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文档简介

1、北方华创深度报告:布局刻蚀、沉积、清洗、热处理核心赛道1.北方华创:从泛半导体到集成电路1.1 历史:七星归位,剑指北方“北京七星华创精密”是公司电子元器件业务的运营主体,于2016年收购资产重组时成立。公司电子元器件业务历史可追溯到1956年,前身是国家“一五”期间由德国援建的国营华北无线电器材联合厂(国营第718厂),后改制为706、707、718、797、798等专业工厂。无线电器材联合厂位于被称为“新中国电子工业摇篮”的“酒仙桥电子工业基地”,即如今的北京798艺术中心。作为国家“一五”期间重点投资、集中建设的新中国第一个电子工业基地,其为我国电子工业、国民经济发展做出了巨大贡献。转布

2、局集成电路设备:2001年成立的北方微电子,是与北京电控和七星电子同根同源的兄弟单位,重点发展刻蚀、PVD、CVD三大类设备,广泛应用于集成电路制造、先进封装、半导体照明(LED)、微机电系统(MEMS)等领域。北方华创微电子装备:为公司半导体设备业务运营主体,2020年实现营业收入41.55亿元,营收占比69%,同比增速60%;净利润1.76亿元,净利率近4%。七星华创精密电子:公司电子元器件业务运营主体,2020年实现营业收入11.65亿元,营收占比21%,同比增速37%;净利润3.86亿元,净利率达33%。北方华创真空技术:公司真空及锂电设备运营主体;2020年实现营业收入7.14亿元,

3、营收占比12%,同比增速17%;净利润0.68亿元,净利率近9.6%。1.2 财务:规模扩张,研发不止重组以来营收CAGR达39%。2016年以来,公司营收实现高速增长,2020年实现全年营收60.56亿元,同比增长49.23%;而2021年1-9月公司营收已达61.73亿元,超去年全年水平。电子工艺装备为收入增长最大引擎。公司电子工艺装备收入从2016年的9.97亿元增长至2020年48.69亿元,年复合增速达48.7%;2020年电子工艺装备收入占总营收比重约为80.40%。单纵观公司历年单季度营收,可发现下半年为旺季,营业收入普遍比上半年高。2021年Q3公司实现营业收入25.65亿元,

4、再创单季度历史新高。回顾2020年Q1到现在,公司期末合同负债与存货屡创新高。2020年一季度期末合同负债近26亿元,存货40亿元;而2021年三季度期末合同负债则达到55.03亿元,存货则达到76.08亿元,实现近翻倍增长,可见公司在手订单充沛,并积极加大材料备货,未来订单转收入可期。2020年净利率9%,盈利能力稳步提升。受益业务规模扩大,公司归母净利润同样实现高速增长,2020年全年归母净利润为5.37亿元,同比增长74%。重组以来,净利率也从2016年的6%提升至2020年的9%,盈利能力进一步提升。电子工艺设备毛利率相对波动较大。电子元器件作为公司传统业务,近年持续保持高毛利率,且实

5、现逐年提升,2020年已近66%;设备业务受市场及出货结构影响,则相对波动较大。销售费用率相对稳定。2019、2020年公司销售费用率分别为5.87%、5.84%,相对稳定。2021年管理费用将继续受股权激励摊销影响。2020年公司管理费用率14.06%,相较2019年的13.75%有所提升,主要受2019年股权激励摊销费用增加影响;预计2021年此影响将继续存在,并于2022年、2023年逐步减小。实行股权激励绑定人才。自2018年以来,北方华创针对公司的管理和技术层人员进行了两轮股权激励,使员工薪酬与公司成长绑定。2018针对技术人员的激励占总技术人员的比例高达23.50%,使核心技术人员

6、流失率从15%降到了2%以下。随着公司业务规模扩张,北方华创持续加强研发投入,2020年全年研发投入达16亿元,同比增速41%,占营业收入比例约为27%。2021年上半年,公司研发投入已高达14.97亿元,占营收比例已高达41%。规模上看,公司研发投入水平国内绝对领先;营收占比上看,同样处于国内设备公司前列。2.产品布局:平台型半导体设备企业北方华创是半导体设备平台化企业,业务范围较广,在集成电路、面板、LED、光伏四大赛道均有布局。2.1 刻蚀:硅刻蚀领军者北方华创自成立便开始研发刻蚀技术,2005年第一台8吋ICP刻蚀机上线,是我国自主研发的第一台干法刻蚀机;目前公司已形成对硅、介质、化合

7、物半导体、金属等多种材料的刻蚀能力。公司尤其在国产ICP刻蚀技术方面具备领先地位;应用于集成电路领域的硅刻蚀机已突破14nm技术,进入主流芯片代工厂。刻蚀工艺分为干法刻蚀和湿法刻蚀。目前应用主要以干法刻蚀为主,市场占比90%以上。湿法刻蚀在小尺寸及复杂结构应用中具有局限性,目前主要用于干法刻蚀后残留物的清洗。 湿法刻蚀可分为化学刻蚀和电解刻蚀。 根据作用原理,干法刻蚀可分为物理刻蚀(离子铣刻蚀)和化学刻蚀(等离子刻蚀)。 根据被刻蚀的材料类型,干法刻蚀则可分为金属刻蚀、介质刻蚀与硅刻蚀。刻蚀设备在集成电路制造中占据重要地位,并已成为市场规模比重最高的细分领域之一。当 前,全球集成电路制造刻蚀设

