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文档简介
1、电子基础电子基础演示演示PPT讲课图讲课图 美的制冷维修技术交流美的制冷维修技术交流群群185972920电子基础电子基础1:电阻:电阻2:电容:电容3:电感:电感4:二极管、整流桥堆:二极管、整流桥堆5:三极管:三极管6:光耦光耦7:三端集成稳压器:三端集成稳压器8:晶振:晶振9: 可控硅可控硅10:场效应管:场效应管11:继电器与反向驱动器:继电器与反向驱动器12:IMP智能功率模块智能功率模块一一:什么是电阻什么是电阻 导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻 单位:欧姆单位:欧姆 (R )=U/I单位:欧姆单位:欧姆 (R )=U/I 1M=1000K;
2、1K=1000二:电阻在电路中主要作用:分压、分流、限流、偏置等。二:电阻在电路中主要作用:分压、分流、限流、偏置等。三:电阻串联阻值增加、串联总功率为其中最小功率值三:电阻串联阻值增加、串联总功率为其中最小功率值 电阻并联阻值变小、并联总功率为各功率之和电阻并联阻值变小、并联总功率为各功率之和电 阻4710 5%4123456789075010 1%3精密电阻误差精密电阻误差 0.1%2%普通电阻误差普通电阻误差 5%20%各种电阻金属膜、压敏、贴片、消磁、水泥、线绕、热敏、光敏、感应,负温度系数电阻等电容是一种容纳电荷和储存电荷的元件,是由两块金属板中间隔以绝缘介质组成的元件电容是一种容纳
3、电荷和储存电荷的元件,是由两块金属板中间隔以绝缘介质组成的元件单位:法拉单位:法拉 1法拉(法拉(F)= 1000毫法(毫法(mF)=1000000微法(微法(F) 1微法(微法(F)= 1000纳法(纳法(nF)= 1000000皮法(皮法(pF)电容的作用:用于隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制电路等方面电容的作用:用于隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制电路等方面。电容的主要特性:电容的主要特性:1:隔直流通交流。:隔直流通交流。2:容抗性(容抗:容抗性(容抗Xc=1/2fc =3.14 f=频率频率 C=电容量)电容量)3:电容两端电压不能突变。:电容两端电压
4、不能突变。4:储存能力。:储存能力。5移向性(电流超前电压移向性(电流超前电压90度)度)电容串联:电容容量变小、耐压值增加电容串联:电容容量变小、耐压值增加电容并联:电容容量增加,耐压值为其中耐压值最小的值电容并联:电容容量增加,耐压值为其中耐压值最小的值电电 容容电容的损害一般是容量减少,击穿短路。击穿短路容易造成电容爆炸电容的损害一般是容量减少,击穿短路。击穿短路容易造成电容爆炸粗落检测电容容量方法:粗落检测电容容量方法:1、是将电容正负极瞬间短路一下,看看有无放电现象和放电强弱,来粗落判断电容、是将电容正负极瞬间短路一下,看看有无放电现象和放电强弱,来粗落判断电容好坏。好坏。2、将电容
5、放完电用万用表电阻档,测量电容观看有无充电现象。、将电容放完电用万用表电阻档,测量电容观看有无充电现象。精确检测电容容量方法:精确检测电容容量方法:先将电容完全放电,用电容表或万用表电容档来测量电容具体容量大小。先将电容完全放电,用电容表或万用表电容档来测量电容具体容量大小。电容更换选择:电容更换选择:在选择电容时要注意电容的容量,耐压值(耐压值大的可以代替耐压值小的)。对在选择电容时要注意电容的容量,耐压值(耐压值大的可以代替耐压值小的)。对于电源滤波电容容量可以有一定的偏差,对于震荡电容或精密电路电容,要严格遵于电源滤波电容容量可以有一定的偏差,对于震荡电容或精密电路电容,要严格遵守其材料
