avr单片机外部晶振延时

1、基于WINAVR+avrstudio4使用外部晶振时及延时可能遇到的问题By-炬本第一步，使用外部晶振1.连接isp下载线2打开avrfighter如下界面，在熔丝位那框架，点击“读取”芯片特征字:1E:94:O3时钟效淮：IMHi:B44MHzAD2MHr:B58MHi:AlFLASH:68416354EEFROM:0/51：2BLB01NoLockBLBO2；a-iLocklBLB11oLocksFEB藝.BOOTLOM)加密熔蝕位熔丝低位时El熔丝髙位：99扩展熔丝位：El：1.:BOIIVEL/lOCDENtnna1:BODEN回JTAGENinua：1.:：UT1回NAtnua叵SU

2、TO.1:CEOFT回UAej：CKSEL31.：EESAVE回NA叵|CKSEL2BOOTS!1回NACKSEL1叵BOOTSZO回NA：1.:CKSELO.1BOOTESTUA-編程选项设豈写BOOTLOADJa密位.完成*芯片编程结束*写庞熔丝位读熔丝位.读熔丝位读熔丝位读熔丝位.成完成成成成二元完完完回芯片擦除:编程EEPRJOM.編程熔丝邂擦除匚;片空检查校验FLASH回芯片锁定編程|；二|读识别字回編程FLASH校验EEPRJOM0自动重装FLASH自动重装EEPRJOM编程延时1秒结束启动LOGO1二目动调速叵芯片编程计数涪塞回摄宗音回快速校验芯片编程数：61检测-自动编程-更新

3、自动編程匸1回车、空格-芯片編程注：上图是默认的熔丝位）.单击鼠标，把熔丝位改为下图（仅是和为），单击写入:.单击鼠标，把熔丝位改为下图（仅是和为），单击写入:这样就能使用外部晶振啦修改过一次下次就不用修改了，但注意这是外部晶振，而不是RC振荡器，还有不要乱改熔丝位，乱改会锁芯片的。第二步，使用gcc自带延时函数及设置avrstudio/声明/声明#includeus级别的延时函数voidDelayus(unsignedintlus)while(lus-)_delay_loop_2(3);_delay_loop_2是延时4个时钟周期，参数为4则延时16/个时钟周期，本实验用12M晶体，则12个

4、时钟周期为12/12=1us/ms级别的延时函数voidDelayms(unsignedintlms)while(lms-)Delayus(1000);/延时1msAvrstudio设置：在avrstudio菜单栏上QFileProjectBuildEditViewToolsDebugWindow旦曲8File:J1-3LTraceDi8File:J1-3LTraceDiProjectBuildEditViewToolsDebugWindowHelpProjed:WizardF启硒讣码电u曳TESB.BtVm1瀏鄭隊NewProjectOpenProjectS3veProjectClosePr

5、ojectRecentProjectE讣ConfigurationOptions单击ConfigurationOptions要正确使用它们是有如下条件的1.首先，你要正确定义你的F否则延时不准，这个就是Fre要正确使用它们是有如下条件的1.首先，你要正确定义你的F否则延时不准，这个就是Fre的值，也就是你的的值。单片机实际的频率。你在编译时一定要打开优化，中不要选如果不要选。要不然就会出现#warningCompileroptimizationsdisabled;functionsfromvutil/delay.hwontworkasdesigned编译警告，且延时失准。无优化。1减少代码尺寸和执行时间，不进行需要大量编译时间的优化几乎执行所有优化，而不考虑代码尺寸和执行时间。执行所有的优化，以及内联函数，重命名寄存器的优化。针对尺寸的优化。执行所有优化而不增加代