模拟电子技术基础(第四版)习题解答

1、第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用 幺”和“遥示判断结果填入空内。(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P型半导体。(V)(2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(X )(3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。(V)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。(X )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rgs大的特点。(V)(6)若耗尽型N沟道MOS管的Ugs大于零，则其输入电阻会明显变小。(x )二、选择正确答案填入空内。(l) PN结加正向电压时，空间电荷区将A 。A.变

2、窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在C 。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C前者正偏、后者也正偏(4) Ugs=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A、C 。A.结型管B.增强型MOS管C耗尽型MOS管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压Ud=o解：Uo1=,UO2=0V, Uo3=,Uo4=2V, Uo5=, Uo6=-2V。四、已知稳压管的稳压值 Uz=6V,稳定电流的最小值Izmin=5mA。求图 所示电路中Uoi 和Uo2各为多少伏。解：左图中稳

3、压管工作在击穿状态，故Uoi=6Vo右图中稳压管没有击穿，故Uo2=5V。五、电路如 图所不，Vcc=15V, =100, 试问：(1)Rb=50k 时，Uo=(2)若T临界饱和，则Rb=解：(1)Ib VBB UBE 26 A, RbIc IB 2.6mA,Uo Vcc IcRc 2VoUbe=o图(2) . I csVCCU BE 2.86mA , IBs Ics /Rc28.6 ARbVBBU BE1 BS45.5k六、测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如 表 所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。吕勺UGS(th)/VU

4、s/VUg/VUd/V工作状态Ti4-513恒流区T2-43310截止区T3-4605引变电阻区表解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如表最后一栏所示。习题选择合适答案填入空内。(l)在本征半导体中加入(A )元素可形成N型半导体，加入(C讥素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A)。A.增大B不变C减小工作在放大区的某三极管，如果当Ib从12 uA增大到22 uA时，Ic从lmA变为2mA ,那么它的3约为(C )。(4)当场效应管的漏极直流电流Id从2mA变为4mA时,它

5、的低频跨导gm( A )。A.增大；B.不变；C减小电路如图 所示，已知ui 10sint (V),试画出U与U。的波形。设二极管导通电压可忽略不计。oIr n%oXo解：Ui与Uo的波形如解图所示。电路如图所示，已知Ui 5sin t (V),二极管导通电压 Ud=。试画出Ui与U。的波形图，并标出幅值。图解图解：波形如解图所示。电路如图所示，二极管导通电压Ud=,常温下Ut 26mV ,电容C对交流信号可视为短路；Ui为正弦波，有效值为 10mV。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多 少解：二极管的直流电流ID (V Ud)/R 2.6mA其动态电阻：rD U"ID 10故动态

6、电流的有效值：1d Ui/rD1mA现有两只稳压管，稳压值分别是6V和8V,正向导通电压为。试问:(1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值各为多少(2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值各为多少解：(1)串联相接可得4种：；14V;。(2)并联相接可得2种：；6V。已知图 所示电路中稳压管的稳定电压Uz 6V,最小稳定电流Izmin 5mA,最大稳定电流 Izmax 25mA。(1)分别计算Ui为10V、15V、35V三种情况下输出电压 U。的值;(2)若Ui 35V时负载开路，则会出现什么现象为什么解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为6V。 .Ui 10V

7、 时，Uo3.3V ；Ui 15V 时，UoRL - UiRRL5V ；Ui 35V 时，UORL U I 11.7V UZ,Uo Uz 6V。R RL(2)当负载开路时，IzRUZ 29mA Izmax 25mA ,故稳压管将被烧毁。在图 所示电路中，发光二极管导通电压Ud =,正向电流在 515 mA时才能正常工作。试问：(1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光(2)R的取值范围是多少解：(1)S闭合。(2) R的范围为：Rmin (V UD)/IDmax 233Rmax (V UD)/IDmin 7。0图1.01 mAIGI uA(a)(b)(a)(b)现测得放大电路中两只管子两个电极

