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文档简介

半导体二极管模拟电子技术 半导体二极管1.1 二极管的结构、类型及特点 1.二极管的结构2.二极管的类型及特点（1）点接触型 （2）面接触型 （3）平面型 1.2 二极管的伏安特性及主要参数1.二极管的伏安特性（1）二极管的伏安特性方程 i为流过PN结的电流 ，IS为流过PN结的反向饱和电流 （2）二极管的伏安特性曲线 正向特性在AB段，,电流近似为0，称为死区。在BC段 ，电流按平方律上升；在CD段，电流近似线性规律迅速上升。 反向特性: 这时只有少数载流子在反向电压作用下的漂移运动形成微弱的反向电流IS，且几乎不随反向电压的增大而增大 。但反向电流IS随温度的变化。反向击穿特性: 当反向电压大于UBR(反向击穿电压)时，反向电流急剧增大，这种现象称为二极管的击穿。（3） 温度对二极管伏安特性的影响 温度上升，二极管的正向特性曲线左移（正向压降减小），反向特性曲线下移（反向电流增大）。 2.二极管的主要参数（1）最大整流电流IFM（2）最高反向工作电压URM（3）反向击穿电压UBR（4）反向电流IR（5）最高工作频率fM1.3 半导体分立器件型号命名方法谢谢观看！模拟电子技术

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