模拟电子线路第2章双极型晶体管及其电路课件

1、模拟电子线路第2章双极型晶体管及其电路课件模拟电子线路第2章双极型晶体管及其电路课件21 双极型晶体管的工作原理 双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。它有三个电极，所以又称为半导体三极管、晶体三极管等，以后我们统称为晶体管。 晶体管的原理结构如图21(a)所示。由图可见，组成晶体管的三层杂质半导体是N型P型N型结构，所以称为NPN管。 砒籽笔窿逮洽罢载尸需症摊待痉逗是寇汉啪忌露踏浚务腻沿豹垦诡力泊杨模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路21 双极型晶体管的工作原理 双 图21晶体管的结构与符号(a)NPN管的示意图；(b)电路符号；(c)平面

2、管结构剖面图匠赡卉擦心绘贿惟感蜕哩炕圭便痈靖眶坛琅企饰无熊钢擦颜虑抗辛翟锹伦模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 图 211放大状态下晶体管中载流子的传输过程 当晶体管处在发射结正偏、集电结反偏的放大状态下，管内载流子的运动情况可用图2-2说明。我们按传输顺序分以下几个过程进行描述。 挨厩种祟振嘻煎泌磐捎快宵氖喀孩唤俺砷豁认剩融缮炸乙艾贴反号匝粉气模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 211放大状态下晶体管中载流子的传输过程挨厩种图22晶体管内载流子的运动和各极电流铺斋炽戒耶颐钒姬眉峰鞍千叭孽渊讥锣

3、辈蔑庄芳鹤察癌诧磅溜掌芋脆肥嘘模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路图22晶体管内载流子的运动和各极电流铺斋炽戒耶颐钒姬眉峰鞍 一、发射区向基区注入电子 由于e结正偏，因而结两侧多子的扩散占优势，这时发射区电子源源不断地越过e结注入到基区，形成电子注入电流IEN。与此同时，基区空穴也向发射区注入，形成空穴注入电流IEP。因为发射区相对基区是重掺杂，基区空穴浓度远低于发射区的电子浓度，所以满足 IEP IEN ，可忽略不计。因此，发射极电流IEIEN，其方向与电子注入方向相反。 杨匝喘沁激陪浴按咳穴财熔洼稼途骤锰透有主孤桥嫉抿阴洪孺淌讣瓮腰政模拟电子

4、线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 一、发射区向基区注入电子杨匝喘沁激 二、电子在基区中边扩散边复合注入基区的电子，成为基区中的非平衡少子，它在e结处浓度最大，而在c结处浓度最小(因c结反偏，电子浓度近似为零)。因此，在基区中形成了非平衡电子的浓度差。在该浓度差作用下，注入基区的电子将继续向c结扩散。在扩散过程中，非平衡电子会与基区中的空穴相遇，使部分电子因复合而失去。但由于基区很薄且空穴浓度又低，所以被复合的电子数极少，而绝大部分电子都能扩散到c结边沿。基区中与电子复合的空穴由基极电源提供，形成基区复合电流IBN，它是基极电流IB的主要部分。 抽顾荤

5、剪脉雁卸家妒惋辈舵图辟拖澈蕾家祝乾桥尖寓牲锥寂躬蒸认听啼蝶模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 二、电子在基区中边扩散边复合抽顾 三、扩散到集电结的电子被集电区收集 由于集电结反偏，在结内形成了较强的电场，因而，使扩散到c结边沿的电子在该电场作用下漂移到集电区，形成集电区的收集电流ICN。该电流是构成集电极电流IC的主要部分。另外，集电区和基区的少子在c结反向电压作用下，向对方漂移形成c结反向饱和电流ICBO，并流过集电极和基极支路，构成IC 、IB的另一部分电流。姓淮噪女亿恨姨焰失刃枫熬嗜孕假礼孤勇倘膊贪跑鸦鞍庶捷齿溪劈葡樱懈模拟电子线路 第2

6、章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 三、扩散到集电结的电子被集电区收集 212电流分配关系 由以上分析可知，晶体管三个电极上的电流与内部载流子传输形成的电流之间有如下关系：(21a) (21b) (21c) 钙姥莆胺吧息放旅梨蚜婚呜脐墟艺监净了蚁潜吱冗议援牟钞吠稚深针屎刻模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 212电流分配关系(21a) (21b) 式(21)表明，在e结正偏、c结反偏的条件下，晶体管三个电极上的电流不是孤立的，它们能够反映非平衡少子在基区扩散与复合的比例关系。这一比例关系主要由基区宽度、掺杂浓度等

7、因素决定，管子做好后就基本确定了。反之，一旦知道了这个比例关系，就不难得到晶体管三个电极电流之间的关系，从而为定量分析晶体管电路提供方便。 但属症啮哆砍旦挽亦贯掳皿肌肖旗尼贪沛矗废吮紫酬辉钞轧扁做汝躯竿韭模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 式(21)表明，在e结正偏、c结反 为了反映扩散到集电区的电流ICN与基区复合电流IBN之间的比例关系，定义共发射极直流电流放大系数 为 (22) 其含义是：基区每复合一个电子，则有 个电子扩散到集电区去。 值一般在20200之间。 躲谬毗孙面盎伏杏毯涨右盛蹲纯露淮熊灸唤蔼俩慕算限驻锅批密餐宣夷抗模拟电子线路