8、的电流如图所示。分别求另一电极的电流,标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数解图解：答案如解图所示。放大倍数分别为 a 1mA/10100 和 b 5mA/100 A 50测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子， 并说明它们是硅管还是错管。电路如图所示，晶体管导通时 UBE0.7V ,户50。试分析 Vbb 为 0V、IV、3V 三种情况下T的工作状态及输出电压 UO的值。解：当Vbb 0时，T截止,(2)当Vbb1V时，因为1 BQVBB U BEQ60RbI CQIbq 3 mAUoUoVcc IcqRc 9V所以T处于放大状态。(3)当 Vbb

9、3V 时,因为IbqVbbU BEQRb460 A,ICQ I BQ 23mA ? I csVCC UCES 11.3mA, Rc所以T处于饱和状态。电路如图所示，晶体管的3=50 , UBE 0.2V ,饱和管压降UCES 0.1V；稳压管的稳定电压Uz 5V ,正向导通电压Ud 0.5V。试问：当Ui 0V时” ；uI5V 时 uO解：当Ui 0V时，晶体管截止，稳压管击穿,Uo Uz 5V o当Ui5V时，晶体管饱和，Uo0.1V。因为：图Ui U beRb480 A, ICJ CIb 24mA, Uec VCCIC R. 0分别判断图 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。(a)

10、(b)(c)(d)(e)图解：（a）可能；（b）可能；（c）不能；（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。（e）可能。已知放大电路中一只 N沟道场效应管三个极 、 的电位分别为4V、8V、12V ,管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS管、增强型、耗尽型），并说明、 与G、S、D的对应关系。解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极 、与G、S、D的对应关系如解图所示。解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线（如解图（a）所示），读出其与各条曲线交 点的纵坐标值及Ugs值，建立iD f（UGs）坐标系，描点，连线，即可得到转移特性 曲线，如解图（b）所示。电路如图所示，T

11、的输出特性如 图所示，分析当UI =4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。解：根据图 所示T的输出特性可知，其开启电压为5V ,根据图所示电路可知UGSUI 。当UI=4V时，Ugs小于开启电压，故 T截止。当Ui=8V时，设T工作在恒流区，根据输出特性可知iD 0.6mA,管压降Uds Vdd ipR 10V ,因此，UgdUGS UDS 2V，小于开启电压，说明假设成立，即 T工作在恒流区。图当U1=12V时，由于Vdd 12V ,必然使T工作在可变电阻区。分别判断图所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。(a)(b)(c)(d)图解：(a)可能,(b)不能，不能,

12、(d)可能。补充1.电路如补图P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压 UZ 3V , R的取值合适,Ui的波形如图(c)所示。试分别画出Uoi和UO2的波形。解：波形如下图所示补充2.在温度20oC时某晶体管的Icbo 2 A,试问温度是60oC时的Icbo解：ICBO60CBO 20242 2432 A。补充3.有两只晶体管，一只的3=200 , ICEO 200 A；另一只的3=100Iceo 10 A,其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子为什么解：选用3=100 , Iceo 10 A的管子，因其3适中，Iceo较小，因而温度稳定 性较另一只管子好。补充4.电路如补图P4所示，试问3

13、大于多少时晶体管饱和解：取Uces Ube,若管子饱和，VccU beRbVccU beRc即Rb所以，100时，管子饱和。Rc补图P4第2早基本放大电路自测题一.在括号内用 “避口 “然明下列说法是否正确。1 .只有电路既放大电流又放大电压 ，才称其有放大作用。（X）2 .可以说任何放大电路都有功率放大作用。（43 .放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。（X ）4 .电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。（X ）5 .放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（J6 .由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无 变化。（X）7 .只要是共射放大电路

14、，输出电压的底部失真都是饱和失真。（X ）二.试分析 图各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信 号均可视为短路。(a)(b)(c)(d)(e)解：图(a)不能。Vbb将输入信号短路。图(b)可以。图(c)不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。图(e)不能。输入信号被电容 C2短路。图不能。输出始终为零。图(g)可能。图(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。图(i)不能。因为T截止。三.在图 所示电路中，已知 VCC 12V,晶体管3=100, Rb 100k 。填空：要求 先填文字表达式后填得数。当U&

