【财会税务】2190-08年薄膜太阳能光伏产业发展分析报告

1、胺薄膜太阳能斑光伏产业跋发展百分析报告（完整版）目录绊一阿、斑引言巴般岸阿拔2凹二稗、板薄膜太阳能奥光伏产业的发展隘现状和趋势隘吧芭半2伴（一）按薄膜太阳能电池败定义皑疤啊2唉（二）懊薄膜太阳能电池拜分类及应用般阿蔼3澳（三）澳薄膜太阳能盎光伏产业挨发展稗现状佰邦笆5啊（四）笆薄膜太阳能八光伏产业隘发展挨趋势颁氨敖7挨三百、颁薄膜太阳能电池盎生产厂家概况爱巴笆稗11百（一）国外搬薄膜太阳能电池艾生产厂家癌盎笆柏11稗（二）国内扒薄膜太阳能电池傲生产厂家拌跋阿20白四、斑总结邦盎奥皑艾2袄5按五、建议蔼袄柏拔挨27一、引言板2004年德国背光伏补贴政府引佰爆了光伏产业，捌光伏产业强势需翱求造就了

2、多晶硅翱原料企业的超高安利润，而200挨7年美国Fir矮st Sola胺r的亮丽表现则芭带来了薄膜产业般的新纪元，1.扒3 美元/瓦的八低成本，11%案左右的转换率，凹欧洲北美的巨额啊订单，不受原料笆限制的大规模生哀产成就了Fir柏st Sola暗r的高利润，高爸收入，高可靠的佰盈利预期，也促暗使业界发现属于氨薄膜时代的来临昂。凹在2007盎年和班2008年佰间吧，全球光伏产业佰最为火热的环节瓣就是薄膜领域，板不断有新的项目拌发布或者投产，凹有限的设备公司巴订单已经排到1胺年以后，而且新拔增订单不断，除颁了美国 Fir肮st Sola懊r,日本夏普也挨开始大规模投入唉薄膜领域，而德哀国的Q-C

3、EL耙L肖特等也大力昂投入薄膜事业，哀台湾几乎瞬间投安入了超过 10佰 个薄膜项目，碍国内的非晶硅龙昂头拓日新能源顺班利上市，新澳集袄团高调介入等等拔都显示薄膜正在埃吸引越来越多的百资本和关注；薄耙膜自身的发电优办势和低成本也将霸会是下降光伏发凹电成本的一大主伴要驱动力。岸二坝、熬薄膜太阳能巴光伏产业的发展奥现状和趋势办薄膜太阳能光伏爸产业主要由翱CdTe拜（碲化镉）、哎 CIS矮（搬铜铟硒）袄/CIGS蔼（矮铜铟硒镓）、硅埃基薄膜三类电池皑组成绊。唉（一）叭 把薄膜太阳能电池懊定义班薄膜太阳能电池唉，芭指百在塑胶、玻璃或蔼是金属基板上形敖成可产生光电效唉应的薄膜罢。懊这种薄膜百厚度仅需数哎扮

4、m，在同一受光佰面积之下可较硅扮晶圆太阳能电池瓣大幅减少原料的奥用量。扳（二）氨 捌薄膜太阳能电池稗分类及应用爱CdTe澳（碲化镉）薄膜斑薄膜层为般CdTe/Cd敖S爱（碲化镉）材料班的太阳能电池拜，八主要用于光伏发爱电。拌CIS凹（铜铟硒）/颁CIGS百（铜铟硒镓）薄熬膜隘CIS(Cop按per Ind爸ium Dis百elenide爱)袄或是伴CIGS(Co芭pper In柏dium盎 办Gallium耙 Disele按nide)艾,胺主要用于光伏发肮电。硅基薄膜熬主要是指薄膜层耙带柏 芭A-Si蔼的薄膜电池，根板据设备的生产工拔艺可以分为下面安的几种：单结耙A-Si艾袄a-si/ u碍c

5、 -si疤（版非晶爱/巴微晶耙）、绊 柏双结案a-si/uc伴-si敖（搬非晶扮/叭微晶耙）、三结非晶硅罢等,傲主要用于光伏发办电。靶GaAs(爸砷化镓澳)耙薄膜唉GaAs Mu敖ltijuct按ion(盎多接面砷化镓盎)斑在单晶捌硅奥基板上以化学气袄相沉积法成长百 隘GaAs肮薄膜所制成的薄傲膜太阳能电池把。岸具有疤30%耙以上的高转换效吧率，很早就被应佰用於人造卫星的拌太阳能电池板。吧新一代的傲 GaAs(扮砷化镓啊)板多接面版 (班将多层不同材料袄叠层败)把太阳能电池，如按 GaAs扮、般Ge 爸和邦 GaInP2败三接面电池，可扳吸收光谱范围极柏广，转换效率目板前已可高达艾39%阿，是

6、转换效率最敖高的太阳能电池埃种类，而且性质般稳定，寿命也相胺当长。不过此种邦太阳能电池的价鞍格也极为昂贵，隘平均每瓦价格可埃高出多晶矽太阳吧能电池百倍以上班，因此除了太空扳等特殊用途之外佰，预期并不会成疤为商业生产的主皑流。俺色素敏化染料熬 (Dye-S鞍en翱sitized捌 Solar爸 哎Cell)傲是太阳能电池中案相当新颖的技术班产品是由透明导斑电基板、二氧化班钛版(TiO2)败纳米微粒薄膜、哎染料背(安光敏化剂扒)挨、电解质和班 ITO岸电极所组成。白此种太阳能电池办的优点在於二氧颁化钛和染料的材佰料成本都相对便懊宜，又可以利用氨印刷的方法大量扮制造，基板材料扳也可更多元化。凹不过目

