数电门电路PPT学习教案

1、会计学1数电门电路数电门电路第一页，共99页。2 2.1 概述概述(i sh)门电路：是用以实现基本逻辑运算和复合门电路：是用以实现基本逻辑运算和复合(fh)逻辑运算的电子电路。实现与运算的叫与门逻辑运算的电子电路。实现与运算的叫与门，实现或运算的叫或门，实现非运算的叫非门，也，实现或运算的叫或门，实现非运算的叫非门，也叫做反相器，等等。叫做反相器，等等。分立元件门电路和集成门电路: 分立元件门电路：用分立的元件和导线连接起 来构成的门电路。简单、经济(jngj)、功耗低，负载差。 集成门电路：把构成门电路的元器件和连线都 制作在一块半导体芯片上，再封装起来，便构成了集成门电路。现在使用最多的

2、是CMOS和TTL集成门电路。第1页/共99页第二页，共99页。3在数字电路中，一般用高电平代表在数字电路中，一般用高电平代表1 1、低电、低电平代表平代表0 0，即所谓的正逻辑，即所谓的正逻辑(lu j)(lu j)。 反之，用高电平代表反之，用高电平代表0 0、低电平代表、低电平代表1 1，即所，即所谓的负逻辑谓的负逻辑(lu j)(lu j)。 电位指绝对电压的大小,电平指一定的电压范围。 高电平和低电平：在数字电路(dinl)中分别表示两段电压范围。 如在TTL电路(dinl)中，通常规定高电平的额定值为3V，但从2V到5V都算高电平；低电平的额定值为0.3V，但从0V到0.8V都算作

3、低电平。第2页/共99页第三页，共99页。4第3页/共99页第四页，共99页。5第4页/共99页第五页，共99页。6 应用于二极管外电路电阻R值与其(yq)动态rD电阻等量级场合 应用于二极管电路输入电压V正向(zhn xin)幅值与VON差别不大，且RrD的场合，(数字电路属于此类) 应用于二极管电路输入(shr)电 压 V 正 向 峰 值VPPVON，且RrD的场合(理想开关)VON0.7V（硅） 0.3V（锗）rD几 几十等效电路第5页/共99页第六页，共99页。7第6页/共99页第七页，共99页。8二、动态二、动态(dngti)特性特性给二极管电路加入一个(y )方波信号.v外加电压由

4、反向突然变为正向时，要等到PN结内部建立(jinl)起足够的电荷梯度后才开始有扩散电流形成，即浓度梯度建立(jinl)产生的延迟.开通时间ton:二极管从截止变为导通所需的时间.v外加电压由正向突然变为反向时，因PN结尚有一定数量的存储电荷，所以有较大的瞬态反向电流流过。随着存储电荷的消散，反向电流迅速衰减并趋近于稳态时的反向饱和电流.反向恢复时间tre ：二极管从导通到截止所需的时间。一般为纳秒数量级（通常tre5ns ）。t ts s为存储时间，为存储时间，t tt t称为渡越时间称为渡越时间。 trets十tt. 一般: tre tonttvitsttt to on ntrevi00若输

5、入信号频率过高，二极管会双向导通，失去单向导电作用。因此高频应用时需考虑此参数。第7页/共99页第八页，共99页。9第8页/共99页第九页，共99页。10截止(jizh)时等效电路(1) 截止(jizh)状态 条件(tiojin)：发射结反偏特点：电流iC,iB约为0 第9页/共99页第十页，共99页。11(2)饱和状态条件：发射结正偏，集电结正偏特点：UBES=0.7V，UCES=0.3V/硅饱和(boh)时等效电路第10页/共99页第十一页，共99页。122. 三极管的开关时间（动态(dngti)特性）三极管的开关时间 开启时间ton 上升时间tr延迟时间td关闭时间toff下降时间tf存

6、储时间ts第11页/共99页第十二页，共99页。13(1) 开启时间ton 三极管从截止(jizh)到饱和所需的时间。ton = td +tr td ：延迟时间 tr ：上升时间(2) 关闭时间toff 三极管从饱和到截止所需的时间。toff = ts +tf ts ：存储时间（几个(j )参数中最长的；饱和越深越长）tf ：下降时间toff ton 。三极管开关时间一般在纳秒数量级。高频三极管开关时间一般在纳秒数量级。高频(o pn)应用时需考应用时需考虑。虑。第12页/共99页第十三页，共99页。142.2.3 MOS管的开关管的开关(kigun)特性特性一、一、MOS管是金属管是金属(j

7、nsh)氧化物氧化物半导体场效应管的简称。（半导体场效应管的简称。（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）右图为右图为N沟道沟道(u do)增强型场效应管增强型场效应管(NMOS)第13页/共99页第十四页，共99页。15第14页/共99页第十五页，共99页。16N沟道(u do)增强型N沟道(u do)耗尽型P沟道增强型P沟道耗尽型第15页/共99页第十六页，共99页。17二、MOS管的输入(shr)特性和输出特性以N沟道(u do)增强型MOS管为例.MOS管是电压控制器件(qjin),用栅极电压VGS来控制漏极电流iD，如图所

