编俄罗斯电子器件对照手册

1、俄型号： 十进制计数器说明 相应国内外产品 型单片TTL中规模半 中国型号 导体集成电路，由四个主从触发器和附加 推荐替换 SG5490A门电路组成，功能为具有清零和置9输入 生产厂家 4435厂端的负沿触发异步十进制计数器。其计数 国外型号 SN5490A (美国)长度可以是2、5、10分频。主要参数 5490A主要参数 (TA=25)额定电源电压5V10%额定电源电压VCC4.55.5V输出低电平电压0.V输出低电平电压VOL0.4V输出高电平电压2.35V输出高电平电压VOH2.4V输入钳位电压-1.5V输入钳位电压VIK-1.5V输入低电平电流(2,3,6,7脚) (14脚) (1脚)

2、-1.6mA-3.2mA-6.4mA输入低电平电流IIL(S9(I),R0(I) (CP1) (CP2)-1.6mA-3.2mA-4.8mA输入高电平电流(2,3,6,7脚) (14脚) (1脚)40A80A160A输入高电平电流IIH(S9(I),R0(I) (CP1) (CP2)40A80A120A最大输入电压时输入电流1mA最大输入电压时输入电流II1mA输出短路电流-20-57mA输出短路电流IOS-20-57mA电源电流46mA电源电流ICC42mA传输延迟时间tPLH(148脚) (2,312脚)100ns100ns传输延迟时间tPLH (CP1Q3) (S9(I)Q0)48ns3

3、0ns传输延迟时间tPHL(148脚) (6,712脚)100ns100ns传输延迟时间tPHL (CP1Q3) (R0(I),S9(I)Q)50ns40ns扇出系数10输出低电平电流IOL输出高电平电流IOH16mA-800A最高工作频率(C1)15MHz最高工作频率fmax (C1Q0)32MHz逻辑图和外引线排列 5490A功能表和外引线排列俄型号： 位二进制计数器说明 相应国内外产品 型单片TTL中规模半 中国型号 导体集成电路，由四个主从触发器和附加 推荐替换 SG5493A门电路组成。可组成二分频计数器和三级 生产厂家 4435厂二进制计数器，具有清零输入端。 国外型号 SN549

4、3A (美国)主要参数 5493A主要参数 (TA=25)额定电源电压5V10%额定电源电压VCC4.55.5V输出低电平电压0.35V输出低电平电压VOL0.4V输出高电平电压2.4V输出高电平电压VOH2.4V输入低电平电流 (2,3) (1，14)-1.6mA-3.2mA输入低电平电流IIL (R0(I) (CP1，CP2)-1.6mA-3.2mA输入高电平电流 (2,3) (1，14)40A80A输入高电平电流IIH (R0(I) (CP1，CP2)40A80A输出短路电流IOS-20-57mA电源电流46mA电源电流ICC39mA传输延迟时间tPLH( 1411) (2,312)13

5、5ns100ns传输延迟时间tPLH (CP1Q3)70ns传输延迟时间tPHL (1411)135ns传输延迟时间tPHL (CP1Q3)70ns扇出系数10输出低电平电流IOL输出高电平电流IOH16mA-800A最高工作频率 (C1)15MHz最高工作频率fmax (CP1Q0) (CP2Q1)32MHz16MHz时钟输入脉冲宽度 (C1)预置输入脉冲宽度50ns50ns输入脉冲宽度tW (CP2) (CP1, R0(I)30ns15ns逻辑图和外引线排列 5493A功能表和外引线排列俄型号： 输入与非门说明 相应国内外产品 型单片TTL小规模半 中国型号 导体集成电路，功能为8输入端与

6、非门。 推荐替换 JT5430 生产厂家 4435厂 国外型号 SN5430 (美国)主要参数 5430主要参数 (TA=25)额定电源电压5V5%额定电源电压VCC4.55.5V输出低电平电压0.4V输出低电平电压VOL0.4V输出高电平电压2.4V输出高电平电压VOH2.4V输入钳位电压-1.5V输入钳位电压VIK-1.5V输入低电平电流-1.6mA输入低电平电流IIL-1.6mA输入高电平电流0.04mA输入高电平电流IIH0.04m A最大输入电压时输入电流1mA最大输入电压时输入电流II1mA输出低电平时电源电流6mA输出低电平时电源电流ICCL6mA输出高电平时电源电流2mA输出高

7、电平时电源电流ICCH2mA输出短路电流-18-55mA输出短路电流IOS-20-55mA传输延迟时间tPLH22ns传输延迟时间tPLH22ns传输延迟时间tPHL15ns传输延迟时间tPHL15ns逻辑图和外引线排列 5430逻辑图和外引线排列俄型号： 四输入与非门说明 相应国内外产品 型单片TTL小规模半 中国型号 导体集成电路，由四个独立的而又完全相 推荐替换 JT5400同的2输入端与非门组成。 生产厂家 4435厂 国外型号 SN5400 (美国)主要参数 5400主要参数 (TA=25)额定电源电压5V5%额定电源电压VCC4.55.5V输出低电平电压0.4V输出低电平电压VOL

