超净高纯摘要(共14页)

1、霍尼韦尔公司(n s)可为全球半导体行业供应(gngyng)杂质在100ppt（万亿分之一百）以下(yxi)的高纯度湿法电子化学品，如氢氟酸、氢氧化铵、过氧化氢和盐酸等产品，其材料部每年可创出约10 亿美元的收入，公司在美国、中国、韩国、日本、印度和新加坡都经营电子化学品业务。另外，公司最近对其设在新加坡的地区总部投资2500 万美元，以发展其在亚太地区业务，并将重点发展在中国和印度的电子化学品业务通过对新型超净高纯试剂同常规CMOS 酸碱试剂同时进行CMOS 工艺中栅氧化前的清洗实验,从清洗后硅片残留金属量的电感耦合高频等离子体原子发射光谱分析、硅片表面形貌的AFM 分析和MOS 电容测量三

2、个方面进行了应用实验.结果表明,以超净高纯乙腈为主要组分的新型试剂,其清洗效果总体优于常规CMOS 酸碱试剂,可以考虑在半导体器件相应清洗工艺中采用。超净高纯试剂(shj)的主要用途,一是用于基片在涂胶前的湿法清洗(qngx),二是用于在光刻过程(guchng)中的蚀 刻及最终的去胶,三是用于硅片本身制作过程中的清洗。硅圆片在进行工艺加工过程中,常常会被不同的杂质所沾污,这些杂质的沾污将导致IC 的产 率下降大约50%。为了获得高质量、高产率的集成电路芯片,必须将这些沾污物去除干净。氮化硅膜在室温下用氢氟酸或磷酸进行蚀刻。半导体膜蚀刻：主要是指单晶硅和多晶硅的蚀刻,通常采用混合酸蚀刻液进行蚀刻

3、。导体膜蚀刻：在Si 材料集成电路中,金属导线常采用Al、Al-Si 合金膜,湿法蚀刻图形化后Al 和Al-Si 金属膜常采用磷酸蚀刻液进行蚀刻。有机材料蚀刻：主要是指光刻胶在经过显影和图形转移后的去胶。常用的正胶显影液有四甲基氢氧化铵,去胶剂可采用(ciyng)热的过氧化氢-硫酸(li sun)氧化去胶或采用厂家提供的专用(zhunyng)去胶剂或剥离液来去除胶膜。2007 年默克化工技术（上海）有限公司建立了松江基地Ashland亚什兰集团在中国的业务稳步增长，先后成立了四家全资子公司，胜牌（上海）润滑油有限公司、亚什兰（常州）化学有限公司、亚什兰聚酯（昆山）有限公司、常州亚什兰现代化学有

4、限公司，一家合资企业康胜（上海）润滑油有限公司，在北京、上海设立了销售代表处。亚什兰集团对常州和昆山的生产工厂进行扩建和升级，其中在常州的项目2005 年投产。2006 年4 月，西格玛奥德里奇进军中国，并收购了北京舒伯伟化工仪器公司。2008 年在无锡投资建厂，从事高纯度化学品、生化试剂的规模化生产及分装，2009 年中国市场销售额约6.5 亿元。德国默克集团于1995 年开始开拓中国(zhn u)市场，2009 年在中国(zhn u)市场销售额约7 亿元，制药业务(yw)和化工业务分别占6 成和4 成。2009 年国内化学试剂行业的市场规模约为80 亿元，其中排名第一和第二的分别是默克和西

5、格玛奥德里奇；西陇化工排名第三，当年实现营收6.36亿元；国药集团和光华化学分列第四和第五名。超净高纯硫酸占超净高纯试剂的27%-30%。在标准的集成电路制造工艺流程中,涉及晶圆清洗或表面预处理的工艺就超过100 步之多,包括曝光后光刻胶的剥离、灰化残留物的去除、本征氧化物的去除,甚至还有选择性刻蚀超净高纯试剂盐酸占超净高纯试剂的3%-8%。尽管干法工艺不断发展,且在某些应用中具有独特的优势,但是大多数晶圆清洗/表面预处理工艺还是湿法,即使用由多种化学物质组成的混合溶液,包括氢氟酸、盐酸、硫酸、磷酸、双氧水,以及大量用于稀释(xsh)与冲洗的去离子水。苏州晶瑞化学(huxu)有限公司2001.