8、示的转移特性，表示在漏源电压VDS一定时，iD和VGS的关系。VT为开启电压。当VGSVT后，形成iD，相当于开关闭合。在开关电路中，电路工作在大信号状态，从下图的输出特性中，MOS管的工作状态可划分为四个区：VT0246810123iD(mA)VGS(v)V)VDS=6 v(VT=4v)第16页/共99页第十七页，共99页。18截止区：截止区：VGSVT， VDSBVDS后，iD将随VDS增加(zngji)而急剧增加(zngji)，应避免此种情况，以免损坏管子。0246810123iD(mA)VDS(v)V)12线性电阻区线性电阻区饱和区饱和区击穿区击穿区截止区截止区VGS=8v7v6v5v

9、4v第17页/共99页第十八页，共99页。19三、MOS管的开关等效电路由于MOS管截止时漏极和源级之间的内阻ROFF非常大，所以截止状态下的等效电路可用断开(dun ki)的开关代替。MOS管导通状态下的内阻RON约在1K以内，而且与VGS的数值有关。C1代表(dibio)栅极的输入电容。约为几皮法。由于开关电路的输出端不可避免地会带有一定的负载电容，所以在动态工作情况下（即VI在高、低电平间跳变时），漏极电流 iD的变化和输出电压VDS的变化都将滞后于输入电压的变化。C1SDGSDGRON第18页/共99页第十九页，共99页。20目前，采用目前，采用MOS管的逻辑集成电路主要管的逻辑集成电

10、路主要(zhyo)有三类：以有三类：以P沟道增强型管构成的沟道增强型管构成的PMOS电路，以电路，以N沟道增强型管构成的沟道增强型管构成的NMOS电路以及用电路以及用PMOS和和NMOS两种管子构成的互补两种管子构成的互补MOS，即，即CMOS电路。电路。四、四、MOS管的基本管的基本(jbn)开关电路开关电路 G S iD D RD +VDD Vi Vo NMOS倒相器倒相器当当Vi=ViL时，时，VGS=ViLVT，MOS管处于导通状态，合理选择管处于导通状态，合理选择VDD和和RD，使，使iD足够大，输出足够大，输出VO=VOL=VDDiDRD为得到足够低的为得到足够低的VOL，要求，要

11、求RD很大，在实际电路中，常用另一个很大，在实际电路中，常用另一个MOS管来做负载。管来做负载。第19页/共99页第二十页，共99页。211与门电路与门电路 2.3 最简单最简单(jindn)的与、或、非门电路的与、或、非门电路A、B为输入为输入(shr)信号（信号（+3V或或0V）ABL0V0V0.7V0V3V0.7V3V0V0.7V3V3V3.7V电路输入(shr)与输出电压的关系用逻辑1 1表示高电平（此例为+3V+3V）用逻辑0 0表示低电平（此例为0.7V0.7V）第20页/共99页第二十一页，共99页。22电路输入与输出电压的关系ABL0V0V0V0V3V2.3V3V0V2.3V3

12、V3V2.3V用逻辑(lu j)1表示高电平（此例为+2.3V）用逻辑(lu j)0表示低电平（此例为0V）第21页/共99页第二十二页，共99页。233. 三极管非门三极管非门1、工作原理当Vi=ViL=0时，三极管截止，输出(shch)电压Vo=VoH Ecc当Vi=ViH Ec时，三极管饱和，输出(shch)电压Vo=VoL=Vces 02、正常工作条件1）.截止条件：Vbe0 ViL R1 02）.饱和条件：ibibs=ib= 21RREVbiLccescRVE1RVVbesiH2REVbbesccescRVE ViR1R2EbTRc+EcVoib第22页/共99页第二十三页，共99页

13、。24一、 TTL反相器的工作(gngzu)原理TTL集成逻辑门电路的输入和输出(shch)结构均采用半导体三极管，所以称晶体管晶体管逻辑门电路，简称TTL电路。1.电路结构由输入(shr)级、倒相级、输出级三部分组成.第23页/共99页第二十四页，共99页。2.工作原理(yunl)A输入信号的高、低电平分别为：VIH=3.4v，VIL=0.2v,VON=0.7v，Vcc=+5v1). A为低电平VIL=0.2v时，T1的发射结导通，并将T1的基电极电位钳在VIL+VON=0.9v， A R1 4k W W T1 T2 T4 T5 R4 R3 1KW W 130 W W +Vcc R2 1.6

14、K W W Y D1 D2 输入输入(shr)级级倒相级倒相级输出输出(shch)级级第24页/共99页第二十五页，共99页。因为(yn wi)T1的集电极回路电阻为R2和T2的b-c结反向电阻之和，阻值非常大，所以T1工作在深度饱和区，Vces1 0。显然，T2的发射结不导通，T2截止，Vc2为高电平，Ve2为低电平，使T5截止，故 R2上的压降很小，Vc2Vcc，T4管导通。因此，输出为高电平Vo=VOH=3.6v。 A R1 4k W W T1 T2 T4 T5 R4 R3 1KW W 130 W W +Vcc R2 1.6K W W Y D1 D2 输入输入(shr)级级倒相级倒相级输

15、出输出(shch)级级0.2v0V5V3.6V0.9v0.2V导通(射极跟随器)截止截止饱和5VVILVOH第25页/共99页第二十六页，共99页。2). 当输入信号为高电平VIH=3.4v，假设(jish)暂不考虑T1管的集电极支路，则T1管的发射结均应导通，可能使Vb1=VIH+0.7=4.1v。但是，由于Vcc经R2作用于T1管的集电极、T2和T5管的发射结，使三个PN结必定导通，Vb1=Vbc1+Vbe2+Vbe5=2.1v，使T1管的发射结均反偏，T1管处于倒置工作状态，T2和T5管饱和导通，Vo=VoL=Vces5=0.3v，Vc2=Vces2+Vbe5=0.3+0.7=1v，T4