7、前主要缺皑点癌：皑一是在於转换效安率仍然相当低哎(背平均约在挨78%盎，实验室产品可败达翱 10%)败，且在般 UV 埃照射和高热下会袄出现严重的光劣佰化现象，二是在熬于耙封装过程较为困肮难翱(捌主要是办 颁因为其中的电解耙质的影响半)岸，因此目前仍然蔼是以实验室产品昂为主。然而，基翱於其低廉成本以坝及广泛应用层面拜的吸引力，隘 跋多家实验机构仍般然在积极进行技百术的突破。胺有机导电高分子皑(Organi艾c/polym靶er sola八r cells拜)扳有机导电高分子啊太阳能电池是直爸接利用有机高分啊子半导体薄膜疤(懊通常厚度约为爱 100nm)叭作为感光和发电叭材料。安此种技术共有两唉大

8、优点凹：澳一在於薄膜制程扮容易耙(鞍可用喷墨、浸泡癌涂布叭 霸等方式把)拜，而且可利用化吧学合成技术改变颁分子结构，以提哎升效率，另一优哎点是采用软性塑昂胶作为基板材料凹，因此质轻，且案具有高度的可挠阿性。斑 翱目前市面上已经啊有多家公司推出耙该类扒产品，应用在可翱携式电子产品如皑NB白、百PDA耙的户外充电上面耙，市场领导者是吧美国澳 Konark傲a 傲公司。不过，由哎于扳转换效率过低罢(皑约疤45%)罢的最大缺点，因哎此此种太阳能电巴池的未来发展市叭场应该是结合电败子产品的整合性按应用，而非大规靶模的太阳能发电斑。巴InP(罢磷化铟班)绊电池办薄膜层为鞍 InP(啊磷化铟叭)扳材料的太阳

9、能电跋池，类似于哎 GaAs 傲电池，高转换率啊，高价格，预计把很难在发电市场瓣获得应用，主要盎是太空应用。百Poly-Si搬 熬（隘 Crysta稗lline柏 懊Silicon扳 on Gla半ss罢）薄膜瓣德国袄 Q-CELL啊 袄旗下的一个澳 CSG 扮公司专注的一种盎电池，原理就是笆Crystal扮line Si颁licon o哀n Glass爱 叭（蔼玻璃衬底上直接败镀多晶硅薄膜安）白。暂时没有投产笆，主要是光伏发敖电用。矮（三）扒薄膜太阳能柏光伏产业蔼发展班现状把在目前多晶硅原佰材料成本居高不胺下的情况下，各把厂商纷纷转而寻鞍求技术创新爸，巴而近期薄膜技术班领域的突破使其疤成为太

10、阳能电池百产业新的热点。稗2007年美国稗First S案olar以1.背3美元/瓦的低瓣成本，11%左靶右的转换率，拿艾下欧洲北美的巨唉额订单，不受原盎料限制的大规模瓣生产为薄膜产业昂的发展带来新的盎活力。随着Fi芭rst Sol案ar在薄膜技术隘领域的成功，薄肮膜技术在太阳能哀光伏产业的应用拔逐渐升温。挨霸和晶硅太阳能电靶池相比，薄膜太啊阳能电池具有以澳下优势：靶按1、扮成本优势明显：扒多晶硅材料价格瓣较昂高，薄膜太阳能鞍电池成本优势凸吧现疤。般作为太阳能奥电池和半导体的翱重要材料，多晶拔硅国际市场价格板一路飙升，从2半002年拔2008年唉上涨了十几倍，碍这种利益驱动也稗促使国内多晶硅斑

11、项目投资热渐趋芭升温。然而考虑芭下游的迅速扩张皑、供需形势并无搬根本性改观，2哀008年上半年敖多晶硅供应紧张昂的局面较去年并百未得到缓解，价斑格仍维持高位。版薄膜太阳能板电池较少使用晶班体硅材料，相对八于高昂的晶体硅邦材料来说这给其爸成本控制带来很办大的下降空间。氨据测算即使在5耙MW的生产规模靶下，非晶硅薄膜扮太阳凹能芭电池组件的生产皑成本也在2美元埃/瓦以下，而单般线产能达到40袄MW-60MW矮甚至更高的全自皑动化生产线，其罢产品生产成本则拜更低。相对于平挨均3.5美元/伴瓦的国际市场销阿售价格而言，其摆利润空间可见一般斑。暗 半2、捌能量返回期短啊 艾转换效率为6%昂的非晶硅太阳昂能

12、傲电池，其生产用柏电约1.9度电哎/瓦，由它发电拜后返回的时间约袄为1.5-2年捌，这是晶硅太阳癌能凹电池无法比拟的澳。败 办 3、哎大面积自动化生昂产般目前，世界上最摆大的非晶硅太阳胺能碍电池是Swit哎zland U安naxis的K隘AI-1200颁 PECVD 碍设备生产的11捌00mm*12爱50mm单结晶办非晶硅太阳岸能哎电池，起初是效安率高于9%。其把稳定输出功率接唉近80W/片。案商品晶体硅太阳柏能白电池还是以15巴6mm*156摆mm和125m哎m*125mm白为主。案4、鞍弱光响应好(充隘电效率高)半上海尤力卡公司袄曾在中国甘肃省隘酒泉市安装一套氨6500瓦非晶摆硅太阳能电站

13、，板其每千瓦发电量搬为1300KW蔼h，而晶体硅太般阳扒能霸电池每千瓦的年爸发电量约为11班00-1200扮KWh。挨碍 凹5扒、板技术突破带来应伴用新方向：组合按建筑，环保又节啊能懊薄膜太阳能巴电池适合与建筑斑结合的光伏发电霸组件(BIPV叭)：双层玻璃封坝装刚性的薄膜太背阳能电池组件，傲可以根据需要，凹制作成不同的透半光率，可以部分熬代替玻璃幕墙，柏而不锈钢和聚合鞍物衬底的柔性薄捌膜太阳能电池适罢用于建筑屋顶等胺需要造型的部分霸。将薄膜太阳能唉电池应用于城市板大量的既有和待伴开发的建筑外立伴面和屋顶，避免熬了现有玻璃幕墙隘的光污染问题，俺能代替建材，同啊时发电又节能，坝将成为未来城市碍利用

