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文档简介
1、振荡器的性能指标振荡器的性能指标源源FminFmin公差公差FmaxFmax公差公差启动时间启动时间IMO3MHz1%62/74MHz7%最大最大10usMHzECO4MHz取决于晶体取决于晶体33MHz取决于晶体取决于晶体典型典型5ms,最大取决,最大取决晶振晶振DSI0MHz取决输入取决输入66MHz取决输入取决输入取决输入取决输入PLL24MHz取决于输入取决于输入67/80MHz取决于输入取决于输入最大最大250uS倍频器倍频器12MHz取决于输入取决于输入48MHz取决于输入取决于输入最大最大1uSILO1kHz-50%,+100%100kHz-55%,+100%在低功耗下,最大在低
2、功耗下,最大15mskHzECO32kHz取决晶振取决晶振32kHz取决晶振取决晶振典型典型500ms,最大取,最大取决晶体决晶体图图 MHzECO结构图结构图图图 32k HzECO结构结构 电源模式电源模式电源模式描述进入条件唤醒源活动时钟管理器Active操作基本模式,所有外设可用(可编程)唤醒、复位、手工寄存器进入任何中断任何(可编程)所有管理器可用。如果使用外部管理,数字和模拟管理器能被禁止Alternate Active类似于Active模式,典型配置用于很少的外设活动,减少功耗。一个可能的配置是关闭CPU和Flash,全速运行外设手工寄存器进入任何中断任何(可编程)所有管理器可用
3、。如果使用外部管理,数字和模拟管理器能被禁止电源模式描述进入条件唤醒源活动时钟管理器Sleep所有子系统自动禁止手工寄存器进入比较器、PICU,I2C,RTC,CTW,LVDILO/kHzECO所有数字和模拟管理器“嗡嗡”,如果使用外部管理,数字和模拟管理器能被禁止Hibernate所有子系统自动禁止最低功耗消耗模式,除了“冬眠”管理器使能外,所有的外设和内部管理器被禁止,配置和存储器内容被保留。 手工寄存器进入PICU只有冬眠管理器活动 电源模式电源模式休眠模式唤醒时间电流(典型)代码执行数字源模拟源可用时钟源唤醒源复位源Active-2mA 是所有所有所有-所有AlternateActiv
4、e-TBD用户定义所有所有所有-所有Sleep15us2uA 否I2C比较器ILO/kHzECO比较器、PICU,I2C,RTC,CTW,LVDXRES,LVD,WDRHibernate100us300nA 否无无无PICUXRES图图 电源模式状态变换电源模式状态变换图图 升压转换器的应用升压转换器的应用芯片和升压模式兼容性芯片和升压模式兼容性芯片电源模式升压模式芯片活动模式升压能工作在活动或待机模式芯片休眠模式升压能工作在活动或待机模式,然而,推荐升压工作在待机模式用于降低功耗芯片冬眠模式升压只能工作在活动模式。然而,推荐在芯片冬眠模式不使用升压,这是由于在升压活动模式下的大电流消耗。模拟
5、模拟/数字低电压中断,模拟高电压中断数字低电压中断,模拟高电压中断中断供电电压范围可用的短路电平精度DLVIVDDD1.71V-5.5V1.70V-5.45V(在250mV增量内)2%ALVIVDDA1.71V-5.5V1.70V-5.45V(在250mV增量内)2%AHVIVDDA1.71V-5.5V5.75V2% 监控器被禁止,一直到IPOR后为止。在休眠模式下,这些电路被周期性的唤醒。如果一个中断在“嗡嗡”的时候产生,系统首先进入到唤醒序列。然后,中断被识别和服务。图图 SIO块图块图图图 USB块图块图高阻模拟高阻模拟高阻数字高阻数字上拉上拉下拉下拉开漏驱动低开漏驱动低开漏驱动高开漏驱动高强驱动强驱动上拉和下拉上拉和下拉 驱动模式驱动模式驱动模式设置驱动模式设置模式编号驱动模式PRTxDM2PRTxDM1PRTxDM0PRTxDR=1PRTxDR=00高阻模拟000高阻高阻1高阻数字001高阻高阻2上拉010
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