15、 0V时，测得Ubeq 0.7V ,若要基极电流Ibq 20 A,则Rb和R之和Rb =( (VCC U BEQ)/I BQ )k-(565 )k ;而若测得 U ceq 6V ,图则 Rc = ( (VcC u ceq ) / I BQ 片(3 ) k O(2)若测得输入电压有效值 Ui 5mV时， ,输出电压有效值 Uo 0.6V ,则电压放大倍数Au ( uo/ui片(-120 )。若负载电阻Rl值与Rc相等，则带上负载后输出电压有效值 Uo ( RL Uo )=( )V。 Rl Rc四、已知图 所示电路中VCC 12V, Rc 3k ,静态管压降Uceq 6V,并在输出端加负载电阻 R

16、,其阻值为3 k 。选择一个合适的答案填入空内。(1)该电路的最大不失真输出电压有效值Uom ( A );(2)当 U& 1mV时，若在不失真的条件下，减小Rw ,则输出电压的幅值将(C )；A.减小B.不变C增大(3)在U& 1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将(B )；A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波(4)若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将 (B )。减小B.Rc减小C. Vcc减小五、现有直接耦合基本放大电路如下:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E共漏电路它们的电路分别如图(a)、和.9(a)所示；

17、设图中Re& ,且ICQ 、 IDQ 均相等。选择正确答案填入空内，只需填(l)输入电阻最小的电路是( (2)输出电阻最小的电路是( (3)有电压放大作用的电路是 (4)有电流放大作用的电路是 (5)高频特性最好的电路是(C B ( (CA、B、),最大的是(D、E );)；A、A、)；C、D );B、H E );(6)输入电压与输出电压同相的电路是 (B C、E );反相的电路是(A、D )。六、未画完的场效应管放大电路如 图所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够 正常放大。要求给出两种方案。解：根据电路接法，可分别采用耗尽型N沟道和P沟道MOS管，如解图 所示。E, -IE&#

18、39;解图习题分别改正图 所示各电路中的错误， 使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。解：(a)将-Vcc 改为 +Vcco(b)在+Vcc与基极之间加Rbo(c)将Vbb反接，且在输入端串联一个电阻。(d)在Vbb支路加Rb,在-Vcc与集电极之间加 Rc。画出图所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。(a)(b)(c)(d)图解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 图所示各电路的交流通路如 解图所示；(c)(d)分别判断图(a)、 (b)所示两电路各属哪种放大电路，并写出Q、扁、Ri和Ro的表 达式。VCC U BEQ解：图

19、(a): I BQ , ICQ IBQ,RR2 (1)R3U CEQ VCC(1 HbqRc。A&R-R3, R%eRi, RoR2 / R3be图(b):R2IBQ(RVCC Ubeq)/ R2/R3 (1R2R3U CEQVccI CQ R4I EQ Ri。A&-,RiR1 / be ,Ro,R4 0be1电路如图（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时 Ubeq 0.7V。利用图解法分别求出 Rl和Rl 3k 时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom （有效解：空载时：IBQ 20rt Hl i2(1 |J.A101iAin 12 a最大不失真输出电压峰值约为(b)

20、A，I CQ2mA,UCEQ 6V ;,有效值约为带载时：IBQ 20 A,Icq 2mA,UCEQ 3V；最大不失真输出电压峰值约为，有效值约为。如解图 所示。在图所示电路中，已知晶体管的3=80, %e=1k"Ui 20mV ,静态时U BEQ 0.7V ,UcEQ4V ,Ibq 20 A。判断下列结论是否正确，在括号内打示。片420 10 380 5200 (X)(2) Au40.75.71 (x)1 20k 201k3k(X)Ro5k(11)US400 (X)(4)点(x)(6)R80 2.510.02200 (v)35k(x)20mV ( x )(8) Ri1k(4(10)

