16位工业级通用单片机spmc75f2313a数据手册v1

1、V1.1Feb.14, 2006中文版19, InnovationRoad Science Park Hsin-Chu 300 R.O.C.cn: 886-3-578-6005Fax: 886-3-578-4418: HYPERLINK http:/w/ http:/whttp保留对此文件修改之权利且不另行通知。提供之信息相信为正确且可靠之信息，但并不保证本文件中绝无错误。请于向所有限公司提出订单前，自行确定所使用之相关技术文件及规格为之版本。若因贵公司使用本公司之文件或产品，而涉及第三人之专利或著作权等智能权之应用及配合时，则应由贵公司负责取得同意及之责任。又，本公司仅单纯贩售产品，上述关于

2、同意及，非属本公司应为保证之正式，本公司之所有产品不得使用于医疗器材，维持生命系统及飞航等相关设备。修订日期版本编写及修订说明2005/08/181.0初始版本2006/02/141.1标准化目录修订 31.简述62.特性63.功能框图74.信号描述74.1.引脚描述2-Pin SDIP/ 44-Pin LQFP 封装信号描述74.2.封装942-Pin SDIP 封装944-Pin LQFP 封装95.功能描述..........1.

3、.....6.4.CPU 内核10空间10空间分配10Flash 的组织和控制11SRAM15复位和中断向量15CPU 和外设控制寄存器列表15时钟发生模块(CGM)23晶振23锁相环(PLL)24外部时钟24时钟 24RC 振荡器25省电模式25唤醒源26中断28中断源28中断过程29复位管理31上电复位(POR)31外部复位31低电压复位(LVR)32看门狗复位(WDTR)32地址复位(IAR)32指令复位(IIR)32通用 I/O 端口(GPIO)3...定时器/模块43PD

4、C 定时器 0 和定时器 1435.9.1.简介43PDC 定时计数的操作45相位计数模式操作60侦测位置改变(PDC)模式操作635.10.TPM 定时器 2 模块665.10.1.简介665.10.2.TPM 定时器 2 的计数操作675.11.MCP 定时器 4 模块785.11.1.简介785.11.2.MCP 定时器 4 计数操作73.5.14.比较匹配定时器98时基模块100串行通讯接口101SPI 标准外设接口101SPI 操作101通用异步串行通讯 UART106UART 操作106模/数转换(ADC)111看门狗定时器(WDT)1156.电气特性1176.1

5、..6.4.绝对最大 117直流电气特性(VDD = 4.55.5V, TA = -4085C)117交流特性(VDD = 4.55.5V, TA = -4085C)117模拟接口电气特性(VDD = 5.0V, TA = -40C85C)1187.封装/引脚位置1197.1.封装1197.1.1.LQFP-44 封装1197.1.2.SDIP-42 封装1207.2.订货信息1201. 简述SPMC75F2313A 是由工业级的 16 位微控制器内嵌仿真功能，可实现的调试和PDC 定时器两个 PDC 定时器 PDC0 和 PDC1可同时处理三路捕获输入仿真、科技公司设计开发的，

6、其采用公司自主知识的nSP（发音为 micro-n-SP）微处理器，集成了多功能 I/O 口、同步和异步串行口、ADC、定时计数器等功能模块，以及多功能捕获比较模块、BLDC电机驱动位置侦测接口、两相增量编接口、能可产生三路式）BLDC 驱动的输出（中心对称或边沿方产生各种电机驱动波形的发生器等特殊硬件模块。利用这些硬件模块支持，SPMC75F2313A 可以完成诸如家电用变频驱动器、标准工业变频驱动器、变频电源、多环伺服驱动系统等复杂应用。位置侦测接口（PDC1）两相增量码盘接口（PDC1），支持四种工作模式，拥有四倍频电路普通的定时器功能2. 特性高性能的 16 位内核16 位 unSP

7、处理器2 种低功耗模式：Wait/Standby片内低电压检测电路片内基于锁相环的时钟发生模块最高运行速度：24MHzMCP 定时器一个 MCP 定时器 MCP4能够产生三相六路可编程的波形（中心对称或边沿方式），如三相的 S、SV等提供占空比值同步载入逻辑内器可选择与 PDC 的位置侦测变化同步32KW (32K16) Flash2KW (2K16) SRAM可编程的硬件死区设定功能，死区时间可工作温度： -40 8510 位的 ADC 模块可编程的错误和过载保护逻辑普通的定时器功能可编程的换速率，最大转换速率 100Ksps 6 个外部输入信道可与 PDC 或是 MCP 等定时器联动，实现

8、电机控制中的电参量测量TPM 定时器 2可同时处理二路捕获输入可产生二路方式）输出（中心对称或是边沿串行通讯接口通用异步串行通讯接口(UART)普通的定时器功能两个 CMT 定时器通用 16 位定时器标准接口(SPI)最多 33 个通用输入输出管脚可编程看门狗定时器 Sunplus Technology Co.,.PAGE 6V1.0 Feb 14, 20063. 功能框图36MHz CrystalVEXTREF ADCTRGX2X1OSCClock Generation ModulePLLClock MonitorPortARESETBPortBGPIOICENCK DAIIPortCInf

