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3、s, activity reports, party group sample essays, other sample essays, etc. I want to understand 第 1 页 共 9 页正文内容物理学习想必少不了实验证明吧么面是本店铺给大 家整理收集的大学物理实验报告,供大家阅读参考。大学物理实验报告 实验目的:通过演示来了解弧光放电的原理实验原理存在一定距离的两电极之间加上高压两电极间的电场达到空气的击穿电场时,两电极间的空气将被击穿, 并产生大规模的放电,形成气体的弧光放电。雅格布天梯的两极构成一梯形,下端间距小,因而场强大( 其下端的空气最先被击穿而放电。由于电
4、弧加 (空的温度升高,空气就越易被电 击穿场强就下 使其上部的空气也被击穿,形成不断放电。结果弧光区逐渐上移,犹如爬梯子一般的壮观。当升至一定的高度时,由于两电极间距过大,使 极间场强太小不足以击穿空气,弧光因而熄灭。简单操作:打开电源,观察弧光产生。并观察现象 (意 弧光的产生、移动、消失。实验现象:两根电极之间的高电压使极间最狭窄处的电场极度强的电场力使空气电离而形成气体离子导电时产生光和热空气带着电弧一起上升,就象圣经中的雅各 (yacob 以色列人 的祖先梦中见到的天梯。第 2 页 共 9 页注意事项:演示器工作一段时间后,进入保护状态,自动断 电,稍等一段时间,仪器恢复后可继续演示,
5、实验拓展:举例说明电弧放电的应用大学物理实验报告 一、演示目的气体放电存在多种形式电晕放电弧放电和火花放电 等,通过此演示实验观察火花放电的发生过程及条件。二、原理首先让尖端电极和球型电极与平板电极的距离相等极放电球型电极未放电是由于电荷在导体上的分布与导体的曲率半径有关。导体上曲率半径越小的地方电荷积聚越多(端电极处,两极之间的电场越强,空气层被击穿。反之越少(型电极处,两极之间的电场越弱,空气层未被击穿。当尖端电极与平板电极之间的距离大于球型电极与平板电极之间的距离时,其间的电场较弱,不能击穿空气层。而此时球型电极与平 板电极之间的距离最近,放电只能在此处发生。三、装置一个尖端电极和一个球
6、型电极及平板电极。四、现象演示让尖端电极和球型电极与平板电极的距离相等极放电球型电极未放电着让尖端电极与平板电极之间的距离大于球型电极与平板电极之间的距离球型电极与平板电第 3 页 共 9 页极之间发生五、讨论与思考雷电暴风雨时好不要在空旷平坦的田野上行走什么 大学物理实验报告 、引言热敏电阻是根据半导体材料的电导率与温度有很强的依赖关 制 成 一 器 其 电 系 一 (-0.003+0.6)。因此,热敏电阻一般可以分为:、负电阻温度系数( NTC)的热敏电阻元件常由一些过渡金属氧化物(要用铜、镍、钴、镉等氧化在一定的烧结条件下形成的半导体金属氧化物作为基本材料制成的,近年还有单晶半导体等材料
7、制成。国产的主要是指MF91MF96 型半导体热敏电阻。由于组成这类热敏电阻的上述过渡金属氧化物在室温范围内基本已全部电离子浓度基本上与温度无关类热敏电阻的电阻率随温度变化主要考虑迁移率与温度的关系,随着温度的升高,迁移率增加,电阻率下降。大多应用于测温控温技术,还可以制成流量计、功率计等。 、正电阻温度系数( PTC)的热敏电阻元件常用钛酸钡材料添加微量的钛稀土元素采用陶瓷工艺温烧制而成类热敏电阻的电阻率随温度变化主要依赖于载流子浓度迁移率随温度的变化相对可以忽略流子数目随温度的升高呈指数增加,载流子数目越多,电阻率越小。应第 4 页 共 9 页用广泛,除测温、控温,在电子线路中作温度补偿外
8、,还制成各 类加热器,如电吹风等。、实验装置及原理【实验装置】型教学用非平衡直流电桥 非平衡电桥加热实验装置加热炉内置 半导体热敏电阻(2.7k)及控 温用的温度传感器)连接线若干。【实验原理】根据半导体理论导体材料的电阻率 和绝对温度 之 间的关系为(1-1)式中 b 于同一种半导体材料为常量与材料的物理性质有关。因而热敏电阻的电阻值 可以根据电阻定律写为 (1-2)式中 为两电极间距离, 为热敏电阻的横截面, 。对某一特定电阻而言, 与 为常数,用实验方法可以测 定。为了便于数据处理,将上式两边取对数,则有(1-3)上式表明 与 呈线性关系,在实验中只要测得各个温度 以 及对应的电阻 的值