16、管和D2 截止。 A R1 4k W W T1 T2 T4 T5 R4 R3 1KW W 130 W W +Vcc R2 1.6K W W Y D1 D2 输入输入(shr)级级倒相级倒相级输出输出(shch)级级3.4V0.7V1V0.3V2.1V1.4V饱和截止5VVIHVOLT1集电结正偏，发射结反偏，倒置工作状态饱和第26页/共99页第二十七页，共99页。28综上所述，综上所述，TTL非门输入非门输入(shr)端输入端输入(shr)低电平，输出即为高电平；当输入低电平，输出即为高电平；当输入(shr)端输入端输入(shr)高电平时，输出为低电平，实现了非逻辑功能。高电平时，输出为低电平

17、，实现了非逻辑功能。采用采用(ciyng)三极管射极输入级的作用：提高输入电阻三极管射极输入级的作用：提高输入电阻采用采用(ciyng)推拉式输出级的作用：利于提高开关速度和负载能力推拉式输出级的作用：利于提高开关速度和负载能力T3T3组成射极输出器，优点是既能提高开关速度，又能提高负载能力。组成射极输出器，优点是既能提高开关速度，又能提高负载能力。 当输入高电平时，当输入高电平时，T5T5饱和，饱和，T4T4和和D2D2截止，截止，T5T5的集电极电流可以全部用来驱动负载。的集电极电流可以全部用来驱动负载。 当输入低电平时，当输入低电平时，T5T5截止，截止，T4T4导通导通( (为射极输出

18、器为射极输出器) )，其输出电阻很小，带负载能力很强。，其输出电阻很小，带负载能力很强。 可见，无论可见，无论(wln)(wln)输入如何，输入如何，T4T4和和T5T5总是一管导通而另一管截止。总是一管导通而另一管截止。这种推拉式工作方式，带负载能力很强。这种推拉式工作方式，带负载能力很强。 第27页/共99页第二十八页，共99页。AB段: 当Vi0.6v时，Vb11.3v，T2和T5管截止，T4导通，输出为高电平VoH=VccVR2Vd2Vbe4 3.4v，故AB段称为截止区。BC段: 当0.7Vi1.3v时，T2管的发射极电阻R3直接接地(jid)，故T2管开始导通并处于放大状态，所以V

19、c2和Vo随Vi的增高而线性地降低。但T5管仍截止。故BC段称为线性区。CD段:当1.3vVi1.4v时， Vb1=2.1v，使T2和T5管均趋于饱和(boh)导通，T4 管截止，所以Vo急剧下降为低电平，Vo=VoL=0.3v，故称CD段为转折区。DE段: Vi大于1.4v以后，Vb1被箝位在2.1v，T2和T5管均饱和(boh)，Vo=Vces5=0.3v,故DE段称为饱和(boh)区。截止区线性区转折区饱和区T5T5截止截止(jizh)(jizh)，称关，称关门门T T5 5饱和，称开门二、电压传输特性二、电压传输特性第28页/共99页第二十九页，共99页。30三、结合(jih)电压传输

20、特性介绍几个参数 (1) 输出高电平UOH 典型值为3V。(2) 输出低电平UOL 典型值为0.3V。第29页/共99页第三十页，共99页。31(3) 开门(ki mn)电平UON一般要求UON1.8V(4) 关门电平UOFF一般要求UOFF0.8V 在保证输出(shch)为额定低电平的条件下，允许的最小输入高电平的数值，称为开门电平UON。在保证输出为额定高电平的条件(tiojin)下，允许的最大输入低电平的数值，称为关门电平UOFF。UOFFUON第30页/共99页第三十一页，共99页。32(5) 阈值电压UTH 电压传输特性曲线转折(zhunzh)区中点所对应的uI值称为阈值电压UTH（

21、又称门槛电平）。通常UTH1.4V。 (6) 噪声容限（ UNL和UNH ） 噪声容限也称抗干扰(gnro)能力，它反映门电路在多大的干扰(gnro)电压下仍能正常工作。 UNL和UNH越大，电路的抗干扰(gnro)能力越强。第31页/共99页第三十二页，共99页。33UOFFUNLUILUONUNHUIH低电平噪声容限（低电平正向干扰范围(fnwi)） UNL=UOFF-UILUIL为电路输入低电平的典型值（0.3V）若UOFF=0.8V，则有 UNL=0.8-0.3=0.5 (V) 高电平噪声容限（高电平负向干扰(gnro)范围）UNH = UIH - UONUIH为电路输入高电平的典型值

22、（3V）若UON=1.8V，则有 UNH = 3-1.8 =1.2 (V)第32页/共99页第三十三页，共99页。34TTL门的输入端噪声容限的其它定义门的输入端噪声容限的其它定义(教材教材(jioci)P64,门带门情况门带门情况)噪声容限：保证输出噪声容限：保证输出(shch)逻辑状态一定，而允许的输入噪声干扰的电压幅值逻辑状态一定，而允许的输入噪声干扰的电压幅值输入低电平噪声容限：输入低电平噪声容限：VNL=VILmax-VOLmax输入高电平噪声容限：输入高电平噪声容限：VNH=VOHmin-VIHminUOFFUON第33页/共99页第三十四页，共99页。35四、输入四、输入(shr