9、ormation Block (SECURITY,OPTIONS.)32Kx16Embedded FlashCLK200KROSC 1600KFLASH control图3-1 SPMC75F2313A 功能框图4. 信号描述.1.引脚描述42-Pin SDIP/ 44-Pin LQFP 封装信号描述 Sunplus Technology Co.,.PAGE 7V1.0 Feb 14, 2006管脚名称封装类型类型主要功能复用功能SDIP42LQFP44VDD2420P电源端VSS2521P接地端AVSS3329P模拟地AVDD3430P模拟电源VDDL3531P内核电源滤波，外

10、接 10F-16V 电容VEXTREF3228P模/数转换外部参考电源输入XTAL13632I3-6MHz 本地振荡器输入XTAL23733I/O外部时钟输入，3-6MHz 本地振荡器输出VSSL3834I接地端ICEN82IICE 仿真/编程模式使能0V :普通模式3.3V :仿真/编程模式IOD0/ICECLK93I/OIOD0(ICE模式下不可用)ICE 串行时钟输入(3V IO)2Kx16 SRAMCompare Match TimerTimWM ModuleWatchdogunSP 16-bit CPU+ICEerrupt Control ModuleReset Management

11、Serial erface SPI/UARTLVR6-ch 10-bit ADC注意：I = 输入，O = 输出，P = 电源 PL = 下拉，PH = 上拉 Sunplus Technology Co.,.PAGE 8V1.0 Feb 14, 2006管脚名称封装类型类型主要功能复用功能SDIP42LQFP44IOD1/IDA104I/OIOD1(ICE模式下不可用)ICE 串行地址/数据输入/输出(3V IO)RESET115I外部复位脚，低电平有效IOA2/AN22622I/OIOA2ADC 模拟量输入信道 2IOA3/AN32723I/OIOA3ADC 模拟量输入信道 3IOA4/AN

12、42824I/OIOA4ADC 模拟量输入信道 4IOA5/AN52925I/OIOA5ADC 模拟量输入信道 5IOA6/AN53026I/OIOA6ADC 模拟量输入信道 6IOA7/AN73127I/OIOA7ADC 模拟量输入信道 7IOA9/TIO2A2015I/OIOA9TPM 信道 2 输入/输出 AIOA10/TIO2B2116I/OIOA10TPM 信道 2 输入/输出 BIOA1117I/OIOA11IOA13/TCLKC2218I/OIOA13外部时钟 C 输入IOA14/TCLKD2319I/OIOA14外部时钟 D 输入IOB56I/OIOB5IOB6127I/OIO

13、B6IOB7138I/OIOB7IOB8/TIO0C149I/OIOB8PDC 信道 0 输入/输出 CIOB9/TIO0B1510I/OIOB9PDC 信道 0 输入/输出 BIOB10/TIO0A1611I/OIOB10PDC 信道 0 输入/输出 AIOB11/SCK1712I/OIOB11SPI 时钟输入/输出IOB12/SDI/RX D11813I/OIOB12SPI 数据输入/异步通讯串行数据接收口 1IOB13/SDO/T XD11914I/OIOB13SPI 数据输出/异步通讯串行数据发送口 1IOC5/TIO1A3935I/OIOC5PDC 信道 1 输入/输出 AIOC6/

14、TIO1B4036I/OIOC6PDC 信道 1 输入/输出 BIOC7/TIO1C4137I/OIOC7PDC 信道 1 输入/输出 CIOC8/OL24238I/OIOC8过载保护输入 2IOC9/FTIN2139I/OIOC9外部出错保护输入 2IOC10/TIO4A/ U2240I/OIOC10MCP 信道 4 输出 A / 电机驱动 U2 相输出IOC11/TIO4B/ V2341I/OIOC11MCP 信道 4 输出 B / 电机驱动 V2 相输出IOC12/TIO4C/ W2442I/OIOC12MCP 信道 4 输出 C / 电机驱动 W2 相输出IOC13/TIO4D/ U2

15、N543I/OIOC13MCP 信道 4 输出 D / 电机驱动 U2N 相输出IOC14/TIO4E/ V2N644I/OIOC14MCP 信道 4 输出 E / 电机驱动 V2N 相输出IOC15/TIO4F/ W2N71I/OIOC15MCP 信道 4 输出 F / 电机驱动 W2N 相输出.1.封装42-Pin SDIP 封装IOC9/FTIN2 IOC10/TIO4A/U2 IOC11/TIO4B/V2 IOC12/TIO4C/W2 IOC13/TIO4D/U2N IOC14/TIO4E/V2N IOC15/TIO4F/W2NICEN IOD0/ICECLK123456

