第14章-半导体器件

1、下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录14.1 半导体的导电特性半导体的导电特性下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录共价健共价健价电子价电子下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录价电子价电子空穴空穴下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录p+多余多余电子电子磷原子磷原子在常温下即可变在常温下即可变为自由电子为自由电子失去一个失去一个电

2、子变为电子变为正离子正离子下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录B硼原子硼原子空穴空穴下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录多子的扩散运动多子的扩散运动内电场内电场少子的漂移运动少子的漂移运动浓度差浓度差空间电荷区也称空间电荷区也称 PN 结结 +形成空间电荷区形成空间电荷区 扩散的结果使空扩散的结果使空间电荷区变宽。间电荷区变宽。下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 P接正、接正、N接负接负 PN 结变窄结变窄外电场外电场IF内电场内电场PN+下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录+下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录

3、IR+下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录跳转跳转下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录反向击穿反向击穿电压电压U(BR)反向特性反向特性PN+PN+下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 检波检波就是将低频信号从已调制信号就是将低频信号从已调制信号(高频信号高频信号)中中取出。电路及信号波形如图所示。取出。电路及信号波形如图所示。a 在电视、广

4、播及通信中，为使图像、声音能远距在电视、广播及通信中，为使图像、声音能远距离传送，需要将这一低频电信号驮载在高频信号上，离传送，需要将这一低频电信号驮载在高频信号上，这个过程叫调制。这个过程叫调制。下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 检波检波就是将低频信号从已调制信号就是将低频信号从已调制信号(高频信号高频信号)中中取出。电路及信号波形如图所示。取出。电路及信号波形如图所示。 输入输入信号为已调制信号，由电视机、收音机接收后，信号为已调制信号，由电视机、收音机接收后，由检波二极管由检波二极管 D 将已调制信号的负半周去掉，然后利将已调制信号的负半周去掉，然后利用电容将高频信号

5、滤去用电容将高频信号滤去, 留下低频信号留下低频信号, 再经放大电路再经放大电路放大，送给负载显像管或扬声器，还原成图像或声音。放大，送给负载显像管或扬声器，还原成图像或声音。下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录定性分析：定性分析：判断二极管的工作状态判断二极管的工作状态导通导通截止截止设二极管是理想的，设二极管是理想的，下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录例例1：下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录例例2:mA43122D I下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录V sin18i

6、tu 下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录UZIZIZM UZ IZO + 稳定电压稳定电压UZ下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录ZZZ IUr 下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录EBRB下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录晶体管电流放大的实验电路晶体管电流放大的实验电路

7、 下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录符合基尔霍夫定律符合基尔霍夫定律下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录IEIBEICEICBO下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录ICIBBCCBOBCBOCBECEIIIIIIII CEOBCBOBC)(1 IIIII BC CEO III ，有有忽忽略略BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 即晶体管各电极电压与电流的关系曲线，是晶即晶体管各电极电压与电流的关系曲线，是晶体管内部载流子运动的外部

8、表现，反映了晶体管的体管内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能性能, ,是分析放大电路的依据。是分析放大电路的依据。 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录输入回路输入回路输出回路输出回路下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录常常数数 CE)(BEBUUfI3DG100晶体管的晶体管的输入特性曲线输入特性曲线下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录常常数数 B)(CECIUfI 共发射极电路共发射极电路3DG100晶体管的输出特性曲线晶体管的输出特性曲线 在不同的在

9、不同的 IB下，可得出不同的曲线，所以晶体管下，可得出不同的曲线，所以晶体管的的输出特性曲线输出特性曲线是一组曲线。是一组曲线。下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录常常数数 B)(CECIUfI 晶体管有三种工作状态，因而晶体管有三种工作状态，因而输出特性曲线输出特性曲线分为分为三个工作区三个工作区3DG100晶体管的输出特性曲线晶体管的输出特性曲线对对 NPN 型管：型管： UBE 约为约为 0.7V左右，左右， UCE UBE。2.31.5下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录IB = 0 的曲线以下的区域称为截止区。的曲线以下的区域称为截止区。IB = 0

