磁控电抗器介绍

1、第二章磁阀式电抗器共四十九页2.1 磁控电抗器在国内外研究(ynji)概况2.2 磁控电抗器的工作(gngzu)原理2.4 基于ADuC7026和ADSP21992的MCR控制器2.3 磁控电抗器的控制策略2.5 结束语共四十九页2.1 磁控电抗器在国内外研究(ynji)概况2.1.1 MCR研究(ynji)的现实意义 随着电力工业的飞速发展，人们生活水平的普遍提高，超高压、特高压电网相继投入运行，对供电质量及可靠性的要求越来越高。因此产生了一系列的新问题：超高压大电网的形成及负荷变化加剧，要求大量的无功功率源以调整电压，维持系统无功潮流平衡，减少损耗，提高供电可靠性。电网中效益和改善供电质量

2、十分重要。根据电力工业的现状和发展，新型无功补偿装置的研的无功平衡对提高全网经济制和应用是我国当前电力系统需要着重解决的重大关键技术课题。 特别是近年来，铁路进行了大规模的电气化建设。其牵引电网具有的功率因数低、谐波含量高、负序电流大等特点，对电网电能质量污染严重，因此必须采取措施治理。而目前常用的固定容量并联电容器组和LC 滤波器等无源设备,不能根据负载情况灵活地调节补偿容量,无法有效解决现代化高速、重载机车带来的问题。共四十九页 在现有的无功补偿装置中，早期的典型代表是同步调相机，它能对无功功率进行动态补偿，同时具有快速的过载能力，但由于其运行噪声大、维护费用高，从总体上说这种补偿手段已显

3、陈旧。并联电容器的成本较低，但其只能补偿固定的无功功率，且无过载能力。静止无功补偿装置（SVC）在近年获得了较大的发展，典型代表是固定电容器+晶闸管控制电抗器（FC+TCR）和晶闸管投切电容（TSC），SVC 的重要特性是它能连续调节补偿装置的无功功率，且响应速度快，但由于TCR采用相控原理，故产生较大谐波，TSC只能分组投切，需和TCR配合才能实现连续调节。现代静止无功发生器（SVG）和有源电力滤波器（APF）等补偿装置，通过不同的控制策略，可以实现对电力系统谐波、无功和负序电流进行综合电能质量动态调节，正在工业系统中逐步进行实用化研究，然而(rn r)在高压系统中，这种装置的广泛应用却受到

4、了目前电力电子元器件电压水平和容量水平以及价格因素的制约。对于我国乃至国外未来的电力系统而言，无功补偿装置的设备选型问题，技术经济性仍然是一个主要考虑的问题。 共四十九页 磁阀式可控电抗器由于其制造工艺简单 ,成本低廉 , 容量连续可调、适用高电压(diny)，可直接用于直到1150kV的任何电压(diny)等级的电网中，对于提高电网的输电能力 ,调整电网电压(diny) ,补偿无功功率 ,以及限制过电压(diny)都有非常大的应用潜力。因此对其进行认真的研究和设计研制总结具有十分重要的工程实际意义。特别是在电气化铁路无功补偿系统中，利用磁阀式可控电抗器建立的动态无功补偿系统与现有的常用无功补

5、偿系统方案相比，具有很多突出的优点。同时利用磁阀式可控电抗器构建的电气化铁路电能质量调节系统，还可对电气化铁道的无功、谐波及负序电流进行综合治理，这对于保证电力系统正常运行和提高铁路部门的经济效益都具有十分重要的意义。共四十九页 MCR是基于美国人E.F.W.Alexandra在1916年发表的在磁通放大器的研究基础之上发展的。随着高磁感应强度以及低损耗的晶粒取向钢片的出现，对磁通放大器和饱和电抗器的理论及应用达到了一个新的水平。1955年，通用电气公司成功制造了世界上第一台100Mvar/6.6kV的MCR，但是这台MCR的弊端是产生巨大的损耗以及调节速度缓慢(hunmn)。1986年，前苏

