JESD22简介+目录列表

1、JESD22标准定义及意义详细如下顺序标准编号简称现行版本标准状态标准项目11A100DJul2013现行循环温湿度偏置寿命2.A101THBCMar2009现行稳态温湿度偏置寿命3.A102AC)Nov2010现行加速水汽抵抗性-无偏置高压蒸煮（高压锅）4._|A103HTSLDDec2010现行高温贮存寿命TC温度循环5.A104)Mar2009现行本实验用来确定组件、互联器件对交替温度极限变化产生的机械应力的耐反性PTC上电温循6.A105CJan2004现行适用于半导体器件,在交替的高低温极限中周期的施加卸二|除偏压，用于模拟样件所遭受的最恶劣环境7A106BJun2004现行热冲击8

2、.A107CApr2013现行盐雾9.A108HTOL)Nov2010现行温度，偏置电压，以及工作寿命10.A109BNov2011现行，指密封日军标11A110HAST)Nov2010现行高加速温湿度应力试验（HAST）（有偏置电压未饱和高压j蒸汽）12.A111ANov2010现行安装在单面板底面的小型表贴固态器件耐浸焊能力的评价流程13.A112n塑封表贴器件水汽诱发的应力敏感性（被J-STD-020替I/彼替代代）14.A113PCFOct2008现行塑封表贴器件可靠性试验前的预处理15.A114FDec2008现行静电放电敏感性试验（ESD）人体模型（HBM）16.A115CNov2

3、010现行静电放电敏感性试验（ESD）机器模型（MM）17.A117COct2011现行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）编程/擦除耐久性以及数据保持试验18.UHSTAMar2011_加速水汽抵抗性一一无偏压HAST（无偏置电压未饱和高A118现行压蒸汽）高加速温湿度应力试验是为评估非气密性固态设备器件在潮湿的环境中的可靠性。19.A119Nov2004现行低温贮存寿命20.A120AJan2008现行用于集成电路的有机材料的水汽扩散率以及水溶解度试验方法21.A121AJul2008现行锡及锡合金表面镀层晶须生长的测试方法n22.A122Aug2007现行功率循环23.B100BJu

4、n2003现行物理尺寸24.B101BAug2009现行外部目检25.|B102EOct2007现行可焊性26.1B103BJun20022现行振动，变频27.B104CNov2004现行机械冲击28.B105DJul2011现行引出端完整性29.B106DApr2008现行通孔安装期间的耐焊接冲击口30.B107DMar2011现行标识耐久性31.B108BSep2010现行表贴半导体器件的共面性试验32.B109AJan2009现行倒装芯片拉脱试验33.B110BJul2013现行组件机械冲击34.B111Jul2003现行手持电子产品组件的板级跌落试验35.nB112AOct2009现行

5、高温封装翘曲度测试方法36.B113ASep2012现行手持电子产品组件互连可靠性特性的板级循环弯曲试验方法37.B114AMay2011现行标识可识别性38.B115AAug2010现行焊球拉脱试验39.B116AAug2009现行引线键合的剪切试验40.B117BMay2014现行焊球剪切41口B118Mar2011现行半导体晶圆以及芯片背面外目检42.C100/已废止高温连续性43.C101FOct2013现行静电放电敏感性试验（ESD）场诱导带电器件模型_AEC-Q100是基，2.A100循环温湿度|偏置寿命JESD22-A100C发布：2007年10月循环温湿度偏置寿命试验循环温湿|

6、度偏置寿命试验以评估非气密封装固态器件在潮湿环境中的可靠性为目的。它使用循环温度，湿度，以及偏置条件来加速水汽对外部保护性材料（封装或密封）或沿着外部保护材料和贯通其的金属导体的界面的穿透作用。循环温湿度偏置寿命试验通常|用于腔体封装（例如MQIADs,有盖陶瓷引脚阵列封装等），作为JESD22-A101或JESD22-A110的替代试验。1.JESD22JESD22-BPublished:Sep2000SupersededJESD22-B发布：2000年9月已被取代被系列测试方法“JESD221取代SUPERSEDEDBYTHETESTMETHODSINDICATEDBY'J“JES

