第3章 §31 光电信息转换器件

1、四种光电效应四种光电效应： 1外光电效应外光电效应。在入射光能量作用下，某些物体内。在入射光能量作用下，某些物体内的电子逸出物体表面，向外发射电子。相应器件：的电子逸出物体表面，向外发射电子。相应器件：光电光电倍增管倍增管等。等。第三章第三章 光电信息转换器件光电信息转换器件2光电导效应光电导效应。光作用下，半导体材料中的电子受。光作用下，半导体材料中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子的激发，将由价带越到能量大于或等于禁带宽度的光子的激发，将由价带越过禁带跃迁到导带，从而使导带中电子浓度加大，材料过禁带跃迁到导带，从而使导带中电子浓度加大，材料的电阻率减小。相应器件：的电阻率减小。相应器件

2、：光敏电阻光敏电阻等。等。3光伏效应光伏效应。在入射光能量作用下能使物体。在入射光能量作用下能使物体产生一定方向的电动势。以产生一定方向的电动势。以PN结为例，由于光结为例，由于光线照射线照射PN结而产生的电子和空穴，在内电场作结而产生的电子和空穴，在内电场作用下分别移向用下分别移向N和和P区，从而对外形成光生电动区，从而对外形成光生电动势。相应器件：势。相应器件：光电池、光敏二极管、光敏三极光电池、光敏二极管、光敏三极管管等。等。 4光电热效应光电热效应。光照引起材料温度发生变化。光照引起材料温度发生变化而产生电流的现象。相应器件：而产生电流的现象。相应器件： 热电探测器热电探测器。光电信息

3、转换器件的主要特性和参数如下：光电信息转换器件的主要特性和参数如下：1光电特性光电特性 I 光电流光电流F（）光通量光通量2光谱特性光谱特性 I 光电流光电流F（）入射光波长入射光波长3伏安特性伏安特性 I 光电流光电流F（）（）电压电压4频率特性频率特性 I 光电流光电流F（f）入射光调制频率入射光调制频率 导致电子瓶颈的主要原因导致电子瓶颈的主要原因5暗电流暗电流 0时光电信息转换器件输出的电流，时光电信息转换器件输出的电流， 有时称为有时称为I=06 灵敏度灵敏度 对于复色光对于复色光: S(积分灵敏度积分灵敏度) =I / 对于单色光对于单色光: S（）(光谱灵敏度光谱灵敏度)I（）/

4、（）3.1 光电信息转换器件光电信息转换器件光电倍增管由光窗、光电阴极、电子光学系统、光电倍增管由光窗、光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统和阳极等五个主要部分组成，其外形如电子倍增系统和阳极等五个主要部分组成，其外形如图图3.1.1-1所示。所示。侧窗式侧窗式端窗式端窗式一、结构与原理一、结构与原理3.1.1 光电倍增管光电倍增管1D2D3D4DAK倍增极倍增极阳极阳极原理图原理图图图3.1.1-2 多级倍增管的工作原理多级倍增管的工作原理1光窗光窗光窗是入射光的光窗是入射光的通道通道，是对光吸收较多的部分。常用，是对光吸收较多的部分。常用的光窗材料有钠钙玻璃和熔凝石英等。的光窗材料有钠钙玻

5、璃和熔凝石英等。2光电阴极光电阴极它的作用是接收入射光，向外它的作用是接收入射光，向外发射光电子发射光电子。制作光电。制作光电阴极的材料多是化合物半导体。阴极的材料多是化合物半导体。3电子光学系统电子光学系统任务：（任务：（1）使前一级发射出来的电子尽可能没有散）使前一级发射出来的电子尽可能没有散失地落到下一个倍增极上，使下一级的失地落到下一个倍增极上，使下一级的收集率接近于收集率接近于1；（2）使前一级各部分发射出来的电子，落到后一级上时）使前一级各部分发射出来的电子，落到后一级上时所经历的所经历的时间尽可能相同时间尽可能相同。4倍增系统倍增系统0nIi每个倍增极由二次电子倍增材料构成。光电

6、倍每个倍增极由二次电子倍增材料构成。光电倍增管是利用增管是利用二次电子发射二次电子发射（高速电子打到金属表面（高速电子打到金属表面，由于电子的动能被金属吸收，改变了金属原子内，由于电子的动能被金属吸收，改变了金属原子内电子能量的状态，使有些电子从金属表面逸出）现电子能量的状态，使有些电子从金属表面逸出）现象制成的。象制成的。如果每个电子落到某一倍增极上从该倍增极打如果每个电子落到某一倍增极上从该倍增极打出出个二次电子，那么很明显地：个二次电子，那么很明显地：式中，式中， I 阳极电流；阳极电流； i0 光阴极发出的光电流；光阴极发出的光电流； n 光电倍增极的级数。光电倍增极的级数。光电倍增管

