CF制程简介雷清芳

CF制程简介雷清芳CF制程简介雷清芳簡報大綱液晶顯示器的基本構成元件彩色濾光片的結構CF製程介紹CF不良简介簡報大綱液晶顯示器的基本構成元件何謂ColorFilterColorFilter彩色的LCD需要用到彩色濾光片（ColorFilter），經由控制IC的訊號處理，使得從背光源發射的強光，可利用彩色濾光片的處理，表現出彩色的畫面。彩色濾光片之製作是於玻璃基板上，將紅、綠、藍三原色之有機材料，製作在每一個畫素之內。何謂ColorFilterColorFilter1.TFTLCD是由兩片玻璃所組成，上端是CF，下端是TFT，中間夾著一層液晶，再搭配偏光板、背光板及驅動電路等元件，形成為一顯示器模組。GlassCFTFT-LCD面板剖面圖液晶Glass偏光片背光燈管驅動IC板TABICTFT偏光片液晶顯示器的基本構成元件RGB1.TFTLCD是由兩片玻璃所組成，上端是CF，下端是T彩色濾光片結構0.3~0.7TRBM1.2μmCF剖面圖CF俯視圖彩色濾光片結構0.3~0.7TRBMCF剖面圖CF俯視圖BM製程1.功用：遮光效用，防止TFT產生光電效應進而產生誤動作;

防止兩色相混，使兩顏料不會混合在一起;

增進色彩對比性;2.CrBM製程

樹脂BM製程基板黑色光阻光阻塗佈曝光UV光源光罩顯影Cr成膜UV光源光罩硬烤BM形成RGBBMOCITOMVAPS基板光阻塗佈曝光顯影蝕刻光阻剝離BM形成光阻BM製程1.功用：遮光效用，防止TFT產生光電效應進而產生鍍鉻製程(SputtrCr)基板Ar＋靶材Cr

二次電子通入氣體Ar

自由電子抽真空原理：利用高壓電場將通入的氣體分子Ar游離成Ar+離子和電子，再以電場加速Ar+離子撞擊Target，Target原子就會被撞擊出來，沉積在基板上。鍍鉻製程(SputtrCr)基板Ar＋靶材Cr二次電子UV燈烘烤顯影BM-基板紅色光阻塗佈曝光光罩綠色&藍色曝光部分因聚合而失去溶解性。洗去未曝光部分，形成所需圖案樣式。加熱以硬化殘留之負型光阻。RGB製程RGBBMOCITOMVAPSUV燈烘烤顯影BM-基板紅色光阻塗佈曝光光罩綠色&藍色曝正/負型光阻正型光阻:開口曝光~光阻不保留負型光阻:開口曝光~光阻保留正/負型光阻正型光阻負型光阻CF廠一般機種製造流程導入OC材機種製造流程OCOC製造流程OC層的作用說明：使色層平坦化與保護層的作用，提升後段製程良率。ITOBM+RGBRGBBMOCITOMVAPSCF廠一般機種製造流程導入OC材機種製造流程OCOC製造流程鍍ITO製程(SputtrITO)所謂ITO是指Indium(銦)及Tin(錫)的氧化合物，因為透明又具導電性，所以又稱透明導電膜。

RGB基板鍍好ITO膜之基板濺鍍ITO靶RGBBMOCITOMVAPS鍍ITO製程(SputtrITO)所謂ITO是指IndiuMVA

製程GlassInput水洗段CleanMVA光阻塗佈顯影AOI檢查Oven

曝光製程GlassOutputRGBBMOCITOMVAPSMVA製程GlassInput水洗段CleanMVA光阻MVA製程(多象限垂直配向)

Multi-domainVerticalAlignment藉由此突出物的幫忙，可以讓液晶產生一預傾(pre-tilt

angle)，以便當電壓施加於液晶時，可以讓液晶倒向不同的方向，人眼對液晶長軸與短軸的屈光特性並不一致，以致當人眼的夾角變化時，感受到的光強度便不一致，就會有不同灰階的感覺。MVA的原理就是想利用不同角度的液晶，藉由互相的補強，來擴大視角的範圍。VA机种液晶排列是垂直于面板，属于normalblack类型。加入凸起物（Protrusion）使液晶本身產生一個預傾角（Pre-tiltAngle）