14、光伏发电的奥主要方向。熬当然，以目前的般技术水平来说，艾在非晶硅薄膜太颁阳能电池应用方柏面，懊还存在一些问题稗：1、效率低败单晶硅太阳能电蔼池，单体效率为盎14%-17%搬(AMO)，而办柔性基体非晶硅懊太阳电池组件（瓣约1000平方把厘米）的效率为捌10-12%，阿还存在一定差距笆。2、稳定性差奥其不稳定性集中耙体现在其能量转搬换效率随辐照时傲间的延长而变化蔼，直到数百或数碍千小时后才稳定摆。这个问题一定稗程度上影响了这盎种低成本太阳能罢电池的应用。懊3、敖相同的输出电量矮所需太阳能电池笆面积增加吧与晶体硅电池相氨比，每瓦的电池碍面积会增加约一捌倍，在安装空间矮和光照面积有限半的情况下限制了

15、把它的应用爱办厂商纷纷投产，案薄膜技术应用渐懊趋升温拌薄膜技术的爱进步给厂商带来盎了新的发展思路扳，也正是看到2叭007年Fir昂st Sola爱r在薄膜太阳能癌电池领域的出色版表现，各厂商纷背纷投产进军薄膜办领域。2005安年4月夏普开始昂正式受理薄膜太懊阳能电池定单。跋2007年11岸月底建设新生产哎线，并于200罢8年10月夏普俺举行了供货仪式矮，将薄膜硅太阳拌能电池的年生产翱能力从15MW案提高到160M隘W。国内厂商如澳津能、南通、孚伴日股份、金太阳啊等厂商已经制定败投产或扩产计划俺。扳（四）挨薄膜太阳能俺光伏产业俺发展趋势氨CdTe隘（稗碲化镉拔）鞍薄膜、CIS唉（胺铜铟硒翱）肮/

16、CIGS芭（败铜铟硒镓俺）俺薄膜和硅基薄膜爱广泛用于光伏发拌电，将占据市场傲主流，成为薄膜敖太阳能电池中的伴佼佼者。其发展疤趋势分别如下：敖CdTe太阳能吧电池具有技术成扳熟、转换效率高鞍、发电量高、成拌本低等优势，在罢2007年其全捌球出货量约18蔼0MW（仅次于颁硅基薄膜，在薄耙膜领域排名第二傲），目前CdT白e电池商业化产拔品效率已超过1蔼2案办。盎 败 安截至2008年瓣1月，美国部分板企业实验室Cd霸Te组件的转换蔼率高达16.5拜%，具体到商业百化生产中，短时挨间内奥很难埃达到这个水平俺。澳CIGS 在高隘光电效率低材料傲成本的好处下(斑在实验室完成的岸 CIGS 光癌电池，光电效

17、率翱最高可达约19疤扒，就模块而言，摆最高亦可达约1稗3斑按)。面临三个主板要困难要克服：柏（1）制程复杂阿，投资成本高；哎（2）关键原料矮的供应；（3）靶缓冲层CdS潜矮在毒害。百截至2008年捌2月，全球CI爱S/CIGS 鞍电池的实验室最耙高转换率达19爱.5%，具体到败商业化生产中，败短时间内凹很难般达到这个水平巴。案截至 2008爸 年 2 月，搬全球硅基薄膜组澳件主要有三种：扮单结非晶硅和双胺结非晶硅组件转案换率5%-8%扒 ，双结非晶硅柏/微晶硅组件转笆换率 8%-隘10%，三结非瓣晶硅组件转换率跋8%左右。不过霸由于硅基薄膜的爸基数比较大，就胺算到 2013绊年依然是薄膜中唉的

18、霸主。而目前昂新上的项目主要唉是单结非晶硅、罢双结非晶硅和非唉晶/微晶硅。其般中亚太地区（中案国台湾地区等）熬主要是单结、双暗结非晶硅日本地胺区主要是非晶/鞍微晶硅。欧洲主拜要是双结非晶硅佰和非晶/微晶硅澳。美国三结非晶颁硅占据不错的地般位，同时其他非霸晶薄膜也有涉及盎。从成本的角度叭来看，非晶/微半晶的成本在硅基肮薄膜中最高，其澳次就是三结非晶巴硅，双暗结非晶硅，成本绊最低的就是单结扒非晶硅，非晶硅版薄膜设备投资占把据主要凹成本，而转换率笆数据除了跟设备摆有关系外，自己板的调试和开发能鞍力也有一定的重败要性。翱上述列举俺CdTe鞍（案碲化镉奥）挨薄膜、CIS肮（绊铜铟硒暗）懊/CIGS罢（奥

19、铜铟硒镓啊）暗薄膜和硅基薄膜把各产能、产量及昂市场份额现状和八趋势如下表：耙全球产能：兆瓦唉2007 败年袄2008熬 艾年斑2009 板年隘2010 爱年摆2011 傲年版2012 班年邦2013 肮年白CdTe安330版508昂1153板1865爱2705伴3555阿3625俺CIS/CIG绊S扒126.5按269案464稗591.5扮721.5坝880吧1070跋硅基薄膜罢434胺1468版2090.5坝2680.5胺3119鞍3746白4158昂全球凹890.5稗2245柏3707.5挨5137疤6545.5奥8181靶8853熬CdTe 熬市场份额办37.06%懊22.63%捌31.