7、D22提一个完整的系列试验方法，可在全球性的工程文件中取得。ESD22-'AcompletesetoftestmethodscanbeobtainedfromGlobalEngineeringDocuments于集成电路应力测试认证的失效机理的标准，它包含以下12个测试方法:AEC-Q100-001邦线切应力测试AEC-Q100-002人体模式静电放电测试AEC-Q100-003机械模式静电放电测试?AEC-Q100-004集成电路闩锁效应测试?AEC-Q100-005可写可擦除的永久性记忆的耐久性、数据保持及工作寿命的测试?AEC-Q100-006热电效应引起的寄生闸极漏电流测试?A

8、EC-Q100-007故障仿真和测试等级?AEC-Q100-008早期寿命失效率（ELFR）?AEC-Q100-009电分配的评估?AEC-Q100-010锡球剪切测试?AEC-Q100-011带电器件模式的静电放电测试?AEC-Q100-01212V系统灵敏功率设备的短路可靠性描述二|AEC-Q101是汽车级半导体分立器件应力测试认证,它包含以下6个测试方法:?AEC-Q101-001人体模式静电放电测试?AEC-Q101-002机械模式静电放电测试?AEC-Q101-003邦线切应力测试?AEC-Q101-004杂项测试方法?AEC-Q101-005带电器件模式的静电放电测试?AEC-Q1

9、01-00612V系统灵敏功率设备的短路可靠性描述JESD22-A100CPublished:Oct-2007CYCLEDTEMPERATUREHUMIDITYBIASLIFETEST:TheCycledTemperature-humidity-biasLifeTestisperformedforthepurposeofevaluatingthereliabilityofnonhermeticpackagedsolidstatedevicesinhumidenvironments.Itemploysconditionsoftemperaturecycling,humidity,andbiast

10、hatacceleratethepenetrationofmoisturethroughtheexternalprotectivematerial(encapsulateorseal)oralongtheinterfacebetweentheexternalprotectivematerialandthemetallicconductorsthatpassthroughit.TheCycledTemperature-Humidity-BiasLifeTestistypicallyperformedoncavitypackages(e.g.,MQUADs,liddedceramicpingrid

11、arraysI,etc.)asanalternativetoJESD22-A101orJESD22-A110.3.A101稳态温湿度偏置寿命4.A102加速水汽抵抗性-无偏置高压蒸煮JESD22-A101-BPublished:Apr-1997STEADY-STATETEMPERATUREHUMIDITYBIASLIFETEST:Thisstandardestablishesadefinedmethodandconditionsforperformingatemperaturehumiditylifetestwithbiasapplied.Thetestisusedtoevaluatether

12、eliabilityofnonhermeticpackagedsolidstatedevicesinhumidenvironments.Itemployshightemperatureandhumidityconditionstoacceleratethepenetrationofmoisturethroughexternalprotectivematerialora10nginterfacesbetweentheexternalprotectivecoatingandconductorsorotherfeatureswhichpassthroughit.Thisrevisionenhance

13、stheabilitytoperformthistestonadevicewhichcannotbebiasedtoachieveverylowpowerdissipation.JESD22-A102-CPublished:Dec-2000ReaffirmedJune2008ACCELERATEDMOISTURERESIS-TANCEUNBIASEDAUTOCLAVE:Thistestallowstheusertoevaluatethemoistureresistanceofnonhermeticpackagedsolidstatedevices.TheUnbiasedAutoclaveTes

14、tisperformedtoevaluatethemoistureresistanceintegrityofnonhermeticpackagedsolidstatedevicesusingmoisturecondensingormoisturesaturatedsteamenvironments.Itisahighlyacceleratedtestwhichemploysconditionsofpressure,humidityandtemperatureundercondensingconditionstoacceleratemoisturepenetrationthroughtheext

15、ernalprotectivematerial(encapsulantorseal)oralongtheinterfacebetweentheexternal-protectivematerialandthemetallicconductorspassingthroughit.Thistestisusedtoidentifyfailuremechanismsinternaltothepackageandisdestructive.5.A103高温贮存寿命JESD22-A103CPublished:Nov-2004HIGHTEMPERATURESTORAGELIFE:Thetestisappli

16、cableforevaluation,screening,monitoring,and/orqualificationofallsolidstatedevices.HighTemperaturestoragetestistypicallyusedtodeterminetheeffectoftimeandtemperature,understorageconditions,forthermallyactivatedfailuremechanismsofsolidstateelectronicdevices,includingnonvolatilememorydevices(dataretenti

