PCB蚀刻技术及问题的分析

1、毕业设计（论文）中文摘要PCB蚀刻技术及问题的分析摘要：通常所指蚀刻也称光化学蚀刻，指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的 保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成 型的效果。本文综述了蚀刻技术及其发展，提出了蚀刻技术工艺改进的途径和研究的 方向的一个趋势。关键词：蚀刻技术工艺流程反应原理工艺改进与研究毕业设计（论文）英文摘要Title: PCB etching technology and problem analysisAbstract: Usually refers to the photochemical etching, defined by thel

2、ithographic exposure, developing will be etched regions of the protective film is removed, the etching contact chemical solution to dissolve the role of corrosion form concave-convex or hollow molding effect. This article reviews the etching technology and its development, put forward the etching pr

3、ocess improvement approach and research direction.Etching of a total of two major categories: dry etching and wet etching;Keywords: Etching technology Technological process Reaction principle Process improvement and research目录 TOC o 1-5 h z 摘要11.引言 52.PCB 蚀刻技术 5 HYPERLINK l bookmark12 o Current Docu

4、ment 2.1 蚀刻方式 6 HYPERLINK l bookmark14 o Current Document 2.2 喷淋蚀刻的设备7蚀刻反应的基本原理及故障和排除方法 9 HYPERLINK l bookmark18 o Current Document 3.1 酸性氯化铜蚀刻液 9 HYPERLINK l bookmark32 o Current Document 3.2 碱性氨类蚀刻液 13常见问题及改善和环境保护15 HYPERLINK l bookmark40 o Current Document 4.1设备的保养15 HYPERLINK l bookmark42 o Curr

5、ent Document 生产过程中应注意的事项15 HYPERLINK l bookmark46 o Current Document 生产安全与环境保护16 HYPERLINK l bookmark48 o Current Document 结语 16 HYPERLINK l bookmark50 o Current Document 致谢 17 HYPERLINK l bookmark52 o Current Document 参考文献 17引言20世纪的40年代，英国人Paul Eisler博士及其助手，第一个采用了印制电路 板(Prin ted Circuit Board,PCB)制

6、造整机收音机，并率先提出了印制电路板的概念。经过多年的研究与生产实践，印制电路产业获得了很大的发展。目前，PCB已 广泛用于军事、通信、计算机、自动化等领域，成为绝大多数电子产品达到电路互连 不可缺少的主要组成部件。另外，随着集成电路的发明与应用，电子产品的小型化、 高性能化，极大地推动了 PCB向多层、深孔、微孔及微导电化的方向发展。随着PCB工业的发展，各种导线之阻抗要求也越来越高，这必然要求导线的宽度 控制更加严格.在生活中的广泛运用，PCB的质量越来越好，越来越可靠，它是设计 工艺也越来越多样化，也更加的完善。蚀刻技术在PCB设计中的也越来越广泛。蚀刻 技术是利用化学感光材料的光敏特性

7、 , 在基体金属基片两面均匀涂敷感光材料 采用光刻方法, 将胶膜板上栅网产显形状精确地复制到金属基片两面的感光层 掩膜上通过显影去除未感光部分的掩膜 , 将裸露的金属部分在后续的加工中与 腐蚀液直接喷压接触而被蚀除 , 最终获取所需的几何形状及高精度尺寸的产品 技术蚀刻技术。为了我们更好的学习了解PCB蚀刻工序的工艺技术及过程中易出现 的问题。但随着人类的进步和科技的发展，蚀刻技术面临着许多的新的课题，比如环境污 染，工艺复杂、不简化，工艺材料对人体有害，部分资源循环利用性不强等。本文就 将结合上述问题对PCB蚀刻技术作些介绍，并对工艺改进途径方面做些探讨。PCB蚀刻技术据我了解最早的蚀刻技术

8、是利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来 去除薄膜未被光阻覆盖的部分，而达到蚀刻的目的，这种蚀刻方式也就是所谓 的湿式蚀刻。因为湿式蚀刻是利用化学反应来进行薄膜的去除，而化学反应本 身不具有方向性的，因此湿式蚀刻过程为等向性质的，一般而言此方式不足以 定义3微米以下的线宽的，但对于 3微米以上的线宽定义湿式蚀刻仍然为一种 可选择采用的技术形式。蚀刻的最终目的其实即是将前工序所做出有图形的线路板上的未受保护的非导 体部分铜蚀刻去，形成线路。蚀刻有内层蚀刻和外层蚀刻，内层采用酸性蚀刻，湿膜或干膜为抗蚀剂；外层采 用碱性蚀刻，锡铅为抗蚀剂。蚀刻一共有两大类分别是：1：干式蚀刻；2:湿式蚀刻。随着未

