电子基础培训资料

1、近代科学进一步揭示出原子核内部的质子带正电荷，核外电子带负电荷。原子原子核电 子（带负电）质 子（带正电）中 子（不带电）7.物体不带电的原因 通常情况下，原子核内的正电荷跟核外电子所带的负电荷的总量相等，整个原子不显电性，是中性的。 本来是中性的原子，当它失去一个或几个电子时，核外电子总共带的负电荷比原子核的正电荷少，它就显示带正电。+4-1-1-1-1物体带正电的原因+4-1物体带负电的原因 本来是中性的原子，当她跟多余的电子结合在一起时，核外电子总共带的负电荷比原子核的正电荷多，它就显示带负电。-1-1-1-1-11.什麼是電阻阻 電子在導體中流動時,所受到之阻力稱為電阻. 電阻符號用“

2、R”表示,單位: (歐母), 圖型: 1M =1000K =1000000 =1000000000m2.電阻分類 A.按功率分類: 1/8W , 1/6W , 1/4W , 1/2W , 1W , 2W , 3W , 4W .- 電阻電阻色環電阻A. 4色環電阻顏色 第一環 第二環 第三環 第四環 黑棕紅橙黃綠 5藍紫灰金銀電阻值 = 第一環(十位數)第二環(個位數) *第三環(10的指數) 第四環(此電阻的正負百分誤差) 11*10=1105%- 電阻電阻 A. 5色環電阻顏色 第一環 第二環 第三環 第四環 第五環 黑棕紅橙黃綠 5藍紫灰金銀電阻值 = 第一環(百位數)第二環(十位數)第三

3、環(個位數) *第四環(10的指數) 第五環(此電阻的正負百分誤差) 110*1=1101%電阻注意事項 a.通常2W以下的電阻是用色環標示阻值的,2W以上是直接書寫 出其額定電阻值的. b. 通常功率越大其體積越大,若是小形化電阻就不好從體積上識 辯,在使用時一定要注意其標示規格的額定功率. c.通常5色環電阻是要比4色環電阻要精密的,其誤差差異要看它 們的最后一色環. d.SMD電阻因體積太小無法標色環,故直接將色環的對應數值標 示上去,其讀值方式:(指數標示法) 如 5%誤差 1%誤差 =22*10 =220*10 =2200 =2200 =2.2K =2.2K 2222201电解电容陶

4、瓷电容Mylar电容 正极引线正极引线触丝触丝N型锗型锗支架支架外壳外壳负极引线负极引线PN结结 正极引线正极引线二氧化硅保护层二氧化硅保护层P型区型区负极引线负极引线 面接触型二极管面接触型二极管N型硅型硅PN结结二极管的符号二极管的符号正极正极负极负极集电区集电区集电结集电结基区基区发射结发射结发射区发射区NN集电极集电极C基极基极B发射极发射极E 三极管的结构三极管的结构 分类和符号分类和符号PECB符号符号第第1章章 1.5N型硅型硅二氧化硅保护膜二氧化硅保护膜BECN+P型硅型硅（a） 平面型平面型N型锗型锗ECB铟铟球球铟铟球球PP+（b）合金型）合金型第第1章章 1.5集电区集电

5、区集电结集电结基区基区发射结发射结发射区发射区CBEN集电极集电极C发射极发射极E基极基极BNPPN第第1章章 1.5发射区向基区发射区向基区扩散电子扩散电子IEIB电子在基区电子在基区扩散与复合扩散与复合集电区收集电子集电区收集电子 电子流向电源正极形成电子流向电源正极形成 ICICNPN电源负极向发射电源负极向发射区补充电子形成区补充电子形成 发射极电流发射极电流IE 三极管的电流控制原理三极管的电流控制原理电源正极拉走电电源正极拉走电子，补充被复子，补充被复合的空穴，形合的空穴，形成成 I IB B第第1章章 1.5VCCRCVBBRBCBEECRCIC UCECEBUBE共发射极接法放