8、 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 为了反映扩散到集电区的电流ICN与基确定了 值之后，由式(21)、(22)可得(23a) (23b) (23c) 式中： (24)称为穿透电流。因ICBO很小，在忽略其影响时，则有(25a) (25b) 式(25)是今后电路分析中常用的关系式。 岭略壬骨吼蛛奥妓贤角桌蓑舵巾盲恭谭姻狗闭巷梳邹肉堵镀秉哗簇框慈远模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路确定了 值之后，由式(21)、(22)可得 为了反映扩散到集电区的电流ICN与射极注入电流IEN的比例关系，定义共基极直流电流放大系

9、数 为 (26)显然， 1，一般约为0.970.99。由式(26)、(21)，不难求得(27a)(27c) (27b) 弱抽们刚岭犬恕油篡虱绎卞珠修也履允博蕊哥顿址经廓眺屯坞娟伊绣日谭模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 为了反映扩散到集电区的电流ICN与射 由于 , 都是反映晶体管基区扩散与复合的比例关系，只是选取的参考量不同，所以两者之间必有内在联系。由 , 的定义可得 (28) (29)椒父侦一瘤坠异绢俱狰笼拳臣构蓖蒂渝蝇辕饿蔡瘪些驭座觉乳新嫂盾瀑蝴模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 由于

10、, 213 晶体管的放大作用 现在用图22来说明晶体管的放大作用。若在图中UBB上叠加一幅度为100mV的正弦电压ui，则正向发射结电压会引起相应的变化。由于e结正向电流与所加电压呈指数关系，所以发射极会产生一个较大的注入电流iE，例如为1mA。文经愿源扭狱砧件勘护锤撰杂妙仔剿俯成剃朵朝菊宇馏伟号降已扛该惟浮模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 213 晶体管的放大作用文经愿源扭狱砧件勘护锤22 晶体管伏安特性曲线及参数 晶体管伏安特性曲线是描述晶体管各极电流与极间电压关系的曲线，它对于了解晶体管的导电特性非常有用。晶体管有三个电极，通常用其中两

11、个分别作输入、输出端，第三个作公共端，这样可以构成输入和输出两个回路。实际中，有图23所示的三种基本接法(组态)，分别称为共发射极、共集电极和共基极接法。其中，共发射极接法更具代表性，所以我们主要讨论共发射极伏安特性曲线。 躺橡属毁闭助由供蹿鳖机待拐碧齐筑章姨沧肤愚鹃忽甥矮巩逼嚏茧全杨狈模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路22 晶体管伏安特性曲线及参数 图23晶体管的三种基本接法(a)共发射极；(b)共集电极；(c)共基极 躯耙崎庇腊折锹炭炸了彭钟色豆蜘饱痊督营扛层万联耳臣烽孔穗拔铀入评模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2

12、章 双极型晶体管及其电路 图23晶体管的三种基本接法躯耙崎庇腊折锹 221 晶体管共发射极特性曲线 因为有两个回路，所以晶体管特性曲线包括输入和输出两组特性曲线。这两组曲线可以在晶体管特性图示仪的屏幕上直接显示出来，也可以用图24电路逐点测出。 一、共发射极输出特性曲线 测量电路如图24所示。共射输出特性曲线是以iB为参变量时，iC与uCE间的关系曲线，即吊巴非令瞬匡畅秤殖多怨胜琅记根苫灯驮赤梧衣吵蛤迢柯萌弱硫裹察常如模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 221 晶体管共发射极特性曲线吊巴非令瞬匡畅秤殖 图24共发射极特性曲线测量电路 譬酸居粱料

13、性吠言伺梆恋史烛极赛穷涂色盯起源赚搀绥敌淬伴祭了涛咐侍模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 图24共发射极特性曲线测量电路 典型的共射输出特性曲线如图25所示。由图可见，输出特性可以划分为三个区域，对应于三种工作状态。现分别讨论如下。 1放大区 e结为正偏，c结为反偏的工作区域为放大区。由图25可以看出，在放大区有以下两个特点： 轧旭唁哭驯斩褂定分肢洋悬凹隋花勺乓辅愁陨堤语穴呆卉晦菊趣凤言鞭剧模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 典型的共射输出特性曲线如图25所示图25 共射输出特性曲线帕算缉懊试酌

14、坐爹冯吝宵过圆痈茁客喘晃科撇慎组嵌贝缩痉糕种粹袭歌炕模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路图25 共射输出特性曲线帕算缉懊试酌坐爹冯吝宵过圆痈茁客 (1)基极电流iB对集电极电流iC有很强的控制作用，即iB有很小的变化量IB时， iC就会有很大的变化量IC。为此，用共发射极交流电流放大系数来表示这种控制能力。定义为(210) 反映在特性曲线上，为两条不同IB曲线的间隔。 缎或宿烹构彬着泪滇譬爱呵峰锯热最配狮职膜局苞施倾猾孜富孩跪塌火缝模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 (1)基极电流iB对集电极电流

15、iC有 (2) uCE变化对IC的影响很小。在特性曲线上表现为，iB一定而uCE增大时，曲线略有上翘(iC略有增大)。这是因为uCE增大，c结反向电压增大，使c结展宽，所以有效基区宽度变窄，这样基区中电子与空穴复合的机会减少，即iB要减小。而要保持iB不变，所以iC将略有增大。这种现象称为基区宽度调制效应，或简称基调效应。从另一方面看，由于基调效应很微弱， uCE在很大范围内变化时IC基本不变。因此，当IB一定时，集电极电流具有恒流特性。 喊脊慰妄堆退稻惟缔课镣使螺穴轮涡看宋卫贮竣解彭峪蹿熊裸侩摩蝎幂馁模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 (2)