20、10%矮36.31%芭41.33%扳43.45%挨40.95%伴CIS/CIG艾S 隘市场份额耙14.21%叭11.98%翱12.52%胺11.51%拜11.02%氨10.76%氨12.09%阿硅基薄膜市场份安额皑48.74%挨65.39%半56.39%爸52.18%坝47.65%八45.79%扳46.97%艾全球市场份额昂100.00%瓣100.00%爸100.00%哎100.00%霸100.00%伴100.00%傲100.00%半全球产量：氨兆瓦芭2007 埃年澳2008 氨年芭2009 扳年胺2010 矮年扳2011 哎年扒2012 办年凹20扳13 瓣年氨CdTe拔180岸350昂72

21、1啊1224败1960般2737跋3136白CIS/CIG耙S百25.4暗84.5捌185.5板341.5绊484跋627.5邦773凹硅基薄膜巴217.2隘585败1104啊1605拔2144岸2649跋3151班全球袄422.6拔1019.5百2010.5板3170.5霸4588袄6013.5皑7060哀CdTe 坝市场份额唉（般%盎）瓣42.59澳34.33鞍35.86板38.61拔42.72败45.51癌44.42邦CIS/CIG按S 皑市场份额奥（罢%鞍）艾6.01敖8.29坝9.23跋10.77鞍10.55背10.43啊10.95版硅基薄膜市场份暗额敖（氨%佰）拜51.40挨57.

22、38昂54.91碍50.62矮46.73阿44.05扮44.63蔼全球市场份额傲（扮%半）背100.00版100.00懊100.00搬100.00碍100.00袄100.00矮100.00敖目前啊，拌国内外厂商的纷胺纷投产促进了薄挨膜电池市场的快伴速增长，未来两爸年伴随各厂商投伴产产能的释放，唉薄膜电池市场将爸稳步提升，20搬10年其市场份霸额有望达到15盎%。癌薄膜技术的兴起叭带动了国内新一挨轮太阳能光伏产皑业投资热潮，未隘来3-5年随着岸薄膜技术的日趋扒成熟，碲化镉(版CdTe)和C办IGS等技术将昂会有新的突破，氨卷式(roll啊-to-rol板l)设备和可印绊刷铜/铟/镓/班硒(CIG

23、S)百墨水等设备应用佰的技术创新也会矮取得新进展。这稗将有望进一步带爱动中国太阳能光扒伏产业新一轮增瓣长。按特别是 200摆8 年由于美国啊应用材料，瑞士芭 Oerlik稗on，日本UL盎VAC 等顶级罢的设备厂商大量碍推出标准设备，肮同时韩国 Ju盎sung，美国搬XsunX 等颁设备企业的介入办促使全球范围大班规模生产非晶硅癌成为可能，另外稗一些小尺寸的非懊晶硅设备企业（斑比如中国国内的绊普乐新能源，上败海思博露科技，捌北京的北仪创新搬，美国的 EP稗V敖跋NanoPV，笆香港的华基光电澳，匈牙利的 E碍nergoSo坝lar， 欧洲板的 STF 等搬相继推出低成本挨的 5 兆瓦生扮产线也

24、获得了客懊户的青睐，设备拜的驱动及大量资矮本的进入促使 办2007 年和盎 2008 年瓣称为非晶硅大规傲模应用的元年，芭也因此导致晶硅把和非晶硅的格局颁将会因此而改变碍。耙三唉、拌薄膜太阳能电池奥生产拜厂家概况霸（一）国外阿薄膜太阳能电池耙生产厂家见下表绊序号扒厂家名称捌（国别）扮产品类型叭产能及其他挨1坝First 唉 坝S佰olar澳（美国）背Cd瓣T哀e摆（盎碲化镉）疤2007年产量板200MW傲，拜年成长率达23翱3%唉，凹成为全球第五大般太阳能电池制造隘商拜，百是全球前十大太霸阳能电池制造商按中唯一专职从事佰薄膜技术者哀，案也是美国最大的鞍太阳能电池制造袄商八，埃非晶硅领域全球斑最

25、大的电池或者百电池板公司搬。扒产能约稗2哎1按0捌兆搬瓦芭，邦产量捌1唉6艾5扳 跋兆瓦截至安 哎20笆0背7熬 阿年年底艾，昂产品转换率吧:爱 半2拔00碍3柏 霸年背约斑 扮7版%埃，班2斑0拜0搬6 爱年约案 拔9靶%敖，熬2癌0耙0扮7哎 埃年白底疤约案1搬0熬.袄5柏%胺。拌2埃Antec S巴olar En叭ergy瓣 叭AG敖（德国）半Cd爸T肮e扮（盎碲化镉）版CDTE(鞍碲化镉啊)昂电池组件产量产扳能都是全球第二佰（仅次于氨 First氨 拔Sola柏r胺）爱，非晶硅伴电疤池领域全球核心芭企业之挨一板。肮2昂0败0巴5爸年八产扒能奥 隘1傲0肮 凹兆瓦拜，把产摆量癌 肮7蔼.

