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文档简介
1、DS1820DS1820测温范围-55+1250.5递增。华氏器件-9200ms(典型值F0.90F搜索命令识别并标志超过程序限定温度(条件)DS18209DS1820DS1820 DS1820DS1820可以同时连在一根单线总线上,HVAC环境控制、探测建筑物、仪DS1820S(16SSOP):所有上表中未提及的引脚都无连接。1DS1820的主要 。DS1820:1)64THTL 在到来再给寄生电源(电容)充电。DS18205V储器和控制操作。因此,控制器必须首先提供下面 5个 ROM操作命令之一:1)读 ROM,2)ROM,3)ROM,DS1820S(16SSOP):所有上表中未提及的引脚
2、都无连接。1DS1820的主要 。DS1820:1)64THTL 在到来再给寄生电源(电容)充电。DS18205V储器和控制操作。因此,控制器必须首先提供下面 5个 ROM操作命令之一:1)读 ROM,2)ROM,3)ROM,4)ROMROM6DS1820DS1820一个 EEPROM字节THTLDS1820THTL1I/OVDD定的时间和电压需求时(见节标题“单线总线系统”),I/O要提供足够的能量。寄生电源要想使 DS1820能够进行精确的温度转换,I/O线必须在转换期间保证供电。由于 DS1820的工作电流达到 1mA,所以仅靠 5K上拉电阻提供电源是的,当几只 DS1820挂在同一根
3、I/O。I/OMOSFETI/O169182数据输入/输出脚。对于单线操作:漏极开路(见“寄生电源”节73VDD210sI/O线转换到强上拉。使用寄生电源方式时,VDDDS1820VDD210sI/O线转换到强上拉。使用寄生电源方式时,VDDDS1820VDD3可以允许在单线总线上进行其他数据往来。另外,在单线总线上可以挂任意多片 DS1820,而让它们同时进行温度转换。注意当加上外部电源时,GND引脚不能悬空。100DS1820DS1820VDD对于总线控制器不知道总线上的 DS1820是用寄生电源还是用外部电源的情况,DS1820预备SkipROM如果是从 VDD供电,则发回“1”,这样总
4、线控制器就能够决定总线上是否有 DS1820需要强上拉。如果控制器接收到一个“0I/O线提供强上拉。这DS18204温度/数据关系(期内对一个低温度系数的振荡器的脉冲进行计数来得到温度值。计数器被预置到对应于-偿感温振荡器的抛物线特性。然后计数器又开始计数直到 0,如果门周期仍未结束,将重复0.516bit温度/数据关系(期内对一个低温度系数的振荡器的脉冲进行计数来得到温度值。计数器被预置到对应于-偿感温振荡器的抛物线特性。然后计数器又开始计数直到 0,如果门周期仍未结束,将重复0.516bit码形式读出,表 1给出了温度值和输出数据的关系。数据通过单线接口以串行方式传输。 DS1820测温范
5、围-55+1250.5递增。如用于华氏温度,必须要用一个转换因子查DS18201/2LSB9bit00000000 000000000 -11111111 F-11111111 -11111111 最高有效(符号)MSB116bit温度读数。TEMP_READTHTL80.5位被忽略不计。THTL16THTL最高有效(符号)MSB116bit温度读数。TEMP_READTHTL80.5位被忽略不计。THTL16THTL样就允许许多 64位(激)DS1820648位是单线系列编码(DS1820的编码是 19h)。下面 48位是一个唯一的序列号。最后 8位是以上 56位的 CRC码。(见图 5)6
6、4位 和 作协议流程图来描述(图 6)。单线总线控制器必须得天独厚提供 5个 ROM操作命令其中之一:1)Read ROM,2)Match ROM,3)Search Rom,4)Skip ROM,5)Alarm Search。成功CRCDS18208 64ROM64ROM56CRCDS1820ROM否被总线控制器接收无误。CRCCRCDS182064ROM9个字节读出来)进行比较。CRCDS1820的或由其计算的CRCCRCXOR70了 CRC值。移入 8位 CRC会使移位寄存器复 0。器DS18208RAM0了 CRC值。移入 8位 CRC会使移位寄存器复 0。器DS18208RAMTHTL
7、的非易失性电可擦除(E2)RAM组成。当在单线总线上通讯时,暂存器帮助确保数据的完令会把数据传到非易性(E2)RAM8据时,它们全部表现为逻辑 1。第七和第八字节是计数寄存器,它们可以被用来获得更高的CRC码。CRC的执行方式如第二个标题“CRC发生器”所述。 :硬件结构、执行序列和单线信号(信号类型和时序)它。为此每一个总线上的器件都必须是漏极开路或三态输出。DS1820的单总线端口(I/O脚)95KDS1820 的协议如下:ROMDS1820在总线上且已准备好操作。详见“单线信号”节。 DS1820 的协议如下:ROMDS1820在总线上且已准备好操作。详见“单线信号”节。 ROM操作命令
8、5ROMROM操作命令都 8位长度。下面是这些命令(参见图 6流程图):ROM操作流程图(Read ROM Match ROM (漏极开路连在一起开成相与的效果)ROM64ROMDS182064ROMDS182064Skip ROM 64ROM(漏极开路下拉效果相当于相与)Search ROM 64ROM64位编码。 Alarm Search EChTHTLDS1820I/ODS18200101DS1820Search ROM 64ROM64位编码。 Alarm Search EChTHTLDS1820I/ODS18200101DS182011。一个复位脉冲跟着DS1820(ROM器操作命令D
