吕国泰《电子技术》

1、第一章半导体二极管和三极管电子技术1第一页，共一百一十六页。第四节 稳压管第五节 半导体三极管第三节 半导体二极管第二节 PN结第一节 半导体的导电特性第一章 半导体二极管和三极管第二页，共一百一十六页。第一节 半导体的导电特性一、半导体的特点二、本征半导体三、N型半导体和P型半导体第三页，共一百一十六页。观看多媒体动画教学片半导体器件之一半导体基础知识第一节 半导体的导电特性链接动画片4第四页，共一百一十六页。独特的导电特性1.热敏特性：Ta2.光敏特性：光照 3.掺杂特性：掺入微量元素第一节 半导体的导电特性导电能力导电能力导电能力一、半导体特点5第五页，共一百一十六页。第一节 半导体的导

2、电特性14 +硅原子结构 4+简化模型纯净的具有晶体结构的半导体。二、本征半导体价电子4价元素（硅、锗）6第六页，共一百一十六页。第一节 半导体的导电特性共价键结构 4 4 4 4 4 4晶体结构 纯净半导体原子排列整齐共价键结构 两个相邻原子共有一对价电子,价电子受相邻原子核的束缚,处于相对稳定状态。7第七页，共一百一十六页。第一节 半导体的导电特性共价键结构 4 4 4 4 4 4本征激发价电子受热或光照后，挣脱束缚成为自由电子。常温下仅极少数。本征激发8第八页，共一百一十六页。第一节 半导体的导电特性共价键结构 4 4 4 4 4 4本征激发9第九页，共一百一十六页。第一节 半导体的导电

3、特性共价键结构 4 4 4 4 4 4本征激发自由电子空穴10第十页，共一百一十六页。第一节 半导体的导电特性共价键结构 4 4 4 4 4 4自由电子空穴本征激发两种载流子 ： 电子空穴 成对出现11第十一页，共一百一十六页。第一节 半导体的导电特性共价键结构 4 4 4 4 4 4电子流电场作用下，自由电子的定向移动。自由电子电 场电子流12第十二页，共一百一十六页。第一节 半导体的导电特性共价键结构 4 4 4 4 4 4电子递补空穴流 空穴流电场作用下，电子依次递补空穴的运动。电 场13第十三页，共一百一十六页。第一节 半导体的导电特性共价键结构 4 4 4 4 4 4半导体电流 =

4、电子流 + 空穴流电 场空穴流电子流14第十四页，共一百一十六页。第一节 半导体的导电特性三、N型半导体和P型半导体N型半导体掺入5价元素 P型半导体掺入3价元素 杂质半导体在本征半导体中掺入适量的杂质元素(非半导体元素)。5价元素磷、砷等。3价元素硼、镓、銦等。15第十五页，共一百一十六页。第一节 半导体的导电特性N型半导体 4 4 4 4 4 5+5 多一个价电子掺杂16第十六页，共一百一十六页。第一节 半导体的导电特性N型半导体 4 4 4 4 4 5多子-电子少子-空穴+5 掺杂本征激发 4N型半导体示意图电子正离子17第十七页，共一百一十六页。第一节 半导体的导电特性P型半导体 4

5、4 4 4 4 3多一个空穴+3 掺杂18第十八页，共一百一十六页。第一节 半导体的导电特性多子-空穴少子-电子P型半导体 4 4 4 4 4 3+3 P型半导体示意图负离子空穴掺杂本征激发19第十九页，共一百一十六页。第二节 PN结一、PN结的形成二、PN结的单向导电性第二十页，共一百一十六页。第二节 PN结1链接动画片观看多媒体动画教学片半导体器件之一半导体基础知识21第二十一页，共一百一十六页。 第二节 PN结N区P区负离子空穴正离子电子正负电荷中和，不带电一、PN结的形成22第二十二页，共一百一十六页。第二节 PN结空间电荷区（耗尽层）内电场P区N区扩散运动浓度差造成运动。复合自由电子

