横向压电效应学习教案

1、会计学1横向横向(hn xin)压电效应压电效应第一页，共45页。2第1页/共44页第二页，共45页。3概念：当某些材料在沿一定方向受到压力或拉力作用而发生变形时，其表面上会产生电荷；若将外力去掉时，它们又重新回到不带电的状态，这种现象就称为压电效应。而具有这种压电效应的物体称为压电材料或压电元件(yunjin)。常见的压电材料有石英、钛酸钡、锆钛酸铅等4.1 压电式传感器的工作(gngzu)原理压电式传感器的工作原理是以某些物质的压电效应(y din xio yng)为基础的。第2页/共44页第三页，共45页。4特点： 当某些材料在沿一定方向受到压力或拉力作用而发生(fshng)变形时，其表

2、面上会产生电荷； 若将外力去掉时，它们又重新回到不带电的状态； 晶体受力所产生的电荷量与外力的大小成正比； 如对晶体施加一负变电场，晶体本身将产生机械变形，这种现象称为逆压电效应第3页/共44页第四页，共45页。5天然结构的石英晶体(jngt)，它是个六角形晶柱。在直角坐标系中z轴表示其纵向轴，称为光轴；x轴平行于正六面体的棱线，称为电轴；y轴垂直于正六面体棱面，称为机械轴。通常把沿电轴(x袖)方向的力作用(zuyng)下产生电荷的压电效应称为“纵向压电效应”；而把沿机械轴(y轴)方向的力作用(zuyng)下产生电荷的压电效应称为“横向压电效应”；在光轴(z轴)方向受力时则不产生压电效应第4页

3、/共44页第五页，共45页。6产生压电效应的原因：(1)x轴上受力 如果在x轴方向压缩，如图74(b)所示，则硅离子1就挤入氧离子2和6之间，而氧离子4就挤入硅离子3和5之间。结果在表面A上呈现负电荷、而在表面B呈现正电荷。如果所受的力为拉伸(l shn)，则硅离子1和氧离子4向外移，在表面A和B上的电荷符号就与前者正好相反。第5页/共44页第六页，共45页。7产生压电效应的原因：(2)y轴上受力如果沿y轴方向上压缩，如图74(c)所示，硅离子3和氧离子2以及硅离子5和氧离子6都向内移动同一数值，故在电极C和D上仍不呈现电荷，而由于相对把硅离子l和氧离子4向外挤，则在A和B表面(biomin)

4、上分别呈现正电荷与负电荷。若受拉力，则在表面(biomin)A和B上电荷符号与前者相反。第6页/共44页第七页，共45页。8产生压电效应的原因：（3）在z轴方向受力时在z轴方向受力时，由于(yuy)硅离和氧 离于是对称平移、故在表面上没有电荷呈现，因而没有压电效应。第7页/共44页第八页，共45页。9 压电元件在受到力作用时，就在相应的表面(biomin)上产生表面(biomin)电荷。其计算公式如下其中第一个角注i表示晶体的极化方向(fngxing)。当产生电荷的表面垂直于x袖(y轴或z铀)时，记作i1(或2或3)。第二个下角注j1或2，3和 4，5，6，分别表示在沿x轴、y轴、z轴方向(f

5、ngxing)作用的单向应力和在垂直于x轴、y轴、z轴的平面内(即yz平面、xz平面、xy平面)作用的剪切力。单向应力的符号规定拉应力为正而压应力为负；剪切力的正号规定为自旋转轴的正向看去使其I、II象限的对角线伸长。压电常数(chngsh)和表面电荷的计算第8页/共44页第九页，共45页。10第9页/共44页第十页，共45页。11 由压电常数矩阵还可以看出，对能量转换有意义的石英晶体变形方式有：厚度变形简称为TE方式)，如图 (a)所示。长度(chngd)变形(简称LE方式）。如图 (b)所示，面剪切变形(简称FS方式)。如图 (d)所示。厚度的切变形(简称TS方式)。如图 (c)所示。弯曲

