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1、Er3+掺杂对Na0.25K0.25Bi2.5Nb2O9（NKBN）压电陶瓷电学的影响试讲人：xx 学号 ：021003主要内容研究研究背景及意义1工工艺流程23实实验结果分析与讨论结论结论4结论1.研究背景及意义1.1压电陶瓷的发展史1880年，居里兄弟首先在单晶上发现了压电效应1940年以前，人们知道两类铁电体:罗息盐和磷酸二氢钾盐，具有压电性。1940年。人们发现了BaTiO3是一种铁电体，具有很强的压电性1950年，发现了PZT体系具有非常强压电效应1970年，添加不同的添加剂使PZT陶瓷具有优良的性能无铅压电陶瓷体系BaTiO3系Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)系钨青铜结构(K

2、0.5Na0.5)NbO3(KNN)系铋层状结构1.2无铅压电陶瓷体系铋层状结构压电陶瓷（1）Bi4Ti3O12基无铅压电陶瓷（2）MBi4Ti4O15基无铅压电陶瓷（3）MBi2Nb2O9基无铅压电陶瓷（4）复合铋层状结构压电陶瓷2.工艺流程 NBT基无铅压电材料的主要原料Table 3.1 The main raw materials of NBT-based lead-free piezoelectric materialsNBT基陶瓷的工艺流程图Fig.3.2 Preparation procedure of NBT-based ceramics3.实验结果分析与讨论1 物相分析 样品的XRD图从图中可以看出：陶瓷样品都是m=2的铋层状结构，没有杂相生成，最高峰相高角度偏移离子半径：r(Er3+)=0.086nmr(Na+)=0.097nmr(K+)=0.133nmr(Bi3+)=0.120nm3 介电性能分析容忍因子容忍因子减小，晶格畸变增大，从而导致Tc升高陶瓷样品的介电温谱由图可知：随着Er掺杂量的增加，介电损耗变大 在350以下，介电损耗几乎不变在350Tc温度以下，介电损耗随温度的增加而增加，且在0.5

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