6、联专家A.M.Bryantsev提出了新型结构MCR，第一次提出了电磁阀的概念。基于这个理论，电抗器的性能得到大大的改善，MCR的研究得到了突破 。2.1.2 MCR研究的现状(xinzhung)和应用情况共四十九页 随后，60Mvar/500kV,25Mvar/110kV ，100Mvar/220kV,180Mvar/330kV和180Mvar/500kV的MCR分别在1989， 1999，2000，2003和2005年投产并运行成功。国外俄罗斯学者也在MCR方面进行了深入的研究，取得了显著的进展，其可应用于直至1150kV的任何电压等级。俄罗斯电工研究院及相关企业已经设计制造了50多台35

7、500kV不同(b tn)类型的MCR。主要业绩有：赤塔电站(俄罗斯)电压等级为220kV、容量为l00MVA的三相MCR于2002年投入运行；巴拉诺维奇电站(白俄罗斯)电压等级为330kV、容量为180MVA的三相MCR于2003年投入运行；西伯利亚(俄罗斯)电压等级为500kV、容量为180MVA的三相MCR于MCR 2005年投入运行。从而MCR在独联体国家的电网中发挥了重要作用。 共四十九页 国内对MCR的研究始于上世纪90年代，各种电压等级的MCR得到迅速发展，35KV电压等级的MCR在铁路，钢铁厂和电力系统中得到了广泛的应用。武汉大学对MCR的研究开展得较早，已成功地研制出磁控式动

8、态无功补偿装置和消弧线圈，运行效果良好。上海交通大学，华北电力大学等院校对直流可控电抗器进行了研究，浙江大学等对交流可控电抗器进行了较为细致的研究。2007年9月29日，由中国电力科学研究院、华东电力设计院、特变电工沈阳变压器集团、西电集团等相关单位联合攻关自主研发的国内首台首套500kV MCR江陵站可控高抗的全部调试工作顺利结束，与右荆(峡江)II回线路同时进入24小时(xiosh)试运行，标志着我国已经掌握了MCR的核心技本，达到国际先进水平。 共四十九页 目前有动态补偿装置如晶闸管控制电抗器(Thyristor Controlled Reactors，TCR)不仅价格昂贵，而且占地面积

9、大、结构复杂，不能推广。由于TCR可控硅处在设备的高压侧，故不能直接用于电压等级高的电网，需经变压器降压使用。 而MCR采用自耦励磁和极限磁饱和先进技术，较TCR和变压器型可控电抗器(CRT)具有输出谐波小、结构简单、可靠性高、价格低廉、占地面积小等显著优点，是超高压和特高压电网理想的动态无功补偿装置。又由于在特高压长距离输电线路中使用MCR对于限制(xinzh)过电压以及实时补偿系统的无功功率、提高线路的输电能力、调整线路电压、显著减少线路空载(轻载)损耗，提高电网可靠性和优化电网运行状况的功能等方面都有非常大的潜力。所以MCR必将在我国超/特高压输电线路中得到广泛应用。 共四十九页 目前世

10、界上最主要的MCR制造商有独联体可控电抗器集团(Controllable Electfic Reactors Consortium of Russia & the Commonwealth of Independent States (CIS)，CERC)，在美国建立了网站()进行宣传；俄罗斯表示(biosh)将会用MCR全部取代TCR；美国电力科学研究院(EPRI)于2002年9月宣布推广MCR技术在国内的应用，并给予经费资助；印度和巴西等国也表示(biosh)出对MCR的极大关注。为满足电力系统结构不断升级的要求，相信随着我国特高压电网建设时代的到来，MCR在我国也将具有广阔的应用前景。