7、的电流放大系数光电倍增管的电流放大系数可用下式表示：可用下式表示：0nIi5. 阳极阳极用来用来收集末级倍增极发射出来的电子收集末级倍增极发射出来的电子。现在普。现在普遍采用金属网来作阳极，靠近末级倍增极附近。遍采用金属网来作阳极，靠近末级倍增极附近。 倍增系统有倍增系统有聚焦型聚焦型和和非聚焦型非聚焦型两类（根据两极间两类（根据两极间的电子运动轨迹是否平行分类）。的电子运动轨迹是否平行分类）。 二、光电倍增管的特性二、光电倍增管的特性1光电特性光电特性2光谱特性光谱特性 3伏安特性伏安特性 4放大特性放大特性 5频率特性频率特性 （可达（可达1MHZ以上）以上） 6疲乏特性疲乏特性 7暗电流

8、暗电流 I= 01光电特性光电特性 RL AD4 D3D2D1 KR5R4 R3R2R1 +- 特点：线性增加，然后偏离直线。特点：线性增加，然后偏离直线。 2光谱特性光谱特性( (图所示的光电阴极：锑钾铯图所示的光电阴极：锑钾铯SbSb-K-Cs-K-Cs）。）。 RL AD4 D3D2D1 KR5R4 R3R2R1 +-表示阳极电流表示阳极电流 Ia 对于最对于最后一级倍增极和阳极间的电后一级倍增极和阳极间的电压压U的关系。作此曲线时，的关系。作此曲线时，其余各电极的电压保持恒定。其余各电极的电压保持恒定。特点：特点： （1）光通量不变，曲线）光通量不变，曲线由上升至饱和。由上升至饱和。

9、（2）电压）电压不变，阳极电不变，阳极电流随光通量增加流随光通量增加3伏安特性伏安特性 放大特性是指电放大特性是指电流放大系数流放大系数或灵敏或灵敏度随电源电压度随电源电压U增大增大的关系。的关系。4放大特性放大特性5. 频率特性（可达频率特性（可达1MHZ以上）以上）特点：特点： 随着电源电压升高，放随着电源电压升高，放大系数或灵敏度增大。大系数或灵敏度增大。 疲劳指在工作过疲劳指在工作过程中灵敏度降低。程中灵敏度降低。6疲劳特性疲劳特性特点：特点： 随阳极电流的增大，灵敏度下降随阳极电流的增大，灵敏度下降 随使用时间的增长，灵敏度下降随使用时间的增长，灵敏度下降 RL AD4 D3D2D1

10、 KR5R4 R3R2R1 +- 1-20分钟；分钟； 2-40分钟分钟 阳极电流对灵敏度的影响示意图阳极电流对灵敏度的影响示意图暗电流暗电流I=0的来源：光的来源：光电阴极和光电倍增极的电阴极和光电倍增极的热电热电子发射子发射。温度。温度T越高，热电越高，热电子发射越多，则暗电流越大子发射越多，则暗电流越大。如果需要较小的暗电流，。如果需要较小的暗电流，可通过冷却光电倍增管来减可通过冷却光电倍增管来减小暗电流。暗电流的另一组小暗电流。暗电流的另一组成部分是光电倍增管的成部分是光电倍增管的漏电漏电流流。7暗电流暗电流三、光电倍增管的供电电路三、光电倍增管的供电电路 1电阻链分压型供电电路电阻链

11、分压型供电电路 光电倍增管具有极高的灵敏度和快速响应等特点，光电倍增管具有极高的灵敏度和快速响应等特点，使它在光谱探测和极微弱快速光信息的探测等方面成为使它在光谱探测和极微弱快速光信息的探测等方面成为首选的光电探测器。首选的光电探测器。 图图3.1.1-6所示为典型光电倍增管的电阻分压式供所示为典型光电倍增管的电阻分压式供电电路。电路由电电路。电路由11个电阻构成电阻链分压器，分别向个电阻构成电阻链分压器，分别向10级倍增极提供电压级倍增极提供电压UDD。 当入射辐射信号为高速的当入射辐射信号为高速的迅变信号或脉冲迅变信号或脉冲时，末时，末3级倍级倍增极电流变化会引起较大增极电流变化会引起较大

