第十六届全国半导体物理学术会议学术报告安排

1、第十六届全国半导体物理学术会议学术报告安排本次会议由兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所联合主办。会议将就我国半导体物理的最新研究进展和发展趋势进行深入、广泛的学术交流，并邀请著名专家学者作专题报告,欢迎全校师生参加! 第十六届全国半导体物理会议学术报告总安排时 间事 项地 点9月8日（星期六）8：30-8：45开幕式等逸夫科学馆报告厅9：00-12：00各分会场报告(见附件)逸夫科学馆13：30-17：45各分会场报告(见附件)逸夫科学馆21：00-21：30物理学会半导体物理专业委员会会议萃英大酒店805会议室9月9日（星期日）8：30-12：00各分会场报告

2、(见附件)逸夫科学馆14：00-16：30各分会场报告(见附件)逸夫科学馆16：30-17：00闭幕式逸夫科学馆报告厅* 详见各分会场日程A 会 场会议主题：半导体自旋电子学地点：逸夫科学馆报告厅日期：9月8日时间报告人报告内容9：00- 9：45郑厚植（半导体研究所）高密度自旋极化电子气的物理性质9：45-10：30褚君浩（上海技术物理所）10：30-10：45休息10：45-11：30吴明卫（中国科学技术大学）Spin Dynamics in Semiconductor Nanostructures11：30-12：00张 荣（南京大学）宽禁带半导体自旋电子材料研究12：00-13：30午

3、餐13：30-14：00张凤鸣（南京大学）Hole-mediated Ferromagnetism in Polycrystalline Si1-xMnx:B Thin Films14：00-14：30沈 波（北京大学）GaN基异质结构中二维电子气的输运和自旋性质14：30-15：00许小红（山西师范大学）磁控溅射制备具有室温磁性的Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜15：00-15：15休息15：15-15：45颜世申（山东大学）宽禁带氧化物磁性半导体的制备、微结构、磁性和输运研究15：45-16：15常 凯（半导体研究所）Nonlinear Rashba model: Spin relaxatio

4、n and spin Hall current16：15-16：45姬 扬（半导体研究所）二维电子气系统中电子自旋动力学的实验研究16：45-17：15赵建华（半导体研究所）Cr掺杂III-V族稀磁半导体薄膜和自组织量子点的分子束外延生长17：15-17：45葛世慧（兰州大学）过渡金属掺杂的氧化物半导体的室温铁磁性以上为特邀报告日期：9月9日时间报告人报告内容8：30- 8：55徐兰君（上海技术物理所）二维电子气集体激发模的软化和Rashba自旋轨道耦合*8：55- 9：20甘华东（半导体研究所）极低密度电流驱动的(Ga,Mn)As的四度磁化开关*9：20- 9：45杨学林（北京大学）MOCV

5、D法生长(Ga,Mn)N材料的磁学和电子结构特性*9：45-10：10刘朝星（清华大学）二维空穴气中电流诱导的自旋极化*10：10-10：25休息10：25-10：50赖天树（中山大学）GaAs中电子自旋相干动力学的能量演化研究*10：50-11：05赖天树（中山大学）室温下GaMnAs的电子自旋偏振弛豫动力学研究11：05-11：20邓加军（中科大）(Ga,Mn)As平面内磁各向异性研究11：20-11：35刘计红（河北师范大学）自旋轨道耦合对正常金属/半导体/超导体隧道结中的散粒噪声的影响11：35-11：50董衍坤（河北师范大学）自旋轨道耦合对Aharonov-Bohm测量仪中自旋相关输

6、运的影响12：00-14：00午餐14：00-14：25安兴涛（河北师范大学）铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋相关输运性质*14：25-14：50王 靖（清华大学）自旋流的法拉第旋转测量*14：50-15：05王玮竹（半导体研究所）Mn掺杂GaAs薄膜的磁性质及微观结构调控15：05-15：20石瑞英（四川大学）稀磁半导体GaMnN材料的红外反射光谱研究15：20-15：35休息15：35-16：00陶志阔（南京大学）MOCVD方法在GaN上生长FexN薄膜及其性能研究*16：00-16：15甘华东（半导体研究所）(Ga,Cr)As外延薄膜的铁磁性来源16：15-16：30甘华东（半导体研究所）