26、岸5矮 耙兆瓦鞍；哎2百0柏0岸6白 吧年产白能白还是昂1爸0捌兆埃瓦白，耙产量般 7.5巴兆瓦斑；邦2氨0澳0般7疤 隘年产能达到皑2拜5碍兆瓦白，伴当哀年拜产量唉 疤1暗1背 半兆靶瓦矮；芭2吧0白08-版2阿0绊1扒0澳 笆年产能预计还是稗保持奥2阿5翱兆瓦扮，盎产量逐步爬升白。安3翱ARENDI 哀SRL澳（意大利）叭Cd芭T爱e安（翱碲化镉）叭2拌00熬7蔼 岸年唉产能为扮1佰5暗 罢兆瓦柏，另外有三个哀First 扳 霸S扒olar芭的基地总产能为袄250MW。暗4版Canrom 佰Photovo办l矮t跋a碍ics埃（美国）伴Cd罢T版e挨（袄碲化镉）阿碲化镉薄膜太阳扳电池组件傲

27、全球排名第三靶，八非常小规模的实伴验生产（颁1半 岸兆艾瓦疤产能）版。盎2背0搬0埃7奥年产拜能败达到叭5岸兆拌瓦肮，艾预计办 扮2八00阿9绊年增加到办 俺2奥5 阿兆瓦肮。颁5把CA罢L绊YXO GMB背H笆（爱Q-Cel啊l瓣）盎（德国）肮Cd半T搬e拔（昂碲化镉）伴2疤0叭0斑5办 肮年产哀能碍达到绊 阿2啊5翱 爱兆拜瓦碍，凹预计爸 敖2般0傲13瓣 阿年增加到矮 板50哀 懊兆瓦坝。案6巴Prime芭S盎t邦a笆r Solar办（办GE En邦e蔼rgy懊）板（美国）霸Cd哀T瓣e瓣（昂碲化镉）稗全体团队成员大把约稗 罢3案0班 摆多百人，昂全部为资深专家案，案并且研发了转换安率高

28、达碍 俺1霸6.艾5哎%懊的组隘件坝，百下一步预计就是斑规模生产氨，阿预计颁 版200坝8皑年会启动拔20-30熬兆瓦的生产线胺，扒接着进行更多的盎扩产安，稗不过最快预计也般需要到巴 昂200俺9扒 鞍年才能扳够爱投产叭。安7案AV拔A罢 扒Solar斑（美国）耙Cd俺T哎e胺（安碲化镉）芭A澳V般A奥 笆公司罢拥案有技术资本市场白丰富的管理层，艾同时有一些资本安公司的支持，一奥期支持了一个敖 袄3扒 吧兆瓦的初产项目爱（这个项目于靶 200半7啊 爸年背 皑9半 懊月试产颁，捌无限接近大规模拜生产的经验柏）般，叭同时在阿20靶0按7隘 跋年获得另外一个扳资本公司的投资熬，板计划挨 背20鞍0

29、癌8唉 疤年鞍年傲底暗之前上班 案2巴0癌0 熬兆瓦的项目胺。挨8敖Wrth S白olar熬（德国）百CIS靶（铜铟硒）氨2暗0癌0背6吧年蔼产绊能靶1败.巴4斑 挨兆瓦靶，把20澳0拌7芭 背年跋产昂能案1半4耙.叭8跋 奥兆瓦半，皑2袄0碍0敖8班 爱年产能版2稗5 皑兆瓦昂。斑9把Honda罢Soltec爱（日本）爸CI斑G巴S奥（铜铟硒镓）吧日本最大的扒 CIGS 岸电池组件公司，熬也是全球主要的蔼 CIGS 坝公司之一碍。哀2爱0坝0奥7败 暗年吧6罢月投产后的产能氨是隘 凹27.癌5碍 艾兆般瓦半，氨暂时没有看到官疤方的扩产按计划巴。隘1吧0靶Global 靶Solar鞍（美国）暗

30、CI笆G傲S办（铜铟硒镓）皑CIGS 摆领域具有不错的柏地位，从目前的版转换率来看，也拌是伴 CIGS 阿领域具有一定地跋位的公司，而且翱从业时间也是比扳较长的。吧从吧转换率来看：德霸国稗 Wrth 吧Solar 1柏1.50%拌全球败 CIGS 埃最高，班Global 班Solar 9爸.8% 暗占据第二熬，哀预计摆 2008 鞍年产能从版 2007 昂年的笆 4.2 靶兆瓦提升到办 40 挨兆瓦，熬2009 啊年进一袄。吧11捌Showa S板hell So袄lar叭（日本）百CIS般（铜铟硒）袄日本第二大的阿 CIGS 氨电池组件公司熬，罢，啊也是全球主要的懊 CIGS 袄公司之一矮。稗

31、2肮0稗0澳7邦年癌7办月百投产一期工厂霸2班0袄兆瓦拔产八能爸，哀同时开始建设第敖二期的工厂靶。版1佰2艾Miasol隘、懊（美国）背CI挨G袄S跋（铜铟硒镓）耙CIGS版 白电池霸组件组装半，碍把美国版加斑州扳 哎San背t瓣a疤 哎C蔼la吧r百a矮 拔基地生产佰电爸池百啊中国绊上柏海进行碍2靶0把0皑7隘年生产的电半池鞍全摆部隘运送暗中佰国颁组笆装安，埃暂半时没班有公奥告板客半户白情况挨，绊不爱过预计初期试验按合作客户及欧洲般客户为主盎。熬13哎Jo扳h肮a昂nna Sol拜ar懊（德国）袄CIGSSe疤（版铜铟镓硫硒佰）吧是肮全球首个版 CIGSSe敖 疤电池企业碍。霸预计主要市场是

32、袄德国市懊场碍（超过吧 翱8氨0肮%皑）罢另外会有拜 版20按%巴销售到西班牙唉、把意熬大利等国家或者哀地区疤。癌14蔼Ascent 叭Sola癌（美国）稗CI搬G邦S绊（铜铟硒镓）跋美国主要凹 CIGS 癌电池组件企业之百一隘。袄2爸0阿0盎8昂 般年初稗投败产首期败 芭1.5办 癌兆瓦的产能唉，鞍同时建设二期鞍 背2摆5哀 背兆瓦的产能把，罢预计二期产能在斑 瓣2巴00矮9胺 扒年般年底投产佰。般主要销售市场是把美国和欧洲市场版。搬15挨IS笆E颁T肮（美国）翱CI吧G搬S埃（铜铟硒镓）伴产品实验室转换捌率可以达到胺 拌1笆3鞍.6按%白，搬具有一定的技术敖实力芭，柏但没有公爱布任何产能及

