台式电脑维修办法附录

1、73/73第三部分-附录 每个用户的硬盘中都存放着大量的有用数据，而硬盘又是一个易出毛病的部件。为了有效的保存硬盘中的数据，除了有效的保存硬盘中的数据，备份工作以外，还要学会在硬盘出现故障时如何救活硬盘，或者提取其中的有用数据，把损失降到最小程度。 1、系统不承认硬盘 此类故障比较常见，即从硬盘无法启动，从其它盘启动也无法进入C盘，使用CMOS中的自动监测功能也无法发觉硬盘的存在。这种故障大都出现在连接电缆或IDE口端口上，硬盘本身的故障率专门少，可通过重新插拔硬盘电缆或者改换IDE口及电缆等进行替换试验，可专门快发觉故障的所在。假如新接上的硬盘不承认，关于IDE硬盘，还有一个常见的缘故确实是

2、硬盘上的主从条线，假如硬盘接在IDE的主盘位置，则硬盘必须跳为主盘状，跳线错误一般无法检测到硬盘。 2、CMOS引起的故障 CMOS的正确与否直接阻碍硬盘的正常使用，那个地点要紧指其中的硬盘类型。好在现在的机器都支持IDEautodetect的功能，可自动检测硬盘的类型。当连接新的硬盘或者更换新的硬盘后都要通过此功能重新进行设置类型。因此，现在有的类型的主板可自动识不硬盘的类型。当硬盘类型错误时，有时干脆无法启动系统，有时能够启动，但会发生读写错误。比如CMOS中的硬盘类型小于实际的硬盘容量，则硬盘后面的扇区将无法读写，假如是多分区状态则个不分区将丢失。还有一个重要的故障缘故，由于目前的IDE

3、都支持逻辑参数类型，硬盘可采纳Normal、LBA、Large等。假如在一般的模式下安装了数据，而又在CMOS中改为其他的模式，则会发生硬盘的读写错误故障，因为其物理地质的映射关系差不多改变，将无法读取原来的正确硬盘位置。 3、主引导程序引起的启动故障 硬盘的主引导扇区是硬盘中的最为敏感的一个部件，其中的主引导程序是它的一部分，此段程序要紧用于检测硬盘分区的正确性，并确定活动分区，负责把引导权移交给活动分区的DOS或其他操作系统。此段程序损坏将无法从硬盘引导，但从软区或光区之后可对硬盘进行读写。修复此故障的方法较为简单，使用高版本DOS的fdisk最为方便，当带参数/mbr运行时，将直接更换(

4、重写)硬盘的主引导程序。实际上硬盘的主引导扇区正是此程序建立的，fdisk.exe之中包含有完整的硬盘主引导程序。尽管DOS版本不断更新，但硬盘的主引导程序一直没有变化，从DOS3.x到目前有winDOS95的DOS，因此只要找到一种DOS引导盘启动系统并运行此程序即可修复。 4、分区表错误引导的启动故障 分区表错误是硬盘的严峻错误，不同错误的程度会造成不同的损失。假如是没有活动分区标志，则计算机无法启动。但从软驱或光驱引导系统后可对硬盘读写，可通过fdisk重置活动分区进行修复。假如是某一分区类型错误，可造成某一分区的丢失。分区表的第四个字节为分区类型值，正常的可引导的大于32mb的差不多D

5、OS分区值为06，而扩展的DOS分区值是05。假如把差不多DOS分区类型改为05则无法启动系统，同时不能读写其中的数据。假如把06改为DOS不识不的类型如efh，则DOS认为改分区不是DOS分区，因此无法读写。专门多人利用此类型值实现单个分区的加密技术，恢复原来的正确类型值即可使该分区恢复正常。分区表中还有其他数据用于纪录分区的起始或终止地址。这些数据的损坏将造成该分区的混乱或丢失，一般无法进行手工恢复，唯一的方法是用备份的分区表数据重新写回，或者从其他的相同类型的同时分区状况相同的硬盘上猎取分区表数据，否则将导致其他的数据永久的丢失。在对主引导扇区进行操作时，可采纳nu等工具软件，操作特不的