7、(Ga,Mn)As外延薄膜MCD随磁场变化的特异振荡现象* 邀请报告B 会 场会议主题：宽、窄禁带半导体地点：逸夫科学馆201日期：9月8日时间报告人报告内容9：00- 9：25陈弟虎（中山大学）离子束合成表层、埋层 -SiC薄膜制备及性质研究*9：25- 9：50刘 斌（南京大学）P型AlxGa1-xN 薄膜光电学性质研究*9：50-10：05李青民（西安理工大学）HWCVD法在6H-SiC上异质外延3C-SiC10：05-10：20李连碧（西安理工大学）SiC衬底上SiCGe外延薄膜的岛状生长机理10：20-10：35休息10：35-10：50邓金祥（北京工业大学）三步法制备立方氮化硼薄膜

8、10：50-11：05邓金祥（北京工业大学）氮气含量对沉积BN薄膜的影响11：05-11：20郭 辉（西安电子科技大学）利用SiC:Ge形成SiC欧姆接触中间层11：20-11：35曹全君（西安电子科技大学）4H-SiC MESFET新型大信号模型在ADS中的自定义实现11：35-11：50王悦湖（西安电子科技大学）4H-SiC同质外延膜的研究12：00-13：30午餐13：30-13：55桑立雯（北京大学）GaN/AlGaN 超晶格过渡层对生长在GaN模板层上的AlGaN 位错密度的影响*13：55-14：20张志国（十三所）AlGaN/GaN HFET电流崩塌效应的研究*14：20-14：

9、35尹甲运（专用集成电路国家重点实验室）AlN初始形核对Si(111)衬底GaN材料的影响14：35-14：50方 浩（北京大学）选区生长GaN基LED的研究14：50-15：05哈斯花（内蒙古大学）应变闪锌矿(001)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应15：05-15：20休息15：20-15：35韩 奎（北京大学）AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质由扩散区域向弹道区域的转变15：35-15：50黄 森（北京大学）Au/Ni/GaN肖特基二极管的高温电流输运机制研究15：50-16：05景微娜（河北工业大学）衬底处理对GaN外延层中应力的影响16：05-1

10、6：20鲁 麟（北京大学）高阻GaN外延薄膜中缺陷形貌的透射电镜研究16：20-16：35陈国强（南京大学）不同钝化介质层对AlGaN/GaN异质结构高温性质的影响16：35-16：50毛明华（厦门大学）GaN基发光二极管的电极优化16：50-17：05廖 辉（北京大学）三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构研究17：05-17：20周 劲（北京大学）AlGaN/GaN 弱耦合多量子阱共振隧穿17：20-17：35李香萍（吉林大学）MOCVD法制备ZnO薄膜的正交试验设计* 邀请报告日期：9月9日时间报告人报告内容8：30- 8：55唐 宁（北京大学）光照对AlxGa1-xN/GaN异质结

11、构中二维电子气输运性质的影响*8：55- 9：20王 超（西安电子科大）钒掺杂半绝缘6H-SiC单晶生长及特性研究*9：20- 9：45周绪荣（北京大学）蓝宝石衬底上GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对AlxGa1-xN外延薄膜应变及缺陷密度的影响*9：45-10：00刘启佳（南京大学）生长温度对AlGaInN的MOCVD生长的影响10：00-10：15休息10：15-10：30张志国 （砷化镓国防科技重点实验室）8GHz输出功率功率密度为11.7W/mm的凹栅AlGaN/GaN HFET的研究10：30-10：45张志国 （砷化镓国防科技重点实验室）8GHZ输出功率为34W凹栅AlGaN