6、大电路共发射极接法放大电路三极管具有电流控三极管具有电流控制作用的外部条件制作用的外部条件 : （1）发射结正向偏置）发射结正向偏置 （加正向电压）；（加正向电压）；（2）集电结反向偏置）集电结反向偏置（加反向电压）。（加反向电压）。第第1章章 1.5EBRBIBECRCIC UCECEBUBE共发射极接法放大电路共发射极接法放大电路三极管具有电流控三极管具有电流控 制作用的外部条件制作用的外部条件 : （1）发射结正向偏置；）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。）集电结反向偏置。对于对于PNP型三极管应满足型三极管应满足:输出输出回路回路输入输入回路回路公公共共端端第第1章章 1.5EBR

7、BIBIE即即 VC VB 0UBE 0SiO2结构示意图结构示意图P型硅衬底型硅衬底源极源极S栅极栅极G漏极漏极D 衬底引线衬底引线BN+N+DBSG符号符号1. 结构和符号结构和符号第第1章章 1.6SiO2结构示意图结构示意图P型硅衬底型硅衬底耗尽层耗尽层衬底引线衬底引线BN+N+SGDUDSID = 0D与与S之间是两个之间是两个PN结反向串联，结反向串联，无论无论D与与S之间加之间加什么极性的电压，什么极性的电压，漏极电流均接近漏极电流均接近于零。于零。2. 工作原理工作原理第第1章章 1.6P型硅衬底型硅衬底N+BSGD。耗尽层耗尽层ID = 0由柵极指向衬底方由柵极指向衬底方向的

8、电场使空穴向向的电场使空穴向下移动下移动,电子向上移电子向上移 动动,在在P 型硅衬底的型硅衬底的 上表面形成耗尽层。上表面形成耗尽层。 仍然没有漏极电流。仍然没有漏极电流。 UGSN+N+第第1章章 1.6UDSP型硅衬底型硅衬底N+BSGD。UDS耗尽层耗尽层ID 栅极下栅极下P型半导型半导体表面形成体表面形成N型导电型导电沟道，当沟道，当D、S加上加上正向电压后可产生正向电压后可产生漏极电流漏极电流ID 。 N型导电沟道N+N+第第1章章 1.6UGS结构示意图结构示意图P型硅衬底型硅衬底源极源极S漏极漏极D 栅极栅极G衬底引线衬底引线B耗尽层耗尽层1. 结构特点和工作原理结构特点和工作

9、原理N+N+正离子正离子N N型沟道型沟道SiO2DBSG符号符号制造时制造时,在二氧化硅绝缘层中掺入大量的正离子。在二氧化硅绝缘层中掺入大量的正离子。第第1章章 1.6N型硅衬底型硅衬底N+BSGD。耗尽层耗尽层PMOS管结构示意图管结构示意图P沟道沟道PMOS管与管与NMOS管管互为对偶关系，使用互为对偶关系，使用时时UGS 、UDS的极性的极性也与也与NMOS管相反。管相反。 P+P+第第1章章 1.6UGSUDSID开启电压开启电压UGS(th)为为负值，负值，UGS UGS(th) 时导通。时导通。 SGDB符号符号 ID /mAUGS / V0UGS(th) 转移特性转移特性DBS

10、G符号符号 ID /mAUGS /V0UGS(off) 转移特性转移特性夹断电压夹断电压UGS(off)为为正值，正值， UGS UGS(off)时导通。时导通。 第第1章章 1.6在在UDS =0时，栅源电压与栅极电流的比值，其值很高。时，栅源电压与栅极电流的比值，其值很高。1. 开启电压开启电压UGS(th) 指在一定的指在一定的UDS下，开始出现漏极电流所需的栅源电下，开始出现漏极电流所需的栅源电 压。它是增强型压。它是增强型MOS管的参数，管的参数，NMOS为正，为正，PMOS为负为负。2. 夹断电压夹断电压 UGS(off) 指在一定的指在一定的UDS下，使漏极电流近似等于零时所需的下，使漏极电流近似等于零时所需的栅源电压。是耗尽型栅源电压。是耗尽型MOS管的参数，管的参数，NMOS管是负值，管是负值，PMOS管是正值。管是正值。3. 直流输