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文档简介

1、共基极短路电流放大系数及其截止频率共基极短路电流放大系数及其截止频率 由上式可见，在直流或极低频下， ，相角= 0。随着频率的提高， 的幅度 下降，相角滞后 。 定义：当 下降到 时的角频率和频率分别称为 的截止角频率 和 截止频率，记为 和 ： 由上式可见，在直流或极低频下， 这时 与 的区别仅在于用 代替 。 的频率特性主要由 和 决定，即： 下面讨论两种情况：(1) 对截止频率不是特别高的一般高频管，例如 fa 500 MHz 的现代微波管， b 只占ec中很小一部分， 就更小了，因此，可忽略 ，得：（2） 对 fa 500 MHz 的现代微波管， 2、共发射极短路电流放大系数及其截止频

2、率将 代入，得：若忽略 ，得： 已知：2、共发射极短路电流放大系数及其截止频率将的截止角频率 和 截止频率，记为 ： 定义：当 下降到 时的角频率和频率分别称为这时 又可表为：的截止角频率 和 截止频率，记为 的关系：在忽略 的情况下，所以有： 的关系：在忽略 的情况下，所以有：相角 = - 900 。所以在此频率范围内， ic 比 ib 滞后 900，且 | |与 f 成反比，即 按频率每加倍，| | 减小一半。由于功率正比于电流平方，所以 频率每加倍，功率增益降为 1/4 。 3、 随频率的变化；特征频率 fT已知：相角 = - 900 。所以在此频率范围内， ic 比 ib因 所以 fT

3、 可表为： 当忽略 时，有： 对于 fa 500 MHz 的晶体管，ec 中以b 为主，这时: 定义：当 降为 1 时的频率称为 特征频率 ，记为 fT 。由 可解出:因 fT 的测量： 实际测量 fT 时，不一定真的测到使 下降为1 时的频率，而是在 的条件下测量 （可以大于1），然后根据 ，即可得到： 由于上式，fT 又称为晶体管的 增益带宽乘积。 高频管的工作频率一般介于 f 与 fT 之间。 fT 的测量： 由于上式， 对 fT 有影响的还有其它一些次要因素，如发射区延迟时间： 对 fT 有影响的还有其它一些次要因素对 的修正：CTC 中还应包括延伸电极的寄生电容，等等。积累超量储存电

4、荷的时间缓变基区晶体管对 的修正：CTC 中还应包括延伸电极的寄生电容，等等。 例：某C 波段低噪声小信号晶体管，具有如表 3-4（p. 142）所示的设计参数(陈星弼 张庆中 陈勇 著 微电子器件 第三版）。经计算可得：由于忽略了一些次要因素，实际的 fT 可能只有 7 GHz 左右。 4、高频晶体管的 fT 与ec 例：某C 波段低噪声小信号晶体管，具有如表 当WB 较大， fT 较低时，提高 fT 的主要措施是减小WB 。 在上例中， 这时 。 如果WB 增大到 1 m，其余参数不变，则：但当WB 已很小时，仅仅靠减小WB 来提高 fT 的作用就开始减弱。特别是当 WB 0.1 m 后，再减小 WB 几乎对提高 fT 不起

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