MVA製程(多象限垂直配向)

Multi-domainVPhotoSpacer目的:在使TFT及CF面板中間有間距，使液晶能做旋轉的動作.PS光罩UV燈曝光顯影PS光阻塗佈及旋轉烘烤CFTFTSpacer-BallCFTFTColumnConventionalStructureNovelStructureRGBBMOCITOMVAPSPhotoSpacer目的:在使TFT及CF面板中間有間距同性電互斥Cell-BallspacerCF-PSPhotoSpacer同性電互斥Cell-BallspacerCF-PSPhoMACRO外觀檢查光盒透過檢查鈉燈反射檢查強光燈檢查主要針對外觀不良(異物、漏光、Mura、色不均等)進行篩檢過濾檢查。MACRO外觀檢查光盒透過檢查鈉燈反射檢查強光燈檢查主要特性量測BM位置精度線幅精度TotalPitch光學濃度(OD)RBG色度(分光值)ITO膜厚透過率阻抗值PSPS柱高位置精度上底尺寸特性量測BM位置精度線幅精度TotalPitch光學濃度(黑色陣列圖案(BM)總長─

TotalPitchBM特性量測開口幅-XTotalPitch變寬部份偏移關鍵性的尺寸：BM的線寬、開口率、位置精度線寬變寬=開口率變小正常開口幅-YOD值、膜厚黑色陣列圖案(BM)總長─TotalPitchBM特性RGB色度量測色度RGB色度量測色度RGB特性量測II起始部全距終了部幅手RGB特性量測II起始部全距終了部幅手RGB特性量測I線寬線寬色度透過率RGB特性量測I線寬線寬色度ITO規格量測理想下阻抗值越低越好穿透率(88以上)阻抗值(30以下)ITO膜ITO規格量測理想下阻抗值越低越好穿透率(88以上)ITO膜RGB-穿透率理想下：穿透率越高越好RGB-穿透率理想下：穿透率越高越好PhotoSpacer規格量測13㎛4㎛PSTopAreaPSBottomAreaOpeningoflowerpixelOpeningofupperpixel2.75um7.75umBMcenterYBMcenterX特性量測：位置精度、膜厚、上/下底線幅X軸面Y軸面PhotospacerPhotoSpacer規格量測13㎛4㎛PSTopACF不良簡介白缺陷：漏光(RBM欠陷、RGB色剝、針孔、圖形刮傷等)黑缺陷：異物(RBM殘留、Particle、RGB光阻異物等)Mura缺陷：Mura(直/橫Mura、黑GapMura、ITO色不均等)CF不良簡介白缺陷：白缺陷類-BM欠陷BM欠陷特徵：從反射光中較易看出，如果從透射光去看可以看見不規則遮光層消失，形成漏光現象。反射光透射光白缺陷類-BM欠陷BM欠陷特徵：反射光透射光白缺陷類-RBM額緣針孔

RBM額緣針孔：從反射光中較易看出，如果從透射光去看可以看見遮光層消失，形成漏光現象。反射光透射光白缺陷類-RBM額緣針孔RBM額緣針孔：反射光透射光白缺陷類-RBM膜面線刮

BM膜面線刮特徵：從反射光中較易看出，如果從透射光去看可以看見遮光層消失(呈現線型)，形成漏光現象。反射光透射光白缺陷類-RBM膜面線刮BM膜面線刮特徵：反射光透射光白缺陷類-R漏光

R漏光特徵：從穿透光中較易看出，可以看見當站製程遮光層消失，形成漏光現象。反射光透射光白缺陷類-R漏光R漏光特徵：反射光透射光白缺陷類-圓暈形色剝

圓暈型色剝特徵：從反射光中較易看出，當站製程圖型呈現漸層式圓暈狀，打穿透光時可以漏光現象。反射光透射光白缺陷類-圓暈形色剝圓暈型色剝特徵：反射光透射光白缺陷類-R透明異物