12、UDD的变化的变化，引起光电倍增管增益，引起光电倍增管增益的的起伏起伏，将破坏信息的变换。在末，将破坏信息的变换。在末3极并联极并联3个电容个电容C1、C2与与C3，通过电容的充放电过程使末，通过电容的充放电过程使末3级电压稳定。级电压稳定。2 2末极的并联电容末极的并联电容五、分析与计算五、分析与计算1.1.分压电阻的确定分压电阻的确定总电压总电压U UAKAK在在1000100013001300伏之间，伏之间，倍增极间电压在倍增极间电压在8080100100伏之间。伏之间。max)2010(ARIIAKAKRURIR R1 1与末几极与末几极R R应取较大数值，中间电阻可均匀分配。应取较大

13、数值，中间电阻可均匀分配。2.2.并联电容的确定并联电容的确定 光电倍增管用于探测高速的迅变信号或脉冲光电倍增管用于探测高速的迅变信号或脉冲时，常在最后几级并联旁路电容时，常在最后几级并联旁路电容C1C1、C2C2、C3C3（使（使末末3 3级电压稳定级电压稳定, ,要求极间电压变化小于要求极间电压变化小于1 1 ）。）。UtICA1001C C2 2、C C3 3的电容值，大概为的电容值，大概为C C1 1的的1/1/、1/1/2 2，约为，约为0.0020.0020.005F0.005F。 3.3.高压电源高压电源一般配有专用高压直流电源，一般配有专用高压直流电源，电源模块内部有保护电路。

14、电源模块内部有保护电路。4.4.接地方式接地方式阴极接地（正高压接法阴极接地（正高压接法 ）：输入光脉冲时用）：输入光脉冲时用; ; 阳极接地（负高压接法）：一般采用此阳极接地（负高压接法）：一般采用此方式方式, ,便于与后面的放大器相连便于与后面的放大器相连, ,操作安全。操作安全。 一、结构与原理一、结构与原理3.1.2 光敏电阻光敏电阻利用光电导效应制成。当入射光子使电子由价带跃升到利用光电导效应制成。当入射光子使电子由价带跃升到导带时，导带中的电阻和价带中的空穴二者均参与导电，因导带时，导带中的电阻和价带中的空穴二者均参与导电，因此电阻显著减小，称为光敏电阻。此电阻显著减小，称为光敏电

15、阻。光敏电阻光敏电阻结构结构：在一块匀质的光电导体两端加上电极。：在一块匀质的光电导体两端加上电极。光敏电阻有以下光敏电阻有以下优点优点：1光谱响应相当宽。光谱响应相当宽。2所测的光强范围宽，既可对强光响应，也可对弱光响应。所测的光强范围宽，既可对强光响应，也可对弱光响应。3无极性之分，使用方便，成本低，寿命长。无极性之分，使用方便，成本低，寿命长。4灵敏度高，工作电流大，可达数毫安。灵敏度高，工作电流大，可达数毫安。光敏电阻的不足：光敏电阻的不足： 强光照射下线性较差，频率特性也较差。强光照射下线性较差，频率特性也较差。光电导体光电导体光照光照电极电极二、特性二、特性2光谱特性光谱特性1光照

16、特性光照特性有以下关系式：有以下关系式：式中：式中：I 通过光敏电阻的电流；通过光敏电阻的电流；U 加于光敏电阻的电压；加于光敏电阻的电压；L 光敏电阻上的照度；光敏电阻上的照度； K 比例系数；比例系数；a 电压指数，一般近于电压指数，一般近于1；b 照度指数。照度指数。baLKUI 光谱特性与所用的材料和工艺（随薄层的减薄光谱峰值移向短光谱特性与所用的材料和工艺（随薄层的减薄光谱峰值移向短波方向）过程有关。波方向）过程有关。光谱特性光谱特性1 1硫化镉单晶硫化镉单晶2 2硫化镉多晶硫化镉多晶3 3硒化镉单晶硒化镉单晶4 4硫化镉与硒化镉硫化镉与硒化镉 混合多晶混合多晶 对红外光对红外光灵敏

17、的灵敏的 光敏电阻光敏电阻 对可见光灵敏对可见光灵敏的光敏电阻的光敏电阻 3伏安特性伏安特性 因伏安特性成线性，光敏电阻除用积分灵敏度外，用比灵敏因伏安特性成线性，光敏电阻除用积分灵敏度外，用比灵敏度也很方便。度也很方便。Sb（比灵敏度比灵敏度）I /（U）（比灵敏度乘以电压为积分灵敏度）（比灵敏度乘以电压为积分灵敏度）式中式中 I 光敏电阻被照射时和黑暗时的电流差；光敏电阻被照射时和黑暗时的电流差； U 光敏电阻上所加的电压；光敏电阻上所加的电压； 照射于光敏电阻上的光通量。照射于光敏电阻上的光通量。 在一定光照下，光电流与所加电压的关系为伏安特性。图为在一定光照下，光电流与所加电压的关系为