11、共四十九页2.2 磁控电抗器的工作(gngzu)原理2.2.1 磁控电抗器的结构(jigu) 磁阀式可控电抗器根据电压等级和容量大小不同可划分为高压小容量，高压大容量以及超高压大容量三种基本结构形式。在本文中以10KV的电压等级电网为例，电抗器容量比较小，在这种低压等级下，采用主线圈与控制线圈合二为一，以简化结构和减小损耗。为获得所需的输出电流和减小谐波，电抗器铁芯采用分段布置的小截面段，工作时，小截面段饱和，大截面始终处于未饱和状态，铁芯结构为图2.1图2.1 磁控电抗器结构图共四十九页为了便于分析，参考以下(yxi)的磁路系统图图2.2 磁控电抗器的磁路(c l)系统图 如图2.2所示，电

12、抗器铁心磁路由大面积Acore(长度为l-Lt)和小面积段AFe(长度为Lt)串联而成。因为在磁阀式可控电抗器的整个容量调节范围内，大面积段铁心的工作状态始终处于磁特性的未饱和线性区，其磁阻相对Lt段铁心很小，故予以忽略。因此磁路系统可简化为图2.2(a)中的形式。由图可见磁阀式可控电抗器的磁路呈“阀式”结构，当面积为AFe的小截面段铁心完全饱和时，相当于磁阀门全部关闭，磁阻最大，此时整个磁路犹如面积为Acore，长度为Lt的磁阀。当面积为AFe的小截面铁心段处于不饱和线性区时，磁阻十分小，磁力线几乎完全从中通过，磁阀门完全打开。图2.2(b)(c)分别为上述两种情况的示意图。在其它情况下，磁

13、力线将有一部分通过面积为Acore-AFe的空气隙；另一部分磁力线通过小截面段铁心。前者磁阻为线性，后者磁阻则为非线性。所以磁控电抗器的磁路由两个并联的磁阻组成，如图2.2(d)所示。图中F为磁路磁势，Rq为空气隙部分磁阻：Rq=Lt /m0( Acore-AFe)，(m0为空气磁导率)，Rt为小截面段铁心磁阻：Rt=Lt /mAFe(m为铁心平均磁导率)。对应的磁通为F=AFeB，磁化曲线为：H=f(B)。共四十九页2.2.2 磁控电抗器的实现(shxin)原理图2.3 磁控电抗器原理图 图2.3(a)为磁控电抗器结构图，图2.3(b)为相应的原理图。磁控电抗器的主铁芯分裂为两半(即铁心1和

14、铁心2)，截面积为Acore，每一半铁心截面积具有减小的一段，四个匝数为N/2的线圈分别为对称地绕在两个半铁心柱上(半铁心柱上的线圈总匝数为N)，每一半铁心柱的上下两绕组各有一抽头(chu tu)比为a=N2/N的抽头，它们之间接有晶管T1(T2)，不同铁心上的上下两个绕组交叉连接后，并联至电网电源，续流二极管则横跨在交叉端点上。在整个容量调节范围内，只有小面积段的磁路饱和，其余段均处于未饱和的线性状态，通过改变小截面段磁路的饱和程度来改变电抗器的容量。共四十九页 由图2.3(b)的电路图可知，若晶闸管K1、K2不导通，由绕组结构的对称性可知可控电抗器与空载变压器相同。当电源e处在正半周期时，

15、晶闸管K1承受正向电压(diny)， K2承受反向电压。若K1触发导通(a、b点电位相等)，电源e经变比为d的线圈(N/2)自耦变压后由匝数N2的线圈向电路提供直流控制电压和电流iK、 iK 。不难得出K1导通时的等效电路，如图2.4(a)所示。同理，若K2在电源的负半周期导通(c、d电位相同)，则可得出图2.4(b)所示的等值电路。由图可见，K1导通所产生的控制电流方向与K2导通时所产生的一致，也就是说在电源的一个工频周期内，K1、K2的轮流导通起了全波整流的作用，而二极管D的作用是续流。与一般的可控整流原理一样，其有利于晶闸管K1、K2的关断，提高整流效率。共四十九页图2.4 晶闸管导通时