6、方便，可直接对硬盘主引导扇区进行读写或编辑。因此也可采纳debug进行操作，但操作繁琐同时具有一定的风险。 5、分区有效标志错误引起的硬盘故障 在硬盘主引导扇区中还存在一个重要的部分，那确实是其最后的两个字节:55aah，此字为扇区的有效标志。当从硬盘，软盘或光区启动时，将检测这两个字节，假如存在则认为有硬盘存在，否则将不承认硬盘。此标志时从硬盘启动将转入rombasic或提示放入软盘。从软盘启动时无法转入硬盘。此处可用于整个硬盘的加密技术。可采纳debug方法进行恢复处理。另外，DOS引导扇区仍有如此的标志存在，当DOS引导扇区无引导标志时，系统启动将显示为:missingoperating

7、system。其修复的方法可采纳的主引导扇区修复方法，只是地址不同，更方便的方法是使用下面的DOS系统通用的修复方法。 6、DOS引导系统引起的启动故障 DOS引导系统要紧由DOS引导扇区和DOS系统文件组成。系统文件要紧包括io.sys、msdos.sys、，其中是DOS的外壳文件，可用其他的同类文件替换，但缺省状态下是DOS启动的必备文件。在Windows95携带的DOS系统中，msdos.sys是一个文本文件，是启动windows必须的文件。但只启动DOS时可不用此文件。但DOS引导出错时，可从软盘或光盘引导系统，之后使用sys c:传送系统即可修复故障，包括引导扇区及系统文件都可自动修

8、复到正常状态。 7、fat表引起的读写故障 fat表纪录着硬盘数据的存储地址，每一个文件都有一组连接的fat链指定其存放的簇地址。fat表的损坏意味着文件内容的丢失。庆幸的是DOS系统本身提供了两个fat表，假如目前使用的fat表损坏，可用第二个进行覆盖修复。但由于不同规格的磁盘其fat表的长度及第二个fat表的地址也是不固定的，因此修复时必须正确查找其正确位置，由一些工具软件如nu等本身具有如此的修复功能，使用也特不的方便。采纳debug也可实现这种操作，即采纳其m命令把第二个fat表移到第一个表处即可。假如第二个fat表也损坏了，则也无法把硬盘恢复到原来的状态，但文件的数据仍然存放在硬盘的

9、数据区中，可采纳chkdsk或scandisk命令进行修复，最终得到*.chk文件，这便是丢失fat链的扇区数据。假如是文本文件则可从中提取并可合并完整的文件，假如是二进制的数据文件，则专门难恢复出完整的文件。 8、目录表损坏引起的引导故障 目录表纪录着硬盘中文件的文件名等数据，其中最重要的一项是该文件的起始簇号，目录表由于没有自动备份功能，因此假如目录损坏将丢失大量的文件。一种减少损失的方法也是采纳上面的chkdsk或scandisk程序的方法，从硬盘中搜索出chk文件，由目录表损坏时是首簇号丢失，在fat为损坏的情况下所形成的chk文件一般都比较完整的文件数据，每一个chk文件即是一个完整

10、的文件，把其改为原来的名字可恢复大多数文件。 9、误删除分区时数据的恢复 当用fdisk删除了硬盘分区之后，表面现象是硬盘中的数据差不多完全消逝，在未格式化时进入硬盘会显示无效驱动器。假如了解fdisk的工作原理，就会明白，fdisk只是重新改写了硬盘的主引导扇区(0面0道1扇区)中的内容。具体讲确实是删除了硬盘分区表信息，而硬盘中的任何分区的数据均没有改变，可仿造上述的分区表错误的修复方法，即想方法恢复分区表数据即可恢复原来的分区即数据，但这只限于除分区或重建分区之后。假如差不多对分区用format格式化，在先恢复分区后，在按下面的方法恢复分区数据。 10、误格式化硬盘数据的恢复 在DOS高

11、版本状态下，格式化操作format在缺省状态下都建立了用于恢复格式化的磁盘信息，实际上是把磁盘的DOS引导扇区，fat分区表及目录表的所有内容复制到了磁盘的最后几个扇区中(因为后面的扇区专门少使用)，而数据区中的内容全然没有改变。如此通过运行unformatc:即可恢复原来的文件分配表及目录表，从而完成硬盘信息的恢复。另外DOS还提供了一个miror命令用于纪录当前的磁盘的信息，供格式化或删除之后的恢复使用，此方法也比较有效。 附录一 各类故障推断思路（流程）（一）加电类故障推断流程启动与关闭类故障推断流程（三）磁盘类故障推断流程（四）显示类故障推断流程（五）安装类故障推断流程（六）局域网类故