R透明異物特徵：從穿透光中較易看出，如果從透射光去看可以看見當站製程衍生不明透明狀異物，打穿透光形成漏光現象。反射光透射光白缺陷類-R透明異物R透明異物特徵：反射光透射光黑缺陷類-RBM光阻異物

BM光阻異物特徵：從反射光中較易看出，如果從透射光去看可以看見開口部有異物，形成遮光現象。反射光透射光黑缺陷類-RBM光阻異物BM光阻異物特徵：反射光透射光黑缺陷類-R光阻異物

R光阻異物特徵：從反射光中較易看出，如果從透射光去看可以看見當站製程衍生出的不明異物，形成黑欠現象。反射光透射光黑缺陷類-R光阻異物R光阻異物特徵：反射光透射光黑缺陷類-Lip光阻異物

Lip光阻異物特徵：從反射光中較易看出，當站製程圖形中可以看見當製程異物呈現薄狀、條狀、帶狀異物。反射光透射光黑缺陷類-Lip光阻異物Lip光阻異物特徵：反射光透射光黑缺陷類-黑色異物

黑色異物特徵：從反射光中較易看出，當站製程出現不明黑色異物，穿透光無法穿透，形成遮光現象。反射光透射光黑缺陷類-黑色異物黑色異物特徵：反射光透射光黑缺陷類-纖維異物

纖維異物特徵：從反射光中較易看出，圖形成線長條不規則曲線。反射光透射光黑缺陷類-纖維異物纖維異物特徵：反射光透射光黑缺陷類-散佈金屬異物

散佈金屬異物特徵：從反射光中較易看出，可以看見開口部有多數小碎形異物(經分析多為金屬)，利用穿透光無法穿透，形成遮光現象。反射光透射光黑缺陷類-散佈金屬異物散佈金屬異物特徵：反射光透射光何謂MuraMura本來是一個日本字，隨著液晶顯示器在世界各地發揚光大，成為一個全世界都可以通的文字。主要是指顯示器亮度不均勻造成各種痕跡的現象。何謂MuraMura本來是一個日本字，隨著液晶顯示器在世界各放射狀Mura

放射狀Mura特徵：綠燈下可見放射狀色層差異，大多為基板在減壓乾燥時由於氣流和溫度的影響引起,以致光阻表面乾燥不均。放射狀Mura放射狀Mura特徵：丘Mura

丘Mura特徵：類似蝴蝶翅膀狀的點不均（兩個圓形交接），可能固定或不固定點。一般固定點常發生在HP/CP及EXP平台.清潔時如果無法使用無塵布擦拭掉可以配合使用滑石清潔。丘Mura丘Mura特徵：PinMura

PinMura特徵：為固定點位，可分為CoaterStagePin&VCDPin&HP/CPStagePin三種，主要為基板上光阻與pin間的溫差較敏感所致。PinMuraPinMura特徵：直Mura

直Mura特徵：依著基板長邊的橫向長條不均，帶寬較粗，Gap多等距，邊緣不明顯略帶暈開，一般為顯影機水洗段流量及壓力不均所致。直Mura直Mura特徵：橫Mura

橫Mura特徵：平行並貫穿於AB或CD或EFPanel，不論寬窄及位置，且為獨立之線條，則定義為橫條狀Mura。橫Mura橫Mura特徵：風刀MuraI風刀Mura特徵：全面性的斜向條紋，方向與截角方向垂直，但如果經過PSMVA-LINE則會平行方向(與風刀layout有關)，主要為風刀阻塞壓力異常所致。風刀MuraI風刀Mura特徵：風刀MuraII風刀Mura特徵：全面性的斜向條紋，方向與風刀吹出方向平行，大多與風刀流量不足有關。風刀MuraII風刀Mura特徵：山水畫Mura山水畫Mura特徵：與古代山水畫相似，多以全面性為主，此為顯影液效能低下有關，多發生在顯影液交換時發生。山水畫Mura山水畫Mura特徵：波浪S型Mura