12、/GaN HEMT的研究10：45-11：00梁 栋（专用集成电路实验室）高铝组份AlGaN材料晶体质量和表面形貌研究11：00-11：15李 佳（西安理工大学）HWCVD法在6H-SiC上异质外延p-SiCGe11：15-11：30王成伟（西北师范大学）阳极氧化法制备高度有序的多孔TiO2薄膜的工艺研究11：30-11：45尚景智（厦门大学）与GaN晶格匹配的AlInN薄膜的外延生长12：00-14：00午餐14：00-14：25谢自力（南京大学）MOCVD技术生长的InN薄膜结构和光学性质*14：25-14：50贺小伟（北京大学）单轴应变对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气圆偏

13、振自旋光电效应的影响*14：50-15：05李 弋（南京大学）高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度15：05-15：20杨 霏（电子科技集团第十三研究所）碳化硅器件制备中干法刻蚀工艺的研究15：20-15：35张晓敏（北京大学）Mg掺杂浓度对MOCVD生长的p型GaN电学性能的影响15：35-15：45休息15：45-16：00王茂俊（北京大学）SiNx钝化对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气高温输运性质的影响16：00-16：15崔旭高（南京大学）利用MOCVD设备生长Mn掺杂GaN稀释磁性半导体材料16：15-16：30陈志涛（北京大学）MOCVD

14、 Mn-delta生长GaN:Mn的结构和磁学性质* 邀请报告C 会 场会议主题：低维量子结构，量子阱和超晶格的物理性质；半导体自旋电子学地点：逸夫科学馆报告厅202日期：9月8日时间报告人报告内容9：00- 9：25陈坤基（南京大学）自组装Si纳米环结构的制备和气相自限制生长模型*9：25- 9：50卢海舟（清华大学）声子辅助非弹性电子隧穿中的并谐原理*9：50-10：15陆 昉（复旦大学）锗硅双层量子点耦合效应的研究*10：15-10：25休息10：25-10：50张继华（电子科技大学）碳纳米管的改性及其场发射性能研究*10：50-11：15王宝瑞（半导体研究所）InGaAs/GaAs量子

15、点链状结构光学性质的研究*11：15-11：30蔡其佳（复旦大学）Ge/Si 量子点退火特性研究11：30-11：45黄 凯（兰州大学）氧化钨纳米针尖阵列的制备与场发射性能研究11：45-12：00李 汐（复旦大学）飞秒激光刻蚀GaAs表面所形成纳米结构的研究12：00-13：30午餐13：30-13：55施 毅（南京大学）半导体异质结构纳米线及其光电子器件*13：55-14：20张树霖（北京大学）低维半导体的振动模并没有出现量子限制效应*14：20-14：45朱元慧（半导体研究所）DMS量子球磁场下电子空穴态*14：45-15：00休息15：00-15：15陈坤基（南京大学）硅基光量子点的气

16、相共形生长制备及光学模式的量子特征15：15-15：30陶镇生（复旦大学）生长在GeSi应变合金层上的Ge量子点的PL及DLTS研究15：30-15：45李 春（兰州大学）铜掺杂非晶金刚石纳米点阵列的场发射性能研究15：45-16：00李大鹏（中科大）ZnO超晶格纳米带Raman光谱16：00-16：15潘清涛（兰州大学）水溶液制备纺锤状钴掺杂氧化锌16：15-16：30林健晖（复旦大学）Si覆盖层对自组织生长Ge/Si量子点组分、应变的影响16：30-16：45刘力哲（河北师范大学）磁场对耦合双量子盘中类氢杂质性质的影响16：45-17：00王秀华（兰州大学）硫掺杂ZnO纳米线的电化学制备及

17、发光特性17：00-17：15周志玉（厦门大学）Ge/Si(100) 量子点生长与形态分布的研究17：15-17：30徐天宁（浙江大学）IV-VI半导体量子点光学性质及理论模拟17：30-17：45刘卯鑫（北京大学）近均一尺寸ZnO纳米材料多声子Raman谱与尺寸限制效应* 邀请报告日期：9月9日时间报告人报告内容8：30- 8：55蒋建华（中科大）Reexamination of Spin Decoherence in Semiconductor Quantum Dots from Equation-of-Motion Approach*8：55- 9：20程晋罗（中科大）Anisotrop