6、11.29 注册成立，位于(wiy)苏州市吴中经济开发区澄湖东路，是一家生产销售微电子业用超纯化学材料和其他精细化工产品的外资企业。品种包括氢氟酸、过氧化氢、氨水、盐酸、硫酸、硝酸、异丙醇、冰醋酸、混合酸（硅腐蚀液、铝腐蚀液、铬腐蚀液）等。目前主要产品的纯度为，单项金属杂质含量小于10ppb。产品广泛应用于超大规模集成电路和TFT-LCD 面板制造过程及太阳能硅片的蚀刻与清洗。北京化学试剂研究所主要有9 大系列产品：锂电池电解液、锂离子电池电解液、超净高纯试剂、高纯物质、新型扩散源、光刻胶及配套试剂、金属表面处理专用化学品、标准溶液及实验试剂、其他精细化学品.年产3000 吨生产规模。产品针对

7、正极材料分为(fn wi)：钴酸锂用电解液、锰酸锂用电解液、磷酸铁锂用电解液、钴锰镍三元材料用电解液四大(s d)系列。对于每一系列又细分为锂离子动力电池电解液、高倍率放电电解液、高温型电解液、低温(dwn)型电解液及根据不同用户特殊要求专门配制的电解液等多种产品。高纯物质主要包括三氧化二硼、高纯尿素溶液等。高纯三氧化二硼用于半导体材料砷化镓、磷化镓、磷化铟晶体成长的液封剂、半导体材料的掺杂, 剂和制取多种硼化物、氟硼化物。年产3-5 吨。高纯尿素溶液主要用于新型柴油发动机尾气消除剂，使汽车尾气排放达到欧标准，年生产能力达8000吨。新型扩散源主要用于半导体的基区和隔离区的扩散。质量达到进口同

8、类产品水平，根据不同生产线的要求分为三种型号，还可根据用户的要求配置专用型号的扩散源胶液，年生产能力15-20 吨。无锡华晶(器件、双极、上华等)、福州福顺、丹东安顺、北京燕东、绍兴华越、上海贝岭、上海先进、四川二十四所、吉林华微、深圳深爱、汕头华汕、扬州晶来(新)、上海丽正等国内几十家集成电路、半导体器件(qjin)厂家;洛阳(lu yn)MCL、北京有研硅股、浙江(zh jin)海纳、峨眉739、上海晶华等多家硅材料厂;上海贝尔等多家PCB 厂家使用。到目前，中国集成电路产业已经形成了IC 设计、芯片制造、封装测试三业及支撑配套业共同发展的较为完善的产业链格局芯片制造业方面，20 世纪90

9、 年代908 工程（无锡华晶项目）和909 工程（上海华虹NEC 项目）的建成，分别使我国拥有了第一条6 英寸和第一条8 英寸芯片生产线。2004 年中芯国际北京芯片生产线的建成投产则使中国拥有了首条12 英寸芯片生产线。截至到2007 年底，国内已经有集成电路芯片制造企业近50 家，拥有各类集成电路芯片生产线50 条在国内封装测试业的发展上，1995 年之前行业主体一直由无锡华晶（现华润微电子）、华越、首钢NEC 等芯片制造企业内部的封装测试线和江苏长电、南通富士通、天水永红（现华天科技）等国内独立封装测试企业组成Freescale、Intel、ST、Renesas、Spansion、Inf

10、ineon、Sansumg、Fairchild、NS 等众多国际大型半导体企业来华建立(jinl)封装测试基地，国内封装测试(csh)行业的产量和销售额大幅增长，外资企业也开始成为封装测试业行的一支主要力量。目前国内具有一定规模的集成电路封装测试(csh)企业已超过70家，其中年封装量超过10 亿块的企业超过20 家。国内多条8 英寸生产线的建成量产，国内芯片大生产技术的主体已经由5、6 英寸，0.5 微米以上工艺水平过渡至8 英寸，0.25 微米0.18 微米，中芯国际（北京）、中芯国际（上海）以及海力士-意法无锡12 寸芯片厂的相继投产标志着国内芯片大生产技术的最高水平已经达到12 英寸、

11、90 纳米乃至65 纳米的国际先进水平传统封装形式：如DIP、SOP、QFP 等都已大批量生产，同时随着跨国公司来华投资设厂和现有封装企业的改造升级，PGA、BGA、MCM 等新型封装形式已开始形成规模生产能力。“龙芯”等为代表(dibio)的国产CPU、中国华大、大唐微电子等开发的第二代身份证卡芯片、中星(zhn xn)微电子的“星光”系列音视频解码芯片、展讯通信的GSM/GPRS 基带处理(chl)芯片和TD-SCDMA 手机核心芯片等大量国内具有自主知识产权的产品研制成功并投向市场，标志着国内集成电路设计业的设计水平已经开始步入世界先进行列中芯国际（上海、北京）、宏力半导体（上海）、和舰

12、科技（苏州）、台积电（上海）等多个大型芯片制造项目，和包括Infineon（苏州）、NS（苏州）、Fairchild（苏州）、Intel（成都）等一大批封装测试项目相继开工建设并陆续投产中国集成电路行业出现第一家上市公司上海贝岭股份有限公司。已有杭州士兰、长电科技等多家集成电路企业在国内上市珠海炬力、中星微、展讯通信等多家企业在海外成功上市中国集成电路产业结构不断趋于合理，IC 设计、制造、封装测试三业开始接近于“3:4:4”的合理比重，芯片封装悄然从长江三角洲地区向西部转移，成都、西安以及甘肃的芯片封装渐成气候，开始与东部沿海地区的设计、制造形成错位(cu wi)互补的发展态势。士兰微电子3