21、 Ro 2.5k(x)(12)1&S 60mV (J电路如图所示，已知晶体管3=120, Ube=,饱和管压降Uces=o在下列情况下，用直流电压表测量晶体管的集电极电位，应分别为多少（1）正常情况；（2）Rb1短路；（3）Rb1开路；（4）Rb2开路；（5）Rb2短路；（6）Rc短路；解：(1)IB VCC U BE UBE 174 163 11 A,IC IB 1.32mA, Rb2Rb1(1) UC VccIcRc 8.3V o(2) Rb1 短路，IcIB 0,-UC 15V o(3) Rb1开路，临界饱和基极电流IBsVCC UCES 23.7 A,Rc实际基极电流IB VC

22、C UBE 174 AoRb2由于 I B IBs，管子饱和，. Uc Uces 0.5V。(4) Rb2开路，无基极电流,Uc Vcc15V °(5) Rb2短路，发射结将烧毁，U c可能为15V。(6) Rc短路，UcVcc15V。电路如图所示，晶体管的3=80，联,100 。分别计算RL的Q点、& R和Ro。解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、rbe均相等，它们分别为:BQVCCU BEQ22 AU BEQIcq Ibq 1.76mAbe展(1)26mVI EQ1.3k空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为:Uceq VccIcqRc6.2V;

23、Rcrbe308Rb / rberbe 1.3k；AusrberbeRsAu93RoRc 5kRl 3k 时,静态管压降、电压放大倍数分别为:U CEQ VCCI CQ (Rc / RL )RLRc2.3VAu(Rc/RL)115rberbeRs感 34.7RRb / rberbe1.3kRoRc 5k 。若将图所示电路中的NPN管换成PNP管，其它参数不变，则为使电路正常放大电源应作如何变化 Q点、& R和&变化吗如变化，则如何变化若输出电压波形底部失真，则说明电路产生了什么失真，如何消除解：由正电源改为负电源;Q点、恳、R和Ro不会变化；输出电压波形底部失真对应输入信号正半

24、周失真，对 减小Rb。PNP管而言，管子进入截止区，即产生了截止失真;已知图所示电路中，晶体管3=100,公=0。(1)现已测得静态管压降UCECF6V,估算Rb；(2)若测得U i和Uo的有效值分别为1mV和100mV,则负载电阻RL为多少解：(1)IcVcc U CERcVcc U be2mA, Ib Ic /20A,565k 。(2)由息 金U i(Rc/Rl)100,可得：RL 2.625k试问:在图所示电路中，设静态时Icq 2mA,晶体管饱和管压降 UCES 0.6V当负载电阻RL和 凡 3k 时，电路的最大不失真输出电压各为多少伏解：由于 Icq 2mA,所以 Uceq Vcc

25、小尺 6V。空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故Uom UCEQ UCES 3.82V,2Rl 3k 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故UomI CQ RL2.12V电路如图所示，晶体管 3=100, rbb =100 Qo求电路的Q点、Au、R和R。;(2)若改用 户200的晶体管，则 Q点如何变化(3)若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化如何变化 解：(1)静态分析：U BQVCC2VI EQU BQ U BEQRf1mAI BQI EQ10 AUceq、ccI eq(R Rf Re)5.7V动态分析：%e联,(126mVI EQ2.7

26、3k(R/R)7.7be(1)RfRb1 / Rb2/be(1)Rf3.7kRc5k(2) (=200 时,U BQ%Rb1Rb2VCC2V（不变）；I U BQIEQU BEQRT1mA（不变）；1 BQIeq 一 “-EQ-5 A (减小)；1U CEQ VCCIeq(Rc RfRe) 5.7V（不变）。Ce开路时,(RcR)(RRf)RiRb1 / Rb2 /be (1)(ReRf)Ro Rc 5k（不变）。电路如图所示，晶体管的 3=80,rbe =1k Qo求出Q点；（2）分别求出R_=8和R=3kQ时电路的解：（1）求解Q点:1 BQVCC UBEQ 32.3Rb (1)ReI E