16、789101112131415161718192021424140393837363534333231302928272625242322IOC8/OL2 IOC7/TIO1C IOC6/TIO1B IOC5/TIO1A VSSL XTAL2 XTAL1 VDDL AVDD AVSSVEXTREF IOA7/AN7 IOA6/AN6 IOA5/AN5IOA4/AN4 IOA3/AN3 IOA2/AN2 VSSVDD IOA14/TCLKD IOA13/TCLKCIOD1/IDARESET IOB6 IOB7SDIP42IOB8/TIO0C IOB9/TIO0B IOB10/TIO0AIOB11

17、/SCK IOB12/SDI/RXD IOB13/SDO/TXD IOA9/TIO2A IOA10/TIO2B4-1 SPMC75F2313A SDIP42 封装图44-Pin LQFP 封装4 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34331IOC15/TIO4F/W2NICEN IOD0/ICECLKXTAL2 XTAL1 VDDL AVDD AVSS VEXTREF IOA7/AN7 IOA6/AN6 IOA5/AN5 IOA4/AN4 IOA3/AN323456789323130292827262524IOD1/IDARESET IOB5 IOB6 IOB

18、7IOB8/TIO0CIOB9/TIO0B IOB10/TIO0ALQFP 44101112 13 14 15 16 17 18 19 20 21 2223图 4-2 SPMC75F2313A QFP64 封装 Sunplus Technology Co.,.PAGE 9V1.0 Feb 14, 2006IOC14/TIO4E/V2 IOC13/TIO4D/U2 IOC12/TIO4C/W2 IOC11/TIO4B/V2 IOC10/TIO4A/U2 IOC9/FTIN2 IOC8/OL2 IOC7/TIO1C IOC6/TIO1B IOC5/TIO1AVSSLIOB11/SCK IOB12/

19、SDI/RXD IOB13/SDO/TXD IOA9/TIO2A IOA10/TIO2BIOA11 IOA13/TCLKC IOA14/TCLKDVDDVSS IOA2/AN25. 功能描述5.1.CPU 内核SPMC75F2313A 以公司.1.空间空间分配设计开发的 16位微处理器nSP为，具有如下特性：SPMC75F2313A空间分为三部分：SRAM，16 位数据总线/22 位地址总线4M 字寻址空间 (8M 字节)64 页，每页 64K 字 13 个 16 位寄存器5 个通用寄存器(R1-R5)4 个二级寄存器(SR1-SR4)3 个系统寄存器(SP,SR,PC)寄存器(

20、FR) 10 个中断向量1 个快速中断向量8 个一般中断向量外设控制寄存器和 Flash。2K-WORD 的 SRAM 用于存放堆栈、变量或数据，外设控制寄存器用于控制外设模块， 内 32K-WORD 的Flash 用于存贮程序。5-1所示，详细信息见表 5-1空间分配如所图0 x000000SRAM：0 x0007FF0 x0060 x007000占用 0 x0000-0 x07FF外设控制寄存器：0 x0070 x0080000 x00803F0 x008040占用 0 x7000-0 x7Flash 信息区： 1 个中断向量占用 0 x8000-0 x803F 支持中断嵌套模式6 种寻址

21、方式立即数寻址(I6/I16)直接寻址(A6/A16)变址寻址寄存器间接寻址多重间接寻址(入栈/出栈)寄存器寻址16X16 乘法与多达 16 级内积操作三种乘法模式 有符号数 x 有符号数，有符号数 x无符号数，无符号数 x 无符号数有 4 位内积保护位，防止出现数据溢出eger/Fraction 模式 1 位除法需要进行 16 次连续除(DIVS,DIVQ)操作产生商数32 位除以 16 位数有效指令检测操作(EXP)位操作面向所有单元、寄存器的位测试/设置/清除/取反操作多重循环 16 位移位操作用两次移位置令实现 32 位移位操作利用 MR 寄存器执行长跳转指令利用 MR 寄存器执行长调

22、用指令空操作Flash 通用区：占用 0 x8000-0 xF0 x00F图 5-1空间分配注意：000800 006地址。如果 CPU法地址复位(IAR)和 010000 3FF 为保留这部分地址，就会发生非5-1表地址映像DS 段地址指令指令CPU标志 Sunplus Technology Co.,.PAGE 10V1.0 Feb 14, 2006地址功能000007FF2KW SRAM080067000701F系统控制7020704F控制7050705F保留7060709FI/O 端口控制70A070AF中断控制70B070BF时基控制70C070DF定时器控制70E070FF保留710

23、0711FUART 通讯控制7120713F保留7140715FSPI 通讯控制716073FF保留7400747F电机控制中的定时器/功能控制7500751F比较匹配定时器控制76007 8000F 32KW 程序 ROM10000 3FF2K X 16 片内SRAM保留区外设控制寄存器Flash 信息区Flash 通用区5.2.2.Flash 的组织和控制16 Bs8 Frames.简介0 x80002K x 16256 x16SPMC75F2313A 的 Flash 分为两区：信息区和通256 x16:用区，在同一时间只能其中的一区。信息区包含64 个字，寻址空间为 0 x80000 x