6、,容量相同的电容。守其材料,容量相同的电容。电容的检测方法电感线圈是由导线一圈靠一圈地绕在绝缘管上,导线彼此互相绝缘,而绝缘管可以电感线圈是由导线一圈靠一圈地绕在绝缘管上,导线彼此互相绝缘,而绝缘管可以是空心的,也可以包含铁芯或磁粉芯,简称电感。是空心的,也可以包含铁芯或磁粉芯,简称电感。单位:亨利单位:亨利 (H) 符号:符号:L 1H=103mH=106uH。电感的作用:电感的作用:1:在电源电路中作为滤波电感,阻止交流成分通过,让直流电路通过。:在电源电路中作为滤波电感,阻止交流成分通过,让直流电路通过。2:与电容构成:与电容构成LC谐振回路,作为各种带通滤波器、选频电路等。谐振回路,作
7、为各种带通滤波器、选频电路等。3:可以用来耦合信号、延迟信号和对信号进行相位移动。:可以用来耦合信号、延迟信号和对信号进行相位移动。电感的特性:电感的特性:1:感抗特性:它对流过它的交流电流存在阻碍作用(:感抗特性:它对流过它的交流电流存在阻碍作用(XL = L = 2fL,XL感抗、感抗、 是是 交流发电机运转的角速度、交流发电机运转的角速度、f 是频率、是频率、L 是线圈电感)是线圈电感)“阻高频、通低频阻高频、通低频”。2:通直阻交特性。:通直阻交特性。3:电励磁、磁励电的特性。:电励磁、磁励电的特性。4:线圈中的电流不能发生突变:线圈中的电流不能发生突变。电电 感感电感串联电感量变大电
8、感串联电感量变大电感并联电感量减小电感并联电感量减小二极管又称晶体二极管,它是一种具有单向传导电流的元件。内部有一个二极管又称晶体二极管,它是一种具有单向传导电流的元件。内部有一个PN结组成。结组成。二极管的作用:在电路中主要起,整流、检波、限幅、稳压、阻尼等。二极管的作用:在电路中主要起,整流、检波、限幅、稳压、阻尼等。二极管的主要特性:二极管的主要特性:1:伏安特性。:伏安特性。2:单向导电性。:单向导电性。3:正向阻值小、反向阻值大。:正向阻值小、反向阻值大。4:正向压降基本不变。:正向压降基本不变。二二 极极 管管桥堆是内部由多个二极管组成的元件,具有整流,调整电流方向的作用。桥堆是内
9、部由多个二极管组成的元件,具有整流,调整电流方向的作用。整整 流流 桥桥 堆堆全桥整流波形分析图全桥整流波形分析图桥堆的检测:桥堆的检测:1:用数字万用表二极管档正反向分:用数字万用表二极管档正反向分别测桥堆的任意两脚,有一组均不别测桥堆的任意两脚,有一组均不导通的为交流输入端。导通的为交流输入端。2:用数字万用表的红表笔接任意一:用数字万用表的红表笔接任意一个交流脚,黑表笔测余下两脚,导个交流脚,黑表笔测余下两脚,导通的为正极,不导通的为负极通的为正极,不导通的为负极半波整流波半波整流波分析形图分析形图三极管:他是一种电流控制电流的半导体元件(双极性晶体管三极管:他是一种电流控制电流的半导体
10、元件(双极性晶体管BJT)三极管作用:主要用于放大和用于无触点开关。三极管作用:主要用于放大和用于无触点开关。三极管工作状态:三极管工作状态:1:截止状态。:截止状态。 2:放大状态。:放大状态。 3:饱和状态。:饱和状态。三极管的放大条件是:发射结加正向电压,集电结加反向电压。三极管的放大条件是:发射结加正向电压,集电结加反向电压。三极管三极管三极管的三种状态三极管的三种状态三极管的测量三极管的测量方法:三极管的测量方法:一:机械万用表测量:用一:机械万用表测量:用RX1K档,黑表笔接任意一个脚,红表笔分别接另外两脚,档,黑表笔接任意一个脚,红表笔分别接另外两脚,表针大幅度摆动,测黑表笔是表
11、针大幅度摆动,测黑表笔是B极,此管是极,此管是NPN。反之红表笔接任意一个脚,黑表笔。反之红表笔接任意一个脚,黑表笔分别接另外两脚,表针大幅度摆动,红表笔是分别接另外两脚,表针大幅度摆动,红表笔是B极此管是极此管是PNP。二:数字表测量:用二级管档(蜂鸣档),红表笔接任意一个脚,黑表笔分别接另外二:数字表测量:用二级管档(蜂鸣档),红表笔接任意一个脚,黑表笔分别接另外两脚,均显示小于两脚,均显示小于1V,测红表笔是,测红表笔是B极,此管是极,此管是NPN。反之黑表笔接任意一个脚,红。反之黑表笔接任意一个脚,红表笔分别接另外两脚,均显示小于表笔分别接另外两脚,均显示小于1V,黑表笔是,黑表笔是B