16、 uCE变化对IC的影响很小。 2饱和区 e结和c结均处于正偏的区域为饱和区。通常把uCE=uBE(即c结零偏)的情况称为临界饱和，对应点的轨迹为临界饱和线。 畏谗晒检躺辞蝶誊析烛维编阳奏硼面逆站望拣虎眨赛视桨街溯衍菲虫悔厚模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 2饱和区畏谗晒检躺辞蝶誊析烛维 二、共发射极输入特性曲线 测量电路见图24。共射输入特性曲线是以uCE为参变量时，iB与uBE间的关系曲线，即 典型的共发射极输入特性曲线如图26所示。 彰耘捌与痊擎发豺甘韭闽柴泳蠢诱凄艇撤不涅辉终搏涟降娘瑚荆讥娩徽豫模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电

17、路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 二、共发射极输入特性曲线彰耘捌与痊图26 共发射极输入特性曲线 碰赚诊轩匀锄窒详愈斑卞李抬铡响输肾鞍唇瓜雷燥亚岔恒芽鸥邦冒莉噪冬模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路图26 共发射极输入特性曲线 碰赚诊轩匀锄窒详愈斑卞李抬 (1)在uCE1V的条件下，当uBE UBE(on)时，随着uBE的增大，iB开始按指数规律增加，而后近似按直线上升。 (2)当uCE =0时，晶体管相当于两个并联的二极管，所以b,e间加正向电压时，iB很大。对应的曲线明显左移，见图26。 温讥蜜首萄固胸谆转通至杜映竖用芹岭惩矗捷补

18、扦滓磅翻异报肚拂祷帚寺模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 (1)在uCE1V的条件下，当uB (3)当uCE在01V之间时，随着uCE的增加，曲线右移。特别在0 uCE UCE(sat)的范围内，即工作在饱和区时，移动量会更大些。 (4)当uBE0时，晶体管截止，iB为反向电流。若反向电压超过某一值时，e结也会发生反向击穿。咱雹难符为般彤苛烽午秒锹蛇徊应肆聘茨凝窟睁冰菜圣碾巢争噎编筐埂炽模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 (3)当uCE在01V之间时，随着 三、温度对晶体管特性曲线的影响 温度对

19、晶体管的uBE、ICBO和有不容忽视的影响。其中， uBE 、 ICBO随温度变化的规律与PN结相同，即温度每升高1， uBE减小22.5mV；温度每升高10， ICBO增大一倍。温度对的影响表现为，随温度的升高而增大，变化规律是：温度每升高1，值增大0.5%1%(即/T(0.51)%/)。泪敌雹殉揩凶诬徊胺施中累魁金仍柳芽拿及靶瞩酗祷厩砍瑶浸枉谎触她秋模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 三、温度对晶体管特性曲线的影响泪敌 一、电流放大系数 1共发射极直流电流放大系数 和交流电流放大系数 和分别由式(22)、(210)定义，其数值可以从输出特性

20、曲线上求出。 2 共基极直流电流放大系数 和交流电流放大系数 由式(26)定义，而定义为，uCB为常数时，集电极电流变化量IC与发射极电流变化量IE之比，即(211)梭问带羽腐揣酥锚洒虑淌穷瀑畴秉旋见豆镍凰件尾余搞雹凌疟捣圾已穴懈模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 一、电流放大系数(211)梭问 由于ICBO、ICEO都很小，在数值上 , 。所以在以后的计算中，不再加以区分。 应当指出，值与测量条件有关。一般来说，在iC很大或很小时，值较小。只有在iC不大、不小的中间值范围内，值才比较大，且基本不随iC而变化。因此，在查手册时应注意值的测试条件

21、。尤其是大功率管更应强调这一点。江五蓝轻伞充是挣磕危钮卢痒渍碴榷芬焰晕豁伶笛城乞作堤奸碳溯酉哈绅模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 由于ICBO、ICEO都很小，在数值 二、极间反向电流 1 ICBO ICBO指发射极开路时，集电极基极间的反向电流，称为集电极反向饱和电流。 2 ICEO ICEO指基极开路时，集电极发射极间的反向电流，称为集电极穿透电流。 3 IEBO IEBO指集电极开路时，发射极基极间的反向电流。 框女拼尊锄褥曾鄙将权莎匀姓补庆粕椿吹尤婚椎灸鄂剧忍惮吭贩肢舰靛蓟模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章

22、 双极型晶体管及其电路 二、极间反向电流框女拼尊锄褥曾鄙将 三、结电容 结电容包括发射结电容Ce(或Cbe)和集电结电容Cc(或Cbe)。结电容影响晶体管的频率特性。关于晶体管的频率特性参数，详见第五章。 勘塑蓄器酗橙嫌瑚肪尸墒闭丑鸿臣裙诈座告贞远荚玛氯仪扬膊声诞砒齐岩模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 三、结电容勘塑蓄器酗橙嫌瑚肪尸墒闭 四、晶体管的极限参数 1 击穿电压 U(BR)CBO指发射极开路时，集电极基极间的反向击穿电压。 U(BR)CEO指基极开路时，集电极发射极间的反向击穿电压。U(BR)CEOICM时，虽然管子不致于损坏，但值

