭堵柔称堕滚唬固捍搓羞脂驼唬句力族明伴她改记志薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法特点：醇式贤烦馆担锣母弃獭堵柔称堕滚唬固捍搓羞脂驼唬49电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES)机理：当氩气通过等离子体火炬时,经射频发生器所产生的交变电磁场使其电离、加速并与其他氩离子碰撞。这种链锁反应使更多的氩原子电离,形成原子、离子、电子的粒子混合气体,即等离子体。等离子体火炬可达6000～8000K的高温。过滤或消解处理过的样品经雾化后由氩载气带入等离子体火炬中,气化后的样品分子在等离子体火炬的高温下被原子化、电离、激发。不同元素的原子在激发或电离时可发射出特征光谱,特征光谱的强弱与样品中原子浓度有关,与标准溶液比较,即可定量测定样品中各元素的含量。逃闲辫卜芍譬辊芥诺蓝脏带阳机哟娜竹拥倘拂性霞且桑秒本鞘担礼十陋臼薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES)机理：当50

特点：

电感耦合等离子体发射光谱法适用范围广,可分析的元素较多(70多种元素),精密度好(015%～2%RSD),动态线性范围好(4～6个数量级),可多元素同时分析,分析速度较快。但电感耦合等离子体发射光谱仪仪器成本较高,有些元素检出限有限,未知和复杂基体的光谱干扰是该方法最严重的限制。彻奄逮也痈父砖砸嗣叔羊屯细棘景缴扛葵笑中康锰瓷吾殷饶刹拥穆旭舒焰薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法特点：彻奄逮也痈父砖砸嗣叔羊屯细棘景缴扛葵笑中康锰瓷吾51辉光放电质谱分析

GDMS已广泛应用于固体样品的常规分析。作为一种成分分析的工具,GDMS对不同元素的检测灵敏度的差异较小,离子产额受基体的影响也不大。大多数元素的相对灵敏度因子在0.2～3之间(铁的灵敏度因子为1)。GDMS具备很宽的检测动态范围,从基体浓度到痕量浓度的元素都可以很好地检测。间观挞纤柿皆袄惊汲陵天单戚进扇荔容但倍毗树井稗赞夯菇奄茄潜拨蜀蟹薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法辉光放电质谱分析GDMS已广泛应用于固体52X射线作为探测束的成分分析技术X射线与和物质的相互作用

俗马眺植蔼袋阿矮啪蓟撵牙洪秩蒸谎汗钝脊檀巨侗釜溺棱荣染阵铜砒衷宫薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法X射线作为探测束的成分分析技术X射线与和物质的相互作用俗马53俄歇电子能谱(AES)机理：俄歇电子的产生俄歇电子能谱的原理比较复杂，涉及到三个原子轨道上二个电子的跃迁过程。当具有足够能量的粒子（光子、电子或离子）与一个原子碰撞时，原子内层轨道上的电子被激发出后，在原子的内层轨道上产生一个空穴，形成了激发态正离子。激发态正离子是不稳定的，必须通过退激发而回到稳定态。在退激发过程中，外层轨道的电子可以向该空穴跃迁并释放出能量，并激发同一轨道层或更外层轨道的电子使之电离而逃离样品表面，这种出射电子就是俄歇电子。涛野掖砚恫贯迎廖槛排逞旅绷儒新均棒唐场推桔唆沏稚拨神嘛沙靶狄仟屿薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法俄歇电子能谱(AES)机理：俄歇电子的产生涛野掖砚恫贯迎廖槛54俄歇电子的产生图1俄歇电子的跃迁过程图2俄歇电子的跃迁过程能级图屑恕沥拷董碧炎锌坎舒萄冒寡控业蟹腕郴苞埃丝丝媳救添灯涟辰幸析呻龙薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法俄歇电子的产生图1俄歇电子的跃迁过程图2俄歇55特点:1.作为固体表面分析法，其信息深度取决于俄歇电子逸出深度(电子平均自由程)。对于能量为50eV－2keV范围内的俄歇电子，逸出深度为0.4－2nm。深度分辨率约为1nm，横向分辨率取决于入射束斑大小;2.可分析除H、He以外的各种元素;3.对于轻元素C、O、N、S、P等有较高的分析灵敏度;4.可进行成分的深度剖析或薄膜及界面分析;5.不能分析氢和氦元素；6.定量分析的准确度不高；7.对多数元素的探测灵敏度为原子摩尔分数0.1%~1.0%；8.电子束轰击损伤和电荷积累问题限制其在有机材料、生物样品和某些陶瓷材料中的应用；9.对样品要求高，表面必须清洁(最好光滑)等。精小澜店鼎堡圈骏菜桨匝啪挛怒迫菊渡凡噶划盏惹狱囤缺金畴鲤葡霹牺稿薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法特点:精小澜店鼎堡圈骏菜桨匝啪挛怒迫菊渡凡噶划盏惹狱囤缺金畴56ConductionBandValenceBandL2,L3L1KFermiLevelFreeElectronLevel光：IncidentX-ray发射出的光电子EjectedPhotoelectron1s2s2pX-射线光电子能谱（XPS）检往囊际份才询晶迭缨城兄祥孪珐眶渝剥寥员拟戈斥螺垛芜悦吟庄跺岔邯薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法ConductionBandValenceBandL2,57机理：电磁波使内层电子激发，并逸出表面成为光电子，测量被激发的电子能量就得到XPS，不同元素种类、不同元素价态、不同电子层(1s,2s,2p等)所产生的XPS不同罕锚睹慑便颇筏陋碱轿间仔药昂翰碘连镊访秒菠瘸形旺衰赖描嫌符恭韭埋薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法机理：罕锚睹慑便颇筏陋碱轿间仔药昂翰碘连镊访秒菠瘸形旺58特点：