17、onfailuremechanisms).DuringtheJESD22-A101-B发布：1997年8月稳态温湿度偏置寿命试验本标准建立了一个定义的方法，用于进行一个施加偏置电压的温湿度寿命试验。本试验用于评估非气密封装固态器件在潮湿环境下的可靠性。试验采用高温和高湿条件以加速水汽对外部保护材料或沿着外部保护材料和外部保护涂层，贯通其的导体或其他部件的穿透作用。本修订版加强了在无法施加J偏置以达到很低功率耗散的器件上运用本试验的能力。JESD22-A102-C发布：2000年12月，2008年6月经重新确认有效加速水汽抵抗性一一无偏置高压蒸煮本试验允许用户评估非气密封装固态器件对水汽的抵抗力

18、。进行无偏置高压蒸煮试验的目的在于利用水汽冷凝或水汽饱和蒸汽环境评估非气密封装固态器件的水汽抵抗力。本方法是一个高加速试验，使用冷凝条件下的压力，湿度和温度以加速水汽对外部保护性材料（封装或密封）或沿着外部保护材料和贯通其的金属导体的界面的穿透作用。这一试验用于识|别封装内部的失效机理，本试验为破坏性。JESD22-A103C发布：2004年11月高温贮存寿命：试验可应用于所有固态器件的评估，筛选，监控，以及鉴定。典型情况下，高温贮存试验用于确定在贮存条件下，时间和温度对固态器件，包括非易失存储器件（数据保留失效机理）的影响（由热激发的失效机理）。在试验中，只施加提高的温度应testeleva

19、tedtemperatures(acceleratedtestconditions)力（加速试验条件），而不施加电areusedwithoutelectricalstressapplied.Thistestmay应力。本试验取决于时间，温度bedestructive,dependingonTime,Temperatureand和包装（如果有），可能为破坏性。Packaging(ifany).6,A104|JESD22-A104CJESD22-A104C温度循jPublished:May-2005TEMPERATURECYCLING:发布：2005年5月环Thisstandardprovides

20、amethodfordeterminingsolidstate温度循环：本标准提供了一种用devicescapabilitytowithstandextremetemperaturecyclin于确定固态器件耐受极限温度循g.Changesinthisrevisionincluderequirementsthatthewor环能力的方法。在本修订版中，st-caseloadt改变之处包括最坏条件下，加载温emperaturemustreachthespecificextremesratherthanjust度而不是试验箱环境温度必须达requiringthatthechamberambient

21、temperaturereachtheex到规定的极值的要求。这保证了无tremes.Thisensuresthatthetestspecimenswillreachthespe论试验箱负载情况如何，试验样品cifiedtemper均会达到规定的温度极值。本修atureextremesregardlessofchamberloading.Definitionsa订版提供了负载监控传感器，最坏reprovidedforLoad,MonitoringSensor,Worst-CaseLoa情况负载温度，以及工作区的定dTemperature,andWorkingZone.Thetransferti

22、mehasbee义。转换时间由5分钟加严到1ntightenedfrom5minute分钟。新增了五个试验条件，以sto1minute.Fivenewtestconditionshavebeenaddedaswel及试验条件超过塑封固态器件玻lasacautiono璃化转变温度时的注意事项。ntestconditionswhichexceedtheglasstransitiontemperatureofplasticpackagesoliddevices.7.A105JESD22-A105CJESD22-A105C上电温Published:Jan-2004发布：2004年1月循POWERAND

23、TEMPERATURECYCLING:功率温度循环：功率温度循环试Thepowerandtemperaturecyclingtestisperformedtodeter验用于确定器件耐受变化的暴露minetheabilityofadevicetowithstandalternateexposuresa于极限高低温，同时周期性施加thighandlowtemperatureextremesandsimultaneouslythe和去除工作偏置。本试验的目的是operatingbiasesareperiodicallyappliedandremoved.Itisi模拟应用环境中达到的最严苛条nte

24、ndedtosimulateworstcaseconditionsencounteredinap件。功率温度循环试验视为破坏pli性，且只用于器件的鉴定。本试cationenvironments.Thepowerandtemperaturecyclingte验方法应用于需经受超温，需要在stisconsidereddestructivean所有温度条件上下电的半导体器disonlyintendedfordevicequalification.Thistestmethoda件。ppliestosemiconductordevicesthataresubjectedtotemperatureexc

25、ursionsandrequiredtopoweronandoffduringalltemperatures.8.A106JESD22-A106BJESD22-A106C热冲击Published:Jun-2004发布：2004年6月THERMALSHOCK:热冲击：本试验用于确定部件对Thistestisconductedtodeterminetheresistanceofaparttos于突然暴露于极限温变条件的抵uddenexposuretoextremechangesintemperatureandtothe抗力，以及交替暴露于这些极限effectofalternateexposures