12、障推断流程（八）Internet类故障推断流程（九）端口与外设类故障推断流程（十）音视频类故障推断流程附录二 部分部件、设备的技术规格内存技术规格识不 从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时刻。我们能够借助SiSoft Sandra2001（下载地址 HYPERLINK http:/www.sisoftware.co.uk/index.htm http

13、:/www.sisoftware.co.uk/index.htm）这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，然而不同的内存规范，其格式也有所不同。 1、内存的定义内存指的确实是主板上的存储部件，是CPU直接与之沟通，并对其存储数据的部件。存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，它的物理实质确实是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。2、内存的分类1）内存类型分类RAM (Random Access Memory)随机读写存储器ROM (Rea

14、d Only Memory)只读存储器SRAM (Static Random Access Memory)静态随机读写存储器DRAM (Dynamic Random Access Memory) 动态随机读写存储器2）内存芯片分类FPM (FastMode) DRAM 快速页面模式的DRAMEDO (Extended Data Out) DRAM即扩展数据输出DRAM 速度比FPM DRAM快15%30%BEDO (Burst EDO) DRAM突发式EDO DRAM 性能提高40%左右SDRAM (Synchronous DRAM) 同步DRAM 与CPU的外部工作时钟同步RDRAM (Ra

15、mbus DRAM ) DDR (Double Data Rate) DRAM 3）按内存速度分PC66PC100PC133PC200PC2664）按内存接口形式分SIMM(Single-In Line Memory Module)单边接触内存条,分为30线和72线两种。DIMM(Dual In-Line Memory Module)双边接触内存条，168（SDRAM）线，184(DDR1)线，240(DDR2)线等，目前广泛使用DDR3内存，工作电压1.3。SODIMM Small Outline Dual In-line Memory Module144线DIMM要紧用于笔记本型电脑RIM

16、M5）按是否有缓冲分UnbufferedRegistered6）按是否有校验分Non-ECCECC3、PC66/100 SDRAM内存标注格式 （1）1.01.2版本 这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时刻），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时刻），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相关于时钟下沿的数据读取时

17、刻），一般为6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1。2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须通过注册。 （2）1.2b+版本 其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时刻），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时刻），用时钟周

18、期数表示；ee代表相关于时钟下沿的数据读取时刻，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须通过注册。 4、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式 威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133M

19、Hz时最好能达到CAS=2。 PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时刻），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时刻，用时钟周期数表示；ff代表相关于时钟下沿的数据读取时刻，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。 5、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式其格式

20、为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时刻，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时刻，用时钟周期数表示；ff代表相关于时钟下沿的数据读取时刻，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为

21、1.0。 6、RDRAM 内存标注格式其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。 7、各厂商内存芯片编号（1）HYUNDAI（现代） 现代的SDRAM内存兼容性特不行，支持DIMM的主板一般都能够顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表现代的产品；5a表示

22、芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分不代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分不代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；

23、I代表接口（0=LVTTLLow Voltage TTL接口）；j代表内核版本（能够为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=一般芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代表速度（7=7ns143MHz，8=8ns125MHz，10p=10nsPC-100 CL2或3，10s=10nsPC-100 CL3，10=10ns100MHz，12=12ns83MHz，15=5ns66MHz）。 例如HY57V658010CTC-10s，HY

24、表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refreshcycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-封装，10S代表CL=3的PC-100。 市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz专门稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为7

25、5的早已停产，改换为T-H如此的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有专门多，这可能是往常的屯货，但可能性专门小，假货的可能性较大，因此最好购买T-H尾号的PC133现代内存。 （2）LGSLG Semicon LGs现在已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也专门常见。 LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi 其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到

26、E；g代表功耗（L=低功耗，空白=一般）；T代表封装（T=常见的TSOP封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns133MHz，8=8ns125MHz，7K=10nsPC-100 CL2或3 ，7J=10ns100MHz，10K=10ns100MHz，12=12ns83MHz，15=15ns66MHz）。 例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。 LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者

27、要紧区不是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，许多奸商把它们冒充7J/7K的来卖。 （3）Kingmax(胜创) Kingmax的内存采纳先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采纳TSOP封装。采纳TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装能够将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，只是Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好