18、伏安特性。图为照度为照度为0和某值时的伏安特性。和某值时的伏安特性。4频率特性频率特性导致电子瓶颈的主要原因导致电子瓶颈的主要原因光敏电阻的频率特性较差，这是因为光敏电阻的导光敏电阻的频率特性较差，这是因为光敏电阻的导电性与被俘获的载流子有关，由于光强的变化，俘获和电性与被俘获的载流子有关，由于光强的变化，俘获和释放载流子都需要时间。释放载流子都需要时间。5疲乏特性疲乏特性初制时不稳定，经人为光照老化后，性能可达到稳定初制时不稳定，经人为光照老化后，性能可达到稳定。光敏电阻的使用寿命，在密封良好，使用合理的情况下。光敏电阻的使用寿命，在密封良好，使用合理的情况下，几乎是无限长的。，几乎是无限长

19、的。6温度特性温度特性光敏电阻与其它半导体器件一样，性质受温度的影响光敏电阻与其它半导体器件一样，性质受温度的影响较大。随着温度的升高灵敏度要下降。较大。随着温度的升高灵敏度要下降。7暗电阻和暗电流暗电阻和暗电流暗阻与亮阻相差越大，灵敏度越高，随着温度的升高，暗阻与亮阻相差越大，灵敏度越高，随着温度的升高，暗电阻下降。暗电阻下降。三、电路三、电路在入射光通量变化范围一定的在入射光通量变化范围一定的情况下，为了使输出电压情况下，为了使输出电压Vo变化范变化范围最大，一般取围最大，一般取 RL = RG 当入射光通量当入射光通量连续变化时，连续变化时，RG为光敏电阻变化的中间值，即为光敏电阻变化的

20、中间值，即2minmaxGGGRRR当入射光通量当入射光通量跳跃变化时，跳跃变化时，minmaxGGGRRR证明：当入射光通量跳跃变化时，证明：当入射光通量跳跃变化时， RG(RG max RG min )1/2证明：设两个光强时的光敏电阻值分别为证明：设两个光强时的光敏电阻值分别为RG max和和RG min则两个状态下的电流差为：则两个状态下的电流差为：)(maxminminmaxmaxmin21GLGLGGGLGLRRRRRRERRERREII则两种状态下光敏电阻的输出电压之差为：则两种状态下光敏电阻的输出电压之差为：要求两个工作状态的电压差最大，则要求：要求两个工作状态的电压差最大，则

21、要求：)()()(VVmaxminmaxmin212o1oGLGLGGLLLRRRRRRERRIERIE21minmax21)(0GGGLLooRRRRdR)Vd(V证明：证明：E（4P max RL）1/2 证明：光敏电阻上的电压为证明：光敏电阻上的电压为UEI RLEQQ1Q2Q3UIIL2L1Pmax图中画出了图中画出了Pmax曲线、以及分别对应于不同负载电阻的三条负载曲线、以及分别对应于不同负载电阻的三条负载线线EQ1、EQ2、EQ3对于工作点对于工作点Q来说，其电流与电压的关系为：来说，其电流与电压的关系为：LRUEI/ )(而而Q又在又在Pmax曲线上，即曲线上，即U = Pmax

22、 / I有：有：0max2LLRPIREI当当 时，即方程只有一个解或没有解时，即方程只有一个解或没有解04max22LLRPRE即负载线和即负载线和Pmax曲线只有一个或曲线只有一个或没有交点，光敏电阻的功率不会没有交点，光敏电阻的功率不会超过超过Pmax即要求：即要求：E（4P max RL）1/2当入射光通量变化时，会引起当入射光通量变化时，会引起I和和U的同时变化的同时变化 ，使系统线性变坏，噪声增加。为了降低噪声，提高信使系统线性变坏，噪声增加。为了降低噪声，提高信息转换精度，可采取以下办法：息转换精度，可采取以下办法：1采用光调制技术，一般调制频率为采用光调制技术，一般调制频率为8

23、001000Hz。2制冷或恒温，使热噪声减少。制冷或恒温，使热噪声减少。3采用合理的偏置，选择最佳的偏置电流，使信采用合理的偏置，选择最佳的偏置电流，使信噪比噪比 达到最高。达到最高。 典型典型偏置电路偏置电路四应用举例四应用举例 图为路灯自动电熄装置，分两部分组成，电阻图为路灯自动电熄装置，分两部分组成，电阻R、电容、电容C和二极管和二极管D组成半波整流滤波电路；组成半波整流滤波电路；CdS光敏电阻和继电器组光敏电阻和继电器组成光控继电器。路灯接在继电器常闭触点上，由光控继电器来成光控继电器。路灯接在继电器常闭触点上，由光控继电器来控制路灯的点燃和熄灭。控制路灯的点燃和熄灭。J3.1.3 光

