数控安装与维修2汇总igbt发展应用

1、 的发展与应用(莱芜钢铁公司动力部,山东莱芜 新发展， 器件应用中应注意的具体技术问题。合化方向发展，与其他电力电子器件相比，具有高可靠性、驱动简单、保护容易、不 了功率（绝缘栅双极晶体管）器件，20世纪90年代初进入实用化。近几年来，功率 前，应用在中压大功率领域的电力电子器件，已形成 GTO、IGCT、OGBT、IEGT 相 这种器件在大功率领域中的生命力。现在，跨世纪的 显示了巨大的进展，形成了一智能MOS栅 模块 是双极型晶体管（BJT）和 MOSFET 的复合器件，其将 BJT 的电导调制效应引入到 VDMOS 的高阻漂移区，大大改善了器件的导通性，同时它还具有 MOSFET的栅极高

2、输入阻抗，为电压驱动器件。开通和关断时均具有较宽的区，所能应用的范围基本2.1 种新型模块称为功率集成模块，简称 PIM(PowerIntegratedModule)。 模块是一种高 逆变器载波频率为 10kHz 时产生的损耗与旧系列相比降低 20。降低 0.5V，使开关损耗降低。 此第四代 特别注意到设计最佳的电极构造，从而改善了VF、Err关系，使FWD的VF2.2P 系列 NPT模块的特FUJIP 系列采用NPT 工艺制造，比 PT(PunchThrough) （5）P系列中，尤其是 1400V 模块比 PT-有更大的区，反偏（6）低损耗、软开关，它的 dv/dt 只有普通模块的 1/2

3、，大大降低了 EMI 噪声。目前， 已发展到第四代；西门子/EUPEC已可提供电流从10A2.4kA，电压范围为600V3.3kV 的 模块，以 1.2kA/3.3kV为例，其栅极发射极电压仅为 15V，触发功率低、关断损耗小、di/dt.du/dt 都得到有效的控制。 二是采用非穿通（NPT）结构取代穿通（PT）结构，因为 NPT 结构的容问题值得重视，采用电感封装技术可确保系统长期可靠的运行，大容量高压 适第四代 的基本特沟槽（Trench）结同各种电力半导体一样， 向大功率化发展的动力也是减小通态压降和增加开关速度（降低关断时间）之间的折衷。在常规的一至二代 中，其 MOS 沟道是平行于

4、硅片表面的。它的导通电流由两部分组成：MOS 分量 IMOS 和晶闸管分量 ISCR，为防止极下方、夹在 P 型基区中间的结型场效应晶体管（JFET）的电阻 RJFET，它成为提高频率特性、缩小通态压降的。第四代 采用特殊的工艺制成沟槽结构，挖掉了RJFET，把 高压化1993 年，德国 EUPEC 公司（欧洲电力电子公司）推出 3.2kV/1.3kA 的 模块，但它是用多个串联加并联组成的。只能说是高压化发展的一种尝试。人们曾认为 1996 年，东芝公司推出了 2.5kV/1kA 的 ，具有同大功率晶闸管、GTO 管相1998 年，耐压4.5kV 的单管 开发出来，但是，要想制作单管大电流

5、是不可能的。在的制造过程中要做十几次精细的光刻套刻，经过相应次数的高温加工，图形大到一定程度，会急剧下降，甚至为零。所以，制造大功率 ，必然是要并联东芝公司生产的2.5kV/1kA，是由24个 2.5kV/80A的 并联而成的，还多并结构是 大功率化的必由。采用NPT结构是 自如并联的必要条件。霹雳（Thunderbolt）型 问 0100A150kHz300kHz。它的开关逆导型 和双向 使用 模块使用中应注意的问 的VGE 保证值为20V，在因而在栅极发射极之间接一只 10kQ 左右的电阻器为宜。 栅极串联电阻对 来说，增大栅极电阻能够减少 开通时续流二极管的反向恢复过电压，新型大功率 模块电子注入增强栅晶体管EnjecioEnanedaterasito近年来，东芝公司开发了 IEGT，其与 可望有较高的可靠性。与 相比，IEGT结