26、totheseextremes.条件的影响。9.A107JESD22-A107CJESD22-A107CPublished:April-2013SALTATMOSPHERE:ThissaltAtmospheretestisconductedtodeterminetheresisJtanceofsolidstatedevicestocorrosion.Itisanacceleratedtestthatsimulatestheeffectsofsevereseacoastatmosphereonallexposedsurfaces.Thesaltatmospheretestisconsidered

27、destructive.Itisintendedforlotac_|ceptance,processmonitor,andqualificationtesting.ThelatestrevisionofMethod1041ofMIL-STD-750shallbeusedfordiscretesolid-statedevices.ThelatestrevisionofMethod1009ofMIL-STD-883shallbeusedforsolid-statemicrocircuits,integratedcircuits,hybrids,andmodules.发布：2013年4月盐雾：本盐雾

28、试验用于确定固态器件对于腐蚀的抵抗力。本方法是一个加速试验方法，模拟严酷的海滨气氛环境对所有暴露表面的影响。本盐雾试验视为破坏性。本试验可用于批接收，工艺监控，以及鉴定试验。MIL-STD-750试验方法1041的最后修订版应用于分立固态器件。MIL-STD-883试验方法1009的最后修订版应用于固态微电路、集成电路及组件。10.A108以及工作寿命JESD22-A108CPublished:Jun-2005TEMPERATURE,BIAS,ANDOPERATINGLIFE:Arevisedmethodfordeterminingtheeffectsofbiasconditionsandte

29、mperature,overtime,onsolidstatedevicesisnowavailable.RevisionBofA108includeslowtemperatureoperatinglife(LTOL)andhightemperaturegatebibias(HTGB)stressconditions,revisedcooldownrequirementsforhightemperaturestress,andaproceduretofollowifpartsarenottestedwithintheallowedtimewindow.发布：2005年6月温度，偏置电压，以及工

30、作寿命：JESD22-A108C本标准提供了一个可用的经修订的试验方法，用于确定偏置条件和温度在长时间下对固态器件的作用。A108修订版B包括了低温工作寿命（LTOL）以及高温栅偏（HTGB）应力条件，修订了高温应力的冷却需求，以及如果样品没有在允许的时间窗口中测试的情况下，应遵循的程序。11.A109密封（指向军标）JESD22-A109BPublished:Nov-2011,RewriteoftotaldoctopointtoMilitarystandards.HERMETICITY:Mostofthesetestsarecontrolledandupdatedinthemilitarys

31、tandards,thetwostandardsthatapplyareMIL-STD-750forDiscretes,&MIL-STD-883formicrocircuits.Thetestwithinthesestandardscanbeusedforallpackagetypes.Withinthesestandardsthetestsaresimilar;MIL-STD-750TestMethod1071HermeticSealisrecommendedforanycommercialhermeticrequirements.ForMIL-STD-883theapplicabl

32、etestmethodis1014Seal.12.A110高加速JESD22-A110DPublished:Nov-2010JESD22-A109A发布：2011年11月，重新编制了整份文档以指向军用标准。密封：大部分这些试验在军用标准中控制和更新，应用的两份标准分别是MIL-STD-750（分立器件），以及MIL-STD-883（微电路）。这些试验能够被用于所有的封装类型。在这些标准中，试验方法是类似的，MIL-STD-750试验方法1071推荐作为所有商用密封的要求。对于MIL-STD-883,可应用的试验方法是试验方法1014密封。JESD22-A110D发布：2010年11月HIGHL

33、YACCELERATEDTEMPERATUREANDHU应力试验温湿度(HASTMIDITYSTRESSTEST(HAST)Thepurposeofthisnewtestmethodistoevaluatethereliabilityofnonhermeticpackagedsolidstatedevices)inhumidenvironments.Itemployssevereconditionsoftemperature,humidity,andbiasthatacceleratethepenetrationofmoisturethroughtheexternalprotectivemat

34、erial(encapsulantorseal)oralongtheinterfacebetweentheexternalprotectivematerialandthemetallicconductorswhichpassthroughit.高加速温湿度应力试验（HAST）:该新的试验方法的目的是评价非气密封装固态器件在潮湿环境下的可靠性。它采用严酷的温度、湿度和偏执电压以加速水汽对外部保护材料（封装或密封）或沿着外部保护性材料和金属导体间的界面的穿透作用。JESD22-A111APublished:May-2004EVALUATIONPROCEDUREFORDETERMININGCAPAB