24、电池光电池一、原理与结构一、原理与结构 由光照产生的电子和空穴在内电场的作用下由光照产生的电子和空穴在内电场的作用下才形成光生电动势和光电流。光电池的光电效率才形成光生电动势和光电流。光电池的光电效率非常低，最高也只能是百分之十几。非常低，最高也只能是百分之十几。利用光生伏特效应利用光生伏特效应扩散扩散光照光照np二氧化硅二氧化硅电极电极光电池的输出受外接负载电阻光电池的输出受外接负载电阻:当当RL0时，时，U0，则，则 IIS即输出电流与入射光通量即输出电流与入射光通量成线性关系。成线性关系。当当RL0时，当时，当U继续增大到继续增大到PN结的导通电压时结的导通电压时（RL非常大时），非常大

25、时），U就不会再增大，此时，就不会再增大，此时，PN结的结的rD变得很小，光照所产生的光电流变得很小，光照所产生的光电流I几乎全部流向二几乎全部流向二极管，即：极管，即： IID 这时，在负载这时，在负载RL上除有少量的电流维持上除有少量的电流维持PN结的结的导通电压导通电压U外，光照产生的光电流几乎都消耗在光外，光照产生的光电流几乎都消耗在光电池内部。电池内部。二、特性二、特性1光照特性光照特性 指光生电动势和光电流与照度的关系。光电池的电动势与照度指光生电动势和光电流与照度的关系。光电池的电动势与照度成非线性关系，而短路电流与照度成线性关系。所以，成非线性关系，而短路电流与照度成线性关系。

26、所以，当用光电池当用光电池作为测量元件时，应以电流源的形式来使用作为测量元件时，应以电流源的形式来使用。而且，为保证测量有。而且，为保证测量有线性关系，所用负载电阻应较小。线性关系，所用负载电阻应较小。2光谱特性光谱特性光电池的光谱特性决定于所采用的材料。光电池的光谱特性决定于所采用的材料。3伏安特性伏安特性 光电池的负载线由光电池的负载线由 U=RLI 决定。决定。 负载短接或很小时，负载线与伏安负载短接或很小时，负载线与伏安特性的交点为等距离，电流正比于照度，特性的交点为等距离，电流正比于照度，数值也大。负载电阻较大时，负载线与数值也大。负载电阻较大时，负载线与伏安特性的交点相互间距不等，

27、即电流伏安特性的交点相互间距不等，即电流不与照度成正比，光照特性不是直线，不与照度成正比，光照特性不是直线，电流也减小。电流也减小。4频率特性频率特性 光电池的光电池的PN结或阻挡层的面积大，极间电容大，结或阻挡层的面积大，极间电容大，因此频率特性较差。负载电阻越大，电路的旁路作用因此频率特性较差。负载电阻越大，电路的旁路作用越显著，频率特性高频部分下降越厉害。如欲改善频越显著，频率特性高频部分下降越厉害。如欲改善频率特性，需减小负载电阻或减小光电池面积，使它的率特性，需减小负载电阻或减小光电池面积，使它的结电容减小。结电容减小。5温度特性温度特性硅光电池的开路电压随温度的升高而降低。硅光电池

28、的开路电压随温度的升高而降低。三、电路三、电路光电池用作太阳光电池用作太阳能电池时的电路如图能电池时的电路如图所示。在黑夜或光线所示。在黑夜或光线微弱时，为防止蓄电微弱时，为防止蓄电池经过光电池放电而池经过光电池放电而设置二极管设置二极管D。1光电池用作太阳能电池光电池用作太阳能电池光电池用作检测元件使光电池用作检测元件使用时的电路如图所示，此电用时的电路如图所示，此电路可实现光电池的线性输出。路可实现光电池的线性输出。对光电池而言，对光电池而言，RL近似等于近似等于0。图中，。图中，2光电池用作检测元件光电池用作检测元件SRIRVff220一、结构和工作原理一、结构和工作原理3.1.4 光敏

29、二极管光敏二极管是一种用是一种用PN结单向导结单向导电性的结型光电信息转换器电性的结型光电信息转换器件。其件。其PN结装在管子的顶结装在管子的顶部，以便接收光照。其上面部，以便接收光照。其上面有一个透镜制成的窗口，使有一个透镜制成的窗口，使光线集中在敏感面。光线集中在敏感面。 光敏二极管工作时一般加反向偏光敏二极管工作时一般加反向偏压压，无光照时无光照时，处于反偏的光敏二极，处于反偏的光敏二极管工作在截止状态，这时只有少数载管工作在截止状态，这时只有少数载流子在反向偏压的作用下，渡越阻挡流子在反向偏压的作用下，渡越阻挡层，形成层，形成微小的反向电流，即暗电流微小的反向电流，即暗电流。受光照时受