8、0.4V输出高电平电压2.4V输出高电平电压VOH2.4V输入钳位电压-1.5V输入钳位电压VIK-1.5V输入低电平电流-1.6mA输入低电平电流IIL-1.6mA输入高电平电流0.04mA输入高电平电流IIH0.04mA最大输入电压时输入电流1mA最大输入电压时输入电流II1mA输出低电平时电源电流22mA输出低电平时电源电流ICCL22mA输出高电平时电源电流8mA输出高电平时电源电流ICCH8mA输出短路电流-18-55mA输出短路电流IOS-20-55mA传输延迟时间tPLH22ns传输延迟时间tPLH22ns传输延迟时间tPHL15ns传输延迟时间tPHL15ns逻辑图和外引线排列

9、 5400逻辑图和外引线排列俄型号： 三输入与非门说明 相应国内外产品 型单片TTL小规模半 中国型号 导体集成电路，由三个独立的而又完全相 推荐替代 JT5410同的3输入端与非门组成。 生产厂家 4435厂 国外型号 SN5410 (美国)主要参数 5410主要参数 (TA=25)额定电源电压5V5%额定电源电压VCC4.55.5V输出低电平电压0.4V输出低电平电压VOL0.4V输出高电平电压2.4V输出高电平电压VOH2.4V输入钳位电压-1.5V输入钳位电压VIK-1.5V输入低电平电流-1.6mA输入低电平电流IIL-1.6mA输入高电平电流0.04mA输入高电平电流IIH0.04

10、mA最大输入电压时输入电流1mA最大输入电压时输入电流II1mA输出低电平时电源电流16.5mA输出低电平时电源电流ICCL16.5mA输出高电平时电源电流6mA输出高电平时电源电流ICCH6mA输出短路电流-18-55mA输出短路电流IOS-20-55mA传输延迟时间tPLH22ns传输延迟时间tPLH22ns传输延迟时间tPHL15ns传输延迟时间tPHL15ns逻辑图和外引线排列* 5410逻辑图和外引线排列*注：俄产品输出脚顺序与5410不同，选用时应注意。俄型号： 双输入与非缓冲器说明 相应国内外产品 型单片TTL小规模半 中国型号 导体集成电路，由两个独立的而又完全相 推荐替换 J

11、T5440同的4输入端与非缓冲器组成。 生产厂家 4435厂 国外型号 SN5440 (美国)主要参数 5440主要参数 (TA=25)额定电源电压5V10%额定电源电压VCC4.55.5V输出低电平电压0.4V输出低电平电压VOL0.4V输出高电平电压2.4V输出高电平电压VOH2.4V输入钳位电压-1.5V输入钳位电压VIK-1.5V输入低电平电流-1.6mA输入低电平电流IIL-1.6mA输入高电平电流0.04mA输入高电平电流IIH0.04mA最大输入电压时输入电流1mA最大输入电压时输入电流II0.1mA输出低电平时电源电流27mA输出低电平时电源电流ICCL27mA输出高电平时电源

12、电流8mA输出高电平时电源电流ICCH8mA输出短路电流-18-70mA输出短路电流IOS-20-70mA传输延迟时间tPLH22ns传输延迟时间tPLH22ns传输延迟时间tPHL15ns传输延迟时间tPHL15ns输出低电平电流IOL48mA输出高电平电流IOH-1.2mA逻辑图和外引线排列 5440逻辑图和外引线排列俄型号： 四输入与非门(OC)说明 相应国内外产品 型单片TTL小规模半 中国型号 导体集成电路，由四个独立的而又完全相 推荐替换 JT5401同的集电极开路输出2输入端与非门组成。 生产厂家 4435厂国外型号 SN5401 (美国)主要参数 5401主要参数 (TA=25

13、)额定电源电压5V5%额定电源电压VCC4.55.5V输出低电平电压0.4V输出低电平电压VOL0.4V输出击穿电压7V输出高电平电压VOH5.5V输入钳位电压-1.5V输入钳位电压VIK-1.5V输入低电平电流-1.6mA输入低电平电流IIL-1.6mA输入高电平电流0.04mA输入高电平电流IIH0.04mA最大输入电压时输入电流1mA最大输入电压时输入电流II1mA输出低电平时电源电流22mA输出低电平时电源电流ICCL22mA输出高电平时电源电流8mA输出高电平时电源电流ICCH8mA输出高电平电流0.25mA输出高电平电流IOH0.25mA传输延迟时间tPLH60ns传输延迟时间tP

14、LH45ns传输延迟时间tPHL18ns传输延迟时间tPHL15ns逻辑图和外引线排列 5401逻辑图和外引线排列俄型号： 双输入与或非门(一门可扩展)说明 相应国内外产品 型单片TTL小规模半 中国型号 导体集成电路,由两个独立的22输入与 推荐替换 JT5450或非门组成，其中一门为可扩展门。 生产厂家 4435厂 国外型号 SN5450 (美国)主要参数 5450主要参数 (TA=25)额定电源电压5V5%额定电源电压VCC4.55.5V输出低电平电压0.4V输出低电平电压VOL0.4V输出高电平电压2.4V输出高电平电压VOH2.4V输入钳位电压-1.5V输入钳位电压VIK-1.5V输

