模拟电子技术基础-杨拴科-第9章_第1页
模拟电子技术基础-杨拴科-第9章_第2页
模拟电子技术基础-杨拴科-第9章_第3页
模拟电子技术基础-杨拴科-第9章_第4页
模拟电子技术基础-杨拴科-第9章_第5页
已阅读5页，还剩38页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、9.1 功率放大电路的特点及分类 1特点 (1) 要有尽可能大的输出功率 (2) 效率要高 (3) 非线性失真要小 (4) 要加装散热和保护装置 (5) 要用图解法分析 9 功率放大电路2工作状态分类 (1) 甲类放大电路 根据晶体管的静态工作点的位置不同分b. 能量转换效率低特点 c. 放大管的导通角 =2静态工作点位置iC1ICQt=2 O2集电极电流波形大 a. 静态功耗uCEiCOQA(2) 乙类放大电路 b. 能量转换效率高c. 输出失真大特点 d. 放大管的导通角 =tiC22 = O3 集电极电流波形 a. 静态功耗静态工作点位置uCEiCOQA(3) 甲乙类放大电路 a. 静态

2、功耗较小b. 能量转换效率较高c. 输出失真较大特点 d. 放大管的导通角 2tiC32O3ICQ 0 时T1导通T2截止输入信号ui输出信号uo电流io方向uoui+RLT1ui+_+VCC_iC1iC2T2VCCuo_Ac. ui 2VCC(3) ICMVCC/RC9.3 功率器件与散热在互补推挽功率放大电路中,功率管的极限参数应满足以下关系2二次击穿的影响 iCuCEOBA二次击穿一次击穿S/B曲线二次击穿现象二次击穿临界曲线iCuCEO1. V型NMOS管的结构 结构剖面图9.3.2 功率MOSFET s 源极 g 栅极 金属源极S i O2沟道沟道外延层衬底d 漏极_N +PPNN

3、+N +2. V型NMOS管的主要特点(1) 开关速度高 (2) 驱动电流小 (3) 过载能力强 (4) 易于并联 IGBT等效电路dT1gsRT2IGBT电路符号gsdT9.3.3 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要特点：(1) 输入阻抗高(2) 工作速度快(3) 通态电阻低(4) 阻断电阻高(5) 承受电流大兼顾了MOSFET和BJT的优点，成为当前功率半导体器件发展的重要方向。外壳c集电结j散热器sR( t h ) j cR( t h ) c sR( t h ) s a环境a9.3.4 功率器件的散热晶体管的散热示意图导电回路（电路）散热回路（热路）参 量符 号单 位参 量符 号单位电 压UV温 差ToC电 流IA最大允许功耗PCMW电 阻R热 阻RToC/W 功率器件的散热分析方法导电回路和散热回路参数对照表电热模拟法,即用电路来模拟功率器件的散热回路。Tj集电结的结温Tc 功率管的壳温Ts 散热器温度Ta 环境温度Rjc 集电结到管壳的热阻Rcs 管壳至散热片的热阻Rsa 散热片至环境的热阻散热等效热路TjTcTsTaRjcRcsRsajc

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 辅导培训

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论