9、,以 为横坐标, 纵坐标作图,则得到的图线应为直线,可 用图解法、计算法或最小二乘法求出参数 的值。第 5 页 共 9 页热敏电阻的电阻温度系数 下式给出(1-4)从上述方法求得的 和室温代入式(就可以算出室 温时的电阻温度系数。热敏电阻 在不同温度时的电阻值,可由非平衡直流电桥测得。非平衡直流电桥原理图如右图所示 之间为一负载电 阻 ,只要测出 就可以得到 值。当负载电阻 ,即电桥输出处于开路状态时, =0仅有电压输出,用 表示,当 时,电桥输出 ,即电桥处于平衡状态。为了测量的准确性,在测量之前,电桥必须预调平衡使输出电压只与某一臂的电阻变化有 关。若 、R2 定,R4 待测电阻, = ,
10、则当 R4 R4+ 时,因电桥不平衡而产生的电压输出为:(1-5)在测量 型热敏电阻时,非平衡直流电桥所采用的是立 式电桥 , 且 ,则(1-6)式中 均为预调平衡后的电阻值,测得电压输出后,通 过式1-6)算可得R从而求的 eq oac(,。)、热敏电阻的电阻温度特性研究根据表一中 MF51 半导体热敏电阻(2.7k)电阻第 6 页 共 9 页温度特性研究桥式电路,并设计各臂电阻 的值,以确保电压输出不会溢出本实验 =1000.0 =4323.0)根据桥式,预调平衡,将“功能转换”开关旋至“电压“位置,按下 、B 开关,打开实验加热装置升温,每隔 测 值,并将测量数据列表表二。表一 MF51
11、 型半导体热敏电 2.7k)电阻温度 特性温度 25 30 35 40 45 50 55 60 65电阻Omega; 1870 1573 1160 1000 表二 非平衡电桥电压输出形 式 )测量 MF51 型热敏电 阻的数据i 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10温度 t 10.4 12.4 14.4 16.4 18.4 20.4 22.4 24.4 26.4 28.4热力学 K 283.4 285.4 287.4 289.4 291.4 293.4 295.4 297.4 299.4 301.40.0 -12.5 -27.0 -42.5 -58.4 -74.8 -91.6 -107.8
12、 -126.4 -144.40.0 -529.9 -1027.2 -124.8 -1451.9 -1630.1 -1815.4 -1977.94323.0 4063.8 3793.1 3534.0 3295.8 3074.9 2871.1 2692.9 2507.6 2345.1第 7 页 共 9 页根据表二所得的数据作出 右图所示用最小二乘法计算所得的线性方程为 ,即 MF51 型半导体热敏电阻 (2.7k)电阻温度特性的数学表达式为 。、实验结果误差通过实验所得的 MF51 半导体热敏电阻的电阻温度特性的数学表达式为 。根据所得表达式计算出热敏电阻的电阻温度特性的测量值表一所给出的参考值有
13、较好的一致性下 表所示:表三 实验结果比较温度 25 30 35 40 45 50 55 60 65参考值 2700 2225 1870 1573 1341 1160 1000 868 748测量值 2720 2238 1900 1587 1408 1232 1074 939 823相对误差 % 0.74 0.58 1.60 0.89 4.99 6.20 7.40 8.18 10.00从上述结果来看本在实验误差范围之内我们可以清楚的发现,随着温度的升高,电阻值变小,但是相对误差却在变 大,这主要是由内热效应而引起的。、内热效应的影响在实验过程中用非平衡电桥测量热敏电阻时总有一定的工作电流通过,热敏电阻的电阻值大,体积小,热容量小,第 8 页 共 9 页因此焦耳热将迅速使热敏电阻产生稳定的高于外界温度的附加内热温升就是所谓的内热效应准确测量热敏电阻的温度特性时须考虑内热效
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