30、光照时，PN结及其附近受光子轰结及其附近受光子轰击吸收其能量而击吸收其能量而产生电子空穴对产生电子空穴对，在，在外加电场和内电场的共同作用下，使外加电场和内电场的共同作用下，使通过通过PN结的结的反向电流大大增加，形成反向电流大大增加，形成了光电流了光电流。把光信号转换为电把光信号转换为电信号的功能，信号的功能， 是由半导体是由半导体PN结的结的实现的。实现的。PN结界面结界面电子和空穴电子和空穴的扩散运动的扩散运动内部电场内部电场漂移运动漂移运动如果光子的能量大于或如果光子的能量大于或等于带隙（等于带隙（hf Eg）当入射光作用在当入射光作用在PN结时结时发生受激吸收发生受激吸收内部电场的作

31、用下，内部电场的作用下，电子向电子向N区运动区运动空穴向空穴向P区运动区运动在耗尽层在耗尽层形成漂移电流。形成漂移电流。1 光照特性 二特性二特性线性好,适合检测方面应用2. 光谱特性 决定于所采用的材料，图为锗光敏二极管的光谱响应曲线。3. 伏安特性 在零偏压时，硅光敏二极管仍然有光电流输出，此为光生伏特效应所产生的短路电流。 4. 温度特性+EGGUIbBGRLRcR图（d）为光敏二极管在电压不变和照度不变的情况下，光电流I随温度T的变化。5. 暗电流 uRWR1GG 曲线1和2分别为锗和硅光敏二极管的暗电流随温度变化的曲线。硅器件的暗电流及其温度系数比锗器件小。6. 频率特性C 节电容R

32、D 反向偏置电阻RL 负载电阻RDRLCisiRLCIcIL i= ic+ iLU(jC+1/RL) U= i/(jC+1/RL) =Umax/1+(CRL)21/2 ej 上限频率： 负载电阻两端的电压会随着调制的入射光频率的提高而下降，当频率增加到FH时,U=0.707Umax， 则称此时的频率为上限频率或截止频率。 当U=0.707 Umax时， 1+(CRL)22， 即： CRL1 1/(CRL), FH=1/(2CRL)减少负载电阻减少负载电阻RL，可使上限频率可使上限频率fH提高提高 光敏二极管等效简化联接电路如下图，其结电容c=5微微法，负载电阻RL 100千欧，求：此电路的上限

33、频率为多少？ 例例1：isRLCIcIL 光敏二极管的联接和伏安特性如下图，若光敏二极管上光敏二极管的联接和伏安特性如下图，若光敏二极管上的照度的照度L100+100Sin（ t t）勒克斯，为使光敏二极管上有）勒克斯，为使光敏二极管上有10V10V的电压变化。请选择合适的负载电阻和电源电压，并绘出的电压变化。请选择合适的负载电阻和电源电压，并绘出电流、电压随光强变化曲线。电流、电压随光强变化曲线。 例例1：RLEUU（V）I（A）10200Lx150Lx100Lx50Lx2 三电路分析与计算三电路分析与计算四、四、PIN管管 PIN管是光电二极管中的一种。是在管是光电二极管中的一种。是在P型

34、半导体和型半导体和N型半型半导体之间夹着一层（相对）很厚的本征半导体。导体之间夹着一层（相对）很厚的本征半导体。 这样，这样，PN结的内电场就基本上全集中于结的内电场就基本上全集中于I层中，从而使层中，从而使PN结双电层的间距加宽，结电容变小。结双电层的间距加宽，结电容变小。 由式由式 = CfRL与与f = 1/2知，知，Cf小，小，则小，频带将变宽。则小，频带将变宽。因此，这种管子最大的特点是因此，这种管子最大的特点是频带宽频带宽，可达，可达10GHz。另一个。另一个特点是，因为特点是，因为I层很厚，在反偏压下运用可承受较高的反向电层很厚，在反偏压下运用可承受较高的反向电压，压，线性输出范