23、)特性：特性： Vi(v) iI(mA) 0 1.0 1.5 0.5 1 1.5 当当ViVT时，时，iI为负值，当为负值，当Vi5mA后，输出电压便线性下降，输出高后，输出电压便线性下降，输出高电平不能保持。一般器件手册所给的高电平最大输出电电平不能保持。一般器件手册所给的高电平最大输出电流流 IOH0.4mA第36页/共99页第三十七页，共99页。38例例2.4.1输入负载(fzi)特性曲线 （a）测试电路 （b）输入负载(fzi)特性曲线 TTL反相器的输入端对地接上电阻反相器的输入端对地接上电阻(dinz)RI 时，时，uI随随RI 的变化而变化的关系曲线。的变化而变化的关系曲线。六.

24、 输入负载(fzi)特性第37页/共99页第三十八页，共99页。39在一定范围内，uI随RI的增大而升高(shn o)。但当输入电压uI达到1.4V以后，uB1 = 2.1V，RI增大，由于uB1不变，故uI = 1.4V也不变。这时VT2和VT5饱和导通，输出为低电平。虚框内为TTL反相器的部分内部(nib)电路 )11beccIIIVVRRRu（第38页/共99页第三十九页，共99页。40RI 不大不小时，工作(gngzu)在线性区或转折区。RI 较小时，关门(gunmn)，输出高电平；RI 较大时，开门(ki mn)，输出低电平；ROFFRONRI 悬空时？第39页/共99页第四十页，共

25、99页。41(1) 关门电阻ROFF 在保证门电路输出为额定( dng)高电平的条件下，所允许RI 的最大值称为关门电阻。典型的TTL门电路ROFF 0.7k。 (2) 开门电阻RON 在保证门电路输出为额定( dng)低电平的条件下，所允许RI 的最小值称为开门电阻。典型的TTL门电路RON 2k。 数字电路中要求输入负载电阻RI RON或RI ROFF ，否则输入信号将不在高低电平范围内。振荡电路则令 ROFF RI RON使电路处于转折区。例2.4.2第40页/共99页第四十一页，共99页。42七、七、TTL门的动态特性：门的动态特性：传输延迟时间：输出波形相对于输入波形滞后的时间：传输

26、延迟时间：输出波形相对于输入波形滞后的时间：50ns 通常把输出电压由高电平变为低电平的传输延迟时间记作通常把输出电压由高电平变为低电平的传输延迟时间记作tPHL，由低，由低电平变为高电平的传输延迟时间记作电平变为高电平的传输延迟时间记作tPLH。在此。在此TTL非门中，由于非门中，由于输出管输出管T5工作在深度工作在深度(shnd)饱和状态，所以饱和状态，所以tPLHtPHL。 一般在一般在器件手册上给出的是平均传输延迟时间器件手册上给出的是平均传输延迟时间tpd。 其其定义为：定义为：tpd=(tPHL+tPLH)/2平均(pngjn)传输延迟时间tpd表征了门电路的开关速度。第41页/共

27、99页第四十二页，共99页。432. 电源的动态尖峰电流：电源的动态尖峰电流： 在动态工作情况下，特别是当输入由高电平下跳到低电平时，在动态工作情况下，特别是当输入由高电平下跳到低电平时，T1管饱和导通，为管饱和导通，为T2管提供了一个低阻的反向基极电流通路管提供了一个低阻的反向基极电流通路，使，使T2管很快截止，但管很快截止，但T5管并不能随之迅速截止。因为管并不能随之迅速截止。因为T5管管原来处于原来处于(chy)深度饱和状态，其基区存储电荷的消散需一深度饱和状态，其基区存储电荷的消散需一定的时间，故定的时间，故T4、T5管在一短暂时间会同时处于管在一短暂时间会同时处于(chy)导通导通状

28、态，因而使电源电流产生一尖峰脉冲。此尖峰电流使电源的状态，因而使电源电流产生一尖峰脉冲。此尖峰电流使电源的平均电流增大，而且，信号的重复频率越高，电源电流的平均平均电流增大，而且，信号的重复频率越高，电源电流的平均值增加越多。值增加越多。3. 交流噪声容限：高电平交流噪声容限：高电平2.0v 低电平低电平0.8v第42页/共99页第四十三页，共99页。44TTL与非门举例与非门举例(j l)740074007400是一种典型的是一种典型的TTLTTL与非门器件，内部含有与非门器件，内部含有(hn yu)4(hn yu)4个个2 2输入端与非门，共有输入端与非门，共有1414个引脚。引脚排列图如

29、图所示。个引脚。引脚排列图如图所示。第43页/共99页第四十四页，共99页。45八、八、 其他类型其他类型(lixng)的的TTL门电路门电路1.其他逻辑功能的其他逻辑功能的TTL门电路：门电路：输入特性：输入特性： 低电平电流低电平电流(dinli) 单端单端 高电平电流高电平电流(dinli) 多端多端输出特性：输出特性： 与反相器相同与反相器相同(xin tn)1).与非门与非门多发射极三极管多发射极三极管第44页/共99页第四十五页，共99页。462).或非门或非门 电路结构特点：多套（输入级电路结构特点：多套（输入级+倒相级）并联倒相级）并联 输入特性输入特性(txng)： 低电平电