波浪狀S型Mura特徵：多以一條或二條S型(細線)貫穿到底為主，大多與顯影Nozzle堵塞有關，導致顯影不良發生，利用簡易Macro空氣槍清潔後OK。波浪S型Mura波浪狀S型Mura特徵：震動(短邊)Mura

震動(短邊)Mura特徵：依著基板短邊的縱向長條密集不均，gap等間距。一般是CoaterSlider振動引起。震動(短邊)Mura震動(短邊)Mura特徵：背面輪痕

背面Mura特徵：於基板背面出現數條平行且帶膠狀物的輪痕，大多與傳動機構之傳動輪受損老化有關。背面輪痕背面Mura特徵：光阻殘留

光阻殘留特徵：在起始部端有光阻殘留現，大多與EXP內其中一個檔板偏移導致該區曝光留下所導致。光阻殘留光阻殘留特徵：黑.MURA:在綠燈下產生大小區域不一之黑色不均白.MURA:在綠燈下產生大小區域不一之白色不均3DMURA:綠燈下會放射狀之黑色MURA,搖晃時會產生三D狀之錯覺以上三種MURA均為曝光機台MASK污染影響PS光阻膜厚不均，處理方式為清洗光罩PSMURA黑.MURA:在綠燈下產生大小區域不一之黑色不均PSMURCF制程简介雷清芳CF制程简介雷清芳簡報大綱液晶顯示器的基本構成元件彩色濾光片的結構CF製程介紹CF不良简介簡報大綱液晶顯示器的基本構成元件何謂ColorFilterColorFilter彩色的LCD需要用到彩色濾光片（ColorFilter），經由控制IC的訊號處理，使得從背光源發射的強光，可利用彩色濾光片的處理，表現出彩色的畫面。彩色濾光片之製作是於玻璃基板上，將紅、綠、藍三原色之有機材料，製作在每一個畫素之內。何謂ColorFilterColorFilter1.TFTLCD是由兩片玻璃所組成，上端是CF，下端是TFT，中間夾著一層液晶，再搭配偏光板、背光板及驅動電路等元件，形成為一顯示器模組。GlassCFTFT-LCD面板剖面圖液晶Glass偏光片背光燈管驅動IC板TABICTFT偏光片液晶顯示器的基本構成元件RGB1.TFTLCD是由兩片玻璃所組成，上端是CF，下端是T彩色濾光片結構0.3~0.7TRBM1.2μmCF剖面圖CF俯視圖彩色濾光片結構0.3~0.7TRBMCF剖面圖CF俯視圖BM製程1.功用：遮光效用，防止TFT產生光電效應進而產生誤動作;

防止兩色相混，使兩顏料不會混合在一起;

增進色彩對比性;2.CrBM製程

樹脂BM製程基板黑色光阻光阻塗佈曝光UV光源光罩顯影Cr成膜UV光源光罩硬烤BM形成RGBBMOCITOMVAPS基板光阻塗佈曝光顯影蝕刻光阻剝離BM形成光阻BM製程1.功用：遮光效用，防止TFT產生光電效應進而產生鍍鉻製程(SputtrCr)基板Ar＋靶材Cr

二次電子通入氣體Ar

自由電子抽真空原理：利用高壓電場將通入的氣體分子Ar游離成Ar+離子和電子，再以電場加速Ar+離子撞擊Target，Target原子就會被撞擊出來，沉積在基板上。鍍鉻製程(SputtrCr)基板Ar＋靶材Cr二次電子UV燈烘烤顯影BM-基板紅色光阻塗佈曝光光罩綠色&藍色曝光部分因聚合而失去溶解性。洗去未曝光部分，形成所需圖案樣式。加熱以硬化殘留之負型光阻。RGB製程RGBBMOCITOMVAPSUV燈烘烤顯影BM-基板紅色光阻塗佈曝光光罩綠色&藍色曝正/負型光阻正型光阻:開口曝光~光阻不保留負型光阻:開口曝光~光阻保留正/負型光阻正型光阻負型光阻CF廠一般機種製造流程導入OC材機種製造流程OCOC製造流程OC層的作用說明：使色層平坦化與保護層的作用，提升後段製程良率。ITOBM+RGBRGBBMOCITOMVAPSCF廠一般機種製造流程導入OC材機種製造流程OCOC製造流程鍍ITO製程(SputtrITO)所謂ITO是指Indium(銦)及Tin(錫)的氧化合物，因為透明又具導電性，所以又稱透明導電膜。

