标准解读
《GB/T 11071-2018 区熔锗锭》相比于《GB/T 11071-2006 区熔锗锭》,主要在以下几个方面进行了调整和更新:
-
产品分类与等级: 新版标准对锗锭的分类和等级要求进行了细化,明确了不同等级锗锭的适用范围和质量指标,以适应市场和技术发展的新需求。
-
技术要求: 增加或修订了多项技术参数,如纯度、杂质含量、物理性能等指标,提高了对锗锭品质的要求。这些变化反映了生产技术和检测手段的进步,旨在提升产品质量和国际竞争力。
-
试验方法: 更新了样品的制备、分析及测试方法,引入更先进的检测技术和分析手段,确保测试结果的准确性和可靠性。这有助于企业更加科学、精确地控制生产过程,提高产品质量控制水平。
-
检验规则: 调整了产品检验的规则和程序,增加了抽样检验的灵活性和针对性,同时对不合格品的处理和复检规定进行了明确,增强了标准的可操作性。
-
标志、包装、运输和储存: 新版标准对锗锭的标识、包装材料、包装方式以及在运输和储存过程中的保护措施提出了更具体的要求,以减少损坏风险,保障产品安全到达客户手中。
-
规范性引用文件: 更新了规范性引用文件清单,纳入了最新的国家和行业标准,确保标准内容的时效性和一致性,为生产、检验提供了更准确的技术依据。
如需获取更多详尽信息,请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。
....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2018-12-28 颁布
- 2019-07-01 实施
![GB∕T 11071-2018 区熔锗锭-行业标准_第1页](http://file4.renrendoc.com/view/2b0b1793cbb853f9b10bfb77fd5e18c2/2b0b1793cbb853f9b10bfb77fd5e18c21.gif)
![GB∕T 11071-2018 区熔锗锭-行业标准_第2页](http://file4.renrendoc.com/view/2b0b1793cbb853f9b10bfb77fd5e18c2/2b0b1793cbb853f9b10bfb77fd5e18c22.gif)
![GB∕T 11071-2018 区熔锗锭-行业标准_第3页](http://file4.renrendoc.com/view/2b0b1793cbb853f9b10bfb77fd5e18c2/2b0b1793cbb853f9b10bfb77fd5e18c23.gif)
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文档简介
ICS77150
H66.
中华人民共和国国家标准
GB/T11071—2018
代替
GB/T11071—2006
区熔锗锭
Zone-refinedgermaniumingot
2018-12-28发布2019-07-01实施
国家市场监督管理总局发布
中国国家标准化管理委员会
GB/T11071—2018
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本标准代替区熔锗锭与相比除编辑性修改外主要技
GB/T11071—2006《》,GB/T11071—2006,
术变化如下
:
范围进一步明确为本标准适用于以还原锗锭及锗单晶返料为原料经区熔提纯工艺制备得到
———“,
的区熔锗锭区熔锗锭主要用于制备半导体及高纯锗探测器用的高纯锗单晶
。ZGe-0;ZGe-1
区熔锗锭主要用于制备红外光学用的锗单晶太阳能电池用的锗单晶及各类锗铬锗硅合金
、-、-
等见第章
”(1)。
增加了区熔锗锭在下电阻率的要求见
———(23±0.5)℃(3.2)。
同一根锗锭的最大与最小截面面积之差不大于平均截面面积的修改为同一根区熔锗
———“15%”“
锭的头尾两端的高度差不大于见年版的
4mm”(3.3,20063.3)。
锭长修订为长度应不小于见年版的
———“100mm~500mm”“100mm”(3.3,20063.3)。
增加了区熔锗锭的表面应无孔洞的要求见版的
———(3.4,20063.4)。
本标准由中国有色金属工业协会提出
。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口
(SAC/TC243)。
本标准起草单位云南临沧鑫圆锗业股份有限公司有研光电新材料有限责任公司中锗科技有限
:、、
公司衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司广东先导稀材股份有限公司锡林郭勒通力锗业有限责任公
、、、
司云南东昌金属加工有限公司
、。
本标准主要起草人包文东普世坤李贺成冯德伸惠峰范德胜朱知国李正美董汝昆朱刘
:、、、、、、、、、、
尹士平王晓华
、。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为
:
———GB/T11071—1989、GB/T11071—2006。
Ⅰ
GB/T11071—2018
区熔锗锭
1范围
本标准规定了区熔锗锭的要求试验方法检验规则标志包装运输贮存质量证明书和订货单
、、、、、、、
或合同内容
()。
本标准适用于以还原锗锭及锗单晶返料为原料经区熔提纯工艺制备得到的区熔锗锭区
,。ZGe-0
熔锗锭主要用于制备半导体及高纯锗探测器用的高纯锗单晶区熔锗锭主要用于制备红外光学
;ZGe-1
和太阳能电池用的锗单晶及各类锗铬锗硅合金等
-、-。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T4326
区熔锗锭电阻率测试方法两探针法
YS/T602
3要求
31产品分类
.
区熔锗锭按电学性能分为两个牌号
:ZGe-0、ZGe-1。
ZGe-□
阿拉伯数字表示产品等级
,
表示区熔锗锭
32电学性能
.
区熔锗锭的电学性能应符合表的规定电阻率可选择采用在或的条件下进行测试
1。20℃23℃,
并满足表的规定
1。
表1电学性能
电阻率检测单晶的参数
/(Ω·cm)(77K)
牌号载流子浓度载流子迁移率
(20±0.5)℃(23±0.5)℃-3-3
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