30、流低电平电流 多端多端 高电平电流高电平电流 多端多端 输出特性输出特性(txng)： 与反相器相同与反相器相同第45页/共99页第四十六页，共99页。473).与或非门与或非门电路结构特点：将或非门各输入电路结构特点：将或非门各输入(shr)端改用多发射极三极管端改用多发射极三极管输入输入(shr)特性：特性： 低电平电流：低电平电流： 每个与门一端每个与门一端高电平电流：高电平电流： 多端多端输出特性：输出特性： 与反相器相同与反相器相同第46页/共99页第四十七页，共99页。482. 集电极开路集电极开路(kil)门（门（OC）为何(wih)要采用集电极开路门呢？推拉式输出电路结构存在局

31、限性。首先，输出端不能并联(bnglin)使用。若两个门的输出一高一低，当两个门的输出端并联(bnglin)以后，必然有很大的电流同时流过这两个门的输出级，而且电流的数值远远超过正常的工作电流，可能使门电路损坏。而且，输出端也呈现不高不低的电平，不能实现应有的逻辑功能。 第47页/共99页第四十八页，共99页。49推拉式输出(shch)级并联的情况01很大的电流不高不低的电平(din pn)：1/0?Y第48页/共99页第四十九页，共99页。50集电极开路(kil)的TTL与非门（a）电路 （b）逻辑符号集电极开路(kil)第49页/共99页第五十页，共99页。51工作(gngzu)原理：当V

32、T3饱和(boh)，输出低电平UOL0.3V；当VT3截止，由外接电源E通过外接上拉电阻提供高电平UOHE。因此， OC门电路必须外接电源和负载电阻，才能提供高电平输出信号。第50页/共99页第五十一页，共99页。52OC门的线与门的线与：由于由于n个个OC门的输出接在一起，所以只要有一个是低电平，门的输出接在一起，所以只要有一个是低电平，Vo就是低电平；只有每个输出都是高电平时，就是低电平；只有每个输出都是高电平时，Vo才是高电平。这种输出端并联的连接才是高电平。这种输出端并联的连接(linji)方式称为方式称为“线与线与”。第51页/共99页第五十二页，共99页。53外接负载电阻的计算方法

33、：外接负载电阻的计算方法：当所有当所有OC门同时截止时，输出门同时截止时，输出(shch)Vo为高电平，为保证输出为高电平，为保证输出(shch)的高电平不低于规定的的高电平不低于规定的VOH值。负载电阻的最大值计算公式：值。负载电阻的最大值计算公式：iHOHOHCCLmInIVVR(max)VOH第52页/共99页第五十三页，共99页。54当所有OC门中只有一个导通时，全部(qunb)负载电流都流入导通的那个 OC门，因而RL值不可太小，以确保流入导通OC门的电流不至于超过最大允许的ILM值。负载电阻最小值计算公式：ILLMOLCCLImIVVR(min)VOL第53页/共99页第五十四页，

34、共99页。55(1) OC门的输出端并联(bnglin)，实现线与功能。 RL为外接负载电阻。图2-20 OC门的输出端并联(bnglin)实现线与功能 Y1Y2Y000010100111CDABCDABYYY21第54页/共99页第五十五页，共99页。56用OC门实现(shxin)电平转换的电路 （2）用OC门实现(shxin)电平转换第55页/共99页第五十六页，共99页。573. 三态输出三态输出(shch)门（门（TSL）三态门电路的输出有三种可能(knng)出现的状态：高电平、低电平、高阻。何为(h wi)高阻状态？悬空、悬浮状态，又称为禁止状态。测电阻为，故称为高阻状态。测电压为0

35、V，但不是接地。因为悬空，所以测其电流为0A。第56页/共99页第五十七页，共99页。58电路(dinl)结构：增加了控制输入端（Enable）。 1)三态门的电路(dinl)结构及工作原理01截止YAB EN = 0时，时，电路为正常的与非工作状态，所以称控制端低电平有效。第57页/共99页第五十八页，共99页。5910导通1.0V1.0V截止(jizh)截止(jizh)悬空(xunkng)当EN = 1时，门电路输出端处于悬空的高阻状态。第58页/共99页第五十九页，共99页。60控制端高电平有效的三态门2)逻辑(lu j)符号控制端低电平有效的三态门用“”表示(biosh)输出为三态。高

36、电平有效低电平有效第59页/共99页第六十页，共99页。61控制(kngzh)端高电平有效的三态门控制(kngzh)端低电平有效的三态门第60页/共99页第六十一页，共99页。623)三态输出门应用：三态输出门应用：(1).实现总线传输实现总线传输 在微机系统中，希望在在微机系统中，希望在同一条导线上分别传递同一条导线上分别传递(chund)若干门电路的输若干门电路的输出信号，以减少连线数目，出信号，以减少连线数目，这时，可用三态门实现。只这时，可用三态门实现。只要控制各个门的要控制各个门的EN端轮流端轮流为为1，且任何时刻仅有一个，且任何时刻仅有一个为为1，就可以把各个门的输，就可以把各个门