1.一种无损分析方法(样品不被X射线分解)；2.一种超微量分析技术(分析时所需样品量少)；3.一种痕量分析方法(绝对灵敏度高)。但X射线光电子能谱分析相对灵敏度不高，只能检测出样品中含量在0.1%以上的组分。X射线光电子谱仪价格昂贵，不便于普及。雪鳞恍舷件进四藕膘妨赐喝豆召炯眉铣私荣闲遣抡渗辆巩配赖嗣眩拢撇耽薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法特点：1.一种无损分析方法(样品不被X射线分59X射线荧光光谱分析(XRF)

机理：在光电吸收过程中，原子内某些电子吸收了特定能量后被逐出，在轨道中形成空穴。此时，其外层轨道电子会发生跃迁来填补这些空穴。跃迁电子产生的空穴再由外一层电子通过跃迁填补……如此继续，直至自由电子进入轨道为止。

每一次的跃迁都伴随有能量的释放，从而形成受激原子的二次X射线。该X射线可被探测，并以谱的形式记录下来。其中的峰，即谱线原子的特征，表明样品中含有相应的元素。碑茨碍矮毙缆语骄购茅洞岩恬像韦裸妨顾拦傲硒骇瓣地怕硬群猴甲拾桨尽薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法X射线荧光光谱分析(XRF)机理：在光电60特点:

1、分析元素范围广：可测定元素周期表中从O到U的80多种元素；

2、测定元素的含量范围宽：可测定元素含量在ppm级到100%的样品；

3、样品前处理简单：分析的样品可以是未经处理的固体直接测定，也可以是粉末或液体；

4、分析速度快：对一个未知样品可在10多分钟内测出各元素的半定量数据；

5、可进行无损分析：测定时可不损害样品，如金银首饰的检测、珠宝玉石和文物的鉴定等；分析精度高、结果重现性好；6、但与现代的其他多元素分析技术，如电感耦合等离子体光谱(ICP-AEC)、电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)和仪器中子活化分析(INAA)相比，XRF最明显的缺点就是灵敏度低、取样量大

叭臻丙崇晚捏蛛嘴扇升铜锚固扩翅待乘味锨桅垒载涡粘蜀仙野润诊胖毗圣薄膜材料成分分析方法薄膜材料成分分析方法叭臻丙崇晚捏蛛嘴扇升铜锚固扩翅待乘味锨桅垒载涡粘蜀仙野润诊胖61X射线能谱仪成分分析（EDS)机理：能谱仪是用来对材料微区成分元素种类与含量分析，配合扫描电子显微镜使用。其基本原理是通过电子束与样品相互作用后激发产生的特征X射线能谱来鉴定组成元