35、ILITYTOBOTTOMSIDEBOARDATTACHBYFULLBODYSOLDERIMMERSIONOFSMALLSURFAJESD22-A111A发布：2004年5月安装在单面板底面的小型表贴固态器件耐浸焊能力的评价流程：小型表贴器件（SMDs）常常被贴14.A112CEMOUNTSOLIDSTATEDEVICES:装在印制线路板底面，通过Frequently,smallSurfaceMountDevices(SMDs)areattachedtothebottomsideofaprintedcircuitboardbypassingthemthroughawavesolder(full

36、bodyimmersion)whilesimultaneouslysolderingdeviceswithpinsonthetopoftheboard(platedthroughholeattach).Asaresult,thesesmallSMDsmaybeexposedtohightemperaturesashighas265波峰焊接（整体浸焊）同时焊接表贴器件和安装在印制线路板正面的插装器件（通过通孔安装）果是在这种组装方法下，这些小型SMDs可能暴露于高至265C的高温。如果足够多的水汽°CduringthistypecfbSaTd寸装内，暴露于熔化的焊料attachmeth

37、od.Ifsufficientmoistureexistsinthepackage,exposuretothemoltensoldercausesthemoisturetoturntovapor,resultinginincreasedpressurewithinthepackagewhichinturnmaycausequalityand/orreliabilitydegradation.Thetestmethodinthisdocumentwilladdresstheissuesrelatedtothedeterminationofthecapabilityofasolidstatedev

38、icetowithstandthestressesoffullbodywavesolderimmersionandsubsequentfielduse.JESD22-A112-APublished:Nov-1995RescindedMay2000MOISTURE-INDUCEDSTRESSSENSITIVITYFORPLASTICSUR引起水分变为蒸汽，导致封装内部压强，可引起质量和可靠性退化。本试验方法关注与确定固态器件耐受整体波峰/浸焊能力，以及随后的使用相关的问题。JESD22-A112-A发布：1995年11月，2000年发的应020A,April1999.J-STD-020isnow

39、onrevisionD.01.替代，1999年4月。J-STD-020力敏感性（被J-STD-020替代）现行版本为修订版D.01.15.A113塑表JESD22-A113FPublished:Oct-2008JESD22-A113F发布：2008年8月贴器件PRECONDITIONINGOFPLASTICSURFACEMOUN塑封表贴器件可靠性试验前的预1贴器件水汽诱FACEMOUNTDEVICES-SUPERSEDEDBYJ-STD-5月取消塑封表贴器件水汽诱发的应力敏感性，被J-STD-020A处理：本试验方法建立了一个非气密固态SMDs（表面贴装器件）的工业标准化的预处理流程，这一流程

40、代表了一个典型的工业化多次回流焊接操作。这些SMDs在由半导体制造商进行规定的内部可靠性试验（鉴定及可靠性监控）前，应经受本文档中适当的M延理,列，以评估7长期可靠性|（器件的长期可靠性可能受到回流焊接过程的影响）。JESD22-A114F发布：2008年12月静电放电敏感性试验（ESD）人体模型（HBM）:本试验方法建立了一个通过将微电路暴露在定义的人体模型的静电放电应力下，根据其受损或降级的敏感度，对微电路进行试验和评级的标准化流程。目标是提供可靠的，可重复性的HBMESD试验结果，以使准确的等级评定能够进行。A115A发布：1997年10月。本试验方法有效，然而却不是业界常用标准，推荐的

41、工业试验方法为JESD22A114或JESD22C101静电放电敏感性试验（ESD）机器模型（MM）:本试验方法建立了一个通过将微电路暴露在定义的人体模型的静电放电应力下，根据其受损或降级的敏感度，对微电路进行试验和评级的标准化流程。目标是提供可靠的，可重复性的MMESD试验结果，以使准确的等级评定能够进行。JESD22-JESD22-A117A发布：2006年3月电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）编程/擦除耐久性以及数据保持试验：本方法建立了一个标准化的流程，以确定非易失1存储单元的数据循环耐久性和数TDEVICESPRIORTORELIABILITYTESTING:ThisTestM

42、ethodestablishesanindustrystandardpreconditioningflowfornonhermeticsolidstateSMDs(surfacemountdevices)thatisrepresentativeofatypicalindustrymultiplesolderreflowoperation.TheseSMDsshouldbesubjectedtotheappropriatepreconditioningsequenceofthisdocumentbythesemiconductormanufacturerpriortobeingsubmitted