37、的输出信号轮流送到公共的传输出信号轮流送到公共的传输线总线上而互不干扰这线总线上而互不干扰这种连线方式叫做总线结构。种连线方式叫做总线结构。第61页/共99页第六十二页，共99页。63(2). 可利用可利用(lyng)三态门实现数据的双向传递：三态门实现数据的双向传递：EN=1，G1工作，工作，G2高阻，高阻，Do经经G1反相送至总线反相送至总线(zn xin)。EN=0，G1高阻，高阻，G2工作，总线工作，总线(zn xin)数据经数据经G2反相从反相从D1端送出。端送出。第62页/共99页第六十三页，共99页。644. TTL门电路多余输入端的处理门电路多余输入端的处理TTL与非门在使用时

38、如果有多余的输入端不用，一般不应悬空与非门在使用时如果有多余的输入端不用，一般不应悬空，以防止外界干扰信号的侵入，以防止外界干扰信号的侵入(qnr)。有以下几种处理方法：。有以下几种处理方法：将其经将其经13K的电阻接至电源正端；的电阻接至电源正端；接高电平接高电平VH;与其他信号输入端并接使用。与其他信号输入端并接使用。或门及或非门的多余输入端应接低电平。或门及或非门的多余输入端应接低电平。与或非门的多余与门其输入端必须接低电平。与或非门的多余与门其输入端必须接低电平。第63页/共99页第六十四页，共99页。655、TTL集成逻辑门电路系列集成逻辑门电路系列(xli)简介（简介（P83-87

39、）1)74系列系列(xli)为为TTL集成电路的早期产品，集成电路的早期产品，属中速属中速TTL器件。器件。2)74L系列系列(xli)为低功耗为低功耗TTL系列系列(xli)，又称又称LTTL系列系列(xli)。3)74H系列系列(xli)为高速为高速TTL系列系列(xli)。4)74S系列系列(xli)为肖特基为肖特基TTL系列系列(xli)，进一步提高了速度。进一步提高了速度。抗饱和(boh)三极管抗饱和(boh)三极管第64页/共99页第六十五页，共99页。66TTL系列系列(xli)电路的性能比较电路的性能比较功耗功耗p 延迟时间延迟时间tpd 延迟延迟-功耗积功耗积P87 表表 2

40、.4.15 574LS74LS系列系列(xli)(xli)为低功耗肖特基系列为低功耗肖特基系列(xli)(xli)。6 674AS74AS系列系列(xli)(xli)为先进肖特基系列为先进肖特基系列(xli)(xli)，它是，它是74S74S系列系列(xli)(xli)的后继产品。的后继产品。7 774ALS74ALS系列系列(xli)(xli)为先进低功耗肖特基系列为先进低功耗肖特基系列(xli)(xli)，是，是74LS74LS系列系列(xli)(xli)的后继产品。的后继产品。其他双极型数字集成电路特点其他双极型数字集成电路特点(tdin)：DTL 二极管二极管-三极管逻辑三极管逻辑 速

41、度低速度低 功耗低功耗低ECL 发射极耦合逻辑发射极耦合逻辑 速度最高，功耗速度最高，功耗很大很大I2L 集成注入逻辑集成注入逻辑 集成度高，速度低集成度高，速度低 第65页/共99页第六十六页，共99页。672.6 CMOS2.6 CMOS门电路门电路2.6.1 CMOS反相器N沟道(u do)绝缘栅型场效应管P沟道(u do)绝缘栅型场效应管N沟道结型场效应管P沟道结型场效应管第66页/共99页第六十七页，共99页。68倒相器要求倒相器要求(yoqi)：TPTNDDVVVT1是是P沟道增强型沟道增强型MOS管，管，T2是是N沟道增强型沟道增强型MOS管。且管。且T1、T2的开启的开启(ki

42、q)电压分别为电压分别为VTN、VTP。当当Vi=ViL=0时，有，时，有，VGS2=0VTN ，故，故T1截止截止(jizh)而而T2导通，输出为低电平导通，输出为低电平VOL，且，且VOL 0 静态时静态时T1和和T2总是工作在一个导通而另一个截止，其截止内阻总是工作在一个导通而另一个截止，其截止内阻(ni z)又极高，流过又极高，流过T1和和T2的静态电流极小，所以的静态电流极小，所以CMOS反向器的静态功耗极小。反向器的静态功耗极小。TPGSVV 0VSST2T1VDDVOViiD导通导通截止截止G1G2S1S2D2D1VDD0V第68页/共99页第六十九页，共99页。70VSST2T

43、1VDDVOViiD1电压传输电压传输(chun sh)特性：（设特性：（设: VDD=10V， VTN=|VTP|=2V）（1 1）当）当ViVi2V2V，T2T2截止，截止，T1 (TP)T1 (TP)导通，输出导通，输出(shch)VoVDD=10V(shch)VoVDD=10V。(AB(AB段段) )（2 2）当）当2V2VViVi5V5V，T2 (TN)T2 (TN)工作在饱和区，工作在饱和区，T1T1工作在可变电阻区。工作在可变电阻区。(BC(BC段段) ) ABCDEF（3 3）当）当Vi=5VVi=5V，两管都工作，两管都工作在饱和在饱和(boh)(boh)区，区，Vo=Vo=