RGB基板鍍好ITO膜之基板濺鍍ITO靶RGBBMOCITOMVAPS鍍ITO製程(SputtrITO)所謂ITO是指IndiuMVA

製程GlassInput水洗段CleanMVA光阻塗佈顯影AOI檢查Oven

曝光製程GlassOutputRGBBMOCITOMVAPSMVA製程GlassInput水洗段CleanMVA光阻MVA製程(多象限垂直配向)

Multi-domainVerticalAlignment藉由此突出物的幫忙，可以讓液晶產生一預傾(pre-tilt

angle)，以便當電壓施加於液晶時，可以讓液晶倒向不同的方向，人眼對液晶長軸與短軸的屈光特性並不一致，以致當人眼的夾角變化時，感受到的光強度便不一致，就會有不同灰階的感覺。MVA的原理就是想利用不同角度的液晶，藉由互相的補強，來擴大視角的範圍。VA机种液晶排列是垂直于面板，属于normalblack类型。加入凸起物（Protrusion）使液晶本身產生一個預傾角（Pre-tiltAngle）

MVA製程(多象限垂直配向)

Multi-domainVPhotoSpacer目的:在使TFT及CF面板中間有間距，使液晶能做旋轉的動作.PS光罩UV燈曝光顯影PS光阻塗佈及旋轉烘烤CFTFTSpacer-BallCFTFTColumnConventionalStructureNovelStructureRGBBMOCITOMVAPSPhotoSpacer目的:在使TFT及CF面板中間有間距同性電互斥Cell-BallspacerCF-PSPhotoSpacer同性電互斥Cell-BallspacerCF-PSPhoMACRO外觀檢查光盒透過檢查鈉燈反射檢查強光燈檢查主要針對外觀不良(異物、漏光、Mura、色不均等)進行篩檢過濾檢查。MACRO外觀檢查光盒透過檢查鈉燈反射檢查強光燈檢查主要特性量測BM位置精度線幅精度TotalPitch光學濃度(OD)RBG色度(分光值)ITO膜厚透過率阻抗值PSPS柱高位置精度上底尺寸特性量測BM位置精度線幅精度TotalPitch光學濃度(黑色陣列圖案(BM)總長─

TotalPitchBM特性量測開口幅-XTotalPitch變寬部份偏移關鍵性的尺寸：BM的線寬、開口率、位置精度線寬變寬=開口率變小正常開口幅-YOD值、膜厚黑色陣列圖案(BM)總長─TotalPitchBM特性RGB色度量測色度RGB色度量測色度RGB特性量測II起始部全距終了部幅手RGB特性量測II起始部全距終了部幅手RGB特性量測I線寬線寬色度透過率RGB特性量測I線寬線寬色度ITO規格量測理想下阻抗值越低越好穿透率(88以上)阻抗值(30以下)ITO膜ITO規格量測理想下阻抗值越低越好穿透率(88以上)ITO膜RGB-穿透率理想下：穿透率越高越好RGB-穿透率理想下：穿透率越高越好PhotoSpacer規格量測13㎛4㎛PSTopAreaPSBottomAreaOpeningoflowerpixelOpeningofupperpixel2.75um7.75umBMcenterYBMcenterX特性量測：位置精度、膜厚、上/下底線幅X軸面Y軸面PhotospacerPhotoSpacer規格量測13㎛4㎛PSTopACF不良簡介白缺陷：漏光(RBM欠陷、RGB色剝、針孔、圖形刮傷等)黑缺陷：異物(RBM殘留、Particle、RGB光阻異物等)Mura缺陷：Mura(直/橫Mura、黑GapMura、ITO色不均等)CF不良簡介白缺陷：白缺陷類-BM欠陷BM欠陷特徵：從反射光中較易看出，如果從透射光去看可以看見不規則遮光層消失，形成漏光現象。反射光透射光白缺陷類-BM欠陷BM欠陷特徵：反射光透射光白缺陷類-RBM額緣針孔