15、出管BE结电压1V输出管BE结电压1.1V输入低电平电流-1.6mA输入低电平电流IIL-1.6mA输入高电平电流0.04mA输入高电平电流IIH40A最大输入电压时输入电流1mA最大输入电压时输入电流II1mA输出低电平时电源电流14mA输出低电平时电源电流ICCL14mA输出高电平时电源电流8mA输出高电平时电源电流ICCH8mA扩展端电流-2.9mA扩展端电流-2.9mA输出短路电流-18-55mA输出短路电流IOS-20-55mA传输延迟时间tPLH22ns传输延迟时间tPLH(扩展端开路)22ns传输延迟时间tPHL15ns传输延迟时间tPHL(扩展端开路)15ns逻辑图和外引线排列

16、 5450逻辑图和外引线排列 7 - GND 14 - Vcc俄型号： 数据锁定JK触发器说明 相应国内外产品 型单片TTL小规模半 中国型号 导体集成电路，功能为带预置端和清除端 推荐替换 JT5472的数据锁定(与门输入)主从JK触发器。 生产厂家 4435厂 国外型号 SN5472 (美国)主要参数 5472主要参数 (TA=25)额定电源电压5V5%额定电源电压VCC4.55.5V输出低电平电压0.4V输出低电平电压VOL0.4V输出高电平电压2.4V输出高电平电压VOH2.4V输入钳位电压-1.5V输入钳位电压VIK-1.5V输入低电平电流-1.6mA输入低电平电流IIL (J,K)

17、 (S,R,CP)-1.6mA-3.2mA输入高电平电流0.04mA输入高电平电流IIH (J,K) (S,R,CP)40A80A最大输入电压时输入电流1mA最大输入电压时输入电流II1mA输出短路电流-18-57mA输出短路电流IOS-20-57mA电源电流20mA电源电流ICC20mA传输延迟时间tPLH (C) (S,R)25ns25ns传输延迟时间tPLH (CP) (S,R)25ns25ns传输延迟时间tPHL (C) (S,R)40ns40ns传输延迟时间tPHL (C) (S,R)40ns40ns逻辑图和外引线排列 5472逻辑图和外引线排列俄型号： 双D触发器(带预置、清除端)

18、说明 相应国内外产品 型单片TTL小规模半 中国型号 导体集成电路，由两个独立的上升沿D触 推荐替换 JT5474发器组成。每个触发器都有两个输出端、 生产厂家 4435厂数据输入端、预置输入端、清除输入端和 国外型号 SN5474 (美国)时钟输入端。主要参数 5474主要参数 (TA=25)额定电源电压5V5%额定电源电压VCC4.55.5V输出低电平电压0.4V输出低电平电压VOL0.4V输出高电平电压2.4V输出高电平电压VOH2.4V输入钳位电压VIK-1.5V输入低电平电流 (2,4,10,12) (1,3,11,13)-1.6mA-3.2mA输入低电平电流IIL (D,S) (R

19、,CP)-1.6mA-3.2mA输入高电平电流 (2,12) (3,4,10,11) (1,13)0.04mA0.08mA0.12mA输入高电平电流IIH (D) (S,CP) (R)40A80A120A最大输入电压时输入电流1mA最大输入电压时输入电流II1mA输出短路电流-18-57mA输出短路电流IOS-20-57mA电源电流30mA电源电流ICC15mA传输延迟时间tPLH 25ns传输延迟时间tPLH25ns传输延迟时间tPHL40ns传输延迟时间tPHL40ns最高工作频率fmax15MHz逻辑图和外引线排列 5474逻辑图和外引线排列俄型号： 位双稳锁存器说明 相应国内外产品 型

20、单片TTL中规模半 中国型号 导体集成电路，功能为4位双稳锁存器。 推荐替换 JT5477适用于运算单元和输入输出单元之间二进 生产厂家 4435厂制数据的暂时存储。 国外型号 SN5477 (美国)主要参数 5477主要参数 (TA=25)额定电源电压5V5%额定电源电压VCC4.55.5V输出低电平电压0.4V输出低电平电压VOL0.4V输出高电平电压2.4V输出高电平电压VOH2.4V输入钳位电压-1.5V输入钳位电压VIK-1.5V输入低电平电流-3.2mA输入低电平电流IIL (D) (EN)-3.2mA-6.4mA输入高电平电流0.08mA输入高电平电流IIH (D) (EN)80

21、A160A最大输入电压时输入电流1mA最大输入电压时输入电流II1mA输出短路电流-20-57mA输出短路电流IOS-20-57mA电源电流46mA电源电流ICC46mA传输延迟时间tPLH (D) (C)30ns30ns传输延迟时间tPLH (D) (EN)30ns30ns传输延迟时间tPHL (D) (C)25ns15ns传输延迟时间tPHL (D) (EN)25ns15ns逻辑图和外引线排列 5477逻辑图和外引线排列俄型号：、 补偿型正电压稳压器说明 相应国内外产品 型单片半导体集成补 中国型号 偿型正电压稳压器，具有短路保护、过载 无对应型号产品。保护和遥控开关电路，输出312V可调