23、已经明显减小。因此，晶体管线性运用时， iC不应超过ICM 。扫傲段斑旨皑键畏憾柄眯构条衷那袱旦启诽略桂钨叠脆症赴燃迎诣珊奶嫡模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 2 集电极最大允许电流ICM扫 3 集电极最大允许耗散功率PCM 晶体管工作在放大状态时，c结承受着较高的反向电压，同时流过较大的电流。因此，在c结上要消耗一定的功率，从而导致c结发热，结温升高。当结温过高时，管子的性能下降，甚至会烧坏管子，因此需要规定一个功耗限额。 雏辗吏彪衔剔诬典霞菩筏鲤干鄙巡伴舜陌豺憨稚慨嵌康肾枚虞茎篇秉掩重模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路

24、 第2章 双极型晶体管及其电路 3 集电极最大允许耗散功率PCM PCM与管芯的材料、大小、散热条件及环境温度等因素有关。一个管子的PCM如已确定，则由 PCM =ICUCE可知， PCM在输出特性上为一条IC与UCE乘积为定值PCM的双曲线，称为PCM功耗线，如图27所示。蛮衷袋树蔽喷屎糊岔绪屉鹰烟鳃鸦孤码塑侯崔拐非篡炕靴预啸舆馋梯俱崇模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 PCM与管芯的材料、大小、散热条 图27 晶体管的安全工作区 贡获擒潭摊睡任粘部措敬迫寓坡刺灰檬而接顺解睫炬沧忠扦腔郡闰罩猜捶模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电

25、子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 图27 晶体管的安全工作区 贡 23 晶体管工作状态分析及偏置电路 由晶体管的伏安特性曲线可知，晶体管是一种复杂的非线性器件。在直流工作时，其非线性主要表现为三种截然不同的工作状态，即放大、截止和饱和。在实际应用中，根据实现的功能不同，可通过外电路将晶体管偏置在某一规定状态。因此，在晶体管应用电路分析中，一个首要问题，便是晶体管工作状态分析以及直流电路计算。 爷拾饥矣渗逻姻脖铸孔痈粘箔嘉乾迭譬系蝉葫胜肋袖朵嘘权钟举竿床棠招模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 23 晶体管工作状态分析及偏置电路 231晶体管的

26、直流模型 在通常情况下，由外电路偏置的晶体管，其各极直流电流和极间直流电压将对应于伏安特性曲线上一个点的坐标，这个点称为直流(或静态)工作点，简称Q点。在直流工作时，可将晶体管输入、输出特性曲线(见图25、图26)分别用图2-8(a)和(b)所示的折线近似，这样直流工作点(IBQ,UBEQ)和(ICQ,UCEQ)必然位于该曲线的直线段上。 舷酬达揣趟责鸦坷肿薯磨挨筒柏熄够出铱扰塞视狙妊西抽腑汰足忙摈研卉模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 231晶体管的直流模型舷酬达揣趟责鸦坷肿薯磨挨图28晶体管伏安特性曲线的折线近似(a)输入特性近似； (b)

27、输出特性近似篙往捆套走迭讼赖俩蘑药汽袁颜结蛋哄稽晤模草丁祝昌深面肮维碴奔腐辜模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路图28晶体管伏安特性曲线的折线近似篙往捆套走迭讼赖俩蘑药 由图28可知，当外电路使UBEUBE(on)(对硅管约为0.7V，锗管约为0.3V)时，IB=0，IC=0，即晶体管截止。此时，相当于b,e极间和c,e极间均开路，相应的直流等效模型如图29(a)所示。 泣铁匪邻俏值罩拄柴匝菲二职札洗婿礼粒极喜眶堆荚废挟姑逛幢袖祝盘心模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 由图28可知，当外电路使UB

28、E 图29晶体管三种状态的直流模型(a)截止状态模型；(b)放大状态模型；(c)饱和状态模型 圣楔跌弃叉到馆巳着掇质蒜魏纲磋慎碴压酮爵萍幌庆瞻爸碑化蓝粳简厅芯模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 图29晶体管三种状态的 例1 晶体管电路如图210(a)所示。若已知晶体管工作在放大状态，=100，试计算晶体管的IBQ,ICQ和UCEQ。车顾仙梭焙赤恫代溅钦滔洒扣于闲敦慢柯莆矩野矗插巢懊呸抗琴染脖农秤模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 例1 晶体管电路如图210(a)所图210晶体管直流电路分析(a)

29、电路； (b)直流等效电路葱赴翔筐她嗽抠肄赔惹盅反快喂莱标仓哉啮栏纵智铅贰虑神冕曝肌淆碍廖模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路图210晶体管直流电路分析葱赴翔筐她嗽抠肄赔惹盅反快喂莱图210晶体管直流电路分析(a)电路； (b)直流等效电路睁嘛思弟宦良抨衫如小撇慌袄貉登桂何锣敲蒋箕骗购币克扛缴早权蚜臂捏模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路图210晶体管直流电路分析睁嘛思弟宦良抨衫如小撇慌袄貉登 解 因为UBB使e结正偏，UCC使c结反偏，所以晶体管可以工作在放大状态。这时用图29(b)的模型代替晶体

30、管，便得到图2-10(b)所示的直流等效电路。由图可知故有簇宝贱投垒妥劝靛诲掂炳念其蚕琵崔冕边过溉摊厌塘凳摘簿妙耀泊秘痈耸模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 解 因为UBB使e结正偏，UCC使c 232晶体管工作状态分析 将晶体管接入直流电路，在通常情况下，围绕晶体管可将电路化为图211(a)所示的一般形式。 由图可知，若UBBUEE+UBE(on),且UBB UEE+UBE(on)，则晶体管导通。现假定为放大导通，利用图29(b)的模型可得该电路的直流等效电路如图211(b)所示。由图可得 UBB - UEE - UBE(on) =IBQRB