9、来PCB的发展，如挠性板、密的线路板的生产将采取相应的措施，比如可 将钻孔后之板适当蚀去1 /3到1/2的底铜，再做PTH全板，Dryf ilm、图形电镀即可 减少侧蚀，从而保证线宽足够，对蚀刻技术提出了更高的要求。2.1.蚀刻的方式蚀刻的方式主要有浸泡、鼓泡、泼溅和喷淋蚀刻。浸泡和鼓泡蚀刻会造成较大的 侧蚀，泼溅和喷淋蚀刻产生的侧蚀较小，尤以喷淋蚀刻所得产品的侧蚀最小，蚀刻效 果最好。2.1.1浸泡蚀刻浸泡的操作方式是：把板子整个浸入到一个装满蚀刻液的槽中，利用溶液的直接 接触产生蚀刻，如图2-1所示。浸泡蚀刻因为接触铜面的蚀刻液更新慢通常需要很长 的时间，可以通过加热蚀刻溶液的方法来提高蚀

10、刻速度。这种方法适用于小型板或原 型板。浸泡蚀刻为了增加氧化性，提高化学反应速率，通常使用添加了过硫酸盐或过 氧化氢的硫酸的溶液作为蚀刻液。图2-1浸泡蚀刻2.1.2鼓泡蚀刻鼓泡蚀刻这项技术是在浸泡蚀刻技术上做了一些修改，它的不同之处在于向蚀刻 槽中通入空气产生气泡，气泡具有搅拌作用，保证工作板表面有持续新鲜的蚀刻液， 将已经溶解了的金属冲掉。提高蚀刻液的氧化能力，使蚀刻快速进行，如图2-2所示。图2-2鼓泡蚀刻图2-2鼓泡蚀刻2.1.3泼溅蚀刻泼溅蚀刻的原理是把一个叶片连接到一个电动机的转轴上，当电动机转动起来 时，蚀刻液在离心力的作用下喷洒到需蚀刻的板子上，设计如图2-3所示。泼溅蚀刻 比

11、鼓泡蚀刻要好，优点是蚀刻均匀且侧蚀小，缺点是每一次只能蚀刻有限的几块板子。图2-3图2-3泼溅蚀刻2.1.4喷淋蚀刻喷淋蚀刻是目前常用的蚀刻方式，其作用原理是在压力作用下通过喷嘴将蚀刻溶 液从槽中均匀地抽上来喷洒在板子的表面，并不断循环把新鲜的溶液喷洒在板子上， 赶走蚀刻后的残留溶液，具有很咼的蚀刻速率。下列因素决定了蚀刻的均匀程度：喷嘴的喷洒样式、喷洒量的一致性和喷嘴排 放位置的均匀性；蚀刻液的化学腐蚀能力、泵的压力。成可驗动的 板F（国定的成可驗动的 板F（国定的茨町慕石的）图2-4喷淋蚀刻系统示意图2.2.喷淋蚀刻设备一般来说，在闭路循环再生系统中板子要连续地蚀刻，都采用喷淋蚀刻系统。喷

12、 淋蚀刻系统的蚀刻速率高、侧蚀小、细纹分辨率好。在印制电路板的蚀刻中经常用酸 性或碱性氯化铜蚀刻液蚀刻覆铜板，系统设备应该选用耐酸或耐碱的基体材料制作， 比如PVC。2.2.1喷淋蚀刻系统的传送方式板子在蚀刻机内部进行蚀刻时，有两种放置形式：即水平放置和垂直放置。水平传送一一水平喷淋这种技术在顶部和底部有两排各自独立控制的喷嘴。双侧水平蚀刻主要用于生产 双面板，水平喷淋蚀刻系统如图2-5所示。图2-5图2-5水平喷淋蚀刻系统示意图现在使用的主流设备是水平传送喷淋式蚀刻机。水平传送目前多采用滚轮传送， 板子随着滚轮前进，上下都有空隙可喷淋溶液于板面。装载滚轮的辊轴转动，有靠链 条带动或齿轮带动，