24、803F。地址 0 x8000为系统选项寄存器 P_System_Option，其余空间可由用户自定义一些重要信息比如：版本控制、日期、名称、项目名称等等。信息区的结构见图 5-2，信息区的内容只有在仿真或烧录的状态下才能改变。32k 内嵌的 Flash 被划分为 16 页，每页 2K 字，每页再分为 8个块， 共可分成 128 个块。只有位于 00F000 :2K x 162K x 160 xF2K x 16图 5-3.Flash 的操作Flash 的页和块00F7FF 区域的页面在运行模式下可以设置为只读或可读可写，其它页面均为只读。用户可以分别对每块进行擦写操作。Flash 的页和块的关

25、系见图 5-3.。SPMC75F2313A 的地址总线为21:0位，因此可Flash 模块有两个控制寄存器： P_Flash_RW ($704D)和 P_Flash_Cmd ($7555)。Flash 模块的所有操作均通过这两个寄存器来实现。以寻址 4M16空间。图 5-2 信息区的结构【例 5-1】:将第 14 页设置为只读模式例 5-1 将 Flash 第 14 页设置为只读模式的方法表 5-2指令功能和操作流程【例 5-2】：块擦除的例子 Sunplus Technology Co.,.PAGE 11V1.0 Feb 14, 2006#define CW_FlashCMD0 xAAAA/

26、*定义 Flash 块命令*/#define CW_PageErase0 x5511/*定义页擦除命令*/unsigned*P WordAdr;块擦除单字写模式连续多字写模式第一步P_Flash_CMD = 0 xAAAA第二步 P_Flash_CMD = 0 x5511 P_Flash_CMD = 0 x5533 P_Flash_CMD = 0 x5544第三步设置擦除地址写数据写数据第四步自动等待 20ms 后结束自动等待 40us 后结束自动等待 40us未写完则转向第二步 P_Flash_CMD = 0 xF 操作结束令#define CW_FlashRW_CMD0 x5A5A/* 定

27、义 Flash 读写命令*/ #define CB_BK14WDIS(0 x4000 14)P_Flash_RW-W = CW_FlashRW_CMD;/* Flash 读写命令 */P_Flash_RW-B.BK14WENB = CB_BK14WDIS;/* 将第 14 页设为只读 */64 Words0 x80000 x80010 x803FP_System_Option:例 5-2 Flash 块擦除操作5-3】：编程模式的例子：向地址 0 xF000 写入 0 x1234【例例 5-3 Flash 的编程模式【例5-4】：连续编程模式的例子：在连续编程模式下向 Flash 的 0 xF

28、000到0 xF020 地址空间中写入数据例 5-4 Flash器的连续编程模式 Sunplus Technology Co.,.PAGE 12V1.0 Feb 14, 2006#define CW_FlashCMD0 xAAAA/*定义 Flash 块命令*/#define CW_Sequential 0 x5544 /* Flash 连续编程命令*/ #define CW_SequentialEnd0 xF/* Flash 连续编程的结束命令*/ unsigned*P_WordAdr;unsignedi,uiData=1; P_Flash_Cmd-W = CW_FlashCMD;for(i

29、=0 xF000;iW = CW_Sequential;P_WordAdr = (unsigned)i;/* i编程地址在i中保存*/(unsigned)P_WordAdr = uiData;/*将uiData写入P_WordAdr中*/ uiData +;/* End For Loop */P_Flash_Cmd-W = CW_SequentialEnd;#define CW_FlashCMD0 xAAAA/*定义 Flash 块命令*/#define CW_Program0 x5533/*定义 Flash 程序命令*/unsigned*P_WordAdr; P_Flash_Cmd-W =

30、CW_FlashCMD; P_Flash_Cmd-W = CW_Program;P_WordAdr = (unsigned*)0 xF000;/* P_WordAdr = 14 页的起始地址*/*(unsigned*)P_WordAdr = 0 x1234;/*写入一个字= 0 x1234 */P_Flash_Cmd-W = CW_FlashCMD; P_Flash_Cmd-W = CW_PageErase;P_WordAdr = (unsigned*)0 xF000;/* P_WordAdr =14页的起始地址*/*P_WordAdr = 0;/*擦除 14 页的第 1 块*/P_Flash

31、_RW (0 x704D): 内嵌的 Flash控制寄存器P_Flash_RW ($704D)是 Flash寄存器写入$5a5a，然后在 16 个 CPU 时钟周期内再向该寄存器写入设置字。控制接口，设置 14 页为只读或在运行模式下可读可写，需要用连续两次写操作进行设置，这样避免误写入：首先向该P_Flash_Cmd (0 x7555): 内嵌的 Flash 控制寄存器该寄存器用于设置 Flash 命令在执行任何一条命用于进入 Flash 命令模式。详见表5-2.令前，用户都需要先向 P_Flash_Cmd 写入 0 xAAAA，P_System_Option (0 x8000): 系统选项