6、变形(简称BS方式)。体积变形(简称VE方式)。第10页/共44页第十一页，共45页。12 选用压电材料应考虑以下几方面： 转换性能：具有较大的压电常数(chngsh)； 机械性能：压电元件作为受力元件，希望它的强度高、刚度大、性范围和高的固有振动频率； 电性能；希望具有高的电阻率和大的介电常数(chngsh)，以期减弱外部分布电容的影响并获得良好的低频特性； 温度和湿度稳定性要好，具有较高的居里点，以期得到较宽的工作温度范围； 时间稳定性：压电特性不随时间蜕变。4.2 压电材料(cilio)概念：压电材料有三类：压电晶体(jngt)、压电陶瓷、有机压电材料第11页/共44页第十二页，共45页

7、。13 石英。它是一种天然晶体，现在已有高化学纯度和结构完善的人工合成(rn n h chn)的石英晶体，压电系数d1123110-12CN在几百度的温度范围内，压电系数不随温度而变。 水熔性压电晶体。属于单斜晶系的有酒石酸钾钠，酒石酸乙烯二铵(简称EDT)，酒石酸二钾(简称DKT)，硫酸理 属于正方晶系的有磷酸二氢钾(简称KDP)，磷酸二氢氨(N简称ADP)，砷酸二氢钾(简称KDA)砷酸二氢氨(简称ADA)。压电晶体(jngt)第12页/共44页第十三页，共45页。14 钛酸钡(BaTiO3)压电陶瓷。具有比较高的压电系效(d3310710 -12CN)和介电常数，机械强度不及石英。 锆钛酸

8、铅系压电陶瓷(PZT)压电系数较高(d33 (200-500) -12CN )，各项机电参数随温度、时间等外界条件的变化小，在锆钛酸铅的基方中添加一二种微量元素，如La，Nb，Sb，Sn，Mn，W等，可以获得不同性能的PZT材料。 铌酸盐系压电陶瓷。这一系中是以铁电体铌酸钾和铌酸铅为基础的。铌酸铅的介电常数低。在铌酸铅中用钡或锶替代一部分铅可引起性能的根本变化，从而得到具有较高机械品质因素Qm的铌酸盐压电陶瓷。铌酸钾是通过热压过程制成的，特点是适用于作10-40MHz的高频换能器。 铌镁酸铅压电陶瓷(PMN)具有较高的压电系数(d33 800-90010 -12CN )，在压力大至700kgc

9、m2时仍能继续工作，可作为(zuwi)高温下的力传感器。压电陶瓷(toc)第13页/共44页第十四页，共45页。15压电陶瓷产生压电效应的原理极化(j hu)前，存在许多自发极化(j hu)的电畴极化(j hu)中，电畴自发极化(j hu)方向转到与外加电场方向一致极化(j hu)后，有剩余极化(j hu)强度问题：未受压前，为何不显示(xinsh)带电特性？受压后，为何显示(xinsh)带电特性？第14页/共44页第十五页，共45页。16 如果在压电陶瓷片上加一个与极化方向平行的外力，陶瓷片将产生压缩变形，片内的正、负束缚电荷之间距离变小，束缚电荷之间距离变小，电畴发生偏转，极化强度也变小，

10、因此，原来吸附在极板上的自由电荷，有一部分被释放而出现放电现象(xinxing)。 当压力撤消后，陶瓷片恢复原状，片内的正、负电荷之间的距离变大，极化强度也变大、因此电极上又吸附一部分自由电荷而出现充电现象(xinxing)。这种由于机械效应转变为电效应，或者说由机械能转变为电能的现象(xinxing)就是压电陶瓷的正压电效应。 放电电荷的多少与外力的大小成比例关系机理(j l)第15页/共44页第十六页，共45页。17第16页/共44页第十七页，共45页。184.3 压电式传感器的等效电路可等效(dn xio)为两种形式：电压源电荷源电荷等效电路电压等效电路第17页/共44页第十八页，共45