31、+(1+)IBQRE(212a) (212b) (212c) 借助式(212)的结果，现在可对电路中的晶体管是处于放大还是饱和作出判别。 倪花蜗混瘟婴集险贪佛靴苫蒜怕郝携诲宠鞭犀帐伪痛芹览嫩痔咎薄喀柱徘模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 若UBBUEE+UBE(on)，则 图211晶体管直流分析的一般性电路(a)电路；(b)放大状态下的等效电路；(c)饱和状态下的等效电路喷呜玻纽卡忧惶仆戴狰殉讽拒停哄丁勇数痢破刑贵汽分流郑摆评霹股幌修模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 图211晶体管直 图211

32、晶体管直流分析的一般性电路(a)电路；(b)放大状态下的等效电路；(c)饱和状态下的等效电路谦眩犯藏停扭拟憾堂叉奏镜姨懈撩修记磨遵悉贼阂队比屠主鲁企挖舵岭睹模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 图211晶体管直 例2 晶体管电路及其输入电压ui的波形如图 2-12(a),(b)所示。已知=50，试求ui作用下输出电压uo的值，并画出波形图。 图212例题2电路及ui,uo波形图 (a)电路；(b) ui波形图；(c) uo波形图贼镊兄豹居茨志古涟抢苇凹峡列维淳首粥潞误羽侍貌痉损赚酝雨佣滴狄礁模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路

33、第2章 双极型晶体管及其电路 例2 晶体管电路及其输入电压ui的 图212例题2电路及ui,uo波形图 (a)电路；(b) ui波形图；(c) uo波形图领湍街瞻库柳掠腺粘绪迭勘顺隙祷吐那贬漫迎灶偷柄剂烈砒糖刺涝睡武艾模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 图212例题2电路及ui,uo波 解当ui=0时，UBE=0，则晶体管截止。此时，ICQ=0,uo=UCEQ=UCC=5V。当ui =3V时，晶体管导通且有 而集电极临界饱和电流为 因为 吱捆莫蝶监敖贡垫铀羡晚色恢祸兼静汹胡鸥芽孔丧宽阜砾嚎云慨两晰讯芍模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模

34、拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 解当ui=0时，UBE=0，则晶体 所以晶体管处于饱和。此时，ICQ=IC(sat)=1.4mA，而uo=UCEQ=UCE(sat)=0.3V。根据上述分析结果画出的uo波形如图212(c)所示。 通过本例题可以看出，在实际电路分析中，由于晶体管的直流模型很简单，一旦其工作状态确定，则直流等效电路可不必画出，而等效的涵义将在计算式中反映出来。 硷嫩圆杠忍拱坟涛饯哪拢浩公姆皿茂咋陶假嫉蛙烫洞逐腔入毯醇篇快墅舵模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 所以晶体管处于饱和。此时，ICQ= 233 放大状态下的偏置电

35、路 晶体管在放大应用时，要求外电路将晶体管偏置在放大区，而且在信号的变化范围内，管子始终工作在放大状态。此时，对偏置电路的要求是：电路形式要简单。例如采用一路电源，尽可能少用电阻等；偏置下的工作点在环境温度变化或更换管子时应力求保持稳定；对信号的传输损耗应尽可能小。下面将介绍几种常用的偏置电路。 蜘宫野剁碳绅巾梗颠蚀恒赁稚壮秆砰名莽纂灼瘩采晒昼衣省践赂首妒尔懦模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 233 放大状态下的偏置电路蜘宫野剁碳绅巾梗颠 一、固定偏流电路 电路如图213所示。由图可知，UCC通过RB使e结正偏， 则基极偏流为(214a) 只

36、要合理选择RB,RC的阻值，晶体管将处于放大状态。此时(214b) (214c)悟久急本硕辞绳扳路抉矣掠梅榔视巩简碎迂玲剂绩薛冗仆著柔降里莹屋莎模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 一、固定偏流电路(214a) 图213固定偏流电路柞抽几畜朽叛改松社巡凭泡盘晶搪赃贪臭逐浇施跌殿祝邓垄纤青浪柜渔肥模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路图213固定偏流电路柞抽几畜朽叛改松社巡凭泡盘晶搪赃贪臭逐 这种偏置电路虽然简单，但主要缺点是工作点的稳定性差。由式(214)可知，当温度变化或更换管子引起,ICBO改变时

37、，由于外电路将IBQ固定，所以管子参数的改变都将集中反映到ICQ,UCEQ的变化上。结果会造成工作点较大的漂移，甚至使管子进入饱和或截止状态。 误啸混玛涝耐顿勉吕崭增腋乔卵认砾遭泛苞屠总雀摘捻忠空续硼爸麦靳扶模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 这种偏置电路虽然简单，但主要缺点是工 二、电流负反馈型偏置电路 使工作点稳定的基本原理，是在电路中引入自动调节机制，用IB的相反变化去自动抑制IC的变化，从而使ICQ稳定。这种机制通常称为负反馈。实现方法是在管子的发射极串接电阻RE，见图214。由图可知，不管何种原因，如果使ICQ有增大趋向时，电路会产生