18、ic spin transport in GaAs quantum wells in the presence of competing Dresselhaus and Rashba spin-orbit coupling*9：20- 9：45庞智勇（山东大学）LSMO/Alq3/Co有机自旋阀中的正巨磁电阻效应*9：45-10：00翁明其（中科大）Time Evolution of Transient Spin Gating10：00-10：15休 息10：15-10：30蒋建华（中科大）Spin Relaxation in an InAs Quantum Dot in the presen

19、ce of Terahertz Driving Fields10：30-10：45吕 翔（上海技术物理所）量子阱热导率尺寸效应的理论研究10：45-11：00马丽丽（上海技术物理所）不同密度InAs/GaAs自组织量子点的光致发光比较研究11：00-11：15张 鹏（中科大）Non-Markovian Spin Dephasing in p-Type GaAs Quantum Wells11：15-11：30张国煜（南京大学）高温高压条件合成Co掺杂的ZnO基DMS及其磁性特征11：30-11：45周 俊（中科大）Spin relaxation due to the BAP mechanism

20、 in GaAs quantum wells from a fully microscopic approach12：00-14：00午 餐14：00-14：15鲁 军（半导体研究所）Fe/GaAs异质结构的分子束外延生长及磁性研究14：15-14：30罗海辉（半导体研究所）电子自旋横向驰豫时间随磁场的非平凡变化14：30-14：45周 蓉（半导体研究所）时间分辨克尔旋光测量稀磁半导体（Ga,Mn）As的有效g因子14：45-15：00阮学忠（半导体研究所）电子间相互作用对电子自旋驰豫过程的影响15：00-15：15沈 卡（中科大）riplet-Singlet Relaxation in Se

21、miconductor Quantum Dots15：15-15：30休 息15：30-15：45程晋罗（中科大）Kinetic Investigation of Extrinsic Spin Hall Effect induced by Skew Scattering15：45-16：00王元元（中科大）Control of Spin Coherence in Semiconductor Double Quantum 16：00-16：15徐大庆（西安电子科大）自旋极化电子从铁磁金属通过肖特基势垒注入半导体时自旋极化的研究* 邀请报告D 会 场会议主题：新概念、新器件；宽、窄禁带半导体地点：

22、逸夫科学馆203日期：9月8日时间报告人报告内容9：00- 9：25郑婉华（半导体研究所）单偶极模光子晶体激光器的研究*9：25- 9：50张 永（厦门大学）不同发射极指数的SiGe HBT直流特性分析*9：50-10：15曹玉莲（半导体研究所）P型掺杂1.3 m量子点激光器的制作及特性研究*10：15-10：30休息10：30-10：55徐 骏（南京大学）纳米氧化铟和稀土共掺杂二氧化硅薄膜的结构和光学性质研究*10：55-11：10蔡雪原（兰州大学）非平衡格林函数法在纳米MOS器件分析中的应用11：10-11：25陈 锐（厦门大学）THz Si/SiGe量子级联激光器波导模拟11：25-11

23、：40杜晓宇（半导体研究所）慢光在光子晶体弯曲波导中的高透射传播11：40-11：55季海铭（半导体研究所）P型掺杂量子点激光器增益及频率响应的理论计算12：00-13：30午餐13：30-13：55陈裕斌（南京大学）基于锗硅异质纳米晶粒的非易失性浮栅存储器*13：55-14：20胡古今（上海技术物理所）锆钛酸铅多层膜的铁电和介电特性研究*14：20-14：45武乐可（上海交通大学）Semiconductor Pixelless Far-infrared Upconversion Imaging Devices*14：45-15：00江若琏（南京大学）GaN基共振腔增强型紫外探测器的研究15：

24、00-15：15休息15：15-15：30李炳生（近代物理研究所）利用He离子和O离子联合注入制备SOI薄膜的研究15：30-15：45李 霞（兰州大学）影响CdZnTe探测器特性的因素15：45-16：00陆 然（北京工业大学）磁控溅射法制备的La0.7Sr0.3MnO3/Nb-1wt%-SrTiO3异质p-n结的整流特性研究16：00-16：15任 刚（半导体研究所）光子晶体60度弯折波导的模式分析及其在低损耗弯折波导设计中的应用16：15-16：30石瑞英（四川大学）SiGe HBT抗辐照机理研究16：30-16：45孙永健（北京大学）薄膜组合结构在InGaAsP/InP双异质结外延片内