6、填补空穴，两者同时消失的现象。漂移运动载流子在电场力作用下的运动。多子扩散运动少子漂移运动暴露了失去电子的正离子暴露了失去空穴的负离子23第二十三页，共一百一十六页。 第二节 PN结空间电荷区（耗尽层）内电场P区N区浓度差多子扩散运动复合产生内电场阻碍多子扩散有利少子漂移运动扩散运动和漂移运动达到动态平衡形成一定宽度PN结多子扩散运动少子漂移运动24第二十四页，共一百一十六页。P N结 PNPN结: P区和N区交界面处形成的区域空间电荷区: 区内只剩离子,带电耗尽层: 区内载流子少名称内电场第二节 PN结电位差约为零点几伏宽度为几微米到几十微米25第二十五页，共一百一十六页。（一）外加正向电压

7、导通二、PN结的单向导电性（二）外加反向电压截止第二节 PN结26第二十六页，共一百一十六页。内电场RE外电场P区N区ID外加正向电压外电场抵削内电场,有利于多子的扩散很大限流,防止电流太大第二节 PN结PN结多子中和部分离子,使空间电荷区变窄27第二十七页，共一百一十六页。REP区N区I反外加反向电压外电场增强内电场,有利于少子的漂移很小第二节 PN结PN结内电场外电场少子背离 PN 结移动，,空间电荷区变宽28第二十八页，共一百一十六页。第三节 半导体二极管一、二极管的结构三、二极管的伏安特性四、二极管的主要参数五、二极管应用举例二、二极管的单向导电性第二十九页，共一百一十六页。阳极一、二

8、极管的结构阴极+-符号3.分类：按材料分硅二极管锗二极管按结构分点接触型面接触型平面型1.构成：2.符号：第三节 半导体二极管PN30第三十页，共一百一十六页。 第三节 半导体二极管外壳阴极引线金属丝N型锗片N型硅二氧化硅保护层底座N型硅金锑合金铝合金小球PN结点接触型面接触型平面型31第三十一页，共一百一十六页。R（一）外加正向电压EID二、二极管单向导电性导通，ID大（二）外加反向电压截止，I反很小EI反电流不为零第三节 半导体二极管R限流,防止电流太大32第三十二页，共一百一十六页。I/mAU/VO三、二极管的伏安特性死区UT导通电压: 硅0.6-0.8 锗非线性元件第三节 半导体二极管

9、导通电压死区电压,方能正常导通。（一）正向特性导通电压: 硅0.6-0.8V 锗0.1-0.3V死区电压: 硅0.5 锗0.133第三十三页，共一百一十六页。I/mAU/VOISUBR死区UT导通电压: 硅0.6-0.8 锗死区电压: 硅0.5 锗0.1反向 饱和电流反向击穿电压第三节 半导体二极管2.反向击穿现象: U反大到一定值时 I反（二）反向特性1.U反较小时:I反很小,称为反向饱和电流。34第三十四页，共一百一十六页。第三节 半导体二极管3.产生反向击穿的原因 4.危害:二极管损坏电击穿:U反大到一定值时, 把共价键中的价电子强行拉出强电场引起自由电子加速与原子碰撞，将价电子从共价键

10、中轰出热击穿: PN结上功耗大，热量高，PN结因过热烧毁。齐纳击穿： 雪崩击穿：35第三十五页，共一百一十六页。I/mAU/VOISUBR死区UT导通电压: 硅0.6-0.8 锗死区电压: 硅0.5 锗0.1反向 饱和电流反向击穿电压第三节 半导体二极管归纳36第三十六页，共一百一十六页。第三节 半导体二极管四、二极管的主要参数 正确选择和安全使用二极管的指标。(一)最大整流电流IF允许通过的最大正向平均电流。最大正向平均电流uitOuOtOui+-uO-+RL可在半导体手册中查到37第三十七页，共一百一十六页。第三节 半导体二极管（三）反向电流IR：即反向饱和电流。I/mAU/VOISUBR

11、（二）最高反向工作电压UR 二极管不被击穿所容许的最高反向工作电压,为UBR的一半。反向 饱和电流反向击穿电压硅几 A锗几十几百 A 反向饱和电流硅管的温度稳定性比锗管好38第三十八页，共一百一十六页。第三节 半导体二极管（二）极间电容CPN+Rui 1.PN结存在等效结电容 PN结中可存放电荷,相当一个电容。 2.对电路的影响：外加交流电源时，当频率高时，容抗小，对PN结旁通，单向导电性被破坏。（三）最高工作频率fM39第三十九页，共一百一十六页。第三节 半导体二极管 将二极管的特性线性化处理,按线性电路方法处理。1.二极管理想化模型 导通视为短路 截止视为开路（一）二极管等效模型 五、二极

