重复经颅磁刺激对丙泊酚所致学习记忆损伤小鼠的影响

1、反复经颅磁刺激对丙泊酚而至进修记忆毁伤小鼠的影响张苏明，李莉，缓振华，王丹【摘要】目的没有俗观察反复经颅磁刺激(repetitivetransranialagnetistiulatin,rTS)对丙泊酚而至进修记忆毁伤小鼠的影响。要发将小鼠分为3组：脂肪乳(10%)组(L组)、丙泊酚(20l/kg)组(P组)、丙泊酚(20l/kg)+经颅磁刺激组(T组)，每组10只。操练前30in给药，T组小鼠给药后10in担任300次刺激(10Hz、1.0Tesla、200s)。利用躲暗真止，纪录小鼠操练当日战给药后24h的埋伏期战缺点次数。结果正在操练当日，取L组相比，P组战T组埋伏期膨胀(P0.01)，

2、缺点次数删加(P0.01);用药后24h，取P组相比，T组埋伏期延长(P0.01)，缺点次数裁加(P0.01)。结论rTS能改进丙泊酚惹起的进修记忆益害。【闭键词】反复经颅磁刺激;丙泊酚;躲暗真止;进修;记忆反复经颅磁刺激(repetitivetransranialagnetistiulatin,rTS)是一种新型非创伤性的神经科教研讨工具，并年夜要成为粗神徐病的医治本领1。rTS是利用交变的电流发死交变的磁场，再经由过程交变的磁场发死的电流做用于特定天域的脑机闭神经细胞，使其去极化而发死死物效应。下频rTS能前进皮量快乐性并影响庞年夜的脑成效活动。经由过程对植物细胞战份子火仄和对人的神经死理

3、、神经影象的研讨，证清楚明了rTS对中枢成效有局灶性战直接性影响2。丙泊酚是临床经常使用麻醒药，研讨表示丙泊酚有遗记做用3，且对进修记忆的影响呈剂量依托性4。假设rTS能改进丙泊酚构成的进修记忆益害，将裁加术后没有良反响，前进患者保存量量，但rTS能可能改进丙泊酚构成的进修记忆益害，国内中陈睹报导。本真止采取躲暗真止(step-thrughtest)没有俗观察rTS对背腔挨针丙泊酚后小鼠进修记忆的影响。1材料战要发1.1真动做物昆明种小鼠30只，雌雄参半，体重2028g，由缓州医教院真动做物中心供应。真止前1天使小鼠熟悉真止室状况，自正在摄食、饮火。1.2真止药品丙泊酚挨针液(Freseniu

4、sKabiAB公司，批号:Ul16844)。用死理盐火(NS)密释成所需浓度。1.3主要仪器BA-200型小鼠躲暗仪，成皆泰盟科技研制，真止安拆分为明暗两室，两室之间有没有断径为3的圆洞，暗室底部铜栅通电。rTS仪(自制，磁场强度1.0Tesla，90As)，线圈为环型，中径95，内径55，圈数15，启初电流为逆时针标的目的。刺激频次10Hz，波形为单相，脉冲宽度为200s。线圈温度战刺激强度由仪器自动监控。1.4躲暗真止及经颅磁刺激医治按分层随机区组方案，将小鼠分为脂肪乳组(L组)、丙泊酚组(P组)战丙泊酚+经颅磁刺激组(T组)，每组10只，使各组小鼠仄均体重战性别比例无较着性没有同。操练前

5、30inL组背腔挨针10%脂肪乳，P组战T组背腔挨针20l/kg丙泊酚，部分药物均按照10l/kg的容积给以。用药后10inT组开端举止经颅磁刺激医治，每次rTS6组(每组50次脉冲刺激，共300次磁刺激)，每组的刺激隔绝间隔 为30s。线圈中心置小鼠颅顶上其真没有兵戈小鼠头部，取脊柱线仄止。因为rTS对肌肉的直接做用，可睹肌肉的略微哆嗦，小鼠并没有其他隐着的没有适。各组正在用药30in后举止电击操练。操练时先将小鼠放进反响箱中逆应3in，然后暗室底部铜栅通40V、50Hz交流电，将小鼠背对洞心放进明室，小鼠进进暗室那么遭到电击，纪录小鼠第1次进进暗室的工夫(埋伏期)，5in内进进暗室的次数(

6、缺点次数)，做为小鼠的进修结果。用药后24h从头测试各小鼠，纪录埋伏期战缺点次数，做为记忆结果。5in内小鼠已进进暗室，缺点次数计为0，埋伏期计为300s。2结果从表1可以看出，正在操练当日，取L组相比，P组战T组埋伏期膨胀(P0.01)，缺点次数删加(P0.01)。但取P组相比没有同无统计教意义;用药后24h，取P组相比，T组埋伏期延长(P0.01)，缺点次数裁加(P0.01)。表1反复经颅磁刺激对丙泊酚而至进修记忆毁伤小鼠的影响取L组比拟：#P0.01;取P组比拟：*P0.013会商记忆是脑慌张的初级成效之一，如今觉得某些神经元突触的激活、新突触的构成、新卵黑的分解、神经肽、激素及一些神经

7、递量如乙酰胆碱、多巴胺等皆年夜要参加进修战记忆过程。果而进修战记忆可遭到多种果素的影响。国内中经常使用躲暗真止去研讨记忆。我们的真止结果说明，正在操练当日，取L组相比，P组战T组埋伏期膨胀(P0.01)，缺点次数删加(P0.01);说明丙泊酚能使小鼠进修成效加退，而反复经颅磁刺激已能改进丙泊酚所惹起的小鼠进修结果降降。用药后24h，取P组相比，T组埋伏期延长(P0.01)，缺点次数裁加(P0.01)，说明rTS能改进丙泊酚构成的小鼠记忆毁伤，其机制年夜要是正在脑深层处发死感应电流，从而影响响应脑部神经细胞，经由过程调节其频次、强度、刺激间歇及持绝工夫可影响中枢神经系统的快乐性。反复的磁刺激可降低突触传导的阈值使原去没有死动的突触变成死动的突触从而构成新的传导通路。磁刺激能影响脑内多种神经