27、Q(1 )Ibq 2.61mAU CEQVccIEQRe7.17V（2）求解放大倍数和输入、输出电阻:R/RlReRf1.92 （减小）；4.1k（增大）；尾、Ri和Ro。图Rl=oo 时；AU (1)R-0.996be (1 )ReRiRb/rbe (1)Re 110kf时；Au枭 0.992RRb / rbe (1)(RRl) 76k输出电阻：RoRe / Rbrbe 37电路如图所示，晶体管的3=60，联100(1)求解Q点、入、R和R(2)设 Us = 10mV (有效值)，问 Uj ?,U若C3开路，则Ui ?,Uo ?解：(1) Q点：I BQI CQVcc U BEQ 31 AR

28、 (1)ReI BQ 1.86mA图U CEQ VCC 1 EQ(Rc Re) 4.56VAu、R和Ro的分析:rberbb,(1A95rbeR Rb/ rbe 952,(2)设Us = 10mV (有效值)，则RUi - U s 3.2mV ;Rs R若C3开路,则：Ro Rc 3k oUo 网 Ui 304mVRRb / rbe (1)Re51.3k, 京Rc/RlRe1.5RUi- Us 9.6mV ，RsRUoA Ui 14.4mV。改正图 所示各电路中的错误， 使它们有可能放大正弦波电压。 共漏接法。要求保留电路的(b)(a)(c)(d)解：(a)源极加电阻RS ；(c)输入端加耦合

29、电容;(b)漏极加电阻Rd;(d)在Rg支路加 Vgg, +Vdd改为 Vdd改正电路如解图所示。(a)(b)解图已知图（a）所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）、（c）所示。（1）利用图解法求解Q点；（2）利用等效电路法求解A、R和Ro。(a)(b)解：（1）在转移特性中作直线 UgsipRs,与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出I dq 1mA,U gsq2V 。如解图（a）所示。解图在输出特性中作直流负载线uDS VDD iD(Rd Rs),与Ugsq 2V的那条输出特性曲线的交点为 Q点，Udsq 3V o如解图(b)所示。(2)首先画出交流等效电路(图略)，然后

30、进行动态分析。gmU dsI： I DSS I DQ1mV /VUGSU GS(off)AgmRd5； RRg 1M ； RoRd5k已知图(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示。求解电路的Q点和A。解：(1)求Q点：根据电路图可知，Ugsq Vgg 3V。从转移特性查得，当 Ugsq 3V时的漏极电流：Idq 1mA因此管压降U DSQ VDD 1 DQ Rd 5V。(2)求电压放大倍数： gm 2I dqIdo 2mA/V ,AgmRd20U GS(th)电路如图 所示。(1)若输出电压波形底部失真，则可采取哪些措施若输出电压波形顶部失真，则可采取哪些措施(2)若想增大Au，则可

31、采取哪些措施解：(1)输出电压波形底部失真， 类似于NPN型三极管的饱和失真， 应降低Q, 故可减小 &或增大R、Rs;若输出电压波形顶部失真，则与上述相反，故可增大R>或减小Ri、Rs。(2)若想增大Au,就要增大漏极静态电流以增大 gm,故可增大R2或减小Ri、Rs。图中的哪些接法可以构成复合管标出它们等效管的类型(如NPN型、PNP型、N沟道结型)及管脚(b、e、c、d、g、s )。图解：(a)不能。(b)不能。(c)构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。(d)不能。(e)不能。构成PNP型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。(g)构成NPN型管，

32、上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。第3章多级放大电路自测题一、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。要求输入电阻为1k 至2kQ,电压放大彳数大于 3000 ,第一级应采用（A ）,第二 级应采用（A ）。（2）要求输入电阻大于10MQ,电压放大倍数大于 300 ,第一级应采用（D ）,第二级应 采用（A ）。要求输入电阻为100k >200kQ,电压放大倍数数值大于100 ,第一级应采用（B ）,第二级应采用（A ）。（4）要求电压放大倍数的数值大于10 ,输入电阻大于10MQ ,输出电阻小于100 第