13、相对而言齿轮传动平稳可靠。需要注意的四传送滚轮之间有间隙， 这就使得小尺寸板及柔软的板不能传送，因此要考虑滚轮的密度，或附加“过桥”， 使得小尺寸板与挠性板也能传送，已有设备称能传送最薄26期的薄片。垂直传送 垂直喷淋垂直传送蚀刻是通过将板子放置在架子上，这样板子可以下降到喷洒盒的区域。随着大量的，喷嘴上下或左右运动来进行蚀刻，以达到理想的效果，如图2-6所示。2-6垂直喷淋蚀刻系统示意图2-6垂直喷淋蚀刻系统示意图2.2.2喷淋蚀刻的喷淋方式为了使溶液能全面地喷淋到板子表面每个部位，并促使板面溶液加快流动，可采用方式是移动喷淋杆或喷嘴来改变喷淋方式。目前的水平传送喷淋蚀刻设备的喷嘴与喷淋杆摆

14、动的结构有多种。为提高蚀刻均 匀性，可使喷淋液不固定，让喷嘴摆动。摆动方式有：转动喷管摇摆喷嘴角度、平移 喷管移动喷嘴位置及水平旋转喷管而使喷嘴旋转喷液。2.2.3喷嘴的类型喷嘴的类型也有多种，按照喷出液体形状不同有：实心线束型、空心圆锥形、扁 平扇形等，如图2-7所示。实心线束型扁平扇形空心圆锥形图2-7蚀刻喷嘴类型从液体被喷射出不同形状的效果来看,实心线束型面积太小，圆锥形面积过大，在 较密滚轮情况下都被遮挡掉了。因此较多蚀刻机中喷嘴选择了扁平扇形，溶液呈扇 面与板子表面呈垂直状态冲击铜箔，蚀刻效果较好。需要注意的是，在蚀刻溶液中若混有固体颗粒，一定时间后会引起喷嘴堵塞。因 此要经常检查喷

15、嘴的喷淋效果，清洗喷嘴是维护设备工作之一。现在有一种防堵塞喷 嘴，也称自清洗喷嘴，它是根据伯努利(Bernoulli)效应而设计。Daniel Bernoulli 是18世纪时的瑞士科学家，他发现二张纸片间微风吹动会分开，而当风力越大纸片 会接近靠拢。利用此原理，在喷头内有二页薄片，当喷压大时二页片间成狭缝有力地 喷淋溶液，而当二页片间有杂物堵住，流量和压力减少，二页片间缝隙变大，杂物自 行被冲洗掉，所以称为自清洗喷嘴。蚀刻反应的基本原理及故障和排除方法3.1酸性氯化铜蚀刻液酸性氯化铜蚀刻液主要成份有：CuCl2H0、HCl、NaCl、NHCl，氯化铜为主要224成分，可根据需求选用辅助成分。

16、3.1.1酸性蚀刻液的配方我国采用酸性氯化铜蚀刻液的配方有多种，现摘选三例，见表3-1。表3-1酸性蚀刻液配方组分123氯化铜(CuCl2 2H2O) ( g/L )130-190200150-450盐酸 ( HCl) (mL/L)150-180100-氯化钠 ( NaCl)( g/L )-100-氯化铵(NH4Cl)( g/L )-饱和3.1.2 酸性蚀刻液的蚀刻机理根据蚀刻总机理反应式：CU2+ + Cu - 2Cu+，反应中有Cu+的产生，它会和溶液 中的Cl-直接生成氯化亚铜沉淀，可使反应向右进行，但氯化亚铜沉淀会给蚀刻过程 带来一系列问题，需要进行预防和避免。氯化亚铜沉淀不利因素（1

17、）沉淀物分析 沉淀物很容易覆盖在板子的表面，阻碍蚀刻的进一步进行；沉淀会堵塞喷嘴，使 蚀刻溶液的喷射无法均匀到达板子的表面，造成蚀刻不完全。（3）溶液再生分析整个蚀刻溶液是需要再生的，但CuCl是沉淀形式很难被再生。如何来解决沉淀带来的不利因素呢？考虑到氯化亚铜可在过量 Cl-环境中生成 CuCl-配离子，并且Cl-不会阻碍蚀刻的进行，因此，可以在酸性氯化铜蚀刻液中加2入过量的氯离子，使一价铜离子以配离子形式存在，配离子为离子状态，不会覆盖板 面和堵塞喷嘴；配离子容易被再生，解决沉淀带来的问题。酸性蚀刻机理二价铜离子在过量Cl-环境中也是以CuCl2-配离子形式存在的，它对单质铜的氧4 化能力