32、寄存器 Sunplus Technology Co.,.PAGE 13V1.0 Feb 14, 2006B15-5Verification Pattern校验方式，在仿真或烧录时写入 01010101010B4Security信息保护使能0: 信息保护，无法通用 Flash 区1: 无信息保护，可读可写B7B6B5B4B3B2B1B0R/WR/WR/WR/WR/WR/WR/WR/W01010111Verification PatternSecurity保留LVRWDGCLKSB15B14B13B12B11B10B9B8R/WR/WR/WR/WR/WR/WR/WR/W01010101Verifi

33、cation PatternB7B6B5B4B3B2B1B0WWWWWWWW00000000FlashCtrlB15B14B13B12B11B10B9B8WWWWWWWW00000000FlashCtrlB15保留B14B14F000h-F7FFh acs control0= Read/write1= Read-onlyB13-0保留B7B6B5B4B3B2B1B0RRRRRRRR11111111保留保留保留保留保留保留保留保留B15B14B13B12B11B10B9B8RR/WRRRRRR00000000保留BK14WENB保留保留保留保留保留保留表 5-3 在通用模式和仿真模式下 Flas

34、h/SRAM 可列表在通用区中使用“块擦除”命令只能擦除该区的数据，但如果在信息区中使用该命令，则连同通用区和信息区都可擦除。假设信息区的信息保护选项有效，SPMC75F2313A在仿真或烧录时就不能从该区域读出数据。如果写保护选择位打开并在仿真使能模式下，通过仿真环境，虽不可Flash 的通用区，但可信息区的内容。另外，在此模式下也无法(读/写)SRAM。 如表 5-3 所示为在通用区和仿真模式下Flash/SRAM 可逻辑。列表。图 5-4 为 Flash 的信息保护.启动引导序列上电时系统会读出位于 Flash 信息区的第一个选项字(地址 = 0 x8000)。上电后，系统复位信号有效，

35、直到上电复位计数器计满 16384 个辅助时钟周期后复位信号变为无效。特别注意的是，所有通用 IO 端口初始状态均为高阻态，在上电之后可分别设置其状态。图 5-4 启动引导序列 Sunplus Technology Co.,.PAGE 14V1.0 Feb 14, 200616384 个时钟周期 (82ms)200KHz clock系统时钟er-on resetCddress7System reset所有IO口保持为高阻态设置I/O口All GPIO通用模式(ICEN=0)Security =0Security =1读写读写SRAMYesYesYesYesFLASH 通用区YesYesYesY

36、esFLASH 信息区YesNoYesNo仿真模式(ICEN=1)SRAMNoNoYesYesFLASH 通用区NoNo(可块擦除)YesYesFLASH 信息区NoNo(可块擦除)YesYesB3保留B2LVR低电压复位功能使能0:1: 使能B1WDG看门狗使能0:1: 使能B0CLKS时钟源选择0: 外部时钟输入/晶体振荡器输入，连接到 XTAL2脚1: 晶振输入，连接到 XTAL1、XTAL2 脚之间5-4。5.2.3.SRAMSRAM 用于堆栈和各种数据的放调用函数的返回地址和入栈数据。个中断向量地址，名称及地址见表。堆栈用于存堆栈的增长方向5-4表中断地址表为自顶向下，称为 FILO

37、(先进后出)结构，堆栈的地址由堆栈指针(SP)来指示。在 SRAM 中的数据是由用户设定的，可以直接、间接或用指针。需要注意的是堆栈区与数据区千万不能交迭，否则会发生程序。SPMC75F2313A 对 SRAM 最大可寻址空间为从 0 x0000 到 0 x07FF 共 2K 字。另外，堆栈指针 SP 最大允许指向 0 x07FF。5.2.4.复位和中断向量位于 0 x50XF 的空间用于复位和中断向量。复位时，强制程序计数器(PC)指向地址 0 x7，0 x7 即为“复位地址“。SPMC75F2313A 还有 105.2.5.CPU 和外设控制寄存器列表 Sunplus Technology

38、 Co.,.PAGE 15V1.0 Feb 14, 2006地址寄存器名称复位值R/WBit FieldB15B14B13B12B11B10B9B8B7B6B5B4B3B2B1B00 x7006 0 x700F : CPU 控制/状态寄存器0 x7006P_Reset_S us0 x0000RIIRFIARFLVRFWDRFPORFEXTRF用于检测的复位状态标志。WFCHKIIRFIARFLVRFWDRFPORFEXTRF为了清除相应的复位标志需向 FCHK 写入 0 x55 和指定清除位写入“1”。0 x7007P_Clk_Ctrl0 x0000ROSCSFOSCIE该寄存器用于监视 CP

