模拟电子电路基础总复习例题选讲

1、(1-1)半导体三极管常见外形半导体三极管常见外形例题例题 （1）分析电路工作情况）分析电路工作情况 当当 u i 2.7V 时，时，V1管导通，管导通，V2管截止，管截止，u O 2.7V ；当；当 4.7V u i 2.7V 时，时， V1管和管和V2管均截止，管均截止，u O u i ；当当 u i 4.7V 时，时，V1管截止，管截止，V2管导通，管导通，u O 4.7V。 5.1k- -+ui+-2V+-VD24V- -+ +uOVD1例例1 试分析下图所示的硅二极管电路试分析下图所示的硅二极管电路:（1）画出电压传输特性曲线；）画出电压传输特性曲线；（2）已知）已知u i10sin

2、 t V，画出画出u i 和和u O的波形。的波形。(1-3)-4.72.70tuO/Vt0ui/V2.7-4.710-1024-2-40BADCui/V24-4-2uO/V双向限幅电路双向限幅电路用以限制信号电压范围，常用作保护电路。用以限制信号电压范围，常用作保护电路。（2）画出电压传输特性曲线和）画出电压传输特性曲线和 u i 、 u O 的波形，如下图所示。的波形，如下图所示。 例题例题(1-4)（1） BJT从结构上可以分成 和 两种类型； BJT内部有 种载流子参与导电。（2） BJT的输出特性曲线通常分三个区域， 分别是 、 、 。（3）某BJT工作在放大区，如果基极电流从10微

3、安变化到20微安时，集电极电流从1毫安变为1.99毫安，则该BJT的约为；约为。（4）场效应管从结构上可分为两大类： 、 ；根据导电沟道的不同又可分为 、 两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种： 、 。例题例题例例2 填空填空 NPN PNP 两两 ；饱和区；饱和区 放大区放大区 截止区截止区 ；99 0.99 ；JFET MOSFET N沟道沟道 P沟道沟道 耗尽型耗尽型 增强型增强型 (1-5)（1） 当发射结和集电结都外加正偏电压时，三极管工作于饱和区。（ ）（2） 三极管工作于放大状态时，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流

4、。（ ）（3）结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏，以使场效应管输入电阻很大。 例题例题例例3 是非题（对打；不对打） ； ； (1-6)例题例题+12V+12V3 k+3.7V+0.7V+8V4 k （a） （b） （c） 例例4 分析分析所示电路中各三极管的工作状态，假设二极管和三极管均为硅管。解解: 图（图（a）中，发射结能正偏导通，集电结反偏，所以三极管工作在放大状态；图（b）中，基极与地之间的电位差不足以使发射结和二极管同时导通，集电结反偏，因此三极管处于截止状态；图（c）中，发射结正偏导通，使UB=1.4V因此集电结正偏，三极管工作在饱和状态。1V(1-7)例题例题例5

5、 试总结由输出特性曲线或转移特性曲线判断场效应管类型的规律。解： 若uGS取值均为正，则为N沟道增强型MOS管；若uGS取值均为负，则为P沟道增强型MOS管；若uGS取值为正或零，则为P沟道结型管；若uGS取值为负或零，则为N沟道结型管。若uGS取值正、负、零都有，则再观察uGS(off） ，uGS(off)为负的为N沟道耗尽型MOS管， uGS(off)为正的为P沟道耗尽型MOS管。(1-8)例题例题例6 图中，已知UGS(th) = 1V， ，试求Q点参数和gm 。22100A/V/UIGS(th)DOVVUGQ18. 3123601000360 DQQGIU 118. 3S解：由于场效应

6、管栅极电流为零，故由图可得 设IDQ单位为mA，UGSQ单位为V，则可得 增强型管的电流方程为： 2)(2)(2)()()1(thGSGSQthGSDOthGSGSQDODQUUUIUUII (1-9)例题例题 将已知数据代入上式，得2)1( 1 . 0 GSQDQUIDQQGIU 118. 3S联立方程解得IDQ = 14mAUGSQ0IDQ = 0.34mAUGSQ=2.84V不合理，应舍去 由图可求得UDSQ =12-0.34(10+1)V=8.26VmSIUIIIUgDQGSDODQDOGSm37. 034. 01 . 02222)()(thth由于是增强型场效应管，因此(1-10)例