28、，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上难道无法开机。 Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本要紧解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意不买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，因此你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观看内存上字

29、迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。 KINGMAX PC150内存采纳了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了专门大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区不在于：PC100的内存有相当一部分能够超频到133，但不是全部；而PC133的内存却能够保证100%稳定工作在

30、PC133外频下（CL=2）。 （4）Geil(金邦、原樵风金条) 金邦金条分为金、红、绿、银、蓝五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。 金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32 其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄

31、型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=

32、反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U= BGA）；-7是存取时刻（7=7ns（143MHz）；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。 （5）SEC（Samsung Electronics，三星） 三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）

33、；16代表内存芯片组成x16（1=x1以1的倍数为单位、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256254 = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。 三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16

34、= x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns143MHz、8 = 8ns125 MHz、10 = 10ns100 MHz、H = 100 MHz CAS值为2、L = 100 MHz CAS值为3 ）。三星的容量需要自己

35、计算一下，方法是用S后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。 三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下： Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、

36、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM3.3V、L=DDR SDRAM2.5V）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K 15.6s、1 = 32m/2K 15.6s、2 = 128m/8K15.6s、3 = 64m/8K7.8s、4 = 128m/16K7.8s）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(

37、3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时刻0 = 64m/4K (15.6s)，内存

38、芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP II，速度133MHZ。 三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA 逆转CSP、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps

39、）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。 （6）Micron（美光） Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j 其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M

40、=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分不代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write RecoveryTwr(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPII封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U= BGA）；

41、j代表功耗（L=低耗，空白=一般）；hj代表速度，分成以下四类： （A）、DRAM -4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 CL3） -15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 CL=2.5 -8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz （B）、Rambus（时钟率） -4D=40

42、0MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns +的含义 -8E支持PC66和PC100（CL2和CL3） -75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3） -7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3） -7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3） （C）、DDR SDRAM -8支持PC200（CL2） -75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5） -7支

43、持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。 例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz 其它还有如：黑金刚Kingbox 宇瞻Apacer 英飞凌Infineon 金士顿 经历科技 Ramaxel 星存StarRam 威刚 ADATA 金士泰Kingstek 要紧内存颗粒生产商：三星(SAMSUNG)、现代(Hynix)、英飞凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亚(NANYA)、华邦(Winbond)茂矽(MOSEL)（7）其它内

44、存芯片编号 NEC的内存芯片编号例如PD4564841G5-A80-9JF表示：PD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分不代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPII封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2

45、（80=8ns125MHz CL 3，10=10nsPC100 CL 3，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=PC133，75=PC133）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；JH=86-pin TSOP-II）。 HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分不代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到

46、F了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=一般）；TT为TSOII封装；B60代表速度（75=7.5ns133MHz，80=8ns125MHz，A60=10nsPC-100 CL2或3，B60=10nsPC-100 CL3即100MHZ时CL是3）。 SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHzCL3，10=100MHzPC66规格）。 TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；

47、59代表SDRAM（其后的S=一般SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分不代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPII封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=一般）；80代表速度（75=7.5ns133MHz，80=8ns125MHz，10=10ns100MHz CL=3）。 IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分不代表4、

48、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=一般）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns147MHz，75A=7.5NS133MHz，260或222=10nsPC100 CL2或3，360或322=10nsPC100 CL3，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS100MHz。 硬盘的技术规格硬盘的分类按照结构分为机械式硬盘（英文名：Hard Disc Drive，简称HDD，全名温彻斯特式硬盘）和固态硬盘（SSD ：Solid State Disk，全名固态电子存储芯片阵列）硬盘的技术规格 转速：硬盘通常是按每分钟转速(RPM

49、，Revolutions Per Minute)计算：该指标代表了硬盘主轴马达（带动磁盘）的转速，比如5400 RPM就代表该硬盘中主轴转速为每分钟5400转。目前主流笔记本硬盘转速为5400RPM；台式机硬盘则为7200RPM。但随着技术的不断进步，笔记本和台式机均有万转产品问世，但多用用于企业用户。单碟容量：单碟容量是硬盘相当重要的参数之一。硬盘是由多个存储碟片组合而成，而单碟容量确实是指一个存储碟所能存储的最大数据量。目前在垂直记录技术的关心下，单碟容量从之前80GB升级到500GB或者640GB，进展速度相当快。硬盘单碟容量提高不仅仅能够带来总容量提升，有利于降低生产成，提高工作稳定性