33、扩疤产计划熬。碍16霸United 哎Solar O邦voni皑c八(斑美国办)挨A-Si/A-捌S拜i般Ge/A-S袄i暗Ge摆（以掺锗的三层埃结构班、爸以可挠式的不锈爱钢金属基板为主傲力产品）跋全球唉最大非晶佰硅芭电池生产般企安业版，靶只专熬注八于三结叭。艾2007年搬，哀以48MW的产耙量成为薄膜太阳阿能电池第二大生奥产商胺，挨也是硅薄膜技术胺的最大生产商袄。坝FY2007宣凹称其电池效率最跋高可达13%把，肮模组效率最高可伴达8.5%啊。扒2绊0背0背5敖0霸7癌01-靶2笆0鞍0坝6敖0盎6巴3蔼0暗 安财年办收翱入鞍 8啊7爱.5稗 稗百埃万叭美元搬，瓣利润芭 8.6凹 办百万美班

34、元阿，案销吧量蔼约耙3胺2埃 坝兆白瓦霸，捌三捌结鞍 肮组件均傲价班 胺约版2佰.癌7扳3艾美隘元啊 哀/把 胺瓦袄；案 斑20按0背7爸财扳年（罢2佰0敖0袄6矮0办7唉01-氨2盎0隘0爱7板0袄6肮3扮0癌）摆太柏阳能收入盎9耙8.坝4白 挨百万美元版，吧产量败 按4癌0颁 阿兆般。版17奥Ka袄n碍eka Sol埃artech蔼（日本）胺a-拌Si/背a-凹Poly-Si白（双结：非晶/傲非多晶）暗全球第二大的硅叭基薄膜电池或者坝电池板提供商肮。办2007年以4啊8MW的产量成敖为薄膜太阳能电唉池第三大生产商哀。碍主力销售产品是搬玻璃基板的单层颁a-Si的太阳扳能电池/模组败，碍模组效

35、率已可达罢8%绊。跋2八0熬0俺5笆 按年电胺池扮产能奥 笆2坝3版 耙兆暗瓦拜，扳2笆0巴0拔6袄 板年芭电伴池产能约八 绊3耙0 瓣兆瓦岸，袄2把0办1氨0 叭年产能扩安产到唉 奥1拔3拜0般 扳兆班瓦敖 唉 蔼产量爸 搬9斑0 埃兆瓦艾。瓣18拌Sharp T把hin Fil按m氨（日本）颁a-Si/c碍-Si/a-S癌i板败GaAs扒（三结：非晶/靶微晶/非晶氨砷化镓矮）扮目前仍多以量产唉单层a-Si产昂品为主罢，其绊薄膜主力产品是艾为a-Si/瓣版c-Si的堆叠熬式(tande爱m)产品摆，癌2007年产量爸21MW背，叭为薄膜太阳能电隘池厂商第五大懊，拔也是前十大薄膜耙太阳能电池厂

36、商靶中唯一商业化量搬产销售a-Si罢/佰俺c-Si堆叠式岸产品的按厂商袄。笆20柏0佰7办 摆年年般底耙之前薄膜产能袄 凹1摆5办 把兆瓦凹，懊其中袄 a-Si/鞍c佰-败Si碍 罢（双结盎）办1阿2隘 皑兆瓦，蔼GaAs 3绊 唉兆瓦霸，柏2耙0般0皑8捌 八年夏拌普傲打算投资百 埃2搬2案0氨 瓣亿日本将笆薄靶膜产能提升到癌 扒1笆6摆0颁兆白瓦蔼（截至皑 敖2蔼0唉0靶8艾 爸年拜 罢1伴0靶 胺月暗）巴，摆并且争取扳 绊2蔼0哎1奥0板 暗年将薄阿膜芭产能提升到埃 耙1昂000拜兆版瓦坝（背2按0背1版0 傲年扳 3肮 叭月开埃始芭投产）艾。扮 扒SHARP现在矮与TEL(合资癌成立设

37、备开发公吧司氨“邦东京ELECT岸RON PV罢”耙)进行大型玻璃板基板的生产设备邦的开发叭，奥目前以开发Tr阿iple Ju熬nction用疤的PECVD为霸主氨，邦使用的玻璃基板扒尺吋为1.0m按X暗1.4m霸。扮19奥MHI(Mi昂t澳s艾ubishi翱 蔼Heavy I澳ndustri按es)凹（日本）傲a-Si白/c-Si暗（双结：非晶/拌微晶）板2邦0懊0氨2绊 坝年跋单敖结拜 吧1奥0隘 笆兆瓦绊，澳2隘00啊7八 熬年扩产非俺晶八/靶微晶叠层邦 版4佰0 背兆瓦败；绊20氨Ba隘n巴gkok爱 Solar败（泰国）拜a-Si 安T俺a阿ndem凹（版叠层碍非晶安）艾a-Si伴

38、爱T瓣a半ndem澳 百薄膜电池全球主邦流企业之一罢。傲 肮2摆0懊0奥7斑 凹年搬产能达到哎 巴5摆0 背兆澳瓦笆，埃是产能最大的几蔼个全球性企业之罢一八。坝同时也是泰国唯爱一一个太阳能电背池企业。鞍21暗Sa霸n瓣y阿o扮 敖Amorton拜（日本）挨a-Si Si扒ngle柏（非单晶）芭三洋从佰198笆0败年即开展这项业班务斑，摆是靶产品种类最为齐懊全的企业叭，吧由于这些产品的霸用量非常少敖，爱所以三洋靶 稗A艾m碍o拜r俺t隘o蔼n凹 氨一直拔保啊持巴 5 埃兆瓦不动哎。稗22吧Schott 埃Solar T办hin Fil办m拜（德国）暗Si/c-S埃i把（皑非晶安/安微晶盎）捌首期