16、可控电抗器等效电路图 改变晶闸管K1、K2的触发导通角就可以改变控制电流ik、ik的大小，从而改变铁心的磁饱和度，平滑调节可控电抗器容量。由图2可知，匝数N1/2的线圈中流过的电流分为两部分：直流控制电流ik、ik 、工作电流i、i(约为i的一半)。直流控制电流ik、ik流过两个匝数为N1/2的线圈(串联)，所产生的控制磁通在两个铁心内自我闭合，工作电流i、i流过上下两组串联的绕组，所产生的交流工作磁通通过两个并联铁心和另一铁心闭合，具体电路图如图2.5所示。显然，磁阀式可控电抗器的工作与控制绕组合并为一个，这有利于减少损耗(snho)，简化结构。共四十九页图2.5 K1、K2导通时等效电路图

17、共四十九页2.2.3 磁控电抗器的工作(gngzu)状态 根据上图的磁阀式可控电抗器原理，磁阀式可控电抗器的晶闸管K1、晶闸管K2及二极管D的可能导通情况，可以列出一下5种状态： (1) K1导通、D截止、K2截止； (2) K1导通、D导通、K2截止； (3) K1截止、D导通、K2截止； (4) K2导通、D截止、K2截止； (5) K1截止、D导通、K2导通； 总结5种状态，磁阀式可控电抗器在正弦电压的作用(zuyng)下，K1 、K2 、D轮流导通的情况如下图2.6所示： 图2.6 磁阀式可控电抗器的工作状态变化图 共四十九页下图为磁阀式可控电抗器等效电路：共四十九页 在电源的正半周期

18、，晶闸管K1触发导通的过程与电源负半周期时K2触发导通过程完全相同。在接下来的周期K1、K2、D轮流导通、截止。因此只需对电抗器的前三个工作状态进行(jnxng)推导即可。电抗器的电流流通图2.7如所示(a) K1导通、D截止(jizh)、K2截止图2.7 状态拓扑图(b) K1截止、D导通、K2截止(c) K1截止、D截止、K2导通共四十九页 对于第一种状态，K1导通、D截止、K2截止，其拓扑结构如图2.7(a)，控制电路图如图2.8所示，从图可以看出(kn ch)，得到该状态的相应状态方程，根据不同状态，得到每个状态方程，可以看出(kn ch)工作电流，工作电压的变化情况。下 页返回下 页

19、上 页返 回图2.8 K1导通时的控制电路同理，对于其他几种状态(zhungti)，可以得出相应的控制电路图，在这不再介绍了共四十九页 铁芯的磁特性(txng) 当铁心中磁感应强度B以及磁场强度H仅有交流(jioli)分量时铁心的磁回线如图(2.9) ，绕组感抗是一定的，大小取决于铁心材料的磁特性参数（如磁导率m）。要改变铁芯的磁状态，从而改变绕组的感抗值以及激励电流的大小，则需要改变铁芯饱和度，或者改变电源电压的大小。 其中：w=2pf为角频率，Sc为铁芯截面积，lc为磁路平均长度，m为磁导率，N为绕组匝数2.2.4 磁控电抗器的特性分析图2.9 铁芯的磁特性共四十九页 当铁心同时受到交流和

20、直流激磁作用时，铁芯的磁感应强度以及磁场强度既有交流分量，又有直流分量，随着直流激励作用的改变，铁芯的磁感应强度以及磁场强度大小发生改变，铁芯的磁化过程特性也发生改变，呈局部回线状态，如图2.10所示。这样(zhyng)交流大小一定时，改变直流激励的大小，就必然会改变交流回路参数（如绕组感抗，电流大小及波形等）图2.10 有直流和交流(jioli)激励时的磁滞回线（1）仅有交流激励 （2）有直流和交流激励共四十九页 当直流激励电流为0时，交流(jioli)绕组感抗值最大，绕组内电流最小，相当于变压器空载运行。在这设铁心中磁感应强度为正弦变化，铁心在一周内磁状态工作点的变化如图2.11(a)所示

