EPI外延培训教材课件

1、EPI外延培训教材10/10/20221EPI外延培训教材10/9/20221介绍 本文稿主要介绍EPI外延设备的相关知识。主要内容包括： 1.设备简介。 2.外延工艺介绍 10/10/20222介绍 本文稿主要介绍EPI外延设备的相关知识。10/9/20设备简介设备的结构组成System head pull-down menusProcess chamber结构图设备安全简介10/10/20223设备简介设备的结构组成10/9/20223设备的结构和组成EPI主要由以下几部分组成：1:Mainframe2:Remote controller/AC Power frame3:Vacuum sy

2、stem4:Exhaust system具体结构请参照附图10/10/20224设备的结构和组成EPI主要由以下几部分组成：10/9/202Mainframe10/10/20225Mainframe10/9/20225附图二整体示意图10/10/20226附图二整体示意图10/9/20226System head pull-down menus10/10/20227System head pull-down menus10/Process chamber结构图10/10/20228Process chamber结构图10/9/20228设备安全简介 EPI机台由于用到大量的 易燃,腐蚀及剧毒气

3、体: H2,PH3,B2H6,DCS,HCL.所以在使用时一定要注意安全问题:我们要在平时的维护中注意以下要点:(1)SCRUBBER的排气一定要处于负压状态(2)在SCRUBBER排气处严禁任何明火存在,各类物品均需要防暴型.(3)设备端OVER PRESSURE管道一定要勤于检查防止堵塞.(4)在做PM时一定要带好防毒面具,严格按PM操作规程操作.(5)一定要勤于检查各项INTERLOCK信号的功能是否可用.10/10/20229设备安全简介 EPI机台由于用到大量的 易燃,腐蚀及剧毒外延工艺简介外延的优点外延的缺点埋层图形的移动VLSI器件外延的要求外延膜表面的光学检查10/10/202

4、210外延工艺简介外延的优点10/9/202210外延的优点减少了在结构功率增加或在遭到辐射脉冲时CMOS电路可能经受的闩锁效应；器件搀杂浓度的精确控制；层中可以不含氧和碳10/10/202211外延的优点减少了在结构功率增加或在遭到辐射脉冲时CMOS电路外延的缺点增加了工艺复杂性和硅片成本；在外延层中产生缺陷；自掺杂效应；图形改变和冲坏10/10/202212外延的缺点增加了工艺复杂性和硅片成本；10/9/202212埋层图形的移动影响因素:基片取向、淀积速率、淀积温度和硅的原料。基片取向：取向的硅片,轴的方向上的图形移动得最小;硅片则在偏离111方向2-5、接近方向时，表现出最小的影响（效

5、应）。因而用于生长取向的外延层的基片有3的偏离10/10/202213埋层图形的移动影响因素:基片取向、淀积速率、淀积温度和硅的原VLSI器件外延的要求严格的厚度和电阻率控制；少量的工艺诱发缺陷；减少图形移动和冲坏；减少自掺杂；降低工作温度10/10/202214VLSI器件外延的要求严格的厚度和电阻率控制；10/9/20外延膜表面的光学检查光学显微镜（雾、坑、颗粒和钉）；UV光源；低倍（75-200X）的显微镜显示了层错和金字塔型缺陷；外延层的掺杂浓度通常用四极探针测量方块电阻来确定（异型）；掺杂剖面由测量扩展电阻、电容-电压、中子激活分析和二次离子质谱SIMS技术获得。少子寿命提供了对重金属杂质浓度的测量（Zerbst方法）10