7、例7 选择题 （1） （ ）运算电路可实现函数YaX1bX2cX3，a、b和c均小于零。 A. 同相比例 B. 反向比例 C. 同相求和 D. 反向求和（2） 欲将三角波电压转换成方波电压，应选用（ ）运算电路。 A. 比例 B. 加减 C. 积分 D. 微分 （3）实现函数 ，应选用( )运算电路。 A. 比例 B. 加减 C. 积分 D. 微分（1）D （2）D （3）B例题例题321452IIIOuuuu (1-11)）（ V )0(1010101552tudtuuCtOO 2Ou V Stt14当）（ S 14V 14t当例8 图中，已知运放的最大输出电压Uom=14V，t=0时刻电容

8、C两端电压uC=0V，试求开关S闭合时电压uO1、uO2的表达式。 解： 该电路由两级电路构成，第一级为电压跟随器，第二级为积分电路，所以当开关S闭合时，可得第一级uo1=1V，第二级输出为但uO2不能超过运放的最大输出值14V，故uO2的表达式为(1-12)例例9 图中，假设电容的容量均足够大，试判断各电路能否放大交流电压信号。ynnnnnny(1-13) 例例10 简单偏置放大电路如下图所示，硅管的输入、输出特性曲线如图所示。已知ui=20sint(mV)，UCES=0.3V，试用图解法求:(1)uBE、iB、iC、uCE 和uo；(2)最大不失真电压Uomax。 解：解： （1）静态分析

9、求UBEQ、IBQ、ICQ、UCEQ画出直流通路，由于UBEQ 0.7V，故 AkVRUVIBBEQCCBQ 30176)7 . 06( 输入特性曲线上的静态工作点Q（0.7V，30A）(1-14)输出回路直流负载方程为(图中MN)：CCCCCERiVu 输出回路的静态工作点为Q(3V，3mA)（2）动态分析求uBE 、iB 、ic 、uCE 、uo uBE = UBEQ+ube = (0.7+0.02sint) V iB=IBQ+ib=(30+10 sint) A)(CQCLCEQCEIiRUu输出回路交流负载方程为(图中AB)：输出回路交流负载线为一条过Q(UCEQ，ICQ)点，斜率为-1

10、/RL的直线。由图可知：iC=ICQ+ic= (3+ sint) mA uCE=UCEQ+uce= (3-0.5sint) V uo= uce= -0.5sint (V) (1-15)VVVUUUCESCEQsat2.73 .03)(omm VRIULCcut1.5Q)(omm VUUUcutsatom1.5,min)(omm)(ommm 1.06V21.5max VUo（3）求最大不失真电压Uomax。由图可见，不产生饱和失真允许的最大不失真电压幅值为不产生截止失真允许的最大输出电压幅值为 故该电路最大不失真输出电压幅值为最大不失真输出电压有效值为(1-16)(1-17)例题例题例11 差分

11、放大电路如图所示，已知三极管的=100，rbb=200，UBEQ =0.7V，UCQ2=5V，试求：(1)稳压管稳定电压值；(2)Aud、Auc、KCMR、Rid、Ro；（3）若输入直流信号 ui=10mV，则输出端的直流电压uO =？ 6.8kmA.mARUVICCQCCCQ5010510222mAIICQC1223解：（解：（1）求稳压管稳定电压值UZ 由图可得 V.k.mAV.RIUUECBEQZ578617033(1-18)例题例题6.8k（2）求Aud、Auc、KCMR、Rid、Rok.rrbebe455502610120021Auc 0，KCMR 7914551010021212单

12、） 2.k.krRAAbeCudud（kRRk.rRcobeid1091021(1-19)例题例题6.8kV.mV.uAuiudo92010791V.V.VuUuoCQO92592052（3）求ui=10mV时输出端的直流电压uO 则输出端的直流电压为 由于Auc 0，因此输出信号为差模信号 (1-20)1. 硅三极管放大电路中，VCC=30V，RC=10k，RE=2.4k ， RB=1M ，rbb=200 ，=80，电容量均足够大，试： （1）计算静态工作点参数IBQ、ICQ、UCEQ； （2）若输入幅度为0.1V的正弦波，求输出电压uO1、uO2的幅值； （3）求输入电阻Ri和输出电阻RO1、RO2。 例题选讲例题选讲(1-21)2. 两级放大电路如图所示，已知场效应管gm=1mS，晶体管=99，rbe=2k。(1)试画出该电路的小信号等效电路；(2)说明RG3的作用，并求输入电阻Ri；(3)求电压放大倍数Au及输出电阻Ro。 例题选讲例题选讲(1-22)3. 矩形波发生器电路如图所示，试求出振荡频率。例题选