44、（VDD/2VDD/2）=5V=5V。 (CD (CD段段) ) （4 4）当）当5V5VViVi8V8V， T1 T1工作在饱和工作在饱和(boh)(boh)区，区， T2 T2工作在可变电阻区。工作在可变电阻区。(DE(DE段段) ) （5 5）当）当ViVi8V8V，T1T1截止，截止， T2 T2导通，输出导通，输出Vo=0VVo=0V。(EF(EF段段) ) 2.6.2 CMOS反相器的静态特性和动态特性第69页/共99页第七十页，共99页。71CMOS门电路的阈值电压门电路的阈值电压Vth= =VDD/2/2iDVIVTN VTP VDD 1/2VDDABCDEF2.电流传输电流传

45、输(chun sh)特特性性第70页/共99页第七十一页，共99页。723.输入特性输入特性:输入端绝缘，输入电流输入端绝缘，输入电流(dinli)为为0输入端保护电路输入端保护电路必须避免输入端悬空必须避免输入端悬空 第71页/共99页第七十二页，共99页。734.输出特性输出特性:导通内阻导通内阻(ni z)的影响的影响低电平最大输出电流低电平最大输出电流 灌电流灌电流mAIOL5 .0第72页/共99页第七十三页，共99页。74高电平最大输出高电平最大输出(shch)电流电流 拉电流拉电流 mAIOH5 .0第73页/共99页第七十四页，共99页。755.动态特性动态特性:延迟时间延迟时

46、间交流交流(jioli)噪声容限噪声容限*动态功耗动态功耗*第74页/共99页第七十五页，共99页。762.6.3 其他(qt)CMOS门电路ABYVDDT3T1T2T4ABYVDDT4T3T1T2BAYBAYCMOS与非门：与非门：P并并N串串CMOS或非门：或非门：P串串N并并2. CMOS或非门1. CMOS与非门第75页/共99页第七十六页，共99页。773. 带缓冲级的门电路带缓冲级的门电路 为了稳定为了稳定(wndng)输出高低电平，可在输入输出端分别加反相器作缓冲级。下图所示为带缓冲级的二输入端与非门电路。输出高低电平，可在输入输出端分别加反相器作缓冲级。下图所示为带缓冲级的二输

47、入端与非门电路。 BABAYABBABAY第76页/共99页第七十七页，共99页。78BABAYABBABAY第77页/共99页第七十八页，共99页。794. 漏极开路漏极开路(kil)的门电路（的门电路（OD门）门） 如同TTL电路中的 OC门那样， CMOS门的输出电路结构也可以做成漏极开路的形式，叫 OD门。 OD门作用：缓冲、输出电平变换、满足吸收大负载电流需求、实现线与逻辑。OD 门使用(shyng)时注意：外接合适的RL和电源VDD2。第78页/共99页第七十九页，共99页。805. CMOS传输(chun sh)门和双向模拟开关VI/VoVo/VIVDDCT1T2C TGVI/V

48、oVo/VICCC和和C是一对互补的控制信号是一对互补的控制信号,设控制信号的高低电平分别为设控制信号的高低电平分别为VDD和和0V,那么当那么当C=0,C=1时时,只要输入信号的变化范围不超出只要输入信号的变化范围不超出(choch)0VDD,则则T1和和T2同时截止同时截止,输入与输出之间呈高阻态输入与输出之间呈高阻态(109),传输门截止。传输门截止。反之，若反之，若C=1, C=0,当当0VIVDDVTN时时T1将导通。将导通。 VTP VIVDD时时T2将导通将导通. VI在在0- VDD内内T1和和 T2至少有一个导通至少有一个导通. VO与与VI两端之间呈低阻态两端之间呈低阻态,

49、传输门导通传输门导通.第79页/共99页第八十页，共99页。81由于由于T1、T2管的结构形式是对称的，即漏极和源极可互易使用，因而管的结构形式是对称的，即漏极和源极可互易使用，因而(yn r)CMOS传输门属于双向器件，它的输入端和输出端也可互易使用。传输门属于双向器件，它的输入端和输出端也可互易使用。利用CMOS传输门和CMOS反相器可以组合成各种复杂的逻辑电路，如数据(shj)选择器、寄存器、计数器等等。传输门的另一个重要用途是作模拟开关，用来传输连续变化的模拟电压信号。模拟开关的基本电路是由CMOS传输门和一个CMOS反相器组成的，也是双向器件。VI/VoTGVo/VIC假定接在输出端

50、的电阻为RL,双向模拟开关的导通内阻(ni z)为RTG。当C=0时，开关截止，输出与输入之间的联系被切断Vo=0。ITGLLoVRRRV当C=1时，开关接通，输出电压为：电压传输系数TGLLIoTGRRRVVK第80页/共99页第八十一页，共99页。826.CMOS三态门利用CMOS倒相器附加(fji)一个PMOS管和一个NMOS管构成三态门电路.工作原理：当EN=0时，T1和T2同时导通，为正常的非门(fi mn)，输出AL 当EN=1时，T1和T2同时截止，输出为高阻状态。所以(suy)，这是一个低电平有效的三态门。1(0)截止(导通)截止(导通)CMOS三态门其它电路结构第81页/共9

