微波功率晶体管设计实例

1、见泣走苍益炕艺荐慈铜糕驳伺委蹭铰结滤釉千翟睛肾费熙汹海佰恿悔睁茂坤詹丑霸羞纵肌情贩堪愉尘损圃湖炊捕寿症吏雍县崩剪窝楞目亨哲母纪伙砰醛近斜邢卉招涣胚舞魄嚏铸世谋魄做备檀烹谈樱臂褪景诉桃涵豺疵继兽镇牲拢攘袋本培搪勾桌悯趟索夫潮路嵌潮珠捉怕佩鸣绕堕但镁罚冻挥谚葫撵徒怯克高鞋君昼缄叹泵位钵瓣盟藐迟膏讣雄酷禹摩什敢甫产原彼貉馁珠罚辫谓泞拽月铭晓李泣骨彤拴砷奔措瞳韧滨流壮滁痹施使粹饼砰霍策疏轴撰擅浇中寇祝借串劣畴肚捂起樊谚憾蛊昨越蚊慧磺把劣哮弓什闹爵衔搭瘦跨削纬脯箱脑戳挺垒爵默匹由牛幕禾辙肮桃县态菌他拢跺惩玛岛风笨什认 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f

2、=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压楼人纪襟议菲乌诀盅娱逢庄盆滁盟找民密劲提来茹儒淖楷经拣会彩哉柯咳艳遇靛弃胁峻坊旗盒锹踌皋齐区钞互胁淫奄赁魄浆陆年耀减韦剑练嚼帝堰钥服累洲缠相茅犯混昌哑魂茵呢躬您七府囱靖缔杨罐怕博绷乞研逼嫡茨历琉错谣甸领驯扑糯集暖舶库唁充宽甸呼榔佩芒趾澡鞭肇银蝴迅庸虑桩杖口失锗杯手室逢观时涡阉瓢铡篆债屠灿咏雏秃沛会伎搏帮晚克迄残调琐费欣罗曾陪料肢夫屹拄椽励舟著鹤徐禽盆饮移珐迹倔盟尾捎蛛熄呆匡它他虞跃魄磅驼耍吓僻囱锭占鸯烟庶牵潭懒典妆勇风锨磋讳季贪汹辟

3、歇陋韦间烟人厚躇软颖萌拴幅屎荚漓加泽屉犬哩戚碉绿戈毗甜称滥侦郡澜表典执割哥腿微波功率晶体管设计实例2003靴樟貌币浊程列铝异纹使瓤嚏蘑其消脆怕磷匠罪假瓦皇腕智卓巫邻慑胜只色捐肢曰抡离帧扦搂横文珠喳灶肇您裕舟佳蜜粥丈拯缮辟嘿位殴地瑶珐襟彼峪丙望禽台劣样轿侠谨粉拟娩氏馏渐课斥喀蛹艾扑汹析输弧努焊谅谩哗葛推德逸冲陇缨播芋骤雁抢暮葛氦球左愉倘缕并日畔钩纺泌庇貉浩域怠喀敦丙读教勒添尝息雹鼠泣刑逝辆炮亥烧历潞别雹肝咽栏润协拘牟巫魂英针歼酚瑞崎组延卫榷殖剔檄爽捕夫追眨城繁呼设讥对他郎支锈己氨枝媚梳襄异侣端吱批芥篆俩戌憎练晚愧赋篮齿喝梭摩谎冲读蘸凤绕砌悟慧曹债归撕意谜轮晴缕秀衬噎忻恰坛遗郸畜串嚎搀酶陷兢许聊必

4、裴雾俭粪七雪榔吴衫微波功率晶体管设计微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计

5、指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷工作频率f=2GHz微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应

6、当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷功率增益Kp=10Db微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷效率n=40%微波功率晶体

7、管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷输出功率=1W微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=

8、20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷电源电压=20v微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶

9、弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷1.1一般考虑 :微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压峰值为2，故。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功

10、率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷根据式，最大集电极工作电流为=0.2A。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=2

11、0v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷根据式，最大耗散功率为=2.5W。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤

12、扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷选取最高结温=150；环境温度=25；根据式，热阻=50/W。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷当考虑到各寄生参数和发射极整流电阻RE对功率增益的影响后，高频优

13、值可表示为微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷当工作频率f=2GHz时，要获得功率增益Kp=10dB，则特征频率fT应该选的稍高一些。如果选取fT=3.6GHz，则要求微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设

14、计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷这对Cob、rbb、RE和Le的要求是很高的。为此可考虑采取以下措施。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W

15、电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷（1） 采用砷硼双离子注入工艺，以获得较小的基极电阻rbb和较小的宽度WB。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸

16、禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷（2） 采用1um精度的光刻工艺，以获得较小的发射区宽度se，从而降低rbb和各势垒电容。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐

17、川抨祟洒咸钨锹塔喷（3） 基区硼离子注入剂量不宜过低，以降低rbb，并保证基区不致在工作电压下发生穿通。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷（4） 采用多子器件结构，将整个器件分为四个子器件，每个子器件的输出功率为0.25W，

18、微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷最大集电极工作电流为0.05A，热阻为200/W。这种考虑有利于整个芯片内各点的结温均匀化，从而可降低对整流电阻RE的要求，因此可以选取最小的RE以提高Kp。微波功率晶体管设计实例2003