12、管应用举例2.二极管恒压降模型 导通导通电压UD 截止开路40第四十页，共一百一十六页。第三节 半导体二极管IDUR-+UD-+导通电压: 硅管 取0.7V 锗管 取0.2V例1-3-1分别用二极管理想模型和恒压降模型求出 IO 和 UO 的值。IO = E / R = 6 / 6 = 1 (mA)UO = V = 6 VUO = E UD = 6 0.7 = 5.3 (V)IO = UO / R = 5.3 / 6 = 0.88 (mA)解:1.理想模型2.恒压降模型ER2 V6K41第四十一页，共一百一十六页。第三节 半导体二极管uOtO1.整流：改变信号波形，正弦波变脉动波。已知：二极管

13、理想化求：uO波形ui+-（二）二极管应用举例uitOuO-+分两个半周分析 信号正半周时：D导通uO=ui 信号负半周时：D截止uO=0分析思路RL42第四十二页，共一百一十六页。第三节 半导体二极管.检波作用：从载波信号中检出音频信号。讨论ui+-uO-+RLC旁路高频信号载波信号经二极管后负半波被削去检出音频信号ttt43第四十三页，共一百一十六页。第三节 半导体二极管.限幅：把输出信号的幅度限制在某电平范围内。已知：二极管UD0.7V求：uO波形5uito3.7讨论+-3V+-uiuO-+uOto3.744第四十四页，共一百一十六页。第三节 半导体二极管B、分两个半周分析 信号正半周时

14、： ui3.7V：D导通uO3.7V。 信号负半周时：D截止uOui。A、二极管有导通电压 导通UD=0.7V。 截止视为开路。分析思路讨论45第四十五页，共一百一十六页。第三节 半导体二极管实验一、二极管的限幅作用实验目的：二极管的限幅作用。EDA实验建立电路：二极管双向限幅电路。 实验步骤：1.去掉限幅电路,输出波形为 正弦波。 2.分别去掉一只限幅二级管， 输出波形削去一部分。 链接EDA146第四十六页，共一百一十六页。第三节 半导体二极管二极管限幅电路EDA实验47第四十七页，共一百一十六页。第三节 半导体二极管EDA实验 结 论:二极管具有限幅作用。电路情况输出波形无限幅电路去掉1

15、V的限幅电路去掉2V的限幅电路实验数据：48第四十八页，共一百一十六页。第三节 半导体二极管uAuBuO已知: UD0.7V求： uA、 uB 分别为0.3V、3V 不同组合时的uO.钳位与隔离讨论 隔离作用二极管D截止时，相当于断路，阳极与阴极被隔离。 钳位作用二极管D导通时，管压降小，强制阳极与阴极电位基本相同。-12VRDADBFAB49第四十九页，共一百一十六页。第三节 半导体二极管（1） uA与uB为相同电平时，DA、DB均导通。uO = 0.3-0.7=0.4V当uA = uB = 3V时:uO = 3-0.7=2.3V1V0.3V0.3V3V3V2.3V当uA = uB = 0.

16、3V时:分析思路-12VRDADBuAuBuOFAB50第五十页，共一百一十六页。第三节 半导体二极管0.3V3V1V（2） uA与uB为不同电平时：DA管的箝位作用：低电平使DA管优先导通，把uO箝位在1V,DB管加上反向电压，不再导通。二极管箝位作用分析思路DB管的隔离作用：把输入端B和输出端F隔离开。-12VRDADBuAuBuOFAB51第五十一页，共一百一十六页。第四节 稳压二极管一、硅稳压二极管及其特性二、硅稳压二极管主要参数第五十二页，共一百一十六页。第四节 稳压二极管一、硅稳压二极管及其特性 （一）稳压作用 工作在反向击穿区域 。 I大变化,U基本不变。（二）稳压管符号阳极阴极