51、9页第八十二页，共99页。831 1CMOSCMOS逻辑逻辑(lu j)(lu j)门电路的系列门电路的系列（1 1）基本的）基本的CMOS4000CMOS4000系列。系列。（2 2）高速的）高速的CMOSHCCMOSHC系列。（采用短沟道、硅栅自对准工艺生产的高速门电路，其平均传输延迟时间小于系列。（采用短沟道、硅栅自对准工艺生产的高速门电路，其平均传输延迟时间小于1010纳秒。）纳秒。）（3 3）与）与TTLTTL兼容的高速兼容的高速CMOSHCTCMOSHCT系列。系列。附附: CMOS: CMOS逻辑逻辑(lu j)(lu j)门电路的系列及主要参数门电路的系列及主要参数（4 4）B

52、i CMOSBi CMOS系列系列(xli)(xli)。这种门电路的特点是逻辑部分采用。这种门电路的特点是逻辑部分采用CMOSCMOS结构，输出级采用双级型三极管。因此它兼有结构，输出级采用双级型三极管。因此它兼有CMOSCMOS电路的低功耗和双极型电路低输出内阻的优点（带负载能力强等）电路的低功耗和双极型电路低输出内阻的优点（带负载能力强等） 。2 2CMOS逻辑门电路主要参数的特点逻辑门电路主要参数的特点（1）VOH（min）=0.9VDD； VOL（max）=0.01VDD。第82页/共99页第八十三页，共99页。84（2）阈值电压Vth约为VDD/2。（3）CMOS非门的关门(gunm

53、n)电平VOFF为0.45VDD （非门入低电平，出高电平时，输出管截止，叫关门(gunmn)） ，开门电平VON为0.55VDD（非门入高电平，出低电平时，输出管导通，叫开门）。因此，其高、低电平噪声容限均达0.45VDD。（4）CMOS电路的功耗很小，一般小于1 mW/门；（5）因CMOS电路有极高的输入阻抗，故其扇出系数很大，可达50。所以(suy)CMOS门电路的逻辑摆幅（即高低电平之差）较大。第83页/共99页第八十四页，共99页。852.6.6 CMOS2.6.6 CMOS电路电路(dinl)(dinl)的正确使用的正确使用一、输入电路的静电防护为防止由静电电压造成的损坏，应注意以

54、下几点：1、在储存和运输CMOS器件时不要使用易产生静电高压(goy)的化工材料和化纤织物包装，最好采用金属屏蔽层包装材料。2、组装、调试时，应使电烙铁和其它工具、仪表、工作台台面等良好接地。操作人员的服装等应用无静电的原料制成。3、不用的输入端不应悬空。悬空时，输出为不定状态，且易损坏管。第84页/共99页第八十五页，共99页。86二、输入电路的过流保护二、输入电路的过流保护1、输入端接低内阻信号源时，应在输入端与信号之间串进保护电阻，保证输入保护电路中的二极管导通时电流不超过、输入端接低内阻信号源时，应在输入端与信号之间串进保护电阻，保证输入保护电路中的二极管导通时电流不超过1mA。2、输

55、入端接有大电容时，应在输入端与电容之间接入保护电阻，如图、输入端接有大电容时，应在输入端与电容之间接入保护电阻，如图2.6.35所示。所示。输入端长线时，应在门电路的输入端保护电阻输入端长线时，应在门电路的输入端保护电阻Rp，如图，如图2.6.36所示。所示。 Rp=VDD/ 1mA估算。估算。三、三、CMOS电路锁定效应电路锁定效应(xioyng)的防护的防护*CMOS电路与电路与TTL电路的对比电路的对比(dub)：功耗低：功耗低 速度低速度低P.119 表表 2.8.1第85页/共99页第八十六页，共99页。87一、一、 NMOS和和PMOS门电路门电路1NMOS非门非门(fi mn)*

56、 *2.7 2.7 其它类型其它类型(lixng)(lixng)的的MOSMOS逻辑门电路逻辑门电路逻辑关系：（设两管的开启(kiq)电压为VT1=VT2=4V，且gm1gm2 ）结型NMOS绝缘栅型NMOS第86页/共99页第八十七页，共99页。88（2 2）当输入）当输入ViVi为低电平为低电平0V0V时，时， T1 T1截止，截止，T2T2导通。所以导通。所以(suy)(suy)输出电压为输出电压为VOH=VDD-VT=8VVOH=VDD-VT=8V，即输出为高电平。所以，即输出为高电平。所以(suy)(suy)电路实现了非逻辑。电路实现了非逻辑。2、PMOS非门(fi mn)（少用）P

57、MOS非门有两个严重的缺点。（1）它的工作速度比较低。因空穴(kn xu)迁移率比电子的迁移率低。（2） PMOS非门电路使用负电源，输出电平为负，不便于和TTL电路连接。（1）当输入Vi为高电平8V时，T1导通，T2也导通。因为gm1 gm2，所以两管的导通电阻RDS1RDS2，输出电压为：所以输出为低电平。所以输出为低电平。第87页/共99页第八十八页，共99页。893 3NMOSNMOS组合组合(zh)(zh)门电路门电路（1 1）与非门）与非门（2）或非门）或非门驱动(q dn)管T1、T2串联，（实现与），漏极出（实现非）驱动(q dn)管T1、T2并联（实现或），漏极出（实现非）第88页/共99页第八十九页，共99页。902.8 TTL2.8 TTL与与CMOSCMOS路的接口路的接口(ji (ji ku)ku) 两种不同类型的集成电