50、；而且单碟容量越大其内部数据传输速率就越快。平均寻道时刻：平均寻道时刻指硬盘在盘面上移动读写磁头到指定磁道查找相应目标数据所用的时刻，单位为毫秒。当单碟容量增大时，磁头的寻道动作和移动距离减少，从而使平均寻道时刻减少，加快硬盘访问速度。 缓存：缓存是硬盘与外部交换数据的临时场所。硬盘读/写数据时，通过缓存一次次地填充与清空，再填充，再清空，就像一个中转仓库一样。目前大多数硬盘缓存差不多达到32MB，而关于大容量产品则均为64MB容量。内部数据传输率：内部传输率是指硬盘磁头与缓存之间的数据传输率，简单讲确实是硬盘将数据从盘片上读取出来，然后存储在缓存上的速度。内部传输率能够明确表现出硬盘的读写速

51、度，它的高低才是评价一个硬盘整体性能的决定性因素。目前大多数桌面级硬盘差不多都在70-90MB/S之间，笔记本硬盘则在55MB/S左右。日立硬盘 例如: HDP725050GLA360 H = Hitachi（日立标识）D = DeskstarP = P7K500系列（S代表Standard） 72 = 7200转50 = 此系列产品的最大容量为500GB（10=1000GB） 50 = 此款硬盘容量为500GB（16=160GB，25=250GB，32=320GB, 50=500GB, 75=750GB，10=1000GB）G = 系列代号 L = 标准尺寸A3 = SATA 3.0Gb/s

52、 接口（AT=PATA 133接口）6 = 16MB缓存（8=8MB 缓存，6=16MB缓存，3=32MB缓存） 0 = 保留位希捷硬盘 例如: ST31000528ASST = Seagate（希捷）3 = 3.5英寸（1=3.5英寸全高硬盘，3=3.5英寸半高硬盘）1000 = 1TB容量（250=250GB，320=320GB，500=500GB，以此类推） 5 = 32MB缓存（8=8MB，6=16MB）2 = 两张碟片（1=单碟，3=三碟，4=四碟）A = 保留位S = Serial ATA串行接口（A=PATA并行接口）西部数据硬盘 例如: WD2500JS-00SGB0WD =

53、Western Digital（西部数据）2500 = 250GB容量（1600=160GB，5000=500GB，以此类推）J = 7200rpm/8MB缓存（B=7200转2MB，E=5400转Protege系列，G=10000转8MB） S = SATA 300MB/s接口（B=ATA接口，D=SATA 150MB/s接口）00 = 零售市场（非00则是面向OEM客户）S = 单碟容量G = 代表同系列硬盘的版本B0 = 代表硬盘Firmware版本（我们常见的确实是A0和B0）液晶显示器技术规格1、分辨率 LCD是通过液晶象素实现显示的，但由于液晶象素的数目和位置差不多上固定不变的，因

54、此液晶只有在标准分辨率下才能实现最佳显示效果，而在非标准的分辨率下则是由LCD内部的ic通过插值算法计算而得，应此画面会变得模糊不清，然而LCD显示器的真实分辨率依照LCD的面板尺寸定，15英寸的真实分辨率为1024768，17英寸为12801024。 2、LCD的点距 LCD显示器的像素间距(pixel pitch)的意义类似于CRT的点距(dot pitch)。只是前者关于产品性能的重要性却没有后者那么高。CRT的点距会因为遮罩或光栅的设计、视频卡的种类、垂直或水平扫描频率的不同而有所改变。LCD显示器的像素数量则是固定的。因此，只要在尺寸与分辨率都相同的情况下，所有产品的像素间距都应该是

55、相同的。例如，分辨率为1024768的15英寸LCD显示器，其像素间距皆为0.297mm(亦有某些产品标示为0.30mm)。 3、波浪 波浪(亦称作水波浪Moire)，也是和相位一样是看不出来的，水波浪会在画面上显示出像水波涟漪一般的呈相结果，在一般的情况下相当难看得出来，然而您也能够用全白的画面来检测，尽管不是专门容易察觉 ，然而站的略微和显示器有一些距离，认真瞧一瞧就能够发觉，水波浪也是能够调整的。 4、响应时刻 响应时刻是LCD显示器的一个重要指标，它是指各像素点对输入讯号反应的速度，即像素由暗转亮或由亮转暗的速度，其单位是毫秒(ms)，响应时刻是越小越好，假如响应时刻过长，在显示动态影