22、， 如果工程需要，国内可研制。负载电流150mA。采用外接分配器调节输 国外型号 MC1460F (美国)出电压。主要参数(TA=25) 参数名称 测试条件 极限值输出电压UI=20V，IO=50mA0.5V最大压降IO=150mA， 对于公共电源4.5VIO=150mA， 对于单独电源2.5V功耗电流UI=20V，UO=12V4mA电压不稳定度UI=20V，UO=12V，IO=50mA K142EH1A K142EH10.3%/V0.1%/V电流不稳定度UI=16.5V，UO=12V K142EH1A K142EH111.1%/A4.4%/A输出电压漂移500小时内，UI=20V，IO=50

23、mA0.5%电压温度系数UI=12V0.01%/工作温度范围-4585外引线排列俄型号：、 补偿型正电压稳压器说明 相应国内外产品 型单片半导体集成补 中国型号 偿型正电压稳压器，具有短路保护、过载 无对应型号产品。保护和遥控开关电路，输出312V可调， 如果工程需要，国内可研制。负载电流150mA。采用外接分配器调节输 国外型号 MC1460 (美国)出电压。主要参数(TA=25) 参数名称 测试条件 极限值输出电压UI=20V，IO=50mA0.5V最大压降IO=150mA， 对于公共电源4.5VIO=150mA， 对于单独电源2.5V功耗电流UI=40V，UO=30V4mA电压不稳定度U

24、I=40V，UO=30V，IO=50mA K142EH2A K142EH20.3%/V0.1%/V电流不稳定度UI=16.5V，UO=12V K142EH2A K142EH211.1%/A4.4%/A输出电压漂移500小时内，UI=40V，IO=50mA0.5%电压温度系数UI=12V0.01%/工作温度范围-4585外引线排列俄型号：、 NPN型晶体管组件说明 相应国内外产品 型单片半导体集成NPN 中国型号 型晶体管组件电路,由五个NPN型晶体管组 无对应型号产品，建议研制。成，采用双极型介质隔离工艺制作。 国外型号 CA3086 (美国)主要参数(TA=25) 参数名称 测试条件 极限值

25、基极发射极饱和压降1V集电极发射极饱和压降0.7V差分对的偏置电压4mV集电极反向电流0.04A平均电流放大倍数 K198HT1A20125 K198HT160250差分对电流离散度15%允许极限工作条件集电极发射极电压20V发射极基极电压5V集电极电流10mA功耗20mW工作温度范围-4585电路图和外引线排列 CA3086外引线排列俄型号： 硅NPN晶体管阵列说明 相应国内外产品 1HT251型为硅NPN外延平面晶体管阵列， 中国型号采用金属陶瓷封装。 推荐替换 1HT251 生产厂家 沈阳飞达半导体厂 国外型号1HT251主要参数(TA=25)参数名称测试条件极限值PCTA-6060TA

26、125400mW100mWPCTA60TA12510W2.5WVCBRREB1k, Tj=-60100REB1k, Tj=15045V22VVEB4VIC400mAICT10s800mAhFEVCE=5V, IC=200mA30150fTVCE=10V, IC=30mA200MHztapcIC=150mA, IB=15mA100nsVCEsatIC=400mA, IB=80mA1VVEBsatIC=400mA, IB=80mA1.5VICBOVCB=45V6AIEBOVEB=4V10ACCVCB=10V15pFCEVEB=050pFRth218/WTj150TA-60125 1HT251封装外

27、形和外引线说明 俄型号： . . 俄型号： . . 俄型号： .俄型号: . . .俄型号: . .俄型号: . . . . . . 俄型号: 双4位二进制同步计数器说明 相应国内外产品 型CMOS单片中规模 中国型号 半导体集成电路,由两个二进制同步计数器 推荐替换 JC4520组成,每个计数器由4级D型触发器组成。 生产厂家 北京半导体器件三厂,771所每个计数器各自有独立的时钟输入端C、 国外型号 CD4520B (美国)使能端V和清除端R。主要参数 (TA=25)参数名称测试条件极限值4520BVDD电源电压315V318VVOL输出低电平电压 VDD10V0.01V0.05VVDD5

28、V0.01V0.05VVOH输出高电平电压VDD10V9.99V9.95VVDD5V4.99V4.95VIDD电源电流VDD10V10A10AVDD5V5A5AIOL输出低电平电流VDD10V0.9mA1.3mAVDD5V0.4mA0.51mAIOH输出高电平电流VDD10V-0.5mA-1.3mAVDD5V，VO=4.6V VO=2.5V-0.51mA-1.6mAtPLH,tPHL传输延迟时间 VDD10V330ns225ns(CRQ)VDD5V700ns650ns(CRQ)II输入电流VDD15V0.5A0.1ACI输入电容7.5pF逻辑图和外引线排列 4520功能表和外引线排列俄型号：

29、.俄型号： 俄型号： 四2输入与非门说明 相应国内外产品 型CMOS单片小规模半 中国型号 导体集成电路,由四个独立的而又完全相同 推荐替换 JC4011的2输入端与非门组成。 生产厂家 北京半导体器件三厂,771所 国外型号 CD4011B (美国)主要参数 (TA=25)参数名称测试条件极限值4011BVDD电源电压315V318VVOL输出低电平电压 VDD10V2.9V0.05VVDD5V0.95V0.05VVOH输出高电平电压VDD10V7.2V9.95VVDD5V4.95VIDD电源电流VDD15V5A1AIOL输出低电平电流VDD10V1.3mA1.3mAVDD5V0.51mA0