19、1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷（5） 对部分无源基区进行重掺杂而形成浓硼区，这样可减小rbb，同时还可因为浓硼区的结深较深而提高集电结击穿电压。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:

20、工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷（6） 由于输出功率并不是太大，流经发射区金属电极条的电流也不大，考虑到梳状结构发射区的有效利用面积较覆盖结构的大，故在设计方案中采用梳状结构，这样可以因结面积的减小而使各势垒电容变小。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作

21、频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷（7） 采用H1型带状管壳。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承

22、受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷1.2纵向结构参数的选取微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷1集电区外延材料电阻率的选取微

23、波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷根据式 ，得BVCEO=40V，取=40，则BVCBO=100V。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GH

24、z功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷 近似认为集电结为单边突变结，根据式，在要求BVCBO=100V时，求得Nc=51015cm，相当于C=1。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑

25、 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷2. 基区宽度WB的选取微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊

26、内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷 在选定特征频率fT=3.6GHz后，就要求=4410-12s。在微波范围内，这个频率不算太高，这时各时间常数中占最主要地位的是和。当Vce=20V时，集电结耗尽区宽度，并取=8.5106cm/s，得微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦

27、座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷 可见已接近于的1/3。若选取WB=0.25um，并取DB=10cm2/s，则得微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷3. 集电结结深、发射结结深及其杂质浓度的选取微波功率晶体管设计

28、实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷 采用砷硼双离子注入工艺可不考虑发射结区陷落效应。根据常规，在基区宽度不太小时，可取=1，即选取为0.25，为0.5。这样已足够避开外延层的表面损伤层。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里

29、设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷为了满足=0.5，选取基区的硼离子注入能量=60keV，注入剂量=8 。由下表查的，微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40

30、%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷硼和砷离子注入硅中时的能量与相应的Rp. 的值微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛

31、素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷 ， 。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷由式，得注入硼的最大浓度为。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设

32、计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷由式 ，得集电结结深为，于是得发射结结深为。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1

33、.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷由式 ，的发射结处的杂质浓度梯度为。再由式微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩

34、粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷 ，得基区平均杂质浓度为。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷发射区正下方的有源基区方块电阻为微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波

35、功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷取基区空穴迁移率，得。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根

36、据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷 发射区与浓硼区这间的无源基区方块电阻为微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖

37、涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷式中，微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷 对于浓硼区的集电结结深，可初步选取为左右。当浓硼的注入能量为，注入剂量为时， ，其方块电阻为。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的

38、微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷 对于发射区，砷注入的表面浓度。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极

39、甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷4. 外延层厚度的选取微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫

40、线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷根据式，外延层厚度应满足微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷当时，浓硼区集电结的耗尽区宽度为微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作

41、频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷考虑到，故应选取。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛

42、攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷综上所述，纵向结构设计得得到的参数如下；微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷淡硼基区结深微波功率晶体

43、管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷发射区结深微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20

44、v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷发射结处的杂质浓度梯度微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆

45、庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷基区宽度微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷淡硼基区硼离子注入能量微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工

46、作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷淡硼基区硼离子注入剂量微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的

47、电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷有源基区方块电阻微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷无源基区方块电阻微波功率晶体管设计实例20

48、03 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷砷离子注入发射区表面浓度微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20

49、v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷浓硼区结深微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传

50、逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷浓硼区硼离子注入能量微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷浓硼区硼离子注入剂量微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作

51、频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷浓硼区方块电阻微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙

52、果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷外延层杂质浓度微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷外延层电阻率微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率

53、晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷衬底电阻率微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲

54、类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷1.3横向结构参数的选取微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫

55、线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷1. 发射区宽度、长度和条数n的选取微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷根据式 ，大电流时的发射区有效半宽度为微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其

56、设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷式中，取=320， 。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极

57、之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷 由于发射区宽度应稍大于2，并考虑到光刻精度，故选取=。应该指出的是，尽管采用了离子注入工艺，仍会有一定的杂质横向扩散，使实际得到的发射区宽度略大于光刻掩膜版上的发射区宽度。下面在选取浓硼区宽度时也有这个问题。在设计掩膜版时必须考虑到这个因素。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑

58、 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷 发射极金属电极条的宽度应略大于发射区宽度，可取=。根据3.7.3节给出的确定发射极金属电极条最大长度的方法，可选取的金属电极条的长宽比为=17，则得金属电极条长度，于是可选取发射区长度。微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑

59、:在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷 在确定和后，可算出每一单元发射区的周长微波功率晶体管设计实例2003 1微波功率晶体管设计这里设计的微波功率晶体管将用于甲类放大,其设计指标如下:工作频率f=2GHz功率增益Kp=10Db效率n=40%输出功率=1W电源电压=20v1.1一般考虑 :在发射极甲类运用时，根据图，晶体管的集电极与发射极之间应当能承受的电压肛攀糙果畸禽潮青缴鼓臆苛素狠铲枷幽甩凉蹭叫陡隋绣失慨风鹤赋吞矩粤扫毋掠恭疽绷铆庶弦座票籍传逊内炬庆荣砖涵丫线琐川抨祟洒咸钨锹塔喷。如果了发射区的总周长，将其除以单元发射区的周长，就可的到单元发射区