半导体物理基础知识

1、半导体物理基础知识一、半导体导电特性电子线路中的关键器件如二极管、三极管、场效应管、集成电路等都是由半导体材料制成的，要分析上述器件的工作原理，必须对半导体材料的导电特性应有所了解。1、什么是半导体物质如按导电性能分可分为（1）导体：电阻率P很小；（2）绝缘体：电阻率P很大；（3）半导体：电阻率P不大不小，10-3109Qcm。常见的有：硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）等。2、半导体独特的导电特性（1）受温度（T）的影响大；Tf-P；，热稳定性差，但也可做热敏元件（2）受光照的影响大；（3）掺杂对导电性能影响大。例：室温，纯净的硅，P=2*103Qcm，如掺百万分之一（10-6）的磷

2、（P）,纯度还有99.9999%（6个9）,则卩=4*10-3cm。、本征半导体1、什么是本征半导体：纯净的（9个9以上），晶格整齐无缺陷的单晶半导体。2、本征半导体晶格结构（1）半导体原子结构J/fJ:f惯性核价电子（2）晶格结构p3图1-1-2每个价电子与相邻原子的价电子组成共价键。通过共价键使所有的原子结合成一个晶体。3、本征激发(1) 当T=OK(绝对零度)时，所有价电子都束缚在共价键中，不能成为自由电子，晶体相当绝缘体。(2) 当T>0K或光照时，部分价电子获得额外能量，摆脱共价键束缚变为自由电子，并在共价键中留下一个缺少负电荷的空位(空穴)。这过程就叫本征(a) 本征激发时，

3、自由电子和空穴是成对出现，叫自由电子空穴对(b) 空穴是带正电的，因为原子是电中性的；(c) 空穴可以运动：邻近共价键中的价电子填补空穴。(d) 温度越高，产生的自由电子空穴对就越多。4、载流子：可以运动的带电粒子。半导体中自由电子和空穴都是载流子。5、复合：自由电子填补空穴。自由电子和空穴成对消失。自由电子和空穴浓度越大，复合的几率就越大。6、热平衡载流子浓度ni热平衡：在一定温度下，自由电子空穴对的产生与复合达到了动态平衡(单位时间有多少自由电子空穴对产生出来同时也有同等数量的自由电子空穴对复合掉)就叫热平衡。这时自由电子空穴对的浓度(单位体积粒子数)即热平衡热平衡载流子浓度n保i持不变。

4、n=AT2e2kt)i当温度Tf时，nffi常温下，n是很小的。例：硅在室温T=300K时，n二1.5xlOiocm-3。而硅的原子密ii度为5x1022cm-3，即每3万亿个硅原子只有1个价电子被本征激发。三、杂质半导体在本征半导体中掺进一定量的杂质元素磷原子替代硅原子，晶格结构不变。磷的第5个价电子没有受到共价键的束缚，在常温下都成为自由电子。（共价键中的价电子要受激发成为自由电子需要l.leV的能量，而磷的第5个价电子受激发成为自由电子只需要0.04eV的能量）。（1）掺杂只产生自由电子不产生空穴；（2）磷原子变为正离子（杂质离子），但因固定在晶格中所以不参与导电。（3）当掺杂浓度N&g

5、t;>热平衡本征载流子浓度n时，N型半导体中自由电子di的热平衡浓度n沁掺杂浓度N。od（几个数量级：硅原子密度:I。22cm-3；N:10151°18cm-3；常温时n:1010cm-3）di（4）N型半导体中空穴的热平衡浓度Po由半导体的热平衡条件：P-n二n2，贝yooin2n2p=-i-ui，一般N>>n，p<<nonNdioiod定性解释：由于n沁N>>n，所以空穴被复合的几率竹，p3odio(5) 电中性条件：n二N+p，其中N为正离子浓度odod(6)N型半导体中，自由电子是多数载流子，简称多子；空穴是少数载流子，简称少子。当温

6、度TT时，多子浓度nqN基本不变；而少子浓度由于odnTT,所以pTTio(7)5价杂质又称施主杂质，也叫N型杂质。2、P型半导体(在单晶硅中掺进3价杂质元素如硼B)p4图1-1-53价杂质只有3个价电子，共价键缺少1个价电子而出现一个空位，邻近共价键的价电子很容易去填补空位，在价电子原来位置就形成空穴，同时杂质原子也变为负离子。(1) 掺杂只产生空穴不产生自由电子；(2) 硼原子变为负离子(杂质离子)，但因固定在晶格中所以不参与导电。(3) 当掺杂浓度N>>热平衡本征载流子浓度n时,P型半导体中空穴的热平ai衡浓度PQ掺杂浓度N。oa(4) P型半导体中自由电子的热平衡浓度no由

7、半导体的热平衡条件：P-n二n2，贝yooin2n2n=，一般N>>n，n<<nopNaioioa(5) 电中性条件：P二N+n，其中N为负离子浓度oaoa(6) P型半导体中，空穴是多子；自由电子是少子。当温度Tt时，空穴浓度po基本不变；而自由电子浓度ntto(7) 3价杂质又称受主杂质，也叫P型杂质。3、杂质补偿例：先掺5价磷，N=8x1016cm-3，为N型半导体；再掺3价硼，dN=5x1017cm-3，由于N>N，就由N型半导体变为P型半导体。aad四、两种导电机制漂移和扩散1、漂移运动与漂移电流(1) 漂移运动：在外电场作用下，载流子产生的定向运动。自由电子逆外电场方向运动；空穴顺外电场方向运动。(2) 漂移电流：载流子漂移运动产生的电流，电流方向都是顺外电场方向2、扩散运动与扩散电流(1)扩散运动：当载流子浓度分布不均匀时，载流子从高浓度区向低浓度区的运动。运动方向与浓度梯度方向相反(2)扩散电流：载流子扩散运动产生的电流。电流密度的大小与浓度梯度的大小成正比。自由电子扩散电流方向同自由电子浓度梯度方向空穴扩散电流方向逆空穴浓度梯