30、.51mAIOH输出高电平电流VDD10V-1.3mA-1.3mAVDD5VVO=4.6VVO=2.5V-0.51mA-1.6mA-0.51mA-1.6mAtPLH,tPHL传输延迟时间 VDD10V80ns60nsVDD5V160ns120nsII输入电流VDD15V0.3AVDD18V0.1ACI输入电容11pF7.5pF逻辑图和外引线排列 4011逻辑图和外引线排列俄型号： 三3输入与非门说明 相应国内外产品 型CMOS单片小规模半 中国型号 导体集成电路,由三个独立的而又完全相同 推荐替换 JC4023的3输入端与非门组成。 生产厂家 北京半导体器件三厂,771所 国外型号 CD402

31、3B (美国)主要参数 (TA=25)参数名称测试条件极限值4023BVDD电源电压315V318VVOL输出低电平电压 VDD10V0.01V0.05VVDD5V0.05VVOH输出高电平电压VDD10V9.99V9.95VVDD5V4.95VIDD电源电流VDD15V5A1AIOL输出低电平电流VDD10V0.25mA1.3mAVDD5V0.3mA0.51mAIOH输出高电平电流VDD10V-1.3mA-1.3mAVDD5VVO=4.6VVO=2.5V-0.51mA-1.6mA-0.51mA-1.6mAtPLH,tPLH传输延迟时间 VDD10V125ns120nsVDD5V250nsII

32、输入电流VDD15V0.3AVDD18V0.1ACI输入电容7.5pF逻辑图和外引线排列 4023B逻辑图和外引线排列俄型号： 三3输入或非门说明 相应国内外产品 型CMOS单片小规模 中国型号 半导体集成电路,由三个独立的而又完全相 推荐替换 JC4025同的3输入端或非门组成。 生产厂家 771所,北京半导体器件三厂 国外型号 CD4025B (美国)主要参数 (TA=25)参数名称测试条件极限值4025BVDD电源电压315V318VVOL输出低电平电压 VDD10V2.9V0.05VVDD5V0.05VVOH输出高电平电压VDD10V7.2V9.95VVDD5V4.95VIDD电源电流

33、VDD15V5A1AIOL输出低电平电流VDD10V0.6mA1.3mAVDD5V0.51mAIOH输出高电平电流VDD10V-0.25mA-1.3mAVDD5VVO=4.6V VO=2.5V-0.51mA-1.6mA传输延迟时间 VDD10V tPLH tPHL125ns145ns120nsVDD5V250nsII输入电流VDD15V0.3AVDD18V0.1ACI输入电容7.5pF逻辑图和外引线排列 4025B逻辑图和外引线排列俄型号： 四2输入或非门说明 相应国内外产品 型CMOS单片小规模半 中国型号 导体集成电路,由四个独立的而又完全相同 推荐替换 JC4001的2输入端或非门组成。

34、 生产厂家 771所,北京半导体器件三厂 国外型号 CD4001B (美国)主要参数 (TA=25)参数名称测试条件极限值4001BVDD电源电压315V318VVOL输出低电平电压 VDD10V2.9V0.05VVDD5V0.95V0.05VVOH输出高电平电压VDD10V7.2V9.95VVDD5V4.95VIDD电源电流VDD10V5A0.5AVDD5V0.5A0.25AIOL输出低电平电流VDD10V0.6mA1.3mAVDD5V0.3mA0.51mAIOH输出高电平电流VDD10V-0.3mA-1.3mAVDD5VVO=4.6V VO=2.5V-0.25mA-0.51mA-1.6mA

35、传输延迟时间 VDD10V tPLHtPHL115ns130ns120nsVDD5V tPLHtPHL180ns260ns250nsII输入电流VDD15V0.3AVDD18V0.1A逻辑图和外引线排列 4001B逻辑图和外引线排列俄型号： 双4输入或非门说明 相应国内外产品 型CMOS单片小规模半 中国型号 导体集成电路,由两个独立的而又完全相同 推荐替换 JC4002的4输入端或非门组成。 生产厂家 771所,北京半导体器件三厂 国外型号 CD4002B (美国)主要参数 (TA=25)参数名称测试条件极限值4002BVDD电源电压315V318VVOL输出低电平电压 VDD10V2.9V

36、0.05VVDD5V0.95V0.05VVOH输出高电平电压VDD10V7.2V9.95VVDD5V3.6V4.95VIDD电源电流VDD10V5A0.5AVDD5V0.5A0.25AIOL输出低电平电流VDD10V0.6mA1.3mAVDD5V0.3mA0.51mAIOH输出高电平电流VDD10V-0.3mA-1.3mAVDD5VVO=4.6V VO=2.5V-0.25mA-0.51mA-1.6mA传输延迟时间 VDD10V tPLH tPHL115ns130ns120nsVDD5V tPLHtPHL180ns260ns250nsII输入电流VDD10V0.2AVDD18V0.1A逻辑图和外