25、引起的光波导的研究16：45-17：00王冠中（中科大）氧化物半导体超晶格纳米带自组装生长和结构表征17：00-17：15王 科（半导体研究所）光子晶体垂直腔面发射激光器的模式分析* 邀请报告日期：9月9日时间报告人报告内容8：30- 8：55张万成（半导体研究所）基于MOS管的单电子旋转门：单电子传输，物理模型以及电路应用*8：55- 9：20谭平恒（半导体研究所）Exciton energy transfer in carbon nanotube bundles*9：20- 9：35邢名欣（半导体研究所）光子晶体环形腔的模式分析9：35- 9：50张轶群（南京大学）纳米线阵列材料的温差电特

26、性研究9：50-10：00休息10：00-10：15张 新（华东光电集成器件研究所）基于氮化铝态的SOICMOS集成电路高温性能研究10：15-10：30王荣华（南京大学）GaN/Al2O3(0001)上Ge薄膜的CVD外延生长10：30-10：45王 爽（集成光电子学国家重点联合实验室）比较法测量立方氮化硼二阶非线性极化率10：45-11：00陈宠芳（河北工业大学）HVPE生长GaN的计算机模拟11：00-11：15徐 峰（南京大学）C面宝石基MOCVD生长的InN薄膜的In分凝现象的研究11：15-11：30左则文（南京大学）氢化纳米硅（nc-Si:H）薄膜的淀积与发光特性11：30-11

27、：45章 斌（复旦大学）线图案衬底上Ge/Si量子岛的性质研究12：00-14：00午餐14：00-14：25曹俊诚（上海微系统与信息技术所）太赫兹半导体量子级联激光器研究*14：25-14：50董 兵（上海交通大学）单分子量子点器件中的非平衡声子效应及非微分电导*14：50-15：15聂家财（北京师范大学）CeO2纳米薄膜的光学性质及其量子受限效应研究*15：15-15：30休息15：30-15：45朱 汇（半导体研究所）三势垒双阱隧穿结构中调控发射阱中的电子积累对电子共振隧穿特性的影响15：45-16：00朱 汇（半导体研究所）三势垒隧穿结构中的高峰谷比光生空穴共振隧穿16：00-16：1

28、5阎结昀（清华大学）强THz场下半导体超晶格中的激子吸收理论16：15-16：30翟利学（河北师范大学）磁场作用下抛物形量子阱线中的带电施主离子的性质* 邀请报告E 会 场会议主题：半导体体材料的物理性质；杂质与缺陷；表面、界面物理；有机半导体地点：逸夫科学馆206日期：9月8日时间报告人报告内容9：00- 9：25赵伟明（南京大学）室温下高密度II-VI族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装*9：25- 9：50周志文（厦门大学）低温Ge作缓冲层的高组份SiGe弛豫衬底生长研究*9：50-10：15竹有章（西安交通大学）基于LAPW方法ZnO、MgO、CdO晶体结构研究*10：15-10：25休

29、息10：25-10：50邱成军（黑龙江大学）有机半导体酞菁配合物的气敏导电特性研究*10：50-11：15邵 军（上海技术物理所）窄禁带掺杂碲镉汞外延薄膜的调制光谱分析*11：15-11：30张治国（泉州师范学院）锡氧化物电热膜的过电压耐量问题11：30-11：45祁 菁（兰州大学）AlCl3诱导晶化法制备多晶硅薄膜12：00-13：30午餐13：30-13：55孙 萍（南京大学）基于胶体球刻蚀法制备的有序半导体纳米阵列及其光学性质的研究*13：55-14：20张玉红（吉林大学）利用电致双折射测量硅单晶三阶非线性极化率*14：20-14：35蔡坤煌（厦门大学）氧化法制备SiGe弛豫缓冲层及其表征14：35-14：50彭尚龙（兰州大学）低温金属诱导晶化氢化的非晶Si0.5Ge0.5薄膜14：50-15：05休息15：05-15