39、U 时钟状态。WOSCSFOSCIE向 OSCSF 写入“1”将清除该标志。0 x700AP_WatchDog_Ct rl0 x0000RWDENWDRSWDPS该寄存器提供了设置看门狗清除定时器的开关功能。WWDENWDRSWDCHKWDPS要改变该位的设置，必须向 WDCHK 写入“10101”。0 x700BP_WatchDog_Cl r0 x0000WD15D14D13D12D11D10D9D8D7D6D5D4D3D2D1D0看门狗清除寄存器。该寄存器写入 0 xA005，清除看门狗定时器。0 x700CP_Wait_Enter0 x0000RD0等待模式寄存器。读出值为 0 x000

40、1 表明从 wait 状态唤醒。WD15D14D13D12D11D10D9D8D7D6D5D4D3D2D1D0写入 0 x5005 进入等待模式(CPU 关闭，PLL 工作)，写入 0 x0001 将清除wait 标志。0 x700EP_Stdby_Enter0 x0000RD0Standby 模式寄存器。读出值为 0 x0001 表明从 Standby 状态唤醒。复位/中断源中断地址BRK0 x5FIQ0 x6Reset0 x7IRQ00 x8IRQ10 x9IRQ20 xAIRQ30 xBIRQ40 xCIRQ50 xDIRQ60 xEIRQ70 xFBit Field地址寄存器名称复位值

41、R/WB15B14B13B12B11B10B9B8B7B6B5B4B3B2B1B0D15D14D13D12D11D10D9D8D7D6D5D4D3D2D1D0W写入 0 xA00A 进入standby 模式(CPU 关闭，PLL 关闭)，写入 0 x0001 将清除 standby标志。UARTW EKEYWESPIWER/ W0 x700FP_Wakeup_Ctrl0 x0000TPM2DC1W PDC0WECMTWEE该寄存器决定着省电模式下的唤醒源。0 x704D/0 x7055 :内嵌的 FLASH 控制和命令寄存器BK14W NBR/ W0 x704DP_Flash_RW0 x000

42、0首先，向 P_Flash_RW 写入 0 x5A5A，然后在小于 16 个时钟周期内向 P_Flash_RW 写入设置字D15D14D13D12D11D10D9D8R/ W0 x7555P_Flash_Cmd0 x0000D7D6D5D4D3D2D1D0内嵌的 Flash 控制寄存器，该寄存器用于设置 flash 命令。0 x7060 0 x7084 : IO 端口寄存器D15D14D13D12D11D10D9D8RD7D6D5D4D3D2D1D0从端口引脚出读出数据。0 x7060P_IOA_Data0 x0000D15D14D13D12D11D10D9D8WD7D6D5D4D3D2D1D

43、0将数据写入端口缓冲寄存器并输出到端口引脚D15D14D13D12D11D10D9D8RD7D6D5D4D3D2D1D0从端口缓冲寄存器中数据。0 x7061P_IOA_Buffer0 x0000D15D14D13D12D11D10D9D8WD7D6D5D4D3D2D1D0将数据写入端口缓冲寄存器并输出到端口引脚。D15D14D13D12D11D10D9D80 x7062P_IOA_Dir0 x0000R/WD7D6D5D4D3D2D1D0读/写方向寄存器，设置 IO 口为输入或输出。D15D14D13D12D11D10D9D80 x7063P_IOA_Attrib0 xFR/WD7D6D5D

44、4D3D2D1D0属性的设置，决定着引脚的特性：悬浮、上/下拉输入、非反相/反相输出。D15D14D13D12D11D10D9D80 x7064P_IOA_Latch0 x0000RD7D6D5D4D3D2D1D0进入睡眠模式之前，读该端口数据并锁存起来，用于触键唤醒。D15D14D13D12D11D10D9D8RD7D6D5D4D3D2D1D0从端口引脚出读出数据。0 x7068P_IOB_Data0 x0000D15D14D13D12D11D10D9D8WD7D6D5D4D3D2D1D0将数据写入端口缓冲寄存器并输出到端口引脚0 x7069P_IOB_Buffer0 x0000D15D14

45、D13D12D11D10D9D8RD7D6D5D4D3D2D1D0从端口缓冲寄存器中数据。WD15D14D13D12D11D10D9D8D7D6D5D4D3D2D1D0 Sunplus Technology Co.,.PAGE 16V1.0 Feb 14, 2006 Sunplus Technology Co.,.PAGE 17V1.0 Feb 14, 2006地址寄存器名称复位值R/WBit FieldB15B14B13B12B11B10B9B8B7B6B5B4B3B2B1B0将数据写入端口缓冲寄存器并输出到端口引脚。0 x706AP_IOB_Dir0 x0000R/WD15D14D13D1

46、2D11D10D9D8D7D6D5D4D3D2D1D0读/写方向寄存器，设置 IO 口为输入或输出。0 x706BP_IOB_Attrib0 xFR/WD15D14D13D12D11D10D9D8D7D6D5D4D3D2D1D0属性的设置，决定着引脚的特性：悬浮、上/下拉输入、非反相/反相输出。0 x7070P_IOC_Data0 x0000RD15D14D13D12D11D10D9D8D7D6D5D4D3D2D1D0从端口引脚出读出数据。WD15D14D13D12D11D10D9D8D7D6D5D4D3D2D1D0将数据写入端口缓冲寄存器并输出到端口引脚。0 x7071P_IOC_Buffe