35、围宽线性输出范围宽。 由耗尽层宽度与外加电压的关系可知，增加反向偏由耗尽层宽度与外加电压的关系可知，增加反向偏压会使耗尽层宽度增加，从而结电容要进一步减小，压会使耗尽层宽度增加，从而结电容要进一步减小，使频带宽度变宽。使频带宽度变宽。 所不足的是，所不足的是，I层电阻很大，管子的输出电流小，层电阻很大，管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。一般多为零点几微安至数微安。 目前有将目前有将PIN管与前置运算放大器集成在同一硅片管与前置运算放大器集成在同一硅片上并封装于一个管壳内的商品出售。上并封装于一个管壳内的商品出售。 雪崩光电二极管是利用雪崩光电二极管是利用PN结在高反向电压下产生的雪

36、结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管。崩效应来工作的一种二极管。 这种管子工作电压很高，约这种管子工作电压很高，约100200V，接近于反向击，接近于反向击穿电压。结区内电场极强，光生电子在这种强电场中可得到穿电压。结区内电场极强，光生电子在这种强电场中可得到极大的加速，同时与极大的加速，同时与晶格碰撞而产生电离雪崩反应晶格碰撞而产生电离雪崩反应。因此，。因此，这种管子有很高的内增益，可达到几百。这种管子有很高的内增益，可达到几百。雪崩二极管五、五、APD(雪崩光电二极管雪崩光电二极管)APD载流子雪崩式倍增示意图载流子雪崩式倍增示意图(只画出电子）只画出电子）I0NPP(N)光

37、当电压等于反向击穿电压时，电流增益可达当电压等于反向击穿电压时，电流增益可达106，即，即产生所谓的自持雪崩。产生所谓的自持雪崩。 这种管子响应速度特别快，带宽可达这种管子响应速度特别快，带宽可达100GHz，是目，是目前前响应速度最快响应速度最快的一种光电二极管。的一种光电二极管。 噪声大是这种管子目前的一个主要缺点。噪声大是这种管子目前的一个主要缺点。 由于雪崩反应是随机的，所以它的噪声较大，特别由于雪崩反应是随机的，所以它的噪声较大，特别是工作电压接近或等于反向击穿电压时，噪声可增大到是工作电压接近或等于反向击穿电压时，噪声可增大到放大器的噪声水平，以至无法使用。放大器的噪声水平，以至无

38、法使用。 一般一般光电二级管光电二级管的反向偏压在的反向偏压在几十伏几十伏以以下（目的是增加耗尽层的宽度），下（目的是增加耗尽层的宽度），PIN光电光电二级管的反向偏置电压二级管的反向偏置电压在几伏左右在几伏左右（目的是（目的是使本征区载流子完全耗尽），而使本征区载流子完全耗尽），而APD的反偏的反偏压一般在压一般在几百伏左右几百伏左右（目的是器件击穿，并（目的是器件击穿，并在雪崩区建立高电场）。在雪崩区建立高电场）。一原理与结构一原理与结构 光敏三极管的集电极电流受光通量的控光敏三极管的集电极电流受光通量的控制。其外形由光窗、制。其外形由光窗、集电极和发射极集电极和发射极的引出的引出脚组成。

39、脚组成。 光敏三极管的灵敏度较高，光敏三极管的灵敏度较高，一般为毫安级，但它在较强的一般为毫安级，但它在较强的光照下，光电流与照度不成线光照下，光电流与照度不成线性关系。频率特性和温度特性性关系。频率特性和温度特性也变差，故光敏三极管多用作也变差，故光敏三极管多用作光电开关或光电逻辑元件。光电开关或光电逻辑元件。3.1.5 光敏三极管光敏三极管I Ic cIICI+ E U N N P 正常运用时，集电极加正电压。因此，集电结为反偏置，正常运用时，集电极加正电压。因此，集电结为反偏置，发射结为正偏置，发射结为正偏置，集电结为光电结集电结为光电结。 当光照到集电结上时，当光照到集电结上时，集电结

40、即产生光电流集电结即产生光电流Ip向基区注入向基区注入，同时在集电极电路即产生了一个被放大的电流同时在集电极电路即产生了一个被放大的电流Ic（Ie（1）Ip），），为电流放大倍数。为电流放大倍数。 光电晶体管的电流放大作用与光电晶体管的电流放大作用与普通晶体管在上偏流电路中普通晶体管在上偏流电路中接一个光电二极管接一个光电二极管的作用是完全相同的。的作用是完全相同的。 光电晶体管的灵敏度比光电二极管高，输出电流也比光电光电晶体管的灵敏度比光电二极管高，输出电流也比光电二极管大，多为毫安级。二极管大，多为毫安级。 它的光电特性不如光电二极管好，在较强的光照下，光电它的光电特性不如光电二极管好，在