12、极此管为极此管为PNP。三:两种万用表都有三极管放大倍数测量,均表有三:两种万用表都有三极管放大倍数测量,均表有B/C/E,只有正确的插入才会显示,只有正确的插入才会显示放大倍数。放大倍数。光电隔离器或光电耦合器,简称光耦、它是以光为媒介来传输电信号的器件,通常光电隔离器或光电耦合器,简称光耦、它是以光为媒介来传输电信号的器件,通常发发光器(红外线发光二极管光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。对输)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。对输入、输出电信号起隔离作用,光耦合器一般由三部分组成:光的发射、光的接收及入、输出电信号起隔离作用,光耦合器一般由三部
13、分组成:光的发射、光的接收及信信号放大号放大光 耦7812 7805三端集成稳压器三端集成稳压器 晶振用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作,以提供稳定,晶振用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作,以提供稳定,精确的单频振荡。精确的单频振荡。 在电路中主要是给在电路中主要是给CPU提供一个稳定的运行频率。提供一个稳定的运行频率。 CPU工作三要素:工作三要素:1、电源。、电源。2、复位。、复位。3、震荡频率、震荡频率晶 振可控硅又称晶闸管,有单向和双向两种可控硅又称晶闸管,有单向和双向两种单向可控硅:阳极(单向可控硅:阳极(A)、阴极()、阴极(K或或C)和控制
14、极()和控制极(G)单向可控硅导通条件:单向可控硅导通条件:1、阳、阴极加正向电压。、阳、阴极加正向电压。2、控制极加正向触发电压。、控制极加正向触发电压。若欲使可控硅关断,也有两个关断条件:若欲使可控硅关断,也有两个关断条件: 1、使正向导通电流值小于其工作维持电流值;、使正向导通电流值小于其工作维持电流值; 2、使、使A、K之间电压反向。之间电压反向。单向可控硅的检测:单向可控硅的检测:用万用表用万用表RX1K档。分别测各管脚的正反向阻值,有一组测量正反向阻值偏差较大,测档。分别测各管脚的正反向阻值,有一组测量正反向阻值偏差较大,测量阻值较小时,黑表笔为量阻值较小时,黑表笔为G、红表笔是、
15、红表笔是K,侧剩下是脚为,侧剩下是脚为A.可可控控 硅硅双向可控硅双向可控硅双向可控硅:双向可控硅:T1 (第二端子或第二阳极第二端子或第二阳极),T 2(第一端子或第一阳极第一端子或第一阳极)和和G(控制极控制极)方向可控硅是两个单向可控硅反向并联,所以它具有双向导通性,即只要控制极方向可控硅是两个单向可控硅反向并联,所以它具有双向导通性,即只要控制极G入出发电流后,无论入出发电流后,无论T1、T2间的电压方向如何都能导通。广泛用于交流调压、电机调间的电压方向如何都能导通。广泛用于交流调压、电机调速、灯光控制等。速、灯光控制等。双向可控硅的检测:双向可控硅的检测:用万用表用万用表RX1档,测
16、出可控硅相互通的两个脚,剩下的那个脚为档,测出可控硅相互通的两个脚,剩下的那个脚为T1,相互通的两个脚,相互通的两个脚为为G和和T。区分。区分G和和T2时,用万用表红表笔接时,用万用表红表笔接T1,黑表笔接假设的,黑表笔接假设的T2,表针是不动的,表针是不动的,这时用黑表笔保持与这时用黑表笔保持与T2接触的同时触发一下接触的同时触发一下G极,表针会突然摆动,将黑表笔离开极,表针会突然摆动,将黑表笔离开G极仍然导通,说明假设成立。极仍然导通,说明假设成立。场效场效 应管(应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。即)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电
17、流的一种半导体器件。即电压控制电流的元件。电压控制电流的元件。一:一:场效应管的作用场效应管的作用 1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。,不必使用电解电容器。 2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3.场效应管可以用作可变电阻。场效应管可以用作可变电阻。 4.场效应管可以方便地用作恒流源。场效应管可以方便地用作恒流源。 5.
