三极管分类和作用

1、三极管分类和作用（时间:2007-03-12共有燉人次浏览）半导体三极管亦称双极型晶体管，其种类非常多。按照结构工艺分类，有PNP和NPN型；按照制造材料分类，有锗管和硅管；按照工作频率分类，有低频管和高频管；一般低频管用以处理频率在3MHz以下的电路中，高频管的工作频率可以达到几百兆赫。按照允许耗散的功率大小分类，有小功率管和大功率管；一般小功率管的额定功耗在1W以下，而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。常见的半导体三极管外型见图2.5.1。图2.5.1半导体三极管外形图共射电流放大系数快B值一般在20200,它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数。反向击穿电压值U（Br）ceo。指基极开

2、路时加在c、e两端电压的最大允许值，一般为几十伏,高压大功率管可达千伏以上。最大集电极电流ICM。指由于三极管集电极电流IC过大使B值下降到规定允许值时的电流（一般指B值下降到2/3正常值时的IC值）。实际管子在工作时超过ICM并不一定损坏，但管子的性能将变差。最大管耗PCM。指根据三极管允许的最高结温而定出的集电结最大允许耗散功率。在实际工作中三极管的ic与uce的乘积要小于pcm值，反之则可能烧坏管子。穿透电流ICEO。指在三极管基极电流IB=0时，流过集电极的电流IC。它表明基极对集电极CEOBC电流失控的程度。小功率硅管的ICEO约为0.1mA,锗管的值要比它大1000倍，大功率硅管C

3、EO的ICEO约为mA数量级。特征频率人。指三极管的B值下降到1时所对应的工作频率。fT的典型值约在1001000MHz之间，实际工作频率。2.5.3半导体器件的命名方法1中国半导体器件的命名法根据中华人民共和国国家标准，半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表2-15。表2-15国产半导体器件的型号命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件的电极数目用汉语拼音字母表示器件的材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类别用数字表示器件序号用汉语拼音字母表示规格号符号意义符号意义符号意义2二极管ABCDN型锗材料P型锗材料N型硅材料P型硅材料PVWCZLSNUK普通管微波管稳

4、压管参量管整流管整流堆隧道管阻尼管光电器件开关管3三极管ABCDEPNP型锗材料NPN型锗材料PNP型硅材料NPN型硅材料化合物材料XGDAUK低频小功率管(fT3MHz,PCV1W)高频小功率管(fT3MHz,PCV1W)低频大功率(fT1W)高频大功率(fT3MHz,PC1W)光电器件开关管IYBJ可控整流器体效应器件雪崩管阶跃恢复管CSBTFHPINJG场效应器件半导体特殊器件复合管PIN型管激光器件例如3AD50C表示低频大功率PNP型锗管；3DG6E表示高频小功率NPN型硅管。2.美国半导体器件命名法根据美国电子工业协会（EIA）规定的半导体器件型号命名方法如表2-16所示。表2-1

5、6美国半导体器件型号的命名法第一部分第二部分第三部分第四部分用符号表示器件的等级用数字表示PN结数目用字母表示材料用数字表示器件登记序号第五部分用字母表示同一器件的不同档次符号符号符号符号军品非军品二极管三极管四极管表示不加热即半导体器件24位数字登记顺序号A、B、C.#2耳艮表示器件改进型例如1N4148表示开关二极管，2N3464表示高频大功率NPN型硅管。3日本半导体器件命名法日本半导体器件型号共用五部分组成，其表示方法如2-17。表2-17日本半导体器件命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数三的电木n=|rn./.日用拉器件白用23位数字表示器件登记顺序号用拉丁字母表示同一

6、种型号器件的改进型产表示器件及数目用字母表示半导体器件1字母表示勺结构和类型符号意义符号意义符号意义0光电器件S半导体器件A高频PNP型三极管快速开关三极管1二极管2三极管B低频大功率PNP管3有三个PN结的器件C高频及快速开关NPN三极管D低频大功率NPN管FP控制极可控硅GN控制极可控硅HN基极单结管JP沟道场效应管KN沟道场效应管M双向可控硅例如2SA53表示高频PNP型三极管，1S92表示半导体二极管。4欧洲半导体器件命名法由于目前欧洲各国没有明确统一的标准半导体器件型号命名法，故他们大都使用国际电子联合会的标准。半导体器件的型号一般由四部分组成，其基本含义如表2-18。表2-18欧洲

7、半导体器件命名法第一部分第二部分第三部分第四部分FFIP冉半壬味.及主要特性用数字或字母加数字表示登记号中PT斗用字母表示器件使用的材料用字母表示器件的类型用字母表示对同一型号器件的改进符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义A锗材料A检波二极管、开关二极管、混频二极管P光敏器件位数字代表半导体器件的登记序号（冋一类型器件使用一个登记号）ABCDE表示同一型号的半导体器件在某一参B硅材料B变容二极管Q发光器件C砷化镓C低频小功率三极管R小功率可控硅数万面的分档标志D锑化铟D低频大功率三极管S小功率开关管R复合材料E隧道二极管T大功率可控硅F高频小功率三极管U大功率开关管一个字母二位数字代表专用