11、页。19pCC:连接(linji)电缆的等效电容pRi:放大器的输入电阻pCi:输入电容pCa:是传感器的电容pRa:是传感器的漏电阻。第18页/共44页第十九页，共45页。20并联(bnglin) Q2Q， U U，C2C串联 QQ，U 2U ，C C/2第19页/共44页第二十页，共45页。21 在压电式传感器中，压电材料一般不用一片，而常常采用两片(或是两片以上)粘结在一起。由于压电材料的电荷是有极性的，因此接法也有两种。在这两种接法中，并联接法输出电荷大、本身电容大、时间常数大（？），适宜用在测量慢变信号并且以电荷作为输出量的地方，而串联接法输出电压大，本身电容小，适宜用于以电压作输出

12、信号，并且测量电路(dinl)输入阻抗很高的地方。第20页/共44页第二十一页，共45页。224.4 压电式传感器的信号调节(tioji)电路n 压电式传感器要求负载电阻Ri必须有很大的数值，才能使测量(cling)误差小到一定数值以内。因此常在压电式传感器输出端后面，先接入一个高输入阻抗的前置放大器，然后再接一般的放大电路及其它电路。压电式传感器的测量(cling)电路关键在于高阻抗的前置放大器。n 前置放大器有两个作用，第一是把压电式传感器的微弱信号放大；第二是把传感器的高阻抗输出变换为低阻抗输出。n 压电式传感器的输出可以是电压，也可以是电荷，所以前置放大器也有两种。第21页/共44页第

13、二十二页，共45页。23电压(diny)放大器(阻抗变换器）第22页/共44页第二十三页，共45页。写成复数(fsh)形式理想(lxing)情况下，R很大令Uim:实际输入(shr)电压Uam:实际输入(shr)电压的辐值第23页/共44页第二十四页，共45页。251.当作用在压电元件上的力是静态力(0)时，则前置放大器的输入电压等于零。因为电荷就会通过放大器的输入电阻和传感器本身的泄漏电阻漏掉。这也就从原理上决定(judng)了压电式传感器不能测量静态物理量；2.当 / 11时，即1时，也就是作用力的变化频率与测量回路的时间常数的乘积远大子1时，前置放大器的输人电压Uim随频率的变化不大。当

14、 / 1 3时，可近似看作输入电压与作用力的频率无关。这说明，压电式传感器的高频响应是相当好的。它是压电式传感器的一个突出优点。结论(jiln)：UimUam_第24页/共44页第二十五页，共45页。26结论:为了扩大(kud)传感器的低频响应范围就必须尽量提高回路的时间常数。(时间常数与哪些因素有关?)但这不能靠增加测量回路的电容量来提高时间常数，因为传感器的电压灵敏度Sv是与电容成反比结果是:为了扩大(kud)传感器的低频响应范围就必须增大输入阻抗Ri为此，切实可行的办法是提高测量(cling)回路的电阻。R1第25页/共44页第二十六页，共45页。27 为了(wi le)满足阻抗匹配要求

15、，压电式传感器般都采用专门的前置放大器。 但是，压电式传感器在与阻抗变换器配合使用时，连接电缆不能太长。电缆长，电缆电容Cc就大，电缆电容增大必然使传感器的电压(diny)灵敏度降低解决电缆问题的办法是将放大器装入传感器之中，组成一体化传感器。第26页/共44页第二十七页，共45页。28内部(nib)装有超小型阻抗变换器 的压电式加速度传感器原理：压电式加速度传感器的压电元件是二片并联连接的石英晶片，放大器是一个超小型静电放大器(阻抗变换器)。这样，引线非常短，引线电容几平等于零，就避免了长电缆对传感器灵敏度的影响。放大器的输入端可以(ky)得到较大的电压信号这就弥补了石英晶体灵敏度低的缺陷。

16、第27页/共44页第二十八页，共45页。29 优点(2)：最为突出的是这种传感器能直接输出一个高电平、低阻抗的信号输出电压可达几伏)，它可以用普通的同轴电缆输出信号，一般不需要再附加放大器，只有在测量低电平振动时，才需要再放大，并可很容易直接输至示波器、带式记录器、检流计和其它普通的指示仪表。 另一个显著的优点是，由于采用石英晶片作压电元件(yunjin)，因此在很宽的温度范围内灵敏度十分稳定，而且经长期使用，性能也几乎不变。第28页/共44页第二十九页，共45页。30第29页/共44页第三十页，共45页。31电荷放大器实际上是一个具有深度电容负反馈的高增益放大器图中k是放大器的开环增益，(一