37、引线排列 4002B逻辑图和外引线排列俄型号： 六反相缓冲器/电平转换器说明 相应国内外产品 型CMOS单片小规模半 中国型号 导体集成电路,由六个独立的反相缓冲器/ 推荐替代 JC4049电平转换器组成。具有仅用一种电源即可 生产厂家 北京半导体器件三厂,771所 实现逻辑电平转换的特性,适用于CMOS到 国外型号 CD4049B (美国)DTL和TTL的电平转换。主要参数 (TA=25)参数名称测试条件极限值4049BVDD电源电压KKB315V318V318VVOL输出低电平电压 VDD10V2.9V0.05VVDD5V0.95V0.05VVOH输出高电平电压VDD10V7.2V9.95

38、VVDD5V3.6V4.95VIDD电源电流VDD15V2A2.5AVDD18V20A-IOL输出低电平电流VDD10V 8mA8mAVDD5V 2.6mA3.2mAIOH输出高电平电流VDD10V-1.25mA-1.8mAVDD5V VO=4.6V-0.8mA传输延迟时间 VDD10V tPLHtPHL90ns50ns65ns40nsVDD5V tPLHtPHL120ns110ns120ns65nsII输入电流VDD18V0.3A0.1ACI输入电容VDD10V30pF22.5pF逻辑图和外引线排列 4049B逻辑图和外引线排列注：4049采用16线封装，外引线排列与俄产品有差异，选用时需注

39、意。俄型号： 双2选1模拟开关说明 相应国内外产品 型CMOS小规模半导 中国型号 体集成电路，由两个2选1模拟开关组 推荐替代 JB7512,JB303,CM7512,CM303AAK成。其输入与TTL电平兼容。 生产厂家 24所 国外型号 AD7512，HI303 (美国)主要参数 (TA=25)参数名称测试条件极限值CM7512额定电源电压15V5%17V输入低电平时电源电流UU50A5A输入高电平时电源电流UU200A5A模拟I/O端漏电流70nA输入漏电流0.2A通道导通电阻IO1mA75100通道接通时间RL10k,CL40pF 9,16脚RL10k,CL40pF 4,5脚150n

40、s300ns控制输入端电容7pF逻辑图和外引线排列 CM7512和HI303外引线排列 CM7512 HI303俄型号： 12位D/A转换器说明 相应国内外产品 型双极型半导体集成 中国型号 电路,功能为12位D/A转换器,可把12位 无对应型号产品。* 二进制码转换成模拟电流。输入与TTL和 如工程需要，国内可研制。 CMOS电平兼容。 国外型号 AD562(美国)主要参数 (TA=25)参数名称测试条件极限值额定电源电压U1U25V5%-15V5%额定基准电压 10.24V输入低电平电压对TTL0.8V对CMOS0.3V输入高电平电压对TTL2V对CMOS0.7V功耗电流U1U225mA3

41、5mA输入高电平电流0.25A输入低电平电流0.25mA最大输出电流在单极型工作模式下1.82.2mA在双极型工作模式下0.91.1mA输出端漏电流1A输出电流的差分非线性0.024+0.024%输出电流稳定时间3.5s馈通误差2+2mA电路框图和外引线排列 AD562外引线排列注*：国内有类似产品SDA565、DA6012。俄型号： 50708510025503050301.60.615151001002.82.811117080303011.511.51010221001001.52.511俄型号：、 硅PNP高频小功率管说明 相应国内外产品 2T208AM型硅PNP外延平面高频小功 中国

42、型号率晶体管,适用于电子设备中的高频放大、振 无对应型号产品。荡或与NPN管配对的互补电路等。 如果工程需要，国内可研制。国外型号 2N1623 (2T208) 2N1474A (2T208) BC281A (2T208) 2N1256 (2T208) 2N1425 (2T208)2T208主要参数(TA=25) 参数名称测试条件极限值Ptot200mWIC150mAV(BR)CEOT=25125 2T208A，2T208B2T208，2T208K2T208，2T208M20V45V60VV(BR)EBOT=2512520VVCEsatIC=300mA, IB=60mA0.3VVEBsatIC

43、=300mA, IB=60mA1.5VhFEVCE=1V, IC=30mA 2T208A，2T2082T208，2T208M2T208B，2T208K20604012020240ICEOVCE= VCEmax，REB=10K1AIEBOVEB= VEBmax1AfCVCE=5V, IE=5mA5MHzGPVCE=3V, IC=0.2mA, RL=3K,f =1KHz4dBCobVCB=20V35pFTj150Tstg-60125封装外形 2T208外形俄型号：3108 - - - 100 。 - 。- - 。 。 0，5。 。 =1： =+25C，=0，140.50*100*=10： 2310

44、8，23108，3108，3108.50105*15023108,3108.100.210*.300=50：23108，23108，3108,3108.1530*.70*23108,31082030*.70*=, =100,31,2 =+25C =, =100,72,5 =+25C =20, =10： 23108，23108，3108，3108250400*.500* 23108,3108. 300450*.600* =10, =10,f=303550*.250 =5, =1,f=100,R=502,5*3,3*6 =10, =1,=1 23108，23108，3108,3108. 30*.7