17、正向运用：相当导通二极管UZ=0.7VUZIZIZmaxIZUZ反向运用： UZ U击，起稳压作用DzU/VI/mAO53第五十三页，共一百一十六页。(三)应用 稳压管反向击穿不会损坏: 经特殊工艺处理。 加限流电阻,保证 IZIZmax 。+UI-UOUZ+-UI增加,UO基本不变,增加量由R承担 。 限流电阻调节电阻RDRLUo = UZ第四节 稳压二极管54第五十四页，共一百一十六页。实验二、稳压管的稳压作用实验目的：稳压二极管的稳压作用。建立电路：1.取电位器RA调整输入电压UI。 2.取电位器RB调整负载RL。EDA实验实验步骤：调整RB，改变负载RL，观察前后 变化情况。 链接ED

18、A2第四节 稳压二极管55第五十五页，共一百一十六页。EDA实验稳压电路第四节 稳压二极管56第五十六页，共一百一十六页。 结 论: RL变化,UO基本不变。实验数据：EDA实验R uo1k5%7.024V1k80%6.916V第四节 稳压二极管57第五十七页，共一百一十六页。OI/mAU/VUZIZUZIZ1.稳定电压 UZ： 反向击穿时电压值。2.稳定电流 IZ和最大稳定电流IZmax ： IZ指对应稳定电压时的反向电流。 IZmax指稳压管允许通过的最大反向电流。4.动态电阻 rZ ： 愈小稳压效果好。二、硅稳压二极管主要参数IZmax3.最大耗散功耗： PZM= UZ IZmax第四节

19、 稳压二极管58第五十八页，共一百一十六页。UZ56V 正温度系数UZ56V 负温度系数5VUZ6V 温度系数最小5.电压温度系数：说明稳定电压随温度的变化程度。 电压温度系数当环境温度变化1时稳定电压变化的百分比。例：2CW15的U=0.07%/ 温度提高，稳定电压增加OI/mAU/VUZIZUZIZIZmax第四节 稳压二极管59第五十九页，共一百一十六页。归纳二极管1.二极管的特性：单向导电性。2.特性曲线： 导通电压、反向饱和电流、反向击穿电压。3.应用：整流、限幅、开关。 等效电路： 理想化型、恒压降型。4.二极管的主要参数。 二极管的结电容。5.稳压管：二极管工作在反向击穿区域。第

20、四节 稳压二极管60第六十页，共一百一十六页。阳极阴极PNPNN是什么?思考题第六十一页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管一、三极管的结构二、三极管的电流分配关系和电流放大作用三、特性曲线四、主要参数五、三极管应用举例第六十二页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管一、三极管的结构发射极基极集电极发射区基区发射结集电结集电区bceNPN型NNP63第六十三页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管PPN发射极基极集电极发射区发射结基区集电结集电区bcePNP型64第六十四页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管NNP几百微米几微米ebc三极管结构图b区薄,掺杂浓度最低c区面积最大e区掺杂浓度

21、最高65第六十五页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管 1.类型 NPN 型 PNP 型 e区掺杂浓度最高 2.结构特点 b区薄,掺杂浓度最低 c区面积最大 归纳 低频小功率管 3.按用途分类 低频大功率管 高频小功率管 高频大功率管 开关管66第六十六页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管三极管常见外型图67第六十七页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管半导体三极管观看多媒体动画教学片半导体器件之二链接动画片68第六十八页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管二、三极管的电流分配关系和电流放大作用三极管可用于放大(也可做电子开关)。 放大将微弱电信号增强到人们所需要的数值。ebc 共发

22、射极放大电路发射极为交流输入和输出电压的公共端uCE输出端口+-uBE输入端口+-讨论具备什么条件才能起放大作用？69第六十九页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管(一) 放大的条件1.加电原则发射结（e 结）正向运用集电结（c 结）反向运用+-UCB+-UCE+-UBENNPbece结c结NP+-正向运用bceRBEB+-RC+-ECRCRB+-ECEB+-70第七十页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管加电原则发射结（e 结）正向运用集电结（c 结）反向运用-UCB-+UCE+UBEPPNbece结c结RBRC+-ECRCRBbce讨论PNP管如何加电源？EB+-+-ECEB+-71第

23、七十一页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管2.电位特点NPN型：VCVbVePNP型： VCVbVeUBE硅0.60.8V锗0.10.3VUCB几伏十几伏 UCEUCB UBE 几伏 十几伏UCE3.电压数值+-UCB+-UCE+-UBEbceRCRB+-ECEB+-72第七十二页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管（三）电流分配实验电路IBIEICRCRBEB+-+-ECmAmAA调RB改变发射极电压UBE和基极电流IB不同IB对应不同的IC和IE73第七十三页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管1.电流通路2.电流流向IBIEICNPN型：IC、 IB流入， IE流出PNP型：IC

