半导体用混合气

1、半导体常见气体的用途1、硅烷（SiH4）:有毒。硅烷在半导体工业中主要用于制作咼纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。2、锗烷（GeH4）:剧毒。金属锗是一种良好的半导体材料，锗烷在电子工业中主要用于化学气相淀积，形成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制造。3、磷烷（PH3）:剧毒。主要用于硅烷外延的掺杂剂，磷扩散的杂质源。同时也用于多晶硅化学气相淀积、外延GaP材料、离子注入工艺、化合物半导体的MOCVD工艺、磷硅玻璃（PSG）钝化膜制备等工艺中

2、。4、砷烷（AsH3）:剧毒。主要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。5、氢化锑（SbH3）:剧毒。用作制造n型硅半导体时的气相掺杂剂。6、乙硼烷（B2H6）:窒息臭味的剧毒气体。硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂，它也曾作为咼能燃料用于火箭和导弹的燃料。7、三氟化硼（BF3）:有毒，极强刺激性。主要用作P型掺杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体。8、三氟化氮（NF3）:毒性较强。主要用于化学气相淀积CVD）装置的清洗。三氟化氮可以单独或与其它气体组合，用作等离子体工艺的蚀刻气体，例如，NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蚀亥山NF3/CC14、NF3/HC

3、1既用于MoSi2的蚀亥U，也用于NbSi2的蚀刻。9、三氟化磷（PF3）:毒性极强。作为气态磷离子注入源。10、四氟化硅（SiF4）:遇水生成腐蚀性极强的氟硅酸。主要用于氮化硅（Si3N4）和硅化钽（TaSi2）的等离子蚀刻、发光二极管P型掺杂、离子注入工艺、外延沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料。11、五氟化磷（PF5）:在潮湿的空气中产生有毒的氟化氢烟雾。用作气态磷离子注入源。12、四氟化碳（CF4）：作为等离子蚀刻工艺中常用的工作气体，是二氧化硅、氮化硅的等离子蚀刻剂。13、六氟乙烷（C2H6）:在等离子工艺中作为二氧化硅和磷硅玻璃的干蚀气体。14、全氟丙烷（C3F8）:在等

4、离子蚀刻工艺中，作为二氧化硅膜、磷硅玻璃膜的蚀刻气体。半导体工业常用的混合气体1、外延（生长）混合气:在半导体工业中，在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的方法，生长一层或多层材料所用的气体叫作外延气体。常用的硅外延气体有二氯二氢硅（）、四氯化硅（）和硅烷等。主要用于外延硅淀积、氧化硅膜淀积、氮化硅膜淀积，太阳能电池和其它光感受器的非晶硅膜淀积等。外延是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。常用外延混合气组成如下表：3i|硅烷（SiH4）氯硅烷（SrCI4二氯二氢硅（SIH2CI2）乙狂烷（Si2H6）:liKL圣Ij%出工.2、化学气相淀积（CVD）用混合气：CVD是利用挥发性化合物，通过

5、气相化学反应淀积某种单质和化合物的一种方法，即应用气相化学反应的一种成膜方法。依据成膜种类，使用的化学气相淀积CVD）气体也不同，以下表是几类化学气相淀积混合气的组成：极的种姜硅烷十舗擬-农耐（SiH2CI2）十缸氮旌烷（SiCrt）+氮硅烷硅烷SiH4）+VI硅烷SiH4）十VU础眾硅烷（SiH4乙硼烷（B2H6蛙烷SiH4+VUttJtN2O）十矚烷穴氟化侶涙忧硼鹫就（PH3）、氯化皤砌烷（AsH3），三氯化那fAsCS巩，：1：4*、的、範入半导体材料内，使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率，以制造电阻、PN结、埋层等。掺杂工艺所用的气体称为掺杂气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五

6、氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体（如氩气和氮气）在源柜中混合，混合后气流连续注入扩散炉内并环绕晶片四周，在晶片表面沉积上掺杂剂，进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。常用掺杂混合气：4、蚀刻混合气：蚀刻就是将基片上无光刻胶掩蔽的加工表面（如金属膜、氧化硅膜等）蚀刻掉，而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来，以便在基片表面上获得所需要的成像图形。蚀刻方法有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法化学蚀刻所用气体称为蚀刻气体。蚀刻气体通常多为氟化物气体（卤化物类），例如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。常用蚀刻气体如下表：H9W粋Ki(Al)钳tMa)VicPtJKBn【si)iW)蛊硅烷SiCI4十孤四氯化SSCCCI4）+（仏3K四氯化嘿tCCWJ+轧骗氯化碳（CCrt）+空二81二氮化碳9C总吃）+掘、四氟化碳（CF4）+氧三弑三氮厶焼C2CI3F3）鼻需皿竄化離CCF4J十i网氟隹嚴（CF4）以春乙烷（C2H6）牢氯四氟代濮（CF4）+W网氟化碳（CF4j*氧其它电子混合气：-6畑YO%Lj.000055畑一SPL9OLOOOe?%SLS0-OOOOSS徒LIg-or1*oooMLRVJg1-!_!-Oft11Tpl*WS*TFSYS-fcVS*jr4*坍*t卄u先百*Vdi-ay：