21、。当直流激励电流一定时，磁状态工作点的变化如图2.11(b)所示： 由图分析，由于交流与直流激励的叠加，铁心工作于磁特性(txng)的饱和段，随着直流激励的增大，铁心饱和，磁感应强度增大，改变了铁心的工作状态点，交流绕组的感抗小，交流电流增大，相当于“阀门”打开。图2.11 铁芯的磁状态变化图（a）仅有交流激励 （b）有直流和交流激励共四十九页 磁场强度(cchng qingd)H与饱和度b 在正弦电压e和控制电流ik的作用下， 可控电抗器铁芯1和2中的磁感应强度B1和B2的波形为直流和正弦波的迭加。磁感应强度直流分量Bd将总磁感应强度的一部分抬至铁芯磁饱和强度Bs以上，一个工频周期内磁感应强

22、度大于饱和值Bs所对应(duyng)的电角度为b，称为铁芯的磁饱和度，如图2.12示出了磁感应强度波形。由图可见，为分析方便，设铁心的磁化曲线为一斜率m0的理想的磁化曲线，H1、H2为对应的磁场强度，如图中的阴影部分所示。图2.12 铁芯饱和示意图共四十九页图2.13 磁阀式可控电抗器输出电流(dinli)波形从图中分析，改变晶闸管的触发角a，则改变的了铁芯的磁饱和度b， b越大，输出工作(gngzu)电流越大，电流波形越接近正弦波，产生的谐波越小。共四十九页 不同饱和度b下等效电抗(dinkng)的变化情况 首先从理论上分析，图2.14及图2.15其分别表示在不同直流控制磁场强度时磁导率曲线

23、m=f (B)，及对应的m=f (Hk)。Hk越大，铁心越饱和，m越小。无论(wln)直流激励电流方向如何，这种变化规律是相同的。图2.14 不同Hk时m-Bm图图2.15 m-f(Hk)图交流绕组的感抗值跟m有关，因此感抗值随直流控制电流Ik有关，Hk越大，感抗值越小。共四十九页 根据磁阀式可控电抗器的电磁方程的求解，然后通过仿真，可以得到其伏安特性曲线，如图2.16所示。图中纵坐标为电压幅值标么值，基准量为额定电压的幅值；横坐标为电流基波(j b)分量幅值的标么值，基准量为额定电流幅值（基波(j b)）。由于当a角确定时，线圈绕组总电阻R值的大小相对电抗器阻值来说比较小，则可见磁阀式可控电

24、抗器的伏安特性近似线性，如图图2.16 磁阀式可控电抗器的伏安(f n)特性从图中分析，斜率为电抗器电抗值，随着触发角a增大，铁心饱和度b越小，则直流励磁电流越小，从而电抗值越大共四十九页当触发角a为0时，饱和度为2p，晶闸管电流(dinli)和二极管电流(dinli)的波形 下面通过c语言编程仿真出来的不同触发角下晶闸管和二极管电流的波形(b xn)，来分析，得出上面的结论 共四十九页2.3 MCR控制策略 MCR可用调压、无功补偿等。基于MCR的无功功率补偿装置是以三相电流为判据，快速地跟踪现场电流的变化，动态地调节各相投入的补偿电纳，调节三相不平衡系统的平衡化。这就是说，控制装置应能自动