24、、 IB流出， IE流入RCRB+-ECEB+-74第七十四页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管IB(mA)0-0.0040.020.040.06IC(mA)0.0010.0040.701.502.30IE(mA)0.00100.721.542.363.电流关系（1）IE=IB +IC（2）ICIB IEIC结论符合基尔霍夫电流定律75第七十五页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管测量数据IB(mA)0-0.0040.020.040.06IC(mA)0.0010.0040.701.502.30IE(mA)0.00100.721.542.36（3）I B 与IC的比例为常数称直流电流放大系

25、数，用表示电流放大作用76第七十六页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管测量数据IB(mA)0-0.0040.020.040.06IC(mA)0.0010.0040.701.502.30IE(mA)0.00100.721.542.36(4) I B微小变化引起了IC较大变化称交流电流放大系数，用表示77第七十七页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管（5）当 IE 0，e极开路时ICBObcePNNIB(mA)0-0.0040.020.040.06IC(mA)0.0010.0040.701.502.30IE(mA)0.00100.721.542.36ICBO为反向饱和电流78第七十八页，共一

26、百一十六页。第五节 半导体三极管(6) 当 IB 0，b极开路时 ebcPNNIB(mA)0-0.0040.020.040.06IC(mA)0.0010.0040.701.502.30IE(mA)0.00100.721.542.36 ICEO 为穿透电流ICEO电流从c区穿过b区流到e区79第七十九页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管（四）放大作用ui uBE变 iE变 iB小变化iC大变化 uRC变 将小信号放大iBiEiCuBEuiEC+-RCEB+-RBuO80第八十页，共一百一十六页。 e区掺杂浓度最高 内部条件 b区薄,掺杂浓度最低 c区面积最大 放大的条件外部条件发射结正偏集电

27、结反偏第五节 半导体三极管iBiEiCuBEEC+-RCEB+-RBui81第八十一页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管直流电流放大系数 交流电流放大系数以IB小变化控制IC大变化 放大实质重要公式考虑反向饱和电流时82第八十二页，共一百一十六页。ECc极b极e极NPNc结e结RBEBRC三极管内部载流子运动正向偏置反向偏置多子少子忽略83第八十三页，共一百一十六页。1.发射区向基区扩散电子 （五）三极管内部载流子运动2.电子在基区的扩散和复合e 结加正向电压： 3. 集电区收集电子第五节 半导体三极管电源EB不断向基区补充空穴。 c 结加反向电压有利于少子漂移电子越过c结被收集电源EC不

28、断向发射区补充电子。多数向 c 结方向扩散少数与空穴复合 （浓度低忽略）发射区向基区扩散电子 基区向发射区扩散空穴 84第八十四页，共一百一十六页。ECc极b极e极NPNc结e结RBEBRC三极管内部电流分配 少子ICBOICIBIE少数复合I CNI BNI EN多子85第八十五页，共一百一十六页。载流子运动形成的电流发射极电流 IE : 发射区向基区注入电子。 ICN:向 C 结方向扩散形成电流。IBN:少数与空穴复合形成的电流。ICBO:集电区少子漂移形成的电流。IC:集电区收集电子形成的电流。I C = ICN + ICBO 第五节 半导体三极管IB: 基极电源提供的电流集电区少子漂移

29、形成的电流ICBOIB = I BN ICBO 86第八十六页，共一百一十六页。ECRCEBRBc极b极e极NPNc结e结IBICIEI ENI CNICBOI BN三极管电流放大作用uoui+-87第八十七页，共一百一十六页。ECRCRBc极b极e极NPNc结e结IENICNICBOIBNICIEIBuoui+-88第八十八页，共一百一十六页。三极管电流放大作用第五节 半导体三极管复合收集发射三极管结构确定后,IB与IC比例为常数。基区薄,掺杂浓度低,复合少,IB小。比例系数 IB微小变化引起IC较大变化：结电压变，IE变，复合的IB小变化，收集的IC大变化。89第八十九页，共一百一十六页。