47、r0 x0000RD15D14D13D12D11D10D9D8D7D6D5D4D3D2D1D0从端口缓冲寄存器中数据。WD15D14D13D12D11D10D9D8D7D6D5D4D3D2D1D0将数据写入端口缓冲寄存器并输出到端口引脚。0 x7072P_IOC_Dir0 x0000R/WD15D14D13D12D11D10D9D8D7D6D5D4D3D2D1D0读/写方向寄存器，设置 IO 口为输入或输出。0 x7073P_IOC_Attrib0 xFR/WD15D14D13D12D11D10D9D8D7D6D5D4D3D2D1D0属性的设置，决定着引脚的特性：悬浮、上/下拉输入、非反相/反

48、相输出。0 x7078P_IOD_Data0 x0000RD1D0从端口引脚出读出数据。WD1D0将数据写入端口缓冲寄存器并输出到端口引脚0 x7079P_IOD_Buffer0 x0000RD1D0从端口缓冲寄存器中数据。WD1D0将数据写入端口缓冲寄存器并输出到端口引脚。0 x707AP_IOD_Dir0 x0000R/ WD1D0读/写方向寄存器，设置 IO 口为输入或输出。0 x707BP_IOD_Attrib0 xFR/ WD1D0属性的设置，决定着引脚的特性：悬浮、上/下拉输入、非反相/反相输出。0 x7080P_IOA_SPE0 x0000R/WTCLKD ENTCLKCE NT

49、IO2BENTIO2AENIOA 特殊功能寄存器。0 x7081P_IOB_SPE0 x003FR/WTIO0AENTIO0BENTIO0CE NIOB 特殊功能寄存器。0 x7082P_IOC_SPE0 xFC00R/WW2NENV2NENU2NENW2ENV2ENU2ENFTIN2ENOL2EN Sunplus Technology Co.,.PAGE 18V1.0 Feb 14, 2006地址寄存器名称复位值R/WBit FieldB15B14B13B12B11B10B9B8B7B6B5B4B3B2B1B0TIO1CENTIO1BE NTIO1AENIOC 特殊功能寄存器。0 x7084

50、P_IOA_KCER0 x0000R/WKC14E NKC13ENKC11ENKC10ENKC9ENIOA 按键唤醒寄存器。0 x70A0 0 x70B8 : 中断和时基控制/状态寄存器0 x70A0P_S us0 x0000R/WKEYIFUARTIFSPIIFADCIFMCP4IFTPM2IFPDC1IFPDC0IFCMTIFOLIFOSCSFFTIF只有 KEYIF 可以写“1”清除，其它状态标志为只读。0 x70A4P_Priority0 x0000R/WKEYIRTIPSPIIPADCIPMCP4IPTPM2IPPDC1IPPDC0IPCMTIPOLICIPFTIP将中断源设置为 I

51、RQ 或 FIQ。只能有一个中断源设置成 FIQ。0 x70A8P_Mis_Ctrl0 x0000R/WKEYIE按键唤醒和外部中断使能的综合设置寄存器。0 x70B8P_TMB_Reset0 x0000WD15D14D13D12D11D10D9D8D7D6D5D4D3D2D1D0向该寄存器写入 0 x5555h 复位时基计数器，对片上所有外设的时钟初始化。0 x7060 0 x7062 : ADC 控制和状态寄存器0 x7160P_ADC_Setup0 x0000R/WADCCSADCENADCFSASPEN控制 ADC 模块的上电/掉电， AD 转换时钟和触发 AD 转换的启动相应事件。0

52、 x7161P_ADC_Ctrl0 x0000R/WADCIFADCIEADCRDYATRADCCHSAD 转换中断使能开关，手动启动 AD 转换，AD 转换的信道选择。0 x70A2P_ADC_Channe l0 x0000R/WADCCH7ADCCH 6ADCCH5ADCCH4ADCCH3ADCCH2配置 IOA7:2为 GPIO 或模拟输入端口。0 x7162P_ADC_Data0 xFC00RD15D14D13D12D11D10D9D8D7D610 位 AD 转换结果寄存器。0 x7100 0 x7144 : UART 和 SPI 控制/状态寄存0 x7100P_UART_Data0

53、x0000ROEPEFED7D6D5D4D3D2D1D0UART 数据寄存器，在接收时还可用于标明错误标志。WD7D6D5D4D3D2D1D0UART 发送数据寄存器。0 x7101P_UART_RXSta tus0 x0000ROEPEFE接收时用于标明错误标志。0 x7102P_UART_Ctrl0 x0000R/ WRXIETXIERXENTXENResetTXCHSE LRXCHSE LSBSELPSELPEN设置 UART 收/发引脚使能、停止位和奇偶校验选择。0 x7103P_UART_BaudR ate0 x0000R/ WD15D14D13D12D11D10D9D8D7D6D5