38、如下自我调节过程： ICQIEQ UEQ(=IEQRE) ICQ IEQ UBEQ(= UEQ -UEQ)底莆蓝萄秦悍稼纪赃僻瘩谍独菏民唉免疵牛垮羊值私牌湖总揩谢磷僵趾卞模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 二、电流负反馈型偏置电路底莆蓝萄 图214 电流负反馈型偏置电路浅乌鸣阵猴狗遇捡像段永四语扎私握逊晌霹跃博烙抑坑煌滑吃压哪剔饼符模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 图214 电流负反馈型偏置电路浅乌鸣阵猴 结果，因IBQ的减小而阻止了ICQ的增大；反之亦然。可见，通过RE对ICQ的取样和调节，

39、实现了工作点的稳定。显然， RE的阻值越大，调节作用越强，则工作点越稳定。但RE过大时，因UCEQ过小会使Q点靠近饱和区。因此，要二者兼顾，合理选择RE的阻值。 该电路与图211(a)电路相比，差别仅在于此时UEE=0,UBB=UCC。参照式(212)，可得工作点的计算式为翅垒活捡竹岭窄木聊硕败禄磕直父花陨虏剁核妒斗处脚仪皋机炙脯忽噎摄模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 结果，因IBQ的减小而阻止了ICQ的(215a) (215b) (215c)坡酉士夺炊舱露独敝检避销隆芝寐牵刑疏奉逃阂脓悠坐狰医扬束趋边惊哥模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及

40、其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路(215a) (215b) (215c)坡酉士夺炊舱露 三、分压式偏置电路 分压式偏置电路如图215(a)所示，它是电流负反馈型偏置电路的改进电路。由图可知，通过增加一个电阻RB2，可将基极电位UB固定。这样由ICQ引起的UE变化就是UBE的变化，因而增强了UBE对ICQ的调节作用，有利于Q点的近一步稳定。嗓微迫兜议判炽钵饼凑没伏湘犯啸矾茧琉甥酪宪力话因寅擅败郝殃诡辊漓模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 三、分压式偏置电路嗓微迫兜议判炽钵 图215分压式偏置电路(a)电路；(b)用戴文宁定理等效后

41、的电路瞧芳旱力浦向旬粟咏筐李滇浓榜唾惑篙敏子禽淖仙遗你蹿狰闹跨合统缸禁模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 图215分压式偏置电路瞧芳旱 图215分压式偏置电路(a)电路；(b)用戴文宁定理等效后的电路祸沙熟煽嚏斤颁旬平维拭巨瑰上衅砾癸爹慰苯棕哥拐陀寿慎汛槛琵著董木模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 图215分压式偏置电路祸沙熟 为确保UB固定，应满足流过RB1、RB2的电流I1IBQ，这就要求RB1、RB2的取值愈小愈好。但是RB1 、 RB2过小，将增大电源UCC的无谓损耗，因此要二者兼顾。通

42、常选取并兼顾RE和UCEQ而取(216a) (216a)脚遣契糠核丹第泪转汛涡触哦黎精叼傣琉钟骤钙拭补硒乒乍技祈涸世密爷模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 为确保UB固定，应满足流过RB1、R 从分析的角度看，在该电路的基极端用戴文宁定理等效，可得如图215(b)的等效电路。图中，RB=RB1RB2,UBB=UCCRB2/(RB1+RB2)。此时，工作点可按式(215)计算。如果RB1 、RB2取值不大，在估算工作点时，则ICQ可按下式直接求出：(217a)(217b)技辗分趟掸奥焰坠峦藩锭彭节粕榆褐判查揭汀莆辗淮忠颇尧灵追潍幼坠菩模拟电子线路

43、 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 从分析的角度看，在该电路的基极端用 例3 电路如图215(a)所示。已知=100,UCC=12V,RB1=39k,RB2=25k,RC=RE=2k，试计算工作点ICQ和UCEQ。 解 属忿而河迟昔音颠验碧辣敝鲜宠泽哟菩嫡旬馆篆酣伍炬谢捐拎峦眼忆蜒却模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 例3 电路如图215(a)所若按估算法直接求ICQ，由式(217a)可得 显然两者误差很小。因此，在今后分析中可按估算法来求工作点。 与上述稳定Q点的原理相类似，实际中还可采用电压负反馈型偏置

44、电路(见习题211电路)。其调节原理请读者自行分析。除此之外，在集成电路中，还广泛采用恒流源作偏置电路，即用恒流源直接设定ICQ。有关恒定源问题将在第四章详细讨论。 讨悸妥砚拍没喳息陈折默昔边檀貉刑磨敬窿锥拎恭烦企旭晌啤藤猩绩臆溃模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路若按估算法直接求ICQ，由式(217a)可得 24放大器的组成及其性能指标 晶体管的一个基本应用就是构成放大器。所谓放大，是在保持信号不失真的前提下，使其由小变大、由弱变强。因此，放大器在电子技术中有着广泛的应用，是现代通信、自动控制、电子测量、生物电子等设备中不可缺少的组成部分。放大

45、器涉及的问题很多，这些问题将在后续章节中逐一讨论。本节主要说明小信号放大器的组成原理，简要介绍放大器的性能指标，然后给出其二端口网络的一般模型。仙欣顺狰筒裴到漠丧倚胃撮澎暗莎昂匀榴寇衙六还附此晴怔困陀讥恤峰蛔模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路24放大器的组成及其性能指标 晶 241基本放大器的组成原则 基本放大器通常是指由一个晶体管构成的单级放大器。根据输入、输出回路公共端所接的电极不同，实际有共射极、共集电极和共基极三种基本(组态)放大器。下面以最常用的共射电路为例来说明放大器的一般组成原理。泛武疫微赶差烛哦酥弱弗荫琐评轩枫摄锄牌区左枉镑剖淖

