微电子器件 (测验)

1、 某硅突变某硅突变 PN 结的结的 NA = 1.51014 cm-3，ND = 1.51018 cm-3，试求室温下：，试求室温下： 1、平衡时的、平衡时的 pp0 、nn0 、pn0 和和 np0 ； 2、外加、外加 0.2V 正向电压时的正向电压时的 pn(xn) 和和 np(-xp) ； 3、内建电势、内建电势 Vbi 。AKPi693ppp0DKNi253nnn0ADbi222ln0.497V0.2()exp1.5 10 exp3.29 10 cm0.02622ln0.976V0.2()exp1.5 10 exp3.29 10 cm0.0263lnNkTVqnqVnxnkTNkTVq

2、nqVpxpkTN NkTVq、2i0.718Vn214363ip0Ap0A218323in0Dn0D11.5 10 cm ,1.5 10 cm ,1.5 10 cm ,1.5 10 cmnpNnNnnNpN、一、一、 1、写出、写出 PN 结正向扩散电流密度结正向扩散电流密度 Jdn 、Jdp 的表达式。的表达式。 2、当、当 NA ND 时，时，Jdn与与 Jdp 中以哪种电流密度为主？中以哪种电流密度为主？二、二、 某突变结的雪崩击穿临界电场为某突变结的雪崩击穿临界电场为 EC = 4.4 105 V/ /cm ，雪崩击穿电压为，雪崩击穿电压为 220V，试求发生击穿时的耗尽区宽度，试求

3、发生击穿时的耗尽区宽度 xdB 。2nnidnp0npA2ppidpn0ppDexp1exp1exp1exp1qDqD nqVqVJnLkTL NkTqDqD nqVqVJpLkTL NkT一、一、 1、 2、当、当 NA ND 时，时， Jdn Jdp二、二、BdBC3BdB5C1222 22010 cm10m4.4 10Vx EVxE 1、某、某 NPN 晶体管的晶体管的 ，试求该管的浮空电势。，试求该管的浮空电势。 2、试求该管当发射极开路集电结反偏时，基区中邻近发射区一侧的少子浓度、试求该管当发射极开路集电结反偏时，基区中邻近发射区一侧的少子浓度 nB(0) 是该处平衡少子浓度是该处平

4、衡少子浓度 nB0 的多少倍。的多少倍。0.99BEBB0B0B02(0)exp10.01qVnnnnkT、BE1ln(1)0.026ln(10.99)0.1197VkTVq 、 求下图共发射极求下图共发射极 T 形等效电路中形等效电路中 与与 并联支路的分界频率，通常可以忽略并联支路的分界频率，通常可以忽略哪个元件？哪个元件？erC 通常因通常因 ，所以可忽略，所以可忽略 。eeeTEDEebbecT11112222r CfrCr CCf eTr CfffC1、某、某 N 沟道沟道 MOSFET 的的 VT = 1V， = 10-3AV 2 ，试求当，试求当 VGS = 4V ，而，而 VDS 分别分别为为 2V、3V、4V 时的漏极电流之值。时的漏极电流之值。 2、试求该、试求该 MOS 管当管当 VDS = 2V，VGS 分别为分别为 2V、3V、4V 时的漏极电流之值。时的漏极电流之值。 2DSDSTGSD21)(VVVVITGSsatDVVV2TGS2Dsat