《模拟电子技术基础(第4版)》电子教案12课件

1、1.2半导体二极管(Semiconductor Diode)1.2.1半导体二极管的结构和类型1.2.2半导体二极管的伏安特性1.2.3半导体二极管的使用常识第1页，共15页。1.2.1 半导体二极管的结构和类型构成：PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode)PN阳极阴极符号：阳(正)极 ak 阴(负)极 分类：按材料分硅二极管锗二极管按用途分普通二极管整流二极管稳压二极管开关二极管按结构工艺分点接触型面接触型平面型第2页，共15页。点接触型阳极引线触丝N 型锗片管壳阴极引线特点：PN结面积小结电容小适于高频、小电流应用：小功率整流高频检波开关电路阴极引线 面接触型N型硅PN 结阳

2、极引线铝合金小球支架金锑合金特点：PN结面积大结电容小适于低频、大电流(几百毫安以上)应用：整流阳极引线阴极引线集成电路中的平面型PNP 型支持衬底第3页，共15页。常用二极管外形图2CZ542CZ132CZ302AP1N4001+第4页，共15页。微型二极管圆柱形微型二极管SOT 23塑封微型二极管（无引线或短引线的贴片元件，直接安装在印刷电路板表面）第5页，共15页。1.2.2 半导体二极管的伏安特性一、二极管的伏安特性曲线硅管的伏安特性锗管的伏安特性604020 0.02 0.0400.40.82550ID / mAUD / VID / mAUD / V0.20.4 25 5051015

3、0.010.020第6页，共15页。OuD /ViD /mA正向特性Uon起始导通电压(门坎、阈值)ID = 0Uon = 0.5 V 0.1 V(硅管)(锗管)u UonID 急剧上升0 u Uon UF = (0.6 0.8) V硅管 0.7 V(0.1 0.3) V锗管 0.2 V反向特性ISU (BR)反向击穿U(BR) u 0 ID = IS 0.1 A(硅) 几十 A (锗)u 0 时，uD 0 时，iD IS第9页，共15页。1.2.3 半导体二极管的使用常识一、二极管的型号国标GB24974 规定：第一部分阿拉伯数字表示器件电极数第二部分字母(汉拼)表示器件材料和极性第三部分字

4、母(汉拼)表示器件类型第四部分阿拉伯数字表示器件序号第五部分字母(汉拼)表示规格号如硅整流二极管 2 C Z 52 A二极管N型硅整流管序号规格号第10页，共15页。12345电极数器件材料和极性字母表示器件类型用数字表示器件序号字母表示规格号符号意 义符号意 义符号意 义符号意 义23二极管三极管ABCDABCDEN型,锗材料P型,锗材料N型,硅材料P型,硅材料PNP,锗材料NPN,锗材料PNP,硅材料NPN,硅材料化合物材料P VW C Z L S N U K X G普通管微波管稳压管参量管整流管整流堆遂道管阻尼管光电器件开关管低频小功率管 (f3MHZ,PC1W) 高频小功率管(f3MH

5、Z,PC1W) DA T Y B J CS BT FH PIN JG 低频大功率管(f3MHZ,PC1W) 高频大功率管 (f3MHZ,PC1W) 可控整流器 体效应器件 雪崩管 阶跃恢复管 场效应管 半导体特殊器件 复合管 PIN型管激光器件 表1.2.1 半导体器件型号组成各部分的符号及其意义第11页，共15页。二、二极管的主要参数1. IFM 最大整流电流(最大正向平均电流)2. URM 最高反向工作电压，为 U(BR) / 2 3. IR 反向电流(随温度变化,越小单向导电性越好)IDUDU (BR)I FURMO4. fM 最高工作频率(主要取决于PN结结电容大小)第12页，共15页

6、。表1.2.2 几种二极管的典型参数 参数型号IFM/mAURM/VIR/A fMIFMCj/pF备注2AP12AP1216402010 250 250150 MHz40 MHz 1 1点接触形锗管2CZ52A 2CZ52D10010025200 100 1003 kHz3 kHz面接触形硅管2CZ56E 2CZ55C10003000100300 500 10003 kHz3 kHz应加散热板1N40021N540310003000100300第13页，共15页。三、二极管管脚极性及质量的判断在 R 100或 R 1 k 档测量红表笔是(表内电源)负极，黑表笔是(表内电源)正极。 正反向电阻各测量一次， 测量时手不要接触引脚。(1) 用指针式万用表检测*一般硅管正向电阻为几千欧，锗管正向电阻为几百欧；反向电阻电阻为几百千欧。*正反向电阻相差小为劣质管。正反向电阻都是无穷大或零则二极管内部断路或短路。1k000第14页，共15页。(2) 用数字式万用表检测红