25、检测系统所需要的所有电量，并且能根据检测量自动算出MCR的各相电纳的大小和相应的晶闸管触发(chf)延迟角。这样，MCR就可根据三相电流的变化，自动调节投入各相的补偿电纳。此外，如果希望实现电力系统的集中控制， 还需要添加切合实际的通信方案。根据MCR的工作要求，控制系统主要(zhyo)功能有:1、实现系统MCR无功补偿的三相电压、电流的采集;2、实现三相补偿无功功率、补偿电流的计算，通过 查表或者计算公式找出晶闸管触发控制角a:3、实现晶闸管的触发控制;4、实现对MCR的保护控制，以及系统故障、晶闸管工作状态的监测等共四十九页2.3.1 控制方式(fngsh)的选择 在控制器的控制规律上可以

26、分为功率因数控制和无功功率（无功电流(dinli)）控制。下面介绍分别介绍功率因数控制和无功功率（无功电流(dinli)）控制两种控制方式的特点。功率因数控制 功率因数控制就是以功率因数满足要求为控制目标。用无功补偿装置进行补偿，使供电电网的功率因数满足要求。共四十九页 参照图，假设补偿前的参数是有功电流为ip1 ，无功电流iq1 ,总电流i1，功率因数cosj10.9。假定将cosj0.9。又设控制门限iq20。当控制器检测到当前的无功电流小于零时，即得到超前的功率因数时，发出指令，加大电抗器的电抗值。当检测到当前的功率因数值介于0.9到1之间时，则保持不变。 无功(w n)功率（无功(w

27、n)电流）控制 针对功率因数控制的问题，出现了以系统中的无功功率（无功电流）为被控制对象，即无功功率（无功电流）控制方式。 控制器对电网的电压、电流进行采样检测，计算出当前的无功功率（无功电流）值。根据无功功率的值确定电抗器的调节方式。本方法补偿的结果是使电网中的无功功率（无功电流）始终保持在一个较低的水平上。图示如下共四十九页 控制系统的基本组成部分 从系统结构来看，无论是由磁阀式可控电抗器组成的调压或无功补偿系统，其都应能检测系统的有关变量，并根据检测量的大小以及给定（参考）输入量的大小，产生(chnshng)相应的晶闸管触发脉冲，以调节补偿系统的无功功率，因此，其控制系统一般应包括以下三

28、部分：（1）检测部分：检测控制所需的系统变量和补偿变量。（2）控制部分：为获得所需的稳态和动态特性对检测信号和给定输入进行处理。（3）触发部分：根据控制电路输出的控制信号，产生相应触发延迟角的晶闸管触发脉冲，并驱动晶闸管的触发。 (4) 保护部分：根据检测信号等对MCR系统故障进行相应保护共四十九页控制系统(kn zh x tn)框图共四十九页 首先进行复位、自检、初始化等工作。然后检查键盘是否发出命令，有则运行相应程序，确定MCR的工作模式。首次运行时，须进行自测，在某一恒定电压下，收集采样所得数据，测出(三组) 触发角a 从0o变化到180o时的无功容量值 (电抗值)的变化，取整平均后保存

29、为列表，供以后运行时使用(shyng)。 正常运行时，通过采集电压电流，计算出功率因数角、瞬时有功功率、瞬时无功功率等，根据补偿要求（可以是恒压补偿，也可以是恒功率因数补偿），算出补偿容量，查表（或者根据MCR控制特性），找出相应的晶闸管控制触发角a ，以实现连续平滑的调节。 通过对MCR补偿装置本身的电流采集，一是可以监控电抗器的调节效果，二是作为本装置的保护使用，对电抗器的保护还有瓦斯保护、温度保护等。共四十九页2.4 基于(jy)ADSP21992和ADmC7026的MCR共四十九页 ADSP21992基本结构 ADSP-2199x系列(xli)的DSP的结构包括： ADSP-219x内

30、核（3个计算单元，2个数据地址发生器，1个程序控制顺序控制器）1个A/D、1个编码器接口、1个PWM模块、1个CAN模块、1个SPORT串行口、1个SPI同步串行口、1个DMA控制器、3个可编程定时器、通用可编程I/O引脚、17个中断（3个内部中断、2个外部中断和12个用户自定义中断）、片内48K程序存取器和数据存取器。2.4.1 ADSP21992信号采集电路主要实现三相电压、三相电流信号的检测、调理、A/D转换等功能；信号处理控制部分是整个控制器的硬件核心。主要完成对采集信号的加工处理， 最终得出相应的触发控制角。 以及计算无功有功(yu n)功率，电压电流有效值；显示模块，显示设定信息；

