研发学习-网络和nandflash详解汇编

。“闪存(Flash)”这一名称，是源于该器件只需单步操作即能擦除其中所有内容的能力装备很早就从这一能力中获益， 就应该迅速予以破坏。与EEPROM类似，Flash的数据也是通过向其晶体管栅区存入电荷来实现。电荷在栅上的是通过注入一定量的电荷、让其穿过绝缘氧化层来实。闪存器通常为两种类型：NAND和NOR型。NAND器件中晶体管的连接结构类似于一个NAND门NOR器件的晶体管连接结构则类似于NOR门(参见图1ab)。下面对其1aNOR闪存1bNAND闪存图2将SRAM置于Flash上制成的双堆与外设BIOS以及机顶盒的代码。NAND的性能特点是可以高速编程和擦除，以及高速串行。其密度高、外形紧凑，满足了数码相机、PDA和音频(MP3)等应用大容量文件的要求，其随机速度慢于NOR器件。为了文件和代码，人们还开发了其他类型的闪存器。下面简要列出，以供参移动设备的要功耗和电池——相对于SRAM和DRAM等其他器来说闪存器是非易失性的。此外，随着2001年多层单元的面世，闪存器的密度又有极大提高。采用多层单元结构时，同一个栅极上可以2bit及以上的信息。与单bit的闪存器件相比，这类器件的密度实际上翻了一倍(甚至)。速度——某些移动应用(如)的使用，受到通信链路的数据率限制。通常的标准做法是把代码到SRAM或DRAM中，再送出执行。在这类应用中，器系统的速度，含SRM和闪存，这个双中，SRAM存线图2。厂商们计划在不远的将来把处理器、SRAM、模拟电路和闪存器封装成为单个要解决多项严峻的：这样的封装要求各及粘(焊)接材料在热学上具有兼容性；互连，还需要采用一个衬底；互连层中的间走线需要在垂直方向上交织形成。结NORNAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。In1988年首先开发出NORflash技术彻底改变了原先由EPROMEEPROM一统天下的局紧接着，1989年，东芝公司了NANDflash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象分不清NOR和NAND闪存。相“flash器”经常可以与相“NOR器”互换使用。许多业内也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据密度的理想解决方案NOR的特点是内执行(XIP,eXecuteInPlace)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小也很快。应用NAND的在于flash的管理和需要特殊的系统接口。性能比flash闪存是非易失器，可以对称为块的器单元块进行擦写和再编程。任flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。NOR的读速度比NAND稍快一些NAND的写入速度比NOR快很多NAND4ms擦除速度远比NOR5s快大多数写入操作需要先进行擦除操 的擦除单元更小，相应的擦除电路更接口差相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。基于NAND的器就可以取代硬盘或其他块设备。容量和成NANDflash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NANDNORflash占据了容量1～16MB闪存市NANDflash只是用8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、SecureDigital、PCCards和MMC卡市场上所占份可靠性和耐用来说，Flash是非常合适的方案。可以从(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。(耐用性在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND器除了具有10比1的块擦除周期优势典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND器块在给定的时间内的删除次数要少一些。位交要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。反转的问题见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。这个问题对于用NAND多信息时倒不是致命的。当然，如果用本地设备来操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性坏块处易于使可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他器那样连接，并可以在上在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向件上自始至终都必须进行虚拟。支闪存管理算法的，包括性能优化。在R器件上运行代码不需要任何的支持在D器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，ND和R器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被WindRiverSystem、QNXSoftwareSystem、Symbian和 等厂商所采用驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏理和损耗平衡FlashMemory从结构上大体上可以分为AND、NAND、NOR和DiNOR等几种，多数特点为相对电压低、随机快、功耗低、稳定性高，而NAND和AND则容量大、回写速度快、面积小。目前市场上以NOR和NAND的应用最为广泛，分别有不同的NAND型的单元排列是串行NOR型则是并行的NANDFlashMemory块的页的数量也会不同，如8MB的模大小为(512+16)Byte、块大小为(8K+256)Byte2MB模块，页大小为(256+8)Byte、块大小为(4K+128)Byte。NANDNAND型的FlashMemory可以看做是顺序的设备，它仅用8比特的I/O端口就可NOR型的FlashMemory相比速度相当的快NAND型的不足在于随机存取速度较慢，而且没有办法按字节写；这些方面就恰好是NOR型的优点所在：NOR型随机存取速度较快，而且可以随机按字节写。正因为这些特点，所以NAND型的FlashMemory适合用在大容量的多应用中，而NOR型适合应用在数据/程序存贮应用中32Pages＝1Block；N个Blocks构成单颗IC。看到这样的结构，如果您熟悉FAT16文件Nand-Flash的结构FAT16分区的硬盘如此相似（FAT16分区的硬盘中Nand-Flash会被列SSFD（Solid-StateFlashDisk）的原因Flash器根据其电路的逻辑结构可分外两大类一类是NOR（异或）型，主要厂商有In、AMD、Atmel、Fujitsu、SST等，主要用于保存程序代码，接口方式与EPROM类似，采用并行结构，PC机的BIOS就是由这种Flash的；另一类是NAND（与非）型，主要是由Toshiba和Samung两大厂商生产，最大的特点是采用串行结构，模块不包含器控制器，结构简单，可以作出极高的容量，相的，而且这种Flash主要是用来数据。2001年1月，Samung推出了采用0.15微米工艺制作的单片容量高达512Mb（64MB）的NAND型Flash，目前单片容量可以做1Gbit[显示打印版本非易失性可编程FlashROM拥有比编程器（例如EPROM）的优势。最明显的是不用物理上更换就能够在已售出的设备上实现升级。FlashROM还能够为参数数据提供非易失性，例如定制产品设置和配置信息。块结一个FlashROM通常被分为很多块或扇区（例如64KB块）每个块可以被单独的擦除，在写入，以及保护不被意外的擦除或重编程。你不能对块中的单个字节编程除非先擦除整个块。ahROM需要特殊的次序来控制擦写和块保护。理解块的体系结构可以让你知道代码在FlashROM中的位置。FlashROM最小被分为个独立的区域，每个区包括一个或多个块，能够被独立的保护或再编启动块包括一个小的启动装载程序来初始化参数块非易失性定制数据，例如用户设FlashROM提供块保护来防止对单独块的意外擦除和写入。保护形式由锁定，锁定和是通过FlashROM中的寄存器写入实现的。它允许单独块的擦除和启动启动块中的启动装载代码的角色非常关键。除了启动CPU，它还能擦除和再编程整个FlashROM,不论其余的FlashROM是空的还是被破坏的。包括硬锁保护，大多数的FlashROM能够保护该区域的意外破坏。块的任何和再编程尝试都可能意外地导致产品的不可用。顶部和底部启动设