18、可以正常实现，根据上述分析，认为酸性蚀刻液的蚀刻机理为： 氯离子与二价铜离子生成四氯合铜（II）配离子：Cu2+4Cl-f CuCl 2-4CuCl 2-和铜反应，生成二氯合铜（I）配离子：Cu+CuCl 2-2 CuCl-442需要注意的是，若溶液中氯离子含量不足，蚀刻液中还是会产生CuCl沉淀。从上面的蚀刻机理过程反应式中可以看出，随着蚀刻的进行，溶液中的CuCl2-4 形式越来越少，而CuCl-形式越来越多，并且是成倍的增长。蚀刻液的蚀刻能力很2 快就会下降，以至最后失去蚀刻能力。为了保持蚀刻液的蚀刻能力，需要对蚀刻液进 行再生，其再生的本质是使Cu+重新转变成Cu2+，恢复蚀刻液的蚀刻

19、能力。蚀刻反应式 可表述为：CuCl -+2Cl- + 0fCuCl2-243.1.3影响酸性蚀刻液蚀刻速率的因素酸性蚀刻液中参与蚀刻过程的各种成分对蚀刻速率都会有影响。1. CU2+含量的影响溶液中的CU2+含量对蚀刻速率有比较重要的影响。一般情况下，蚀刻速率会随着 CU2+含量的增加而增加，当溶液中CU2+浓度低于120g/L时，蚀刻速率较低，不能满足 生产的需求；在高于150g/L时蚀刻速率反而下降。在120-150g/L范围之间，蚀刻液 的蚀刻速率能比较好的满足生产的需求。而我们知道，随着蚀刻和蚀刻液再生过程的 不断进行，蚀刻液中CU2+含量会成倍增加。当铜含量增加到150g/L后，蚀

20、刻速率就会 下降了。为了保持蚀刻液具有恒定的蚀刻速率，必须把溶液中的含铜量控制在一定的 范围内。在实际生产中一般是采用控制溶液比重的方法来控制溶液的含铜量，控制范 围是120-150g/L之间。Cu2+含量对蚀刻速率影响如图3-1所示。Cl-含量的影响溶液中氯离子浓度与蚀刻速率有着密切的关系，一般说来，蚀刻速率会随着Cl- 含量的增加而提高，在酸性氯化铜蚀刻液中Cu2+和Cu+实际上都是以配离子的形式存 在，蚀刻液的配制和再生都需要有充足的Cl-。Cl-主要HCl提供，HCl含量大蚀刻时 间短、蚀刻液的溶铜能力也会提升。但HCl浓度不可超过6mol/L，高于6 mol/L酸的 挥发量大且会对设

21、备产生腐蚀，并且随着酸浓度的增加，氯化铜的溶解度会迅速降低, 减少起氧化作用的Cu2+含量。Cu+含量的影响较微量的Cu+，例如4g/LCu+含在120g/L Cu2+的溶液中就会显著地降低蚀刻速率。 根据蚀刻反应机理，随着蚀刻的进行就会形成Cu+。Cu+不可能完全被转换为配离子。 在蚀刻操作中要保持Cu+的含量在一个低的范围内，例如低于2g/L，并要尽可能快地 使其重新氧化成CU2+。4蚀刻液中的氯化物的种类蚀刻液中所采用的氯化物种类不同，对蚀刻速率有很大影响，在一个较宽的蚀铜 范围内，若采用NHCl，则溶液蚀刻速度较快，这对于生产是有利的。但是，随着温4度的降低，溶液中会有一些铜铵氯化物结

22、晶沉淀，(CuCl2NHC1)。而含NaCl的溶24液蚀刻速率接近含HCl的溶液的蚀刻速率。因此，通常在喷淋蚀刻中多选用HCl和NaCl 两种氯化物。5温度的影响蚀刻温度对蚀刻速率的影响是：随着温度的升蚀刻速率加快。蚀刻温度低，蚀刻 速率较慢，不能满足生产的需求，但是，温度也不宜过高，温度太高会引起HCl过多 地挥发，造成溶液组分比例失调。一般控制在40-55oC范围内。另外，如果蚀刻液温 度过高，某些抗蚀层会被损坏。6溶液的 pH 值:酸性氯化铜蚀刻液的pH值一般为1.5。3.1.4 酸性蚀刻液的再生双氧水再生法主要的再生反应为：CuCl - + H+ HO + Cl- CuCl 2-+ H