39、一条非晶傲/罢微晶生产线把 白3搬3氨 拜兆瓦肮，澳预计暗 疤2邦01蔼0扮 扒年盎递增一条线达到俺 佰6氨6奥 隘兆瓦蔼。搬23暗EPV Sol癌ar氨（美国）奥a-Si 阿T伴a拔ndem捌（扳叠层傲非晶案）绊2背0袄0霸7昂 敖年产跋能败为般 13.2拜5版 瓣兆拜瓦埃，版2奥0颁0鞍7盎 斑年扳 搬6八 白月融资鞍 77.翱5搬 靶百万美元准备在袄数拜年内递增绊 奥8艾5白 白兆瓦产能的太阳版能企业拔。拜首期绊 坝2啊5把 柏兆百瓦的产能计划办 捌20八0袄8矮年达到扒8百5唉 稗兆瓦的傲产邦能霸，版届时总产能达到邦 傲1案0啊0靶 敖兆瓦八。案24办C皑S凹G Solar暗（德国）皑

40、Poly-Si岸（艾玻璃衬底上直接拔镀多晶硅薄膜笆）暗全球唯一一个埃Poly-S耙i背（摆C唉r蔼y吧stalli澳n阿e扮 斑S哎i熬li肮c啊on按 佰on Glas八s唉）翱薄膜组生产企业办。半组件转换率为靶 靶7霸%耙左右澳。敖2昂0扮0皑5背 八年开八始颁建设八，胺2疤0唉0澳6 啊年投产霸 瓣1氨0疤 氨兆伴瓦产能罢，背2艾00拌7稗 案年投产氨 斑2扮0 爱兆瓦产岸。爸25爸富士电肮机扳（日本阿）氨A-Si/A-坝SiGe巴（渗锗双层非晶案）盎A-Si/A-耙SiGe佰 扮电池组件转换率斑 半8艾%捌左蔼右鞍，皑属于薄膜领域专扒注的企业皑塑料衬底（办p拌l八astic f佰il扮

41、m拜）挨的胺双结非晶硅太阳般电池扒，哀稳定效率皑 熬8奥百.颁 2败0百0柏7伴 绊年产能把 瓣1疤2昂 般兆瓦版，板2氨0鞍0捌8碍年疤 八1埃0搬 八月达到翱 耙4白0邦 把兆瓦半。坝26耙Ersol 伴 邦Thin Fi唉lm爸（德国）澳A-Si Si爱ngle, a靶-Si/c-皑Si邦（非单晶，非晶哀/微晶）绊2坝0吧0板7盎 鞍年拔年捌底拔 翱A-Si Si坝ngle吧 靶薄膜奥 版4罢0阿 阿兆拔瓦办产能蔼，扳全球主要的大型瓣公司之一凹。稗27氨M阿o埃ser Bae伴r Photo凹 班V颁ol癌t邦aic拜（印度）昂Si Sing疤le扳（非单晶）安首期爱 芭4绊0凹M颁W胺

42、（另追加扳 蔼5佰65暗MW靶，实际投资金额蔼约笆 案1背5 袄亿美元）熬，霸预计拜2罢0靶0百8 肮年下半年投产般。熬（二）败国内伴薄膜太阳能电池吧生产厂家肮序号翱厂家名称（地区办）跋产品类别肮产能及其他板1按拓日新能源（深扳圳）把Si 版T摆a霸ndem昂（板叠层般非晶暗）暗同时半生哀产销售单岸晶稗硅昂、安多晶胺硅巴、蔼非晶硅电跋池袄；霸2爱0岸0澳5半 叭年非扒晶疤硅电池产量瓣 4.6颁 办兆安瓦碍（产能傲 6芭 败兆背瓦皑）啊，；叭而把 哎2唉00扒6板年唉非挨晶硅电池产量板 爱8稗.巴7瓣3安 肮兆把瓦坝（产能哀1半0把兆凹瓦翱）半，八2傲0邦0板7蔼 熬年保持非晶硅产板能捌 胺1芭

43、0蔼 哀兆斑瓦暗，班产量预计敖 9.5翱 疤兆瓦般。板国扒内最大的非晶硅芭企业之一。捌2板北京世华鞍（北京）盎a啊-Si 案T叭a拌ndem凹（叭叠层背非晶哎）傲2扮0氨0奥3矮 八年成熬立耙并宣布进行非晶般硅太阳能生产线百的建设绊，背设计产能为碍 氨1爱0昂 半兆笆瓦盎，版暂时没有任何生昂产线投产捌。矮3搬中国建材国际工坝程鞍（蚌埠）唉Si 芭T澳a叭ndem叭（芭叠层安非晶癌）奥09年拟定两年碍内计划上100靶MW的薄膜太阳安能电池芭。吧4办大丰能源科技背（台湾竹南）安Si 板T昂a澳ndem耙（爸叠层霸非晶隘）胺台湾第一家生产扳太阳能非晶硅电稗池的企业颁，啊，跋同时也是目前台拜湾地区薄搬

44、膜电池最大的生绊产企业扮。暗2拌0百0熬6稗 傲年及翱以氨前的产能是吧 稗3挨 矮兆瓦百，版2懊0盎0笆7按 隘年产能哎 芭1案8拔 伴兆瓦斑。隘5霸天津津能爱（天津）凹A-Si 埃T袄a挨ndem唉（唉叠层皑非晶耙）八2霸0把0隘6扳 耙年非佰晶懊硅电池的产量熬 邦2爱.凹5蔼 板兆瓦般，版国内非晶硅领域癌排名靠前跋，昂 半2扒0熬0皑7拔 埃年罢产氨量傲 般5岸 岸兆瓦绊，百国皑内岸薄膜仅次于深圳肮拓日胺。爸6埃普乐新能源（安版徽蚌埠）背Si叭 拔Single,邦T邦a板ndem白（板叠层霸非肮单捌晶矮）爸截止柏 安2艾00扮7邦 扮年靶 啊1案1哎 班月扳，澳大绊面颁积已经做到扳 跋4罢

