DW01中文资料

1、01DW、主要特性彳主和由濡1木令涮到时商会后、西刑值02uA时克榆涮精度(Topt=251)一.+50mV时空榆涮精度(Topt=0到50c+60mV过前检测精魔+100mV蛉涮由工过流保护004V剂032V后止004V时本加识(VDD=44V自商乔枳/VDD=22V右肉罟由灾、110ms22mls且/iuu-5u-pin二、基本描述DW01是一款单节可充电锂电池保护集成电路，具有过充、过放、过流及短路保护功能。IC内部包含：三个电压检测电路、一个基准电路、一个延迟电路、一个短路保护电路和一个逻辑电路。当充电电压逐渐增大超过过充检测电路的阈值VDET1时，CoutPin的输出电压即过充检测电

2、路的输出电压VD1会变到低电位，也就是充电器负端的电位。在进入过充保护状态后，当VDD电压降低到VREL1下方或者当电池组脱离充电器而接一个负载，且VDD介于VDET1与VREL1之间时VD1可以复位，即CoutPin输出变为高电位。当放电电压低于过放检测电路的阈值VDET2时，经过一段固定的延迟时间，DoutPin的输出即过放检测电路的输出VD2会变为低电位。这时，若给电池充电，当电池电压上升到过放检测电路的阈值电压之上时，VD族复，Dout的输出电压变为高电平。当有过流情况出现时，内部过流检测电路会检测到，经过一段固定的延迟时间后，VD侨口Dout变为低电平，放电回路被切断。这时，若将电池

3、组从负载系统中分开，VD3会恢复使Dout变为高电平。当有外部短路电流时，短路保护电路会立即使Dout变为低电位，当外部短路电流消失后，Dout会转换为高电位。在检测到过放之后，会通过关闭一些内部电路使电源电流非常低。IC过充检测电路的延迟时间可以通过连接外部电容进行设置。CoutPin和DoutPin的输出类型是CMOS封装形式为SOT23-&锂电池保护IC四、SlxxlcircuitSlxxlcircuitDetectorDetector五、Pin脚定义Pin脚位Pin描述2 2V-V-充电器的货端输APinAPin3Cout过充检测电出的输出，CMOSt出4空脚位5VDD电源6V

4、ss地2三、电路框图符号过放检测电总的输出，CMOS出Dout1六、最大绝对额定值V-输入电压V-VDD-18至UVDD+0.3VVcoutCoutPinVDD-18到VDD+0.3VVdoutDoutPinVDD-0.3至WDD+0.3VPD功耗150mWTopt，作温度范围-30到85CTstq储仔温度必围-55到125C定值是极限值，在任何情况下都不能广刻超过。而且，任两项不能同中达到此值。表示在额定值下实际的工作情况O七、电气特性符号项目条件最小值典型值最大值单位VDD1输入电压VDD 至 UVSS 之间的电压1.510V温度 25c4.254.304.35V检测电源电VDET1过充阈

5、值电压压的上升沿050c4.244.304.36*NoteVVREL1tVDET1VDET2过充检测恢复电压过充保护延迟时间过放阈值电压VDD=3.6Vt检测电源电压4.054.104.15Vo4.4V的下降沿802.301102.401402.50msVVREL2过放检测恢复电压2.903.003.10VtVDET2过放保护延迟时间VDD=3.6Vto2.2V22msVDET3过流阈值电压检测“V-pin 电压的上升沿0.120.150.18VtVDET3过流保护延迟时间VDD=3.0V51015msVshort短路保护电压VDD=3.9V1.201.351.50Vtshort短路保护延迟时