18、场效应管可以用作电子开关场效应管可以用作电子开关。二:场效应管二:场效应管分类分类场效应管分为结型场效应管(场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管()和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。管)两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和沟道和P沟道两种;按导电方式:耗尽型与增强型,沟道两种;按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而场效应晶体管,而M
19、OS场效应晶体管又场效应晶体管又分为分为N沟耗尽型和增强型;沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。沟耗尽型和增强型四大类。场效应管场效应管场效应管符号特征:场效应管符号特征:1、 箭头方向为箭头方向为PN结正向偏置方向。结正向偏置方向。 2、 箭头朝里,为箭头朝里,为N沟道,朝外这沟道,朝外这P沟道。沟道。 3、 MOS管图形管图形D、S相连为耗尽型,断开为增强型。相连为耗尽型,断开为增强型。 4、 FET输入电阻大,输入电阻大,G极无电流,加电时应使其为零偏为反偏。(正偏将烧毁)极无电流,加电时应使其为零偏为反偏。(正偏将烧毁)场效应管的测量:场效应管的测量:一:结型场效应管一:结型场
20、效应管1、将万用表置于、将万用表置于R1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数个管脚间的正、反向电阻相等,均为数K时,则这两个管脚为漏极时,则这两个管脚为漏极D和源极和源极S(可互(可互换),余下的一个管脚即为栅极换),余下的一个管脚即为栅极G。2、用万用表黑表笔接栅极,红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很、用万用表黑表笔接栅极,红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小,说明均是正向电阻,该管属于小,说明均是正向电阻,该管属于N沟道场效应管。沟道场效应管。二:二:MO
21、S场效应管场效应管1、将万用表置于、将万用表置于R1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻均为数几十个管脚间的正、反向电阻均为数几十K时,则这两个管脚为漏极时,则这两个管脚为漏极D和源极和源极S(可互换),余下的一个管脚即为栅极可互换),余下的一个管脚即为栅极G。2、在将万用表置于、在将万用表置于RX10K档,黑表笔接档,黑表笔接D极,红表笔接极,红表笔接S极,阻值应大于极,阻值应大于500K。此时。此时红表笔不动,黑表笔将红表笔不动,黑表笔将D、G极短接后,在测极短接后,在测D、S极,此时阻值迅速变
22、小,说明是极,此时阻值迅速变小,说明是N沟道型场效应管。反之,调换表笔触发导通为沟道型场效应管。反之,调换表笔触发导通为P沟道型场效应管沟道型场效应管场效应管与三极管的区别 场效应管与三极管的区别:场效应管与三极管的区别: 1.场效应管的源极场效应管的源极s、栅极、栅极g、漏极、漏极d分别对应于三极管的发射极分别对应于三极管的发射极e、基极、基极b、集电极、集电极c,它们的作用相似。,它们的作用相似。 2.场效应管是电压控制电流器件,由场效应管是电压控制电流器件,由vGS控制控制iD,其放大系数,其放大系数gm一般较小,因此场一般较小,因此场效应管的放大能力较差;三极管是电流控制电流器件,由效
23、应管的放大能力较差;三极管是电流控制电流器件,由iB(或(或iE)控制)控制iC。 3.场效应管栅极几乎不取电流;而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场场效应管栅极几乎不取电流;而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的栅极输入电阻比三极管的输入电阻高。效应管的栅极输入电阻比三极管的输入电阻高。 4.场效应管是由多子参与导电;三极管有多子和少子两种载流子参与导电,而少子场效应管是由多子参与导电;三极管有多子和少子两种载流子参与导电,而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗浓度受温度、辐射等因素影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件(温度等)变化很大的情况下应选用场效应管。辐射能力强。在环境条件(温度等)变化很大的情况下应选用场效应管。 5.场效应管在
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