45、0*175 =10, =1,=0,5, =275 23108，23108，3108, 310818*.20*35 . . . . 俄型号： 硅NPN高频小功率晶体管说明 相应国内外产品 3DG2846型硅NPN外延平面高频小功 中国型号率晶体管,适用于电子设备中的高频放大、 推荐替代 3DG2846，3DK104B振荡和高速开关电路等。 生产厂家 742厂,970厂,4431厂 国外型号 主要参数(TA=25) 参数名称测试条件3DG2846极限值3DK104B极限值2T3117A参数Ptot800mW700mW 300mWIC800mA400mA 400mAV(BR)CBOIC=100A,

46、IE=0 80VV(BR)CEOIC=100A, IB=0 60VVCEO80V 60VV(BR)EBOIE=100A, IC=05VICBOVCB=50V，IE=050nA1A 5AhFEVCE=5V, IC=150mA4018025180 40200fTVCB=10V, IE=50mA,(fO=100MHz)250MHz150MHz(fO=30MHz)300MHzCobVCB=10V, IE=0,fO =5MHz8pF8pFVCEsatIC=500mA, IB=50mA0.5V0.5V(IC=500mA) 0.5VVEBsatIC=500mA, IB=50mA1.2V1.2VtrIC=50

47、0mA, IB=50mA40nstd IC=500mA, IB=50mA40nstf IC=500mA, IB1= IB2=50mA40nsTj175175150Tstg-55150-55150-60125封装外形 国产替代产品外形 2T3117A外形俄型号：、 硅NPN高频小功率晶体管说明 相应国内外产品 3DG4C型硅NPN外延平面高频小功率 中国型号晶体管,适用于电子设备中的高频放大、振 推荐替代 3DG4C荡和高速开关电路等。 生产厂家 774厂， 选用时应注意外型的差异。 济南半导体所 国外型号主要参数(TA=25) 参数名称测试条件3DG4C 极限值2T312、参数Ptot300m

48、W225mWIC30mA30mAV(BR)CBOIC=100A, IE=040V30VV(BR)CEOIC=100A, IB=030V30VV(BR)EBOIE=100A, IC=04V4VICBOVCB=10V，IE=00.1A(VCB=30V) 1AICEOVCE=10V，IB=00.1AIEBOVEB=1.5V，IC=00.1A(VEB=4V) 10AhFEVCE=10V, IC=10mA30(VCB=2V, IE=20mA, f=501000Hz) 2T213 25100 2T213B 50250fTVCE=10V, IC=10mA,RL=5,f=100MHz200MHz(VCB=10

49、V, IE=5mA) 120MHzVCEsatIC=10mA, IB=1mA0.35V(IC=20mA, IB=2mA) 0.35VVEBsatIC=10mA, IB=1mA1V(IC=20mA, IB=2mA) 1.1VTj175150Tstg-55150-60125封装外形 3DG4C外形 2T312、外形俄型号： . . . . . . . . .俄型号： 硅NPN中功率晶体管说明 相应国内外产品 3DK9H型硅NPN外延平面中功率晶体 中国型号管,适用于电子设备中的高速饱和、非饱和 推荐替代 3DK9H及各种脉冲开关和放大电路。 生产厂家 济南半导体所，742厂 选用时应注意外形及引线

50、排列的差异。 石家庄无线电二厂 国外型号 3DK9H主要参数(TA=25) 参数名称测试条件极限值2T608参数Ptot700mW0.5WIC800mA400mAV(BR)CBOIC=100A100V60VV(BR)CEOIC=1mA80V60VV(BR)EBOIE=100A5V4VICBOVCB=15V0.5A(60V) 10AICEOVCE=15V3AIEBO(4V) 10AVCEsatIC=300mA, IB=30mA0.5V(IC=400mA, IB=80mA) 1VVBEsatIC=300mA, IB=30mA1.2V(IC=400mA, IB=80mA) 2VhFEVCE=5V,

51、IC=300mA30(VCE=5V, IC=200mA) 50160fTVCB=10V, IE=60mA, f=100MHz100MHz(VCB=5V, IE=30mA) 200MHzCobVCB=10V, IE=0, f =5MHz15pF(VCB=10V) 15pFtonIC=300mA, IB=30mA80nstoffIC=300mA, IB1= -IB2=30mA170nsTj175150Tstg-55150-60125封装外形 3DK9H外形 2T608外形俄型号：、 硅NPN高频中功率晶体管说明 相应国内外产品 2N2405型硅NPN高频中功率晶体管， 中国型号适用于电子设备中的开

52、关和高、中频率放 推荐替代 2N2405大电路等。 生产厂家 8231厂，970厂， 选用时应注意外形及引线排列的差异。 哈尔滨晶体管厂 国外型号 2N24052N2405主要参数(TA=25) 参数名称测试条件极限值2T630、参数Ptot1W0.8WIC1A1AV(BR)CEOIC=2mA , IB=090V80VV(BR)EBOIE=1mA，IC=05V7VhFE602T630 401202T630 80240fT50MHz50MHzTj175150Tstg-55150-60125封装外形 2N2405外形 2T630、外形俄型号: . . . . . 俄型号： 硅NPN高频功率晶体管说