10、时时, IC = ICEO( (很小很小) ) 若忽略若忽略ICEO： IC 0, UCE UCC对于硅管对于硅管, ICEO 0 ICIB+UCE UBC 0+(b)截止截止IC 0 IB = 0+ UCE UCC UBC 0 IB+ UCE 0 UBC 0+CCCCRUI 当晶体管饱和时，当晶体管饱和时，UCE 0，发射极与集电极之，发射极与集电极之间如同一个开关的接通，其间电阻很小；当晶体管间如同一个开关的接通，其间电阻很小；当晶体管截止时，截止时，IC 0 ，发射极与集电极之间如同一个开关，发射极与集电极之间如同一个开关的断开，其间电阻很大，可见，的断开，其间电阻很大，可见，晶体管除了

11、有放大晶体管除了有放大作用外，还有开关作用。作用外，还有开关作用。下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 0 0.1 0.5 0.1 0.6 0.7 0.2 0.3 0.3 0.1 0.7 0.3硅管硅管( (NPN) )锗管锗管( (PNP) ) 可靠截止可靠截止开始截止开始截止 UBE/V UBE/VUCE/V UBE/V 截截 止止 放大放大 饱和饱和 工工 作作 状状 态态 管管 型型晶体管结电压的典型值晶体管结电压的典型值下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 例例1: 在下图电路中，在下图电路中，UCC = 6V，RC = 3k ，RB = 10k ,

12、= 25，当输入电压，当输入电压 Ui 分别为分别为 3V，1V和和 1V时，试问晶时，试问晶体管处于何种工作状态？体管处于何种工作状态？ 解解:Am2A10363 CCCCRUI晶体管饱和时的集电极电流近似为晶体管饱和时的集电极电流近似为 Am08. 0mA252 CBII晶体管刚饱和时的基极电流为晶体管刚饱和时的基极电流为 (1) 当当Ui= 3V时，时， B3BBEiBAm23. 0A10107 . 03IRUUI 晶体管已处于深度饱和状态。晶体管已处于深度饱和状态。 下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录例例1: 在下图电路中，在下图电路中，UCC = 6V，RC = 3

13、k ， RB = 10k ， = 25，当输入电压，当输入电压 Ui 分别为分别为 3V，1V和和 1V时，试问晶时，试问晶体管处于何种工作状态？体管处于何种工作状态？ 解解:Am2A10363CCCC RUI晶体管饱和时的集电极电流近似为晶体管饱和时的集电极电流近似为 Am08. 0mA252CB II晶体管刚饱和时的基极电流为晶体管刚饱和时的基极电流为 (2) 当当Ui= 1V时，时， B3BBEiBAm03. 0A10107 . 01IRUUI 晶体管处于放大状态。晶体管处于放大状态。 (3) 当当Ui= - 1V时，时，晶体管可靠截止。晶体管可靠截止。 下一页下一页返回返回上一页上一页

14、退出退出章目录章目录1. 电流放大系数电流放大系数， 直流电流放大系数直流电流放大系数BCII_ BCII 交流电流放大系数交流电流放大系数当晶体管接成发射极电路时，当晶体管接成发射极电路时，注意：注意： 和和 的含义不同，但在特性曲线近于平行等的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的常用晶体管的 值在值在20 200之间。之间。 由于晶体管的输出特性曲线是非线性的，只有由于晶体管的输出特性曲线是非线性的，只有在特性曲线的近于水平部分，在特性曲线的近于水平部分，IC随随IB成正比变化成正比变化, 值才可认为是

15、基本恒定的。值才可认为是基本恒定的。 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录例：例：在在UCE= 6 V时，在时，在 Q1 点点 IB = 40 A, IC = 1.5mA； 在在 Q2 点点 IB = 60 A, IC = 2.3mA。53704051BC.II 400400605132BC .II 在以后的计算中，一般作近似处理：在以后的计算中，一般作近似处理： = = 。 在在 Q1 点，有点，有由由 Q1 和和Q2点，得点，得下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录ICBO AICEOIB= 0+ A+EC下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返