31、晶闸管触发模块主要完成得到晶闸管所需脉冲信号。 ADSP21992需完成的工作共四十九页此外，还应具有(jyu)如下功能:(1) 利用捕获单元实现实时跟踪电网频率;(2) 利用DSP内部自带的14位AD转换器(VIN0-VIN7) 实现数据采集;(3) 数据运算和处理;(4) 利用DSP的FIO模块脉冲(michng)电压器控制MCR的容量；(5) 串行通讯与ARM实现数据通信。 过零检测电路和A/D采集电路共四十九页 A相相电压经过低通滤波后， 通过一个过零比较器， 将正弦交流信号转换成方波信号，方波的频率跟随电网的频率， 从而达到与电网同步。DSP的捕获单元检测(jin c)此方波信号，

32、计算出电网的频率，从而达到动态跟踪电力网的频率变化、定时刷新采样模块中的采样间隔值的目的。之所以将正弦交流信号变为方波信号时便于DSP采样。 根据过零检测信号得到过零点，可以作为晶闸管触发角的基准值，进行调整晶闸管触发角。 过零检测(jin c) 信号的采集：主电路的电流和电压通过电流(第二级电流互感器变比为5:0.1)和电流互感器PT(变比为220:8)，将电流变换成有效值不超过100mA的交流信号，电压变换成有效值不超过8V的交流信号。 电压信号首先经过RC低通滤波，滤掉高次谐波，然后进过相位补偿电路最后送入ADSP的VIN0口，同时同一线路的电流信号也经过滤波和相位补偿电路送入ADSP的

33、VIN4口，这样就实现了同一时刻采集一条线路上的电流电压信号，进行数据处理。 信号采集共四十九页 晶闸管导通检测(jin c)电路晶闸管两极电压经过电压互感器PT隔离(gl)，经桥式整流、滤波输入到三极管基极，当晶闸管不导通时，基极 为高电平，三极管导通，PF0输出高电平，反之，PF0输出低电平。共四十九页 晶闸管驱动(q dn)电路 当PF0为高电平的时候三极管8550导通，15V稳压源通过电阻R2给脉冲变压器的初级供电(n din)，当PF0为低电平时三极管截止，脉冲变压器初级电压为0。通过控制三极管可以提供脉冲变压器一个脉冲电压。共四十九页系统电压、电流信号的采集可以通过过零检测电路产生

34、的脉冲信号来作为DSP的外部中断信号，在中断子程序中启动A/D进行采样。系统工作根据计算所得的触发角，由控制器发出触发脉冲信号启动MCR的晶闸管导通角， 然后要检测其状态， 判断(pndun)其是否符合要求; 根据情况显示相应的信息。 ADSP21992 软件设计流程图共四十九页 ADmC7026基本(jbn)结构16通道12位ADC，最高采样速率为1MSPS。4通道12位DAC；支持外部晶振，41.78MHz的PLL，并支持可编程分频(fn pn)；62KB片内Flash存储器，8KB的SRAM存储器；40个GPIO；2个UART接口；4个定时器；1个SPI接口；2个I2C接口；3相16位PWM发生器；工作温度范围：40至+125。2.4.2 ADuC7026共四十九页 ADmC7026主要(zhyo)实现的功能：1 利用ADuC7026内置12通道ADC实现(shxin)数据采集；2 与ADSP21992实现串行通讯；3 液晶显示电网的频率，无功功率，有功功率，功率因数；4 键盘 LCD12864液晶控制HS12864-15与ADmC7026接口电路共四十九页 两机接口(