30、第五节 半导体三极管例1-5-1 判断三极管的电极、类型、材料。3.5V2.8V12V类型：材料：电极：讨论+-UCB+-UCE+-UBEEB+-EC+-RCRBbceUBE硅0.60.8 取0.7V锗0.10.3 取0.2V电位居中b极两电位靠得近e极剩下c极NPN:VC最高PNP:VC最低解题思路90第九十页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管三、特性曲线IBICUCE+-+-UBE输入特性曲线：UCE一定时，IB UBE关系输出特性曲线： IB 一定时， ICUCE关系 管子各电极电压与电流的关系曲线，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。可调电源限流电阻限流电阻EB+-RBRC+

31、-ECAmAVV91第九十一页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管 (一) 输入特性曲线e结相当一个二极管,但要受输出UCE的影响UCE1VIB/mAUBE/VOUCE=3VUCE=0VIB/mAUBE/VOIBICUCE+-+-UBERBRC+-ECEB+-AmAVV近似重合92第九十二页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管 （二）输出特性曲线截止区饱和区IBICUCE+-+-UBERBRC+-ECEB+-AmAVVIB1=0IB2=20AIB3=40IB4=60IB5=80IB6=1000UCE/VIC/mA123436912放大区93第九十三页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管三

32、个工作区域1.截止区： IB=0以下区域，IC0 特点：失去放大作用。截止区IB1=0IB2=20AIB3=40IB4=60IB5=80IB6=1000UCE/VIC/mA123436912IB=0时,IC穿透电流ICEO94第九十四页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管2.放大区：曲线平坦部分IBIC特点： 受控特性：IC受IB控制。恒流特性：IB一定时，IC不随 ICE而变化。uCEIC三个工作区域0IB=0A20A40A60AUCE/VIC/mA放大区369121234 曲线间距反映电流放大系数95第九十五页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管0UCE/(V)IC/(mA)3.饱和区

33、:曲线上升部分,UCE很小，UCEUBE特点：IC不受IB控制，失去放大作用。IC1IB1IC2IB2IBIC变化小,不成比例饱和区三个工作区域UCES饱和压降96第九十六页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管三极管工作状态区分放大区饱和区截止区e结正向偏置正向偏置反向偏置c结反向偏置正向偏置反向偏置UCE= UCB+ UBEUCE UBE时:UCB为负，由反向偏置转为正向偏置。UCE= UBE时:UCB为零；+-UCB+-UCE+-UBEEB+-EC+-RCRBbce97第九十七页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管UCE= UCB+ UBE深度饱和：UCE UBE，UCB为负。临界饱和

34、：UCE= UBE，UCB为零。小功率管深度饱和时： 硅管UCES 0.3V0.5V 锗管UCES 0.1V0.2V+-UCB+-UCE+-UBEEB+-EC+-RCRBbce三极管工作状态区分98第九十八页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管三极管工作状态区分放大区饱和区截止区e结正向偏置正向偏置反向偏置c结反向偏置正向偏置反向偏置e结c结均反向偏置。+-UCB+-UCE+-UBEEB+-EC+-RCRBbce 硅管UBEICEO时）2.极间反向电流ICBO，ICEO 衡量三极管质量优劣的参数。受温度影响很大。100第一百页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管ICBO穿透电流反向饱和电流

35、e极开路，c-b间加反压时。（1）集-基反向饱和电流ICBO（2）集-射反向穿透电流ICBOb极开路，c-e间加反压时。不超过100尽可能小+-EC+-ECAICEOA少数载流子随温度增高而增大。101第一百零一页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管 描述晶体管处于交流工作状态（动态）时放大能力的参数。(二) 交流参数共射交流电流放大系数 由于制造工艺的分散性，相同型号的管子也有差异。取20100。102第一百零二页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管(三) 极限参数ICM，PCM，UCEO最大集电极电流ICM: 超过时，下降。 ICM就是 下降到正常值2/3时的IC。最大集电极耗散功率PCM: PCM=IC.UCE PCM与环境稳度有关，注意手册中对散热片的要求。为保证晶体管安全工作对它的参数的限制。+-UCB+-UCE+-UBEEB+-EC+-RCRBbce103第一百零三页，共一百一十六页。第五节 半导体三极管级间反向击穿电压:UCBOe极开路时，c结反向击穿电压。UEBOc极开路时，e结反向击穿电压。UCEOb极开路时，c极-e极反向击穿电压