23、O2 2 2 4 2因HO不稳定可分解提供初生态氧0,使得蚀刻液再生速率快，因此只需要2240-70秒即可完成再生，是目前酸性氯化铜蚀刻液再生的最佳方法。一般在蚀刻操作中蚀刻和蚀刻液再生过程是同时进行的，并用自动控制再生系统 来控制溶液的成分含量等条件。在自动控制再生系统中，通过控制氧化一还原电位HO22 与HCl的添加比例、比重和液位、温度等项参数，可以达到实现自动连续再生的目的。 由于蚀刻、蚀刻液再生过程中HO和HCl的不断添加，蚀刻液的体积不断增加。当溶22液位超过一定高度时，要让多余的液体溢流出去。3.1.5 酸性蚀刻液常见故障及排除方法酸性氯化铜蚀刻溶液常见故障及排除方法见表3-2。

24、故障产生原因排除方法蚀刻不完全侧蚀严重抗蚀剂破坏1.传递速度过快故障产生原因排除方法蚀刻不完全侧蚀严重抗蚀剂破坏1.传递速度过快2.溶液温度不够或火调3.喷嘴堵塞4.显影有余胶1.蚀刻速度过慢2.溶液失调1.溶液温度过高2.溶液被污染1.降低传递速率2.将温度调至工艺范围之内3.清洗喷嘴4.检查曝光显影工艺1.将速度调至工艺范围之内2.调整溶液1.降低温度至规定范围2.更换溶液蚀刻液中出现沉淀Cl浓度过低产生CuCl沉淀加入盐酸直至沉淀溶解重点提示：酸性蚀刻液容易产生的白色沉淀，对生产不利，需要注意保持氯离子的浓度以避 免发生沉淀现象。蚀刻液中各项离子的含量、蚀刻液温度的控制以及蚀刻液再生等都

25、 直接影响蚀刻的质量。碱性氨类蚀刻液碱性氯化铜蚀刻液是目前应用最广泛的图形蚀刻液，主要成分有CuCl、NH Cl、2 4NHHO .NH HCO等。特性:不与锡铅发生任何反应，容易再生，成本低，也很容易 3 2 4 3回收，蚀铜速度快，侧蚀小，溶铜能力高，蚀刻速率易控制3.2.1碱性蚀刻液的配方碱性蚀刻液配方有多种，国内目前大多采用的配方见表3-3 。表3-3 碱性氯化铜蚀刻液配方成分CuCl 2H ONH ClNH H0NH,HCO (缓冲剂)含量100-150g/L100 g/L670-700mL/L按工艺规定添加3.2.2碱性蚀刻液的蚀刻机理碱性蚀刻遵循的总机理依然是Cu2+ + Cu

26、f 2Cu+,在碱性蚀刻液配方中含有大 量的氨，氨可作为配体和铜离子生成配离子，其蚀刻过程是配离子的反应过程，其蚀 刻机理如下：在氯化铜溶液中加入氨水，发生配合反应：CuCl + 4NH f Cu(NH ) 2+ + 2Cl-2 3 3 4在蚀刻过程中，未被抗蚀剂覆盖的板面上的铜被Cu(NH)2+配离子氧化，其蚀34 刻反应如下：Cu(NH)2+ + Cu f 2Cu(NH) +3 4 3 2所生成的Cu(NH)+为Cu+的配离子，不具有蚀刻能力。从上述反应可看出，每32蚀刻1摩尔的铜需要消耗4摩尔的氨或氯化铵。所以在蚀刻过程中，随着铜不断被蚀 刻，应不断补充氨水或氯化铵。3.2.3 碱性蚀刻