9、S1820命令设置(Convert 读温度忙状态1Read CRC9字节2和 3(TH和 TL温度报写两个的字节到地址 Copy 2读拷贝状态2Recall 读温度忙状态DS1820读供电状态Convert T2CopyScratchpadVDD供电的话,I/OCopyScratchpad命令后,这段时间内单线总线上就不能有其他进入接收状态(RX)Convert T2CopyScratchpadVDD供电的话,I/OCopyScratchpad命令后,这段时间内单线总线上就不能有其他进入接收状态(RX)5KI/ODS18201560s,然后发出存在脉冲(60240s的低电平信号)。210器操作
10、流程图(10)续图 10Write Scratchpad 到暂存器中的地址位置 2和 3。可以在任何时刻发出复位命令来中止写入。Read Scratchpad Copy Scratchpad 。DS1820器,DS1820就会输出一个“0”,如果拷贝结束的话,DS1820则输出“110ms。 Convert T 44hDS1820将在总线上输出“0”,若温度转换完成,则输出“1”。如果使用寄生电源,总线控制器必须在发出这条命令后立即起动强上拉,并保持 500ms。Recall E2 ower Supply 0=1”读/1060s1s的I/O线电平变低后,DS182015s60sI/O线采样。如
11、果线上是高电平,就是写 1,如果线上是低电平,就是写 0(见图 12)。060s。060s。1sDS1820sI/O15sI/O脚状态(12)。在读时间隙的结尾,I/O引脚将被外部上拉电阻拉到读时间隙必须最少 60s,包括两个读周期间至少 1s的恢复时间。13TINIT,TRCTS LE15s14示出,系统时间可以用下面方法达到最大:TINIT和 TRC保持时间尽可能小;把控制器采样时间放到 15s周期的最后。器操作举例(3)温度(寄生电源控 制器操作举例(3)温度(寄生电源控 制器 状数据()器操作举例(器(控 制器 状数据()Skip ROMWrite Scratchpad两个数据写两个字
12、节到暂存器(THSkip ROMRead Scratchpad9 个数据读整个暂存器加上CRC;控制器重新计算从暂存读到的8个数据字节的CRC,把计算的 CRC和Skip ROM器操作举例(器(控 制器 状数据()Skip ROMWrite Scratchpad两个数据写两个字节到暂存器(THSkip ROMRead Scratchpad9 个数据读整个暂存器加上CRC;控制器重新计算从暂存读到的8个数据字节的CRC,把计算的 CRC和Skip ROM复位脉冲(480-发“Match ROM”64DS1820发“Convert T”I/O 线高I/O线保持至少,以完成温度转发“Match RO
13、M”64DS1820发“Read Scratchpad”9 个数据读整个暂存器加上CRC;控制器重新计算从暂存读到的8个数据字节的CRC,把计算的 CRC和的CRC进行比较,如果相同,控制器向下进行,如果不同,就重复读操作。器操作举例(例:温度转换和插补(工作温度: -55+12555+125焊接温度: 26010I/O1/2V-V2V控 制器 状)Skip ROMConvert T8(或位)FFh(所有位都1)器操作举例(例:温度转换和插补(工作温度: -55+12555+125焊接温度: 26010I/O1/2V-V2V控 制器 状)Skip ROMConvert T8(或位)FFh(所有
14、位都1)Skip ROMRead ScratchpadCDS18x20/DS1822 21-1-()0DS5000( C401(31351s()( C6789/ounsigned char unsigned char DQ = 0; / pull DQ low to start timeslot DQ = 1; / then return highfor (i = 0; i 3; i+); / delay 15s from start of timeslotreturn(DQ); / return value of DQ void write_byte(char unsigned char i
15、; unsignedchar6789/ounsigned char unsigned char DQ = 0; / pull DQ low to start timeslot DQ = 1; / then return highfor (i = 0; i 3; i+); / delay 15s from start of timeslotreturn(DQ); / return value of DQ void write_byte(char unsigned char i; unsignedchartemp;for (i = 0; i i; / shifts val right i temp
16、 &= 0 x01; / t bit to write_bit(temp); / write unsigned char unsigned char DQ = 0;/pull DQ line low / leave it low for 480s DQ = 1;/ allow line to returnhigh/waitforpresence presence = DQ; / get presen/ wait for end of timeslot return(presence); / presenpresence = 0, no part = ignal unsigned char unsigned char i; unsigned char value = 0;for (i = 0; i 8; if(read_bit() value| = 0 x / reads byte in, one byte ime and shifts it delay(6); / wait for rest of / DELAY - / Calling the routine takes about 24s, and / each count takes another void
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