8、备市场基本由干法刻蚀设备构成,具体可分为介质刻蚀设备(Dielectric Etch)及导体刻蚀设备(Conductor Etch)。 2020年,全球集成电路制造干法刻蚀设备市场规模约为137亿美元,同比增长25.36%,在集成电路制造设备市场的规模占比达21.10%;2025年,干法刻蚀设备市场规模预计将增长至181.85亿美元,年复合增长率约为5.84%。2.2 沉积:PVD+CVD+ALD全布局磁控溅射技术属于PVD(物理气相沉积)技术的一种,是制备薄膜材料的重要方法之一。公 司PVD设备应用跨越90纳米至14纳米的多个技术代,代表着国产集成电路薄膜制备工艺设备的较高水平,并成功进入国

9、际供应链体系。化学气相沉积(CVD)技术是用来制备高纯、高性能固体薄膜的主要技术。北方华创微电子凭借十余年的微电子领域高端工艺设备开发经验,先后完成了PECVD、APCVD、LPCVD、ALD等设备的开发。北方华创微电子先后研制了具有自主知识产权的热原子层沉积(Thermal ALD)设备、等离子体增强原子层沉积(PEALD)设备两个系列产品。北方华创微电子先后在集成电路、先进封装、LED等领域研制了具有自主知识产权的13款PVD产品并成功产业化,从2012年设备销售至今,已实现超过200台设备销售,总计超过800万片量产。等;其中,CVD设备市场占比近57%,超半壁江山;PVD、ALD占约2

10、5%,ALD及其他镀膜设备占18%。2.3 氧化/退火:氧化+扩散+退火+合金氧化(Oxidation)是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理,在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程,是集成电路工艺中应用较广泛的基础工艺之一。扩散(Diffusion)是在高温条件下,利用热扩散原理将杂质元素按工艺要求掺入硅衬底中,使其具有特定的浓度分布,达到改变材料的电学特性,形成半导体器件结构的目的。在硅集成电路工艺中,扩散工艺用于制作PN结或构成集成电路中的电阻、电容、互连布线、二极管和晶体管等器件。退火(Anneal)也叫热退火,集成电路工艺中所有在氮气等不活泼气氛中进行热处理的过程都可

11、称为退火,其作用主要是消除晶格缺陷和消除硅结构的晶格损伤。合金(Alloy):把硅片放置在惰性气体或氩气的环境中进行低温热处理;使金属(Al和Cu)和硅基行成良好的基础、稳定Cu配线的结晶结构并去除杂质,从而提高配线的可靠性。2.4 清洗:单片+槽式+湿法清洗工艺 : 主要用于去除芯片制造中上一道工序所遗留的超微细颗粒污染物、金属残留、有机物残留物,去除光阻掩膜或残留,也可根据需要进行硅氧化膜、氮化硅或金属等薄膜材料的湿法腐蚀,为下一步工序准备好良好的表面条件。常见的清洗设备有单片式清洗机和槽片式清洗机。2020年全球清洗设备市场规模25.39亿美元,预计到2024年全球清洗设备市场规模将达到

12、31.93亿美元,年复合增长率约为6%。清洗设备行业的CR3市占超85%。全球清洗设备龙头是迪恩士、东京电子和SEMEMS公司,其中迪恩士市占率近45%,是绝对的龙头;市占率前三迪恩士、东京电子、SEMES合计占有近85%的市场份额,头部垄断效应显著。目前有三家国内厂商在湿法工艺设备端提供中高阶湿法制程设备,分别是至纯科技、北方华创和盛美,国内厂商的市场占比在逐年上升中。相比于其他半导体设备行业,清洗设备的技术门槛较低,未来5年有望率先实现全面国产化。3.下游需求:晶圆厂扩产,需求确定长江存储“国家存储器基地项目”由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路产业基金共同投资建设

13、。此项目规划共投资约1697亿元,分两期建设3D NAND Flash芯片工厂,两期达产产能30万片/月。随着技术节点的不断缩小,集成电路制造的设备投入呈大幅上升的趋势。以5纳米技术节点为例,其设备投资成本近156亿美元/5万片,是14纳米的两倍以上,28纳米的四倍左右。格罗方德和联电均已宣布暂缓10nm以下制程的研发。5G、新基建、新能源汽车、新能源发电等蓬勃发展的终端应用市场将催生大量半导体需求。终端应用多样化性增加,制造技术也同步分化,且技术迭代加快,定制化趋势明显。全球集成电路行业资本开支继续维持高位。根据Gartner,未来五年集成电路行业资本开支依旧保持较高水平的稳定状态,在1400亿美元上下小幅变动。4.国产机遇:供应链安全,内需迫切全球半导体供应链朝向安全的国际竞合与供应链自主转移。21世纪进入数据中心驱动时代,中国快速发展的终端需求与人口红利的叠加,以及巨大的市场规模、坚实的工业基础和大量的优质工程师等优势,促使半导体产业向中国转移,进行第三次产业转移。2020年中国台湾地区为半导体产能最大地区,市占率为22%,其次是韩国(21%),再次为日本和中国大陆(均为15%)。预计2030年中国大陆地区将成为全球半导体产能第一的地区,欧美地区的市占率则逐渐下降。国产化率仅7%,进口替代空间巨大。据统计,2020年国

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