45、5傲W扮，胺大面班积敖的初始效率在绊6%傲左右芭，袄稳定效率绊5.7扒%拜。百7巴深圳创益哎（深圳）凹A-Si Si颁ngle矮（隘叠层氨非晶氨）把2皑0艾0扳6 吧年扒 A-Si叭 熬Single捌 芭单结耙非哎晶硅电池产量搬 板2吧.岸5艾 翱兆瓦鞍，拔非晶硅领域前靶5案 俺名吧柏；皑A-Si Si柏ngle 暗电池败转坝换率应该在扒 5.摆0把%般左右隘。拔规划从摆 奥2白00矮6熬 版年到把 白2柏01般0版 袄年奥，分三期建成拥叭有年产扮 搬1鞍0半0背 叭至稗 肮15背0百 唉兆瓦八。罢8坝深圳日月环（深罢圳）靶Si Sing败le熬（拜叠层袄非哀单绊晶蔼）胺预计没有电池组斑件或者

46、电池方面拌的产品鞍，扳主要阿提柏供一些下游产品隘。凹9盎黑龙江哈克（哈鞍尔滨）斑Si Sing靶le半（爱叠层安非皑单巴晶挨）捌单结非晶硅转换蔼率应该是背 盎5八%稗以内氨。懊主要国内销售。肮预计销售额在盎 扳5鞍0跋0 拔万元人民币以内阿。吧10邦新奥集团跋（河北廊坊）扮a-Si 安T隘a挨ndem盎（翱叠层翱非晶艾）搬到鞍 懊201矮0百 邦年隘年叭产非晶硅薄膜太拔阳能电池八 昂50扒0盎M板W班，吧首期跋 芭5扮0叭 隘兆吧瓦靶，斑双结佰非芭晶硅（预计转换伴率佰 埃6埃%柏左般右）哎。叭11岸无锡尚德芭（上海）爱a-Si摆/c-Si佰（非晶/微晶）坝2皑0班0澳8啊 拜年年傲底摆开始投产

47、（产能奥 俺4白0白 傲兆敖瓦靶）败），半2巴00八9澳 爱年笆递拔增产能到背5笆0跋 耙兆瓦肮，拜刚胺开始的转换率八 袄6捌%拌左右爸，翱采用非晶八/傲微晶双结班。耙12癌绿能科技皑（台湾桃园）半a-Si白 坝Single扳（非单晶）唉2跋0板0扮8埃 板年肮年百底稗 叭3昂0稗 斑兆瓦捌，俺2氨00摆9巴 半年年底白 叭5案0 把兆瓦班。鞍13捌富阳光电扮（台湾桃园）凹a-Si Si疤ngle懊（非单晶）扳2肮0氨0板8熬 拜年第笆二翱季度百 拜2背0邦 俺兆瓦肮 拜；熬第三季度啊 哎4氨0肮 安兆瓦埃，半首期瓣 2伴 扳条生产昂线翱，昂每条产能蔼 肮2昂0阿 绊兆瓦拜；巴计划白 爱2扒0

48、0八9隘 袄年斑新增一条达到疤 稗6班0按 瓣兆皑14爱宇通光能碍（台湾台南）懊Si/c-S拔i埃（非晶/微晶）半该袄公司主要以专注疤研发转换效率大盎于埃 佰8.5澳%斑之双藕合肮(dual 碍j懊un盎c版t隘i拜on把)颁非晶版微傲晶硅薄膜太阳能靶电池哎。癌预搬估柏完柏成凹 拔设备安装捌后哎 艾初期单条蔼线氨 耙的产能百为挨6澳0疤百万瓦板 矮15半威海蓝星泰瑞光艾电鞍（威海）柏Si 半T懊a坝ndem扮（叠层非晶）吧无法参考。熬16敖吉富中国投资艾（山东烟台）阿Si Sing搬le埃（非单晶）搬50M凹W叭（蔼2安 佰条芭线）单结非晶硅袄（之后再导入微鞍晶硅设备瓣，伴升佰级为双结非晶硅哀

49、/绊微晶硅跋，办产能可增岸1佰4唉MW巴，邦至艾 般6绊4挨M鞍W皑）蔼17扳联相光电败（台湾台中）俺Si Sing背le澳（非单晶）挨25M叭W埃（佰1肮 摆条板线昂）扒单结非晶芭硅瓣（可以升级为双邦结非晶硅凹/拔微晶耙硅生产线耙 氨3懊2 耙兆瓦）懊，瓣量产时间蔼2背0爱0拌8矮 翱年第爱一背季度（暗3颁 罢月吧份暗）投产八。百18拔旭能光电哀（台湾台中）罢Si Sing唉le氨（非单晶）疤25M熬W八（颁1氨 唉条叭线矮）爱单结非晶搬硅霸（可以升级为双案结非晶硅爸/稗微晶袄硅生产线摆 笆3拌2 绊兆瓦）扳，把2斑0昂0氨8爸 扮年年俺中吧（办6-8肮 把月份唉）俺投产奥19袄强生光电叭（南通）半a-Si 邦T罢a佰ndem暗（叠层非晶）搬艾2斑00傲8半 笆年扮 罢1敖 挨月投班产哀（公司网站报道爸）奥产能办2邦5笆 鞍兆瓦奥。阿20碍源畅光电爸（常州）俺Si 办T罢a搬ndem鞍（叠层非晶）颁第一条熬 败5皑 瓣兆瓦生产碍线笆于半 皑20芭0扮7罢 柏年隘8搬 傲月投产邦，扳后续增加到百 氨3