RBM額緣針孔：從反射光中較易看出，如果從透射光去看可以看見遮光層消失，形成漏光現象。反射光透射光白缺陷類-RBM額緣針孔RBM額緣針孔：反射光透射光白缺陷類-RBM膜面線刮

BM膜面線刮特徵：從反射光中較易看出，如果從透射光去看可以看見遮光層消失(呈現線型)，形成漏光現象。反射光透射光白缺陷類-RBM膜面線刮BM膜面線刮特徵：反射光透射光白缺陷類-R漏光

R漏光特徵：從穿透光中較易看出，可以看見當站製程遮光層消失，形成漏光現象。反射光透射光白缺陷類-R漏光R漏光特徵：反射光透射光白缺陷類-圓暈形色剝

圓暈型色剝特徵：從反射光中較易看出，當站製程圖型呈現漸層式圓暈狀，打穿透光時可以漏光現象。反射光透射光白缺陷類-圓暈形色剝圓暈型色剝特徵：反射光透射光白缺陷類-R透明異物

R透明異物特徵：從穿透光中較易看出，如果從透射光去看可以看見當站製程衍生不明透明狀異物，打穿透光形成漏光現象。反射光透射光白缺陷類-R透明異物R透明異物特徵：反射光透射光黑缺陷類-RBM光阻異物

BM光阻異物特徵：從反射光中較易看出，如果從透射光去看可以看見開口部有異物，形成遮光現象。反射光透射光黑缺陷類-RBM光阻異物BM光阻異物特徵：反射光透射光黑缺陷類-R光阻異物

R光阻異物特徵：從反射光中較易看出，如果從透射光去看可以看見當站製程衍生出的不明異物，形成黑欠現象。反射光透射光黑缺陷類-R光阻異物R光阻異物特徵：反射光透射光黑缺陷類-Lip光阻異物

Lip光阻異物特徵：從反射光中較易看出，當站製程圖形中可以看見當製程異物呈現薄狀、條狀、帶狀異物。反射光透射光黑缺陷類-Lip光阻異物Lip光阻異物特徵：反射光透射光黑缺陷類-黑色異物

黑色異物特徵：從反射光中較易看出，當站製程出現不明黑色異物，穿透光無法穿透，形成遮光現象。反射光透射光黑缺陷類-黑色異物黑色異物特徵：反射光透射光黑缺陷類-纖維異物

纖維異物特徵：從反射光中較易看出，圖形成線長條不規則曲線。反射光透射光黑缺陷類-纖維異物纖維異物特徵：反射光透射光黑缺陷類-散佈金屬異物

散佈金屬異物特徵：從反射光中較易看出，可以看見開口部有多數小碎形異物(經分析多為金屬)，利用穿透光無法穿透，形成遮光現象。反射光透射光黑缺陷類-散佈金屬異物散佈金屬異物特徵：反射光透射光何謂MuraMura本來是一個日本字，隨著液晶顯示器在世界各地發揚光大，成為一個全世界都可以通的文字。主要是指顯示器亮度不均勻造成各種痕跡的現象。何謂MuraMura本來是一個日本字，隨著液晶顯示器在世界各放射狀Mura

放射狀Mura特徵：綠燈下可見放射狀色層差異，大多為基板在減壓乾燥時由於氣流和溫度的影響引起,以致光阻表面乾燥不均。放射狀Mura放射狀Mura特徵：丘Mura

丘Mura特徵：類似蝴蝶翅膀狀的點不均（兩個圓形交接），可能固定或不固定點。一般固定點常發生在HP/CP及EXP平台.清潔時如果無法使用無塵布擦拭掉可以配合使用滑石清潔。