8、半导体器件的登记序号（冋一类型器件使用一个登记号）G复合器件、其他器件X倍增二极管H磁敏二极管Y整流二极管K霍尔器件Z稳压二极管L高频大功率三极管补充说明：欧洲半导体器件型号除以上基本组成部分外，为进一步标明器件的特性，或对器件进一步分类，有时还加有后缀，后缀用破折号与基本部分分开。常见的后缀有以下几种。（1）稳压二极管型号后缀的第一部分是一个字母，用来表示器件标称稳定电压值的允许误差范围。其代表的意义如表2-19。表2-19稳压二极管后缀字母的含义符号ABCDE允许误差1251020后缀的第二部分是数字，表示稳压二极管的标称稳定电压的整数值；后缀的第三部分是字母V,代表小数点，字母V之后的数

9、字为稳压管标称稳定电压的小数值。（2）整流二极管和可控硅型号的后缀是数字，表示其最大反向电压值，单位是伏。例如BZY88-C9V1表示标称稳压值是9.1V、精度为5%的硅稳压二极管；BTX64-200表示反向耐压为200V的大功率可控硅；BU406D表示大功率硅开关三极管。2.5.4几种常用半导体三极管的性能1.常用小功率半导体三极管常用小功率半导体三极管的特性见表2-20。表2-20常用小功率半导体三极管特性型号极限参数直流参数交流参数类型PCM(mW)ICM(mA)DIValign=CenterV(BR)CEO(V)ICEO(uA)VCE(sat)(V)卩(MHz)Cob(pF)CS901

10、1EFGHI300100180.050.3281503.5NPN39547297132CS9012EFGH600500250.50.664150PNP7896118144CS9013EFG400500250.50.664150NPN7896118H144CS9014ABCD300100180.050.360150NPN60100200400CS9015ABCD310600100180.050.560506PNP0.760100100200400CS901631025200.050.32897500NPNCS9017310100120.050.528726002NPNCS9018310DIVal

11、ign=center100120.050.52872700NPN8050100015002585300100NPN8550100015002585300100PNP2常用大功率三极管大功率三极管具有输出功率大、反向耐压高等特点，主要用于功率放大、电源变换、低频开关等电路中。常用的大功率三极管型号及特性如表2-21所示。表2-21常用大功率三极管的主要参数型号极限参数直流参数交流参数NPNPNPP(W)CMV丿Icm(a)U(V)(BR)CEOEM邛肿血）2N57582N622615061002510012N57592N622712020802N57602N622814015602N60582N

12、8053100860100042N80582N8054802N37132N378915010601542N37142N3790802N58322N62281002510012N56332N623012020802N56342N623114015602N62822N628560206075018k42N53032N57451408015602002N62842N628716010075018k42N50312N43982003040156022N50322N4399602N63272N63308063032N63282N63311002.5.5半导体三极管的正确使用1半导体三极管的管脚判别在安装

13、半导体三极管之前，首先搞清楚三极管的管脚排列。一方面可以通过查手册获得，另一方面也可利用电子仪器进行测量，下面讲一下利用万用表判定三极管管脚的方法。首先判定PNP型和NPN型晶体管：用万用表的RxlkW（或RxlOOW）档，用黑表笔接三极管的任一管脚，用红表笔分别接其他两管脚。若表针指示的两阻值均很大，那么黑表笔所接的那个管脚是PNP型管的基极；如果万用表指示的两个阻值均很小，那么黑表笔所接的管脚是NPN型的基极；如果表针指示的阻值一个很大，一个很小，那么黑表笔所接的管脚不是基极。需要新换一个管脚重试，直到满足要求为止。进一步判定三极管集电极和发射极：首先假定一个管脚是集电极，另一个管脚是发射

14、极；对NPN于型三极管，黑表笔接假定是集电极的管脚，红表笔接假定是发射极的管脚（对于PNP型管，万用表的红、黑表笔对调）；然后用大拇指将基极和假定集电极连接（注意两管脚不能短接），这时记录下万用表的测量值；最后反过来，把原先假定的管脚对调，重新记录下万用表的读数，两次测量值较小的黑表笔所接的管脚是集电极（对于PNP型管，则红表笔所接的是集电极）。2半导体三极管性能测试在三极管安装前首先要对其性能进行测试。条件允许可以使用晶体管图示仪，亦可以使用普通万用表对晶体管进行粗略测量。（1）估测穿透电流ICEO。用万用表RxlkW档，对于PNP型管，红表笔接集电极，黑表笔CEO接发射极（对于NPN型管则

15、相反），此时测得阻值在几十到几百千欧以上。若阻值很小，说明穿透电流大，已接近击穿，稳定性差；若阻值为零，表示管子已经击穿；若阻值无穷大，表示管子内部断路；若阻值不稳定或阻值逐渐下降，表示管子噪声大、不稳定，不宜采用。（2）估测电流放大系数。用万用表的RxlkW（或RX100W）档。如果测PNP型管，则按图2.5.2示电路连接，图中的lOOkW电阻和开关S，也可以用潮湿的手指捏住集电极和基极代替。若是测NPN型管，则红、黑表笔对调。对比S断开和接通时测得的电阻值（或手指断开和捏住时的电阻值），两个读数相差越大，表示该晶体管的“值越高；如果相差很小或不动，则表示该管已失去放大作用。如果使用数字万用表，可直接将三极管插入测量管座中，三极管的“值可直接显示出来。图2.5.2万用表判定三极