41、较强的光照下，光电流与照度不成线性关系。流与照度不成线性关系。 光电晶体管多用来作光电开关元件或光电逻辑元件。光电晶体管多用来作光电开关元件或光电逻辑元件。 光电晶体管的伏安特性曲线如图光电晶体管的伏安特性曲线如图几种国产3DU型光电三极管的特性温度特性温度特性光电三极管受温度的影响比光电三极管受温度的影响比光电二极管大得多。光电二极管大得多。4.4.频率特性频率特性频率特性比频率特性比光电二极管光电二极管差。差。 二、基本电路二、基本电路1.1.测量电路测量电路光电三极管可看成是一个灵敏度高的光电二极光电三极管可看成是一个灵敏度高的光电二极管。管。光电流较大，使用较方便。光电流较大，使用较方

42、便。用作测量时，用作测量时，其基本电路与光电二极管相同。其基本电路与光电二极管相同。 接电阻接电阻R Rb b，使，使r rbebe 减小并趋于稳定，减小并趋于稳定，可使暗电流及随温可使暗电流及随温度的变化减小。度的变化减小。除用除用R Rb b 以外，还利用以外，还利用二极管进行温度补偿。二极管进行温度补偿。R Re e作反馈电阻，可改作反馈电阻，可改善测量的线性。善测量的线性。2.2.控制电路控制电路 用无基极引用无基极引出线的硅光电三出线的硅光电三极管作光控继电极管作光控继电器。无光照时集器。无光照时集电极电流基本为电极电流基本为零，使继电器灵零，使继电器灵敏工作。敏工作。 电流控制电流

43、控制电压控制电压控制亮通电路亮通电路暗通电路暗通电路有斯密特触发器的光控电路有斯密特触发器的光控电路光线明暗渐变，达预定亮度继电器准确动作。光线明暗渐变，达预定亮度继电器准确动作。附：斯密特触发器（滞回比较器）附：斯密特触发器（滞回比较器）UREF 为参考电压；为参考电压；输出电压输出电压 uO 为为 +UZ 或或 - -UZ；uI 为输入电压。为输入电压。当当 u+ = u- - 时，输出电压时，输出电压的状态发生跳变。的状态发生跳变。OF22REFF2FuRRRURRRu 比较器有两个不同的门限电平，比较器有两个不同的门限电平，故传输特性呈滞回形状。故传输特性呈滞回形状。 +UZuIuO

44、- -UZOUT- -UT+ +图图 8.2.6滞回比较器滞回比较器若若 uO= UZ ，当，当 uI 逐渐减小时，使逐渐减小时，使 uO 由由 UZ 跳跳变为变为 UZ 所需的门限电平所需的门限电平 UT ZF22REFF2FTURRRURRRU 回差回差( (门限宽度门限宽度) ) UT ：ZF22TTT2URRRUUU 若若 uO = UZ ，当，当 uI 逐渐增大时，使逐渐增大时，使 uO 由由 + +UZ 跳变跳变为为 - -UZ 所需的门限电平所需的门限电平 UT+ ZF22REFF2FTURRRURRRU 作用作用：产生矩形波、三角波和锯齿波，或用于波形：产生矩形波、三角波和锯齿

45、波，或用于波形变换。变换。抗干扰能力强抗干扰能力强。T T2 2 、T T3 3 组成斯密特触发电路，组成斯密特触发电路，即射极耦合触发器。即射极耦合触发器。 斯密特触发器输入（斯密特触发器输入（U Ui i) )、输、输出（出（U Uo o) )之间的关系如图：之间的关系如图： 斯密特触发器把渐变信号斯密特触发器把渐变信号变为跃变信号，是双稳态电路，变为跃变信号，是双稳态电路，从而使继电器可靠地动作。从而使继电器可靠地动作。JEC-2JEC-2是内含斯密特触发器的是内含斯密特触发器的ICIC片。片。 用用JEC-2JEC-2的暗通的暗通光电控制电路光电控制电路附：附： 光电场效应管光电场效应

46、管光电场效应管的结构与普通结型场效应管光电场效应管的结构与普通结型场效应管类似类似: :有栅极、源极、漏极。有栅极、源极、漏极。 光入射于栅源光入射于栅源PNPN结，产生光生栅电压。结，产生光生栅电压。U UGS GS 控制控制I ID D, ,作用可等效为作用可等效为光电二极管与场效应管的组合。光电二极管与场效应管的组合。基本电路基本电路GPUU无光照时沟道被夹断，无光照时沟道被夹断，0DI 有光入射光敏面时，光电流在栅电阻上产生压降有光入射光敏面时，光电流在栅电阻上产生压降 GIR;当当GGPUI RU时，即有时，即有IIS LGIGI RS R L使沟道开启的使沟道开启的最小光照度为最小光照度为minGPIGUULS R0DIDmGSIgUGImDRLLSgI)(minGmIDRgSLIS光电场效