13、 年投入(tur)8 亿元研发高频高压器件(qjin)工艺，在LED 显示屏的研制中取得重要进展；北京君正充分发挥自主知识产权CPU 核Xbust 的潜能，北京创毅视讯抓住CMMB 标准带来的机会，新一代产品已研发成功，预计2010 年两个企业的销售额均可望有2 倍到4 倍的提升；锐迪科微电子打破阻碍中国通信产业发展的瓶颈，可以提供 TD-SCDMA、GSM/GPRS 等全系列移动通信核心射频芯片。“高密度集成电路封装技术国家工程实验室”，由长电科技与中国科学院微电子研究所、中国科学院深圳先进技术研究院、清华大学等5 家单位联合实施。中电科技中国电子和华润集团都已经参与到相关整合中，对集成电路

14、行业的整合有很好的推动作用。例如，晶门科技业绩在近几年出现下滑，原因是其业务的60%来自摩托罗拉手机京东方和CEC 合作，而且CEC 成为拥有29%股份的股东，这一合作立刻吸引了很多新的订单。与此同时，士兰、比亚迪、贝岭、华为、中兴通讯、海尔、京东方、长虹等整机企业积极与设计企业相结合，有可能打造出新型的IDM。展讯通信(tng xn)有限公司7 月30 日宣布(xunb)，其首款WCDMA 基带芯片(xn pin)-SC7701B 已实现大规模量产格科微电子同比增长51%;联芯科技同比激增92%。昂宝电子、盈方电子等一批新锐企业在国际国内市场份额中也名列前茅。以张江高科技园区为例，集成电路产

15、业已占上海50%、全国15%，占全球1.5%，并形成了从芯片设计、制造、测试、封装等完整的产业链条。作为集成电路产业最高端科技体现的芯片设计方面，全国前三位芯片设计公司均落户在张江，带动全国的集成电路产业向前跨越。与北京工业投资公司和中芯国际签订合作协议，共同出资在北京建设45-28 纳米晶圆工艺、月产3.5 万片12 英寸集成电路生产线。如此高技术水平和高产能的生产线，在国内尚属首条。五年内带动(didng) 15 家相关(xinggun)企业落户光谷武汉集成电路(jchng-dinl)产业再添新军。5 月21 日，新思科技武汉全球研发中心揭牌，其将为全球开发领先的知识产权产品，并带动我市芯

16、片设计产业集群式发展。武汉半导体产业促进恳谈会同日举行，中芯国际、台积电、海思半导体等十多家企业云集现场。2012 年，武汉市电子信息产业产值超过2000 亿元，东湖高新区已聚集芯片设计、制造企业50 余家，其中芯片设计企业30 余家，从业人员2000 余人。武汉已决心打造继北京、上海之后的半导体产业“第三极”，竭尽全力为企业提供发展空间海思半导体来自全志科技的最新四核平板平台，也可以了解集创北方的最新incell 触控方案，可以了解格科微的CMOS 传感器方案，可以了解龙芯的最新多核嵌入式方案以及来自华力微、华芯的最新产品电子创新网CEO 张国斌就发表创客如何改变世界的演讲，而深圳中微电科市

17、场总监费浙平将发表系统公司应用创新的若干思考，此外，半导体业界知名的风投企业华登国际总经理黄庆都将发表主题为中国高科技产业创新创业与投资(tu z)的精彩演讲。英特尔、台积电、三星电子分别入股(r )全球最大的光刻机厂商ASML，共同(gngtng)研发18 英寸生产线关键设备及技术。英特尔、三星电子、台积电等7 家半导体企业大规模生产0.090.2m 技术用的超净高纯试剂，其中的过氧化氢、硫酸、异丙醇等主要品种一般在500010000 吨/年的规模，65nm 及以下技术用工艺化学品也已完成技术研究，具备相应的生产能力。离子液体是近年来兴起并被广泛关注的新型绿色试剂，是当今绿色化学和纳米化学的前沿。仪器的发展对试剂的检测及鉴定具有意义重大。超净高纯试剂的应用超净高纯试剂是集成电路和分立器件制作过程中的关键性基础材料,其性能和质量直接影响芯片几何图形的能否实现,因此可以说这些材料是直接制约微电子技术发展的最为关键的材料集成电路前工序(gngx)生产所用的微电子化工材料约占集成电路材料总成本的15%左右(zuyu),其中(qzhng)超净高纯试剂约占5%。图表：2012-2013 年我国超净高纯试剂市场规模统计表年份 2012 年 2013 年市场规模 13.2% 16.1%图表：2012-2013 年我国超净高纯