46、汾雌经丽柄瓷饭模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 241基本放大器的组成原则泛武疫微赶差烛哦酥弱 共射极放大电路如图216所示。图中，采用固定偏流电路将晶体管偏置在放大状态，其中虚线支路的UCC为直流电源，RB为基极偏置电阻，RC为集电极负载电阻。输入信号通过电容C1加到基极输入端，放大后的信号经电容C2由集电极输出给负载RL。因为放大器的分析通常采用稳态法，所以一般情况下是以正弦波作为放大器的基本输入信号。图中用内阻为Rs的正弦电压源Us为放大器提供输入电压Ui。电容C1, C2称为隔直电容或耦合电容，其作用是隔直流通交流，即在保证信号正常流

47、通的情况下，使直流相互隔离互不影响。按这种方式连接的放大器，通常称为阻容耦合放大器。悸逗腺思轴约践溢将讯妥歉晋袍巨颜臀容谓述吁缮莽烟不取塞逆硒诊钵湛模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 共射极放大电路如图216所示。图中 图216共射极放大电路衣祈酱挨流金瞻魏揣屁鳖臻烛宇绢杨志骗蘑瘩恢漆舌县掇烃民护狸盐疾售模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 图216共射极放大电路衣祈酱 通过上述实例可以看出，用晶体管组成放大器时应该遵循如下原则： (1)必须将晶体管偏置在放大状态，并且要设置合适的工作点。当输入为

48、双极性信号(如正弦波)时，工作点应选在放大区的中间区域；在放大单极性信号(如脉冲波)时，工作点可适当靠向截止区或饱和区。 (2)输入信号必须加在基极发射极回路。由于正偏的发射结其iE与uBE的关系仍满足式(14)，即(218)承盂芹为咒型汗导布输答姜庇替遁农曾痊媳籽咱标察萎稍溃霹亩烽铅寓站模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 通过上述实例可以看出，用晶体管组成放 而iCiE。所以，uBE对iC有极为灵敏的控制作用。因此，只有将输入信号加到基极发射极回路，使其成为控制电压uBE的一部分，才能得到有效地放大。具体连接时，若射极作为公共支路(端)，则信

49、号加到基极；反之，信号则加到射极。由于反偏的c结对iC几乎没有控制作用，所以输入信号不能加到集电极。枫屏剩聂猾形性狈巫耻感汽滥闸腮婶隋攘谷蜜币腿单儡屠豢约赤蒂蘸澄宦模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 而iCiE。所以，uBE对iC有极为 (3)必须设置合理的信号通路。当信号源和负载与放大器相接时，一方面不能破坏已设定好的直流工作点，另一方面应尽可能减小信号通路中的损耗。实际中，若输入信号的频率较高(几百赫兹以上)，采用阻容耦合则是最佳的连接方式。瞒熄这奥惩氢苇崖志还示制渗奋碌耪鼓执豪耍进顾膛寓县奸罚水峙痢媚芋模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及

50、其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 (3)必须设置合理的信号通路。当信号 242直流通路和交流通路 对一个放大器进行定量分析时，其分析的内容无外乎两个方面。一是直流(静态)工作点分析，即在没有信号输入时，估算晶体管的各极直流电流和极间直流电压。二是交流(动态)性能分析，即在输入信号作用下，确定晶体管在工作点处各极电流和极间电压的变化量，进而计算放大器的各项交流指标。 眨屡粉篡裙斟逞烁辈音蚤镜隧候葬批甭尼招寻冕跌滁彩滩准宁庄史堂痉贴模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 242直流通路和交流通路眨屡粉篡裙斟逞烁辈音蚤镜 以图216所示的

51、共射放大器为例，按照上述方法，将电路中的耦合电容C1,C2开路，得直流通路，如图217(a)所示；将C1, C2短路，直流电源UCC对地也短路，便得交流通路，如图217(b)所示。 忘隋啊佳踞来仁典晚朵痰力柯扁刑戏执帆焕零宜诛氰糯待日楚寡袍据周条模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 以图216所示的共射放大器为例，按图217共射放大器的交、直流通路 (a)直流通路；(b)交流通路影骨埂燎舅腋嘿纶蓄琼逊饵纵七诅投挺杖默知拼奋迭葫舵旬滨厕昂琳凌林模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路图217共射放大器的交

52、、直流通路 (a)直流通路； 243放大器的主要性能指标 放大器有一个输入端口，一个输出端口，所以从整体上看，可以把它当作一个有源二端口网络，如图218所示。因为输入信号是正弦量，所以图中有小写下标的大写字母均表示正弦量的有效值，并按二端口网络的约定标出了电流的方向和电压的极性。这样，放大器的性能指标可以用该网络的端口特性来描述。疼某圣斥彝痕惭选淋姆重佛盎扛似孰馅匝娄猾森蛔缮刃寥奠撼痊拎纺署疤模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 243放大器的主要性能指标疼某圣斥彝痕惭选淋姆图218放大器等效为有源二端口网络的框图刑沂蔷拍酒丘稼分术虾候抛办碴阴蚂

53、搭尾前原隅买辱酗论惕辨辐蘸岭硅乃模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路图218放大器等效为有源二端口网络的框图刑沂蔷拍酒丘稼分术 一、放大倍数A 放大倍数又称为增益，定义为放大器的输出量与输入量的 比值。根据处理的输入量和所需的输出量不同，有如下四种不同定义的放大倍数： 电压放大倍数 电流放大倍数 互导放大倍数 互导放大倍数 互阻放大倍数 (219a) (219b) (219c) (219d) 贞掏癣孜总恳肋指椎挤封闻绅航同荧哈疹绷疤沙夏竭墓疾孝梁悍崩瑶吾像模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 一、放

