半导体三极管

1、半导体三极管课件 第1页，共14页，2022年，5月20日，1点31分，星期二 收音机 录音机第2页，共14页，2022年，5月20日，1点31分，星期二 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e表示（Emitter）；集电极，用C或c表示（Collector）。 发射区集电区基区三极管符号第一节 半导体三极管一、三极管的结构与符号第3页，共14页，2022年，5月20日，1点31分，星期二 小型三极管塑料封装 小型三极管金属封装 中功率三极管 大功率三极管第4页，共14

2、页，2022年，5月20日，1点31分，星期二 结构特点： 发射区的掺杂浓度最高； 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。管芯结构剖面图第5页，共14页，2022年，5月20日，1点31分，星期二二、三极管的电流放大作用1、电流放大的原因 三极管的放大作用在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来内部条件：内部结构上的特点外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置2. 内部载流子的传输过程发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制 载流子 （以NPN为例） 载流子为自由电子第6页，共14页，2022年，5月20日，1点31分，星

3、期二3、实际偏置电路IcIEIBRBEBECRCNNP一般参数EC EBRB RC第7页，共14页，2022年，5月20日，1点31分，星期二三极管的电流分配关系： IE = IB + IC 而且 IC IB ， IC IB IC = IB ； IE =(1+ ) IB ； iC = iB ； iE = (1+ ) iB ；三极管的交流放大系数： =IC /IB 三极管的直流放大系数： =IC /IB 三、三极管的特性曲线 极间电压和各极电流之间的关系； 包括输入特性和输出特性两组； BCIBRBEBECRCIcIEE输入回路： EB 、 RB 、B、E；输出回路： EC 、 RC 、C、E；

4、共射极电路UCEUBEV第8页，共14页，2022年，5月20日，1点31分，星期二1、输入特性IB = f（ UBE ）| UCE = 常数2、输出特性IC = f（ UCE ）| IB = 常数从输出特性曲线上，将三极管划分为三个工作区： 截止区、放大区、饱和区；输入特性曲线（UCE =1V）UBE(v)IB (uA）硅管0.2 0.4 0.6 0.8第9页，共14页，2022年，5月20日，1点31分，星期二截止区（1）截止区 UBE小于死区电压（或发射结反偏） IB =0；IC = ICEO （穿透电流）；（2）放大区 发射结正偏，集电结反偏： IC 与 UCE 几乎无关； IC 大小

5、IB控制； IC IB 定义 = IC /IB = IC /IB ） UBE ：硅0.7v ; 锗0.3v（3）饱和区 UBE UCE （集电结正偏）： 集电极饱和电流 ICS IB ； IC 大小不再受IB控制； ICS = （ EC - UCES ）/ RC ； ICS = IBSUBCIBRBEBECRCIcIEEUCEUBEV第10页，共14页，2022年，5月20日，1点31分，星期二四、主要参数1、交流放大倍数与支流放大倍数2、 ICBO 集电极-基极反向饱和电流： 受温度影响较大，是影响管子工作特性的主要因素；3、 ICEO 穿透电流： 受温度影响较大，是影响管子工作特性的主要因

6、素；4、几个极限参数： ICM：集电极最大电流； UCEO： 集-射反向击穿电压； PCM ：集电极最大允许功耗；五、温度对参数的影响1、对ICEO和ICBO的影响；2、 ：温度升高1， 值增大0.5%1%;3、对UBE的影响：温度升高1， UBE 约下降22.5mv;4、温度升高， IC值增大; 第11页，共14页，2022年，5月20日，1点31分，星期二收音机电路板第12页，共14页，2022年，5月20日，1点31分，星期二课后总结： 本节课主要讲解三极管的结构与符号。电流放大作用。输入特性和输出特性。 重点： 三极管的符号 难点： 电流放大作用及输出特性、输入特性。作业： 1.理论作业：练习册第二章第一