6、间VDD=3.0V1050usVol1CoutPinN 沟道导通电压VDD=4.4V0.350.5VVoh1CoutPinP 沟道导通电压Iol=50uA,VDD=3.9V3.43.7VVol2DoutPinN 沟道导通电压Iol=-50uA,VDD=2.2V0.20.5VVoh2DoutPinP 沟道导通电压Iol=50uA,VDD=3.9V3.43.7VIDD静态电流VDD=3.9V,V-=0V46uAIstandby待机电流VDD=2.0V0.20.3uA*M:考虑到工艺参数的波动，我门采用trim来补偿与温度不关的参数，然而，止规格书日rhKH+#J/1L口1/卜HL口J。最大绝对福r

7、t1八、工作过程1. vDi/过充粒测VD1监控VDDpin的电压。当VDDI压逐渐升高超过过充检测电路的阈值VDET时，VD1会检测到过充，同时将CoutPin的输出转为低电位使得承担外部充电控制的NMOS管关断。有两种情况可以让VD1M位，使CoutPin的输出重新回到高电位，从而使系统重新恢复到充电过程。第一种情况是VDD!压拉低到“VREL1以下；第二种情况，是将电池组与充电器断开，并连接一负载放电，使VDDt降低到介于“VDET1和“VREL1之间。在检测到过充并且VDD电压高于VDET1时，电池连接到负载使负载电流流过外部充电控制MOSFET的寄生二极管。当VDDS过负载电流的持2

8、抽取被拉低到VDET以下时，CoutPin输出转为高电平。当VDD高于VDET1后在一定的输出延迟时间内又降回到低于VDET1,VD1将不会输出一个信号来关断充电控制的MOSFETCoutPin的电平转换器与缓冲驱动器结合在一起使CoutPin的低电平为V-Pin的电压，而且CoutPin的高电平为VDD电压。2. VD2/过放检测VD2监控VDDPin的电压。当VDDt压低于过放检测电路的阈值电压VDET2寸，VD2会检测到过放，同时DoutPin输出为低电平使得外部过放控制NMOS管关断。在进入到过放保护态后，为了使VD覆位并且DoutPin的输出恢复到高电平，对DW01而言，必须要给电池

9、组充电。如果VDDfe压维持在过放检测电路的阈值电压VDET2之下，充电电流会通过外部放电控制MOSFET寄生二极管路径。当VDDfe压重新升高到VDET2之上时，DoutPin转换为高电平，这时放电过程将可以通过导通的放电控制MOSFET继续进行。将电池组连接到充电器，当VDD电压高于VDET2时，DoutPin电位立即变为高电平。又tDW01来说，当VDD电压等于或者高于过放恢复电压/VDET2寸，过放保护情况会被解除。过放检测电路的延迟时间是固定的，当VDD=2.2V时tVDET2最小为22ms。当VDD电压低于VDET2后在一定的输出延迟时间内又重新被拉高到高于VDET2,VD2将不会

10、输出一个信号来关断放电控制的MOSFET。VD2检测到过放之后，静态电流会减小到典型值0.2uA(VDD=2.0V),此时只有充电检测电路工作。DoutPin的输出类型具有CMOS特性，即输出高电平为VDD,输出低电平为Vss。3. VD3/过流检测，短路检测V-Pin的电压值介于短路保护电压Vshort和过流保护阈值电压VDET之间时，过流检测电路工作并且提高V-Pin的电压高于Vshort使短路保护电路工作，从而使DoutPin的输出为低电平，外部放电控制NMOS管被关断。过流检测电路的延迟时间是固定的， 在VDD=3.0V时， 典型值是10ms在这个延迟时间内， 如果V-Pin从介于Vshort和VDET3之间的一个电位快速恢复，会使放电控制MOSFET持H。当短路保护电总开始工作时，DoutPin将会输出低电平，其延迟时间的典型值为10us。V-Pin有一个连接到VssPin的内置下拉电阻，典型值为100kOhm。当IC进入过流或短路保护状态后，如果将引起过流或外部短路的因素消除，可以使外部放电控制MOSF国动导通，同时V-Pin的电位通过内部下拉电阻拉低到Vss。如果VDD电压升高到VDET2以上同时又检测到过