27、液的再生与蚀刻液特点1蚀刻液再生 碱性蚀刻液再生方法很多，有结晶法、萃取法、中和法及空气再生法等。而前三 种再生方法是在溶液使用一段时间后，累积的Cu+浓度太高，通过再生以达到降低其 浓度的目的。这些方法在生产中已很少被采用。空气再生法是目前最常用的方法，蚀 刻液再生的本质依然是将溶液中Cu+氧化成CU2+的相应形式，其反应式为：Cu（NH） +NH +O Cu（NH） 2+HO3 2 3 3 4 22蚀刻液特点（1）蚀刻速率蚀刻速率快，喷淋蚀刻可达40 口 m/min；蚀刻速率比较容易控制。通过控制溶液 的pH值，比重以及Cl-含量可使蚀刻速率均匀恒定。（2）溶铜量溶铜量大，可达150-16

28、0g/L以上。（3）再生与维护 再生容易，采用喷淋蚀刻，空气再生法即可满足生产的需求；蚀刻液维护方便，可通过监控溶液的pH值、比重及氧化还原电位，实现自动添加。（4）成本 成本低，溶液经配好后，可一直连续使用。碱性氯化铜蚀刻液的缺点是对环境污染较严重，污水处理困难。但只要保证设备的密封性及严格按规定排放废弃溶液， 这一缺点是可以克服的。重点提示： 对蚀刻液的蚀刻机理要理解透彻，碱性蚀刻液中各项离子的含量、蚀刻液温度的 高低以及蚀刻液再生等如何影响蚀刻的质量，并且碱性蚀刻液的pH范围也是需要重 点控制的参数。3.2.4 碱性蚀刻液常见故障及排除方法 在碱性蚀刻过程中的常见故障及排除方法见表3-4

29、。故障产生原因排除方法叠板个别传动轴停传或装配不到位将停转和装配不到位的传动轴进行检修印制电路板掉入机内板子长度过小1.将几块小板用胶带连在一起2.将板子放在较大的托板上进行蚀刻液泵声音异常电路熔断器烧断造成缺项修复熔断器液泵运转正常但1.输液管阀门未打开1.将阀门打开不喷液2.叶轮松脱或与轴脱离2.将叶轮重新装好蚀刻液温升太慢加热器烧坏加热电路断路更换新加热器修复电路蚀刻液温升过高温控仪失灵冷却水流量小更换感温元件开大进水阀门1.蚀刻液温度低1调高温度40-50C蚀刻速率太慢2.蚀刻液的组成不当2.分析后进行调整3.喷淋压力过低3.调高喷淋压力1.传送速度太快1.将传送速成度调慢蚀刻不足2.

30、pH值太低2.添加氨水或补充子液3.蚀刻液温度不足3.调高液温4.喷淋压力不足4.调高喷淋压力1.传送速度太慢1.把传送速度适当调快蚀刻过度2.pH值过高2.加大抽风量3.蚀刻液比重偏低3添加铜盐，使比重控制1. 26-1. 29之间蚀刻速度突然下1.再生慢或停止1.检修再生装置降2.冷却器漏水溶液稀释2.检修冷却器堵塞漏动。常见问题及改善和环境保护4.1设备的保养1不使蚀刻液有sludge产生（浅蓝色一价铜污泥），当结渣越多，会影响蚀刻液 的化学平衡，蚀刻速率迅速下降。所以成份控制很重要一尤其是PH,太高或太低都有 可能造成.随时保持喷嘴不被堵塞.（过滤系统要保持良好状态）每周保养时检查喷嘴

31、，若 堵塞则立即清除堵塞物。及时更换破损的喷嘴和配件PH计，比重感应器要定期校验.生产过程中应注意的事项4.2.1 提高板与板之间蚀刻速率的一致性在连续生产过程当中哦，蚀刻速率越一致的话，越能获得蚀刻均匀的板子的， 生产越容易控制的。因此必须保证溶液始终保持最佳状态。选择很容易再生，蚀刻速率很容易控制的药水；选择能提供恒定操作条件的自动控制的工艺和设备;通过自动添加来保证溶液的稳定性;通过喷淋系统或喷嘴的摆动来保证溶液流量的均匀性.4.2.2 提高整个板面蚀刻速率的均匀性。板的上下两面以及板面各个部位蚀刻均匀性有由板表面受到蚀刻液流量的均 匀性决定的。-由于水池效应的影响，板下面蚀刻速率高于上面，可根据实际生产情况调 整不同位置喷液压力达到目的。生产操作中，需定期对设备进行检测和调校。-板边缘比板中间蚀刻速率快，也可通过调整压力解决此问题，另外使喷淋 系统摆动也是有效的。生产安全与环境保护因蚀刻工序使用了强