56、像(特不是在看看DVD、玩游戏)时，就会产生较严峻的拖尾现象。目前大多数LCD显示器的响应速度都在25ms左右，如明基、三星等一些高端产品反应速度以达到16ms甚至现在出现了12ms的液晶。 5、可视角度 可视角度也是LCD显示器特不重要的一个参数。由于LCD显示器必须在一定的观赏角度范围内，才能够获得最佳的视觉效果，假如从其它角度看，则画面的亮度会变暗(亮度减退)、颜色改变、甚至某些产品会由正像变为负像。由此而产生的上下(垂直可视角度)或左右(水平可视角度)所夹的角度，确实是LCD的“可视角度”。由于提供LCD显示器显示的光源经折射和反射后输出时已有一定的方向性，在超出这一范围观看就会产生色

57、彩失真现象。 6、LCD显示器的刷新率 由于设计上的不同，LCD显示器实际上并可不能像CRT显示器因为刷新率的高低而产生闪耀的状况。关于CRT显示器来讲，刷新率关系到画面更新的速度，速度愈快画面愈不容易闪耀，刷新率一般在75Hz以上，如此使用 者比较可不能感到画面闪耀(假如您有看过由摄影机所拍摄的显示器画面 ，会发觉有一条一条的黑影闪过，假如刷新率越高，那个黑影闪耀次数 就越低，对使用者的眼睛也越好)。 7、亮度，对比度 亮度是以每平方米烛光(cd/m2)为测量单位，通常在液晶显示器规格中都会标示亮度，而亮度的标示确实是背光光源所能产生的最大亮度。一般LCD显示器都有显示200cd/m2的亮度

58、能力，更高的甚至达300cd/m2以上。亮度越高，适应的使用环境也就越广泛。 目前提高亮度的方法有两种，一种是提高LCD面板的光通过率；另一种确实是增加背景灯光的亮度，即增加灯管数量。那个地点需要注意的是，较亮的产品不见得确实是较好的产品，亮度是否均匀才是关键，这在产品规格讲明书里是找不到的。亮度均匀与否和光源及反光镜的数量与配置方式息息相关，离光源远的地点，其亮度必定较暗。 8、信号输入接口 LCD显示器一般都使用了两种信号输入方式：传统模拟VGA的15针状D型接口(15 pin D-sub)和DVI输入接口。为了适合主流的带模拟接口的显示卡，大多数的LCD显示器均提供模拟接口，然后在显示器

59、内部今后自显示卡的模拟信号转换为数字信号。由于在信号进行数模转换的过程中，会有若干信息损失，因而显示出来的画面字体可能有模糊、抖动、色偏等现象发生；现在拥有DVI和VGA接口的显卡比比皆是，价格也不高，因此建议使用DVI接口。 9、LCD的坏点 LCD显示器最怕的确实是坏点，所谓的坏点，确实是不管显示器所显示出来的 图像为何，LCD上的某一点永久是显示同一种颜色(一般坏点以绿色及蓝色为多)，检查坏点的方式相当的简单，只要将LCD显示器的亮度及对比调到最大(让显示器成全白的画面)，以及调成最小(让显示器成全黑的画面)，就能够轻易找出无法显示颜色的坏点。附：LED背光技术作为目前被应用得最广泛的液

60、晶背光灯管，CCFL（clod cathode fluorescent lamps）的中文名为冷阴极荧光灯，这项技术事实上不仅被运用在液晶显示器上，还能够在日常生活中使用的电灯管看到。CCFL的原理是利用电压激活灯管里的水银蒸汽，水银被电离后就会发出短波紫外线，使灯管内的磷质发出可见光。而LED（light-emitting diode）中文名为发光二极管，原理是利用电流从二极管的阳极通过阴极，其间电子和空穴（失去一个电子的正离子）相遇时，就会融合在一起变成中性原子，同时释放出光子（也确实是光线的差不多粒子）。CCFL灯管的形状专门多，通常在LCD上使用的差不多上S形。由于水银是制作CCFL不