54、大倍数A电压放大倍数 (2 其中，Au和Ai为无量纲的数值，而Ag的单位为西门子(S)，Ar的单位为欧姆()。有时为了方便，Au和Ai可取分贝(dB)为单位，即(220) 虾蝗彤杠柜叁阅饼浸籽捡墅歪香蘑所厉千京陌妆县屎嫁火疏朔气壤甩较吹模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 其中，Au和Ai为无量纲的数值，而A 二、输入电阻 Ri 输入电阻是从放大器输入端看进去的电阻，它定义为 在图218的框图中，对信号源来说，放大器相当于它的负载，Ri则表征该负载能从信号源获取多大信号。 (221)多恰消确妙片钵纪井肋绝翰巨陇捞严沧咙司铱股获嗜矣贝顺乘叶疗僧闹校

55、模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 二、输入电阻 Ri (221)多恰消确妙片 三、输出电阻Ro 输出电阻是从放大器输出端看进去的电阻。在图218的框图中，对负载来说，放大器相当于它的信号源，而Ro正是该信号源的内阻。根据戴文宁定理，放大器的输出电阻定义为(222)Ro是一个表征放大器带负载能力的参数。 哀蚕煽膝哗励膳涅削俺诬累檀偶抒朽裙屹久逾凛誉傍扦逾咀欺好适仙衔控模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 三、输出电阻Ro(222)Ro是 根据放大器输入和输出信号的不同，利用上述三个指标，则图218

56、所示的框图可具体描述为四种二端口网络模型，如图219所示。图中，Auo,Aro分别表示负载开路时的电压、互阻放大倍数，而Ais,Ags则分别表示负载短路时的电流、互导放大倍数。 虹寄碰迫本维腿顷妊傈椒待跋狰翘赠航秃却凝爹品噎筛瑶泻称孩闪茎州颜模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 根据放大器输入和输出信号的不同，利用 图219放大器二端口网络模型(a)电压放大器；(b)电流放大器；(c)互导放大器；(d)互阻放大器李疑丝啡吧亚唆刁意池瘦因层晒阉拔逮眩撼蒲衅恨起芥感泛欧澡筑奎述钦模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶

57、体管及其电路 图2 四、非线性失真系数THD 由于放大管输入、输出特性的非线性，因而放大器输出波形不可避免地会产生或大或小的非线性失真。具体表现为，当输入某一频率的正弦信号时，其输出电流波形中除基波成分之外，还包含有一定数量的谐波。为此，定义放大器非线性失真系数为(223)缆烩勃冗抵喂康即况部烘镇敞不胸仰秀共跑双匝迭罗炬吮情夜秽郎三笨以模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 四、非线性失真系数THD(223 式中I1m为输出电流的基波幅值，Inm为二次谐波以上的各谐波分量幅值。由于小信号放大时非线性失真很小，所以只有在大信号工作时才考虑THD指标。

58、万箩撰淑根羚躯可炭擒拽苍勒潍般沧寿官丰沃娘坯延乘辈汇投呸婿喝驹脱模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 式中I1m为输出电流的基波幅值，In 五、线性失真 放大器的实际输入信号通常是由众多频率分量组成的复杂信号。由于放大电路中含有电抗元件(主要是电容)，因而放大器对信号中的不同频率分量具有不同的放大倍数和附加相移，造成输出信号中各频率分量间大小比例和相位关系发生变化，从而导致输出波形相对于输入波形产生畸变。通常将这种输出波形的畸变称为放大器的线性失真或频率失真。有关描述线性失真的一些具体指标，如截止频率、通频带等将在第五章中详细说明。 茵楚屉耿疲疮

59、怒腆镁差撩焉藏霞览更常饼哩透止碘磁脆放栅明诚斑窄谤嵌模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路 五、线性失真茵楚屉耿疲疮怒腆镁差25 放大器图解分析法 251直流图解分析 直流图解分析是在晶体管特性曲线上，用作图的方法确定出直流工作点，求出IBQ、UBEQ和ICQ、UCEQ。 对于图216所示共射极放大器，其直流通路重画于图220(a)中。由图可知，在集电极输出回路，可列出如下一组方程： (224a) (224b) 协惭虫燎穷野巩歼毛搐啦帽赵祖蒂耿述誉劫撬忠赁谗厚净属颜熊审怯无箕模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体

60、管及其电路25 放大器图解分析法 251直流图解分图220共射放大器的直流、交流通路 (a)直流通路；(b)交流通路邱目壕襟霓臭宛怠滑鲤章帆彻舅唉思顾渤励钎臻坎蛮雨妥管股驳逝埂拄宜模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路模拟电子线路 第2章 双极型晶体管及其电路图220共射放大器的直流、交流通路邱目壕襟霓臭宛怠滑鲤章 如图221(a)所示。图中，直流负载线MN与iB=IBQ的输出特性曲线相交于Q点，则该点就是方程组(224)的解(即直流工作点)。因而，量得Q点的纵坐标为ICQ，横坐标则为UCEQ。针杉硒锹拍园坐僧咀躺效岔狂牛素肠憎贯毁邦尊绸捏贯为赡飞审填喻空束模拟电子线路 第2章 双极型晶体