54、D4D3D2D1D0UART 波特率设置寄存器。0 x7104P_UART_S us0 x0000RRXIFTXIF Sunplus Technology Co.,.PAGE 19V1.0 Feb 14, 2006地址寄存器名称复位值R/WBit FieldB15B14B13B12B11B10B9B8B7B6B5B4B3B2B1B0RXBFBYUART 接受/发送状态标志。0 x7140P_SPI_Ctrl0 x0000R/ WSPIESPIRSTSPISPCL KSPIMSSPIPHASPIPOLSPISMP SSPIFSSPI 模块设置寄存器。0 x7141P_SPI_TxS us0 x0

55、000R/ WSPITXIFSPITXI ESPITXBFSPI 发送中断使能和状态标志。0 x7142P_SPI_TxBuf0 x0000R/ WD7D6D5D4D3D2D1D0SPI 发送缓冲寄存器。0 x7143P_SPI_RxStstus0 x0000R/ WSPIRXIFSPIRXI EFERRSPI 接收中断使能和状态标志。0 x7144P_SPI_RxBuf0 x0000R/ WD7D6D5D4D3D2D1D0SPI 接收缓冲寄存器。0 x7405 0 x7436 : PDC0/1 定时器控制/状态寄存器0 x7405P_TMR_Start0 x0000R/ WTMR4STTMR

56、2STTMR1STTMR0S TPDC0/1、TPM2 和 MCP4 定时器启动/停止控制寄存器。0 x7400P_TMR0_Ctrl0 x0000R/ WSPCKMODECLEGSCCLSCKEGSTMRPS设置定时器的时钟源、计数边沿、计数清除源、计数清除边沿、捕获输入采样时钟和定时器操作模式。0 x7400P_TMR1_Ctrl0 x0000R/ WSPCKMODECLEGSCCLSCKEGSTMRPS设置定时器的时钟源、计数边沿、计数清除源、计数清除边沿、捕获输入采样时钟和定时器操作模式。0 x7410P_TMR0_IOCtrl0 x0000R/ WIOCMODIOBMODIOAMOD

57、控制 TIO0A、TIO0B 和 TIO0C 引脚上的输出、输入捕获。0 x7411P_TMR1_IOCtrl0 x0000R/ WIOCMODIOBMODIOAMOD控制 TIO1A、TIO1B 和 TIO1C 引脚上的输出、输入捕获、位置侦测类型。0 x7420P_TMR0_0 x0000R/ WTADIETCUIETCVIETPRIETGCIETGBIETGAIE使能/由TGRA 比较匹配发出的AD 转换请求，位置改变侦测的中断请求、TCNT上/下溢出、周期寄存器比较匹配和 TGRA、TGRB、TGRC 输入捕获/比较匹配。0 x7421P_TMR1_0 x0000R/ WPDCIETA

58、DIETCUIETCVIETPRIETGCIETGBIETGAIE使能/由 TGRA 比较匹配发出的 AD 转换请求，位置改变侦测的中断请求、TCNT上/下溢出、周期寄存器比较匹配和 TGRA、TGRB、TGRC 输入捕获/比较匹配。0 x7425P_TMR0_S us0 x0000R/ WTCDIFTCUIFTCVIFTPRIFTGCIFTGBIFTGAIF标明了 TCNT 上/下溢出的发生、周期寄存器比较匹配和 TGRA、TGRB、TGRC输入捕获/比较匹配。0 x7426P_TMR1_S us0 x0000R/PDCIF Sunplus Technology Co.,.PAGE 20V1

59、.0 Feb 14, 2006地址寄存器名称复位值R/WBit FieldB15B14B13B12B11B10B9B8B7B6B5B4B3B2B1B0WTCDIFTCUIFTCVIFTPRIFTGCIFTGBIFTGAIF标明位置改变侦测事件、TCNT 上/下溢出、 周期寄存器比较匹配和 TGRA、TGRB、 TGRC 输入捕获/比较匹配。0 x7463P_1_DectCt rl0 x0000R/ WSPLCKSPLMODTPDENSPDLY控制来自 TIO0A、TIO0B 和 TIO0C 位置侦测信号的采样设置。0 x7465P_1_DectD ata0 x0000RD2D1D0锁存当前去除

60、了噪声干扰的位置数据。0 x7430T0 x0000RD15D14D13D12D11D10D9D8D7D6D5D4D3D2D1D016 位可读寄存器，通过输入时钟的触发进行递增/递减计数。0 x7431T0 x0000RD15D14D13D12D11D10D9D8D7D6D5D4D3D2D1D016 位可读寄存器，通过输入时钟的触发进行递增/递减计数。0 x7440P_TMR0_TGRA0 x0000R/ WD15D14D13D12D11D10D9D8D7D6D5D4D3D2D1D016 位寄存器，可作为输出和捕获输入寄存器。0 x7441P_TMR0_TGRB0 x0000R/ WD15D1