53、明 相应国内外产品 3DA100D型硅NPN高频功率晶体管， 中国型号适用于电子设备中的高频功率放大和振荡 推荐替代 3DA100D电路等。 生产厂家 辽宁晶体管厂， 选用时应注意外形的差异。 哈尔滨晶体管厂 国外型号 3DA100D主要参数(TA=25) 参数名称测试条件极限值2T908A参数PtotTC=25100W50WIC10A10AV (BR)CBOIC=1mA, IE=0150V140VV (BR)CEOIC=1mA, IB=0150V100VV (BR)EBOIE=1mA, IC=05VI CEOVCE=20V, IB=01mA(VCE=100V, REB=10) 25mAI C

54、BOVCB=20VI EBOVEB=5V, IC=01mAVCEsatIC=5A, IB=1A0.8V(IC=5A, IB=1 A) 1VhFEVCE=5V,IC=2A15180(VCE=2V,IC=10A) 860fTVCE=10V, IC=2A ,fO=10MHz30120MHzTj175150Tstg-55150-60125封装外形 3DA100D外形* B201C选极外形(F壳) 2I908A外形*注：国产替代产品可作选极封装成三引脚外形，如中图。俄型号： 硅NPN线性高频功率晶体管说明 相应国内外产品 2T921A型硅NPN线性高频功率晶体 中国型号管，适用于电子设备中的线性功率放大

55、电 无对应型号产品。路等。 如果工程需要，国内可研制。 国外型号主要参数(TA=25)参数名称 测试条件极限值PCT=-6575T=125VC=28V, TC=-60100 TC=12512.5W4.2W12.5W4.2WIC3.5AIB1.0AV CERREB10M，T=-65125 T=15565V32VV CEXVBE=1.5V，fO=1.560MHz，T=-65125 T=15580V60VPOVC=27V, fO=60MHz12.5WPO(PEP)VC=27V, fO=30MHz12.5WKPPO=12.5W, fO=60MHz8KPO=12.5W, fO=30MHz-39-30dB

56、hFEVCE=10V,IC=1A10HfEVCE=10V,IC=0.5A, fO=30MHz310.5VCEsatIC=1A, IB=0.2A1.8VVCEO(SUS)IC=100mA32VtonVCE=33V, IC=1A, IB=0.2A2028nstoffVCE=33V, IC=1A, IB1=- IB2=0. 2A60300nstfVCE=33V, IC=1A, IB1=- IB2=0. 2A2430nsRth(jc)6/WTj150Tstg-60125封装外形俄型号：2906 塑封硅二极管矩阵说明 相应国内外产品 2906型塑料封装硅二极管矩阵， 中国型号 由四个外延平面二极管组成整

57、流桥。3、 无对应型号产品。4为输入端，1、2为输出端。 如果工程需要，国内科研制。 国外型号 2906主要参数（AT=25C）参数名测试条件极限值Vrrm75VVrsmt=310s100VVfIf=50mA1VIf=50mA,T=-60C1.2VVrIr=50A100VIrVr=75V2AVr=75Vm,T=-60C75AVf(半臂）If=0.2A2VIf(半臂）Vr=75V0.06AV(br)Ir=5A75VIfT=-6050C200mAT=125C25mAIfmt=10s2At=1ms1ACjVr=5V,f=110MHz20pfTrrVr=5V,Ifp=0.2A,Ir=5mA0.4msT

58、frIfp=2A,If(av)=30mA,td=10s1sf500kHzTop-60125C俄型号：、 硅快恢复整流二极管说明 相应国内外产品 2CZ002和2CZ003 型硅快恢复整流二极 中国型号管，适用于电子设备中的高频整流或快速开 推荐替代 2CZ002/3，FR102/3关电路等。 生产厂家 873厂， 选用时应注意外形的差异。 山东省电子器材厂 国外型号2CZ002/3主要参数(TA=25)参数名称测试条件极限值212、参数VRWM 2CZ002 2CZ003100V200V 2212 100V 2212 200V IF(AV)1A 1AIFSM50A 50AVFMIF=3A1.6

59、5V(IF=1A) 1VIR1VR=100V 2CZ002VR=200V 2CZ0035A5A(VR=100V) 2212 50A(VR=200V) 2212 50AIR2VR=100V,T=55 2CZ002VR=200V,T=55 2CZ00330A30A(VR=100V ,T=125) 2212 2mA(VR=200V ,T=125) 2212 2mAtrrIF=50mA, VR=-10V, RL=750.2s(VR= VRM) 300nsTjM150 140Tstg-55150 -60125封装外形 2CZ002/3和FR102/3塑料封装外形 2212、金属封装外形俄型号： 铝电解电

60、容器说明 相应国内外产品K50-29型铝电解电容器 中国型号用于各种电子设备中。 类似型号 CD101、CD102，CDK101 生产厂家 793厂，4321厂 国外型号外形和尺寸型号外形尺寸号尺寸mmDLK50-2961722278.522273237 主要技术参数名称参数工作电压16V25V63V100V160V标称电容量22F47F100F220F470F10F22F47F100F220F4.7F10F22F47F100F2.2F4.7F10F22F47F1F2.2F4.7F10F电容量允许偏差+50%-20%环境温度范围-6085漏电流15640A损耗角正切值0.10.2型号规格示例型