43、tospecificin-housereliabilitytesting(qualificationandreliabilitymonitoring)toevaluatelongtermreliability(whichmightbeimpactedbysolderreflow).JESD22-A114FPublished:Dec-2008ELECTROSTATICDISCHARGE(ESD)SENSITIVITYTESTINGHUMANBODYMODEL(HBM):Thistestmethodestablishesastandardprocedurefortestingandclassify

44、ingmicrocircuitsaccordingtotheirsusceptibilitytodamageordegradationbyexposuretoadefinedelectrostaticHumanBodyModel(HBM)discharge(ESD).Theobjectiveistoprovidereliable,repeatableHBMESDtestresultssothataccurateclassificationscanbeperformed.JESD22-A115APublished:Oct1997。Thisisavalidtestmethod,howeveriti

45、snotcurrentlybeingusedintheindustry,thepreferredindustrytestmethodsareJESD22A114orJESD22C101ELECTROSTATICDISCHARGE(ESD)SENSITIVITYTESTINGMACHINEMODEL(MM):Thismethodestablishesastandardprocedurefortestingandclassifyingmicrocircuitsaccordingtotheirsusceptibilitytodamageordegradationbyexposuretoadefine

46、dMachineModel(MM)electrostaticdischarge(ESD).Theobjectiveistoprovidereliable,repeatableMMESDtestresultssothataccurateclassificationscanbeperformed.JESD22-A117APublished:Mar-2006ELECTRICALLYERASABLEPROGRAMMABLEROM(EEPROM)PROGRAM/ERASEENDURANCEANDDATARETENTIONTEST:Thismethodestablishesastandardprocedu

47、refordeterminingthedatacyclingenduranceanddataretentioncapabilityo程/擦除fnon-据保持能力。本试验方法可用十鉴耐久性volatilememorycells.Itisintendedasaqualificationandmo定和监控试验流程。本试验也可以及数nitortestprMTFLASHEEPROM集成电路据保持ocedure.ThistestisalsoapplicabletoFLASHEEPROMint以及带有内嵌的EEPROM或试验egratedcircuitsandFLASH存储器的可擦除可编程ErasableP

48、rogrammableLogicDevices(EPLD)withembe逻辑器件（EPLD）oddedEEPROMorFLASHmemory.19.A118JESD22-A118AJESD22-A118A加速水Published:Mar-2011发布：2011年3月汽抵抗ACCELERATEDMOISTURERESISTANCE-加速水汽抵抗性一-无偏压性UNBIASEDHAST:HAST:无偏压HAST用于评估无偏压TheUnbiasedHASTisperformedforthepurposeofevaluati非气密封装固态器件在潮湿环境HASTngthereliabilityofnon

49、-hermeticpackagedsolid-下的可靠性。这是一个高加速试statedevicesinhumidenvironments.Itisahi验方法，利用非冷凝条件下的温度ghlyacceleratedtestwhichemploystemperatureandhumid和湿度来加速水汽对外部保护性ityundernoncondensingconditionstoacceleratethepenetr材料（封装或密封）或沿着外部保ationofmoisturethroughtheexternalprotectivematerial(e护材料和贯通其的金属导体的界ncapsulanto

50、rseal)oralongtheinterfacebetweentheexterna面的穿透作用。不施加偏压以保lprotectiv证被偏置电压掩盖的失效机理能ematerialandthemetallicconductorswhichpassthroughit.够被发现（如：贾凡尼式腐蚀（原Biasisnotappliedinthistesttoensurethefailuremechanism电池腐蚀）。本试验用于确定封装spotentiallyo内部的失效机理，为破坏性试验。vershadowedbybiascanbeuncovered(e.g.galvaniccorrosion).Th

51、istestisusedtoidentifyfailuremechanismsinternaltothepackageandisdestructive.20.JESD22-A119JESD22-A119A119低Published:Nov-2004发布：2004年11月温贮存LOWTEMPERATURESTORAGELIFE低温贮存寿命：本试验可用于所寿命Thetestisapplicableforevaluation,screening,monitoring,有固态器件的评估，筛选，监控以and/orqualificationofallsolidstatedevices.Lo及鉴定。低温贮存试验通常用于wTemperaturestoragetestistypicallyusedtodeterminethe确定在贮存条件下，时间和温度对effectoftimeandtemp