17、k)表示放大器的输出与输入反相，若放大器的开环增益足够高，则运算放大器的输入端a点的电位接近“地”电位。由于放大器的输入级采用了场效应晶体管，因此放大器的输入阻抗极高，放大器输入端几乎没有分流，电荷Q只对反馈电容Cf充电，充电电压接近等于放大器的输出电压，即:U0ucf=-Q/Cf式中： U0一一放大器输出电压； ucf一反馈电容两端的电压。第30页/共44页第三十一页，共45页。32注意：1. Cf容量是做成可调的范围一般在100一10000PF之间。2. 为了减小零漂，使电荷放大器工作(gngzu)稳定，一般在反馈电容的两端并联一个大电阻R(约108一1010)，其功用是提供直流反馈。第3

18、1页/共44页第三十二页，共45页。331 工作原理压缩式压电加速度传感器的结构原理图压电元件一般由两片压电片组成。在压电片的两个表面上镀银(d yn)层，并在银层上焊接输出引线，或在两个压电片之间夹一片金属，引线就焊接在金属片上，输出端的另一根引线直接与传感器基座相连。在压电片上放置一个比重较大的质量块，然后用一硬弹簧或螺栓、螺帽对质量块预加载荷。第32页/共44页第三十三页，共45页。34灵敏度提高传感器的灵敏度方法:增大m（会影响试件的振动(zhndng)）增加压电片的数目采用合理的连接第33页/共44页第三十四页，共45页。35压电式加速度传感器，可以简化成由集中质量(zhling)M

19、、弹簧和阻尼器组成的二阶单自由度系统式中：x运动体的绝对(judu)位移； xm质量块的绝对(judu)位移。 为此实际测量的振动频率上限一般只取传感器固有频率的1513左右，也就是说工作在频率特性的平直(pn zh)段。在这一范围内，传感器的灵敏度基本上不随频率而变化。即使限制了它的测量频率范围，但由于传感器的固有频率相当高(一般可达30kHz甚至更高)，因此，它的测量频率的上限仍可高达几千赫兹，甚至十几千赫兹。频率特性 第34页/共44页第三十五页，共45页。36压电式加速度传感器的结构(jigu) 压电元件的受力和变形常见的有厚度变形、长度变形、体积变形和厚度剪切变形四种。按以上四种变形

20、方式也应当有相应(xingyng)的四种结构的传感器，但目前最常见的是基于厚度变形的压缩式和基于剪切变形的剪切式两种，前者使用更为普遍。第35页/共44页第三十六页，共45页。37(a)为外圆配合压缩式。它通过硬弹簧对压电元件施加预压力。这种型式的传感器结构简单，而且灵敏度高，但对环境(hunjng)的影响(如声学噪声、基座应变、瞬时温度冲击等)比较敏感这是由于其外壳本身就是弹簧一质量系统中的一个弹簧，它与起弹簧作用的压电元件并联，由于壳体和压电元件之间这种机械(jxi)上的并联连接，因此，壳体内的任何变化都将影响到传感器的弹簧一质量系统使传感器灵敏度发生变化。1-基座(j zu) 2 -压电晶片3 -质量块 4 -弹簧片5 -电缆第36页/共44页第三十七页，共45页。38(b)所示为中心配合压缩式。它具有外因配合压缩式的优点、并克服了对环境敏感的缺点(qudin)。这是因为弹簧、质量块和压电元件用一根中心核牢固地固定在厚基座上，而不与外壳直接接触，外壳仅起保护作用。但这种结构仍然要受到安装表面应变的影响。1-基座(j zu) 2 -压电晶片3 -质量块 4 -弹簧片5 -电缆第37页/共44页第三十八页，共45页。39(c)是倒装中心配合(pih)压缩式，由于中心柱离开基座所以避免了基座应变引起的误差。但由于壳体是质量一弹