33、一级应采用（D ）,第二级应采用（B卜Uo&设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000,输出电阻 RV100 ,第一级应采用采用（C ）,第二级应（B ）。二、选择合适答案填入空内。（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（C、D ）。A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（C卜A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容（3）选用差动放大电路的原因是（A ）。A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数（4）差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的（A ）,共模信号是

34、两个输入端信号的（C ）。A.差B.和C.平均值（5）用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的（B卜A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大（6）互补输出级采用共集形式是为了使（C卜A.放大倍数的数值大B.最大不失真输出电压大C带负载能力强、电路如图T3 3所示，所有晶体管均为硅管，3均为200, rbb 200 ,静态时Ubeq 0.7V。试求:静态时T管和T2管的发射极电流。(2)若静态时Uo0,则应如何调节 R2的值才能使Uo 0若静态Uo0V,则Rc2 =,电压放大倍数为多少解：(1)T3管的集电极电流 Ic3 (Uz Ubeq3)/Re

35、3 0.3mA静态时T1管和T2管的发射极电流Iei Ie2 0.15mA(2)若静态时Uo 0 ,则应减小RC2O当Ui 0时Uo0, T4管的集电极电流Icq4 Vee / Rc4 0.6mA。rbe4rbb'(1)26mV1 EQ48.9kRc2be4(1)Re4库1 18.32 rbe2AU2c4 18.3rbe4 (1)Re4A A1A2335习题判断图所示各两级放大电路中 Ti和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路。设 图中所有电容对于交流信号均可视为短路。(a)(b)(c)(d)(e)解：(a)共射，共基 (d)共集，共基(f)图(b)共射，共射(c)共射,共射(e)共源

36、，共集共基，共集设图所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出Au、R和Ro的表达式。解：(1)图示各电路的交流等效电路如 解图所示。(2)各电路的 入、R和Ro的表达式分别为：(a) ： A1 R2 rbe2(12)R3(12) R；Rrbelrbe2 (12) R3R R %e1 ；%e2R2RoR3212(13T)rbe1(11 )( R2 / R3 / rbe2)rbe2RiR%e1(11)(R2R3%e2) ；RoR4(c)： AU1 R2 / rbe2(12) rd rbe1R12 R3rbe2(12)rdR R %e1 ；RoR3(d)： A gmER/fb

37、ez)(力)rbe2RiRR2R3；RoR(c)（d）解图基本放大电路如 图（a）、（b）所示，图（a）虚线框内为电路I,图（b）虚线框内为电路 n。由电路I、n组成的多级放大电路如图（c）、（d）、（e）所示，它们均正常工作。试说明图（c）、（d）、（e）所示电路中（1）哪些电路的输入电阻较大；（2）哪些电路的输出电阻较小；（3）哪个电路的电压放大倍数最大。(e)图解：(1)图(d)、(e)所示电路的输入电阻比较大;(2)图(c)、(e)所示电路的输出电阻比较小;(3)图(e)所示电路的电压放大倍数最大。电路如图(a) (b)所示，晶体管的3均为150 ,%均为2k , Q点合适。求解Au、

38、Ri 和 Ro。解：在图（a）所示电路中rbe2用1-1 ；瓯-2R3225 ；rbe1rbe2 A & Au2225R R/R2rbe11.35k ；&R33k在图(b)所示电路中. .Ai1 (Ri/rbe2)136； A2_JR475rbelrbe2 AAu1 Au2 10200Ri (Rs R2 / R3)/ rbel2k ；RoR41k电路如图(c)、(e)所示，晶体管的3均为200 , rbe均为3k。场效应管的gm为15mS ; Q点合适。求解& R和Ro。解：在图（c）所示电路中A11 出3"%2)125； Au2-R4133.3rbelrbe

39、2Au启1 虏2 16666.7； R R/由 3k ;R。 R42k在图(e)所示电路中AgmR2%e (1)RgmR230(1)R4rbe (1)R4AuAU1A230 ; RR110M；RoR4 /rbeR2251图所示电路参数理想对称,晶体管的 3均为 100, rbb'100 , UBEQ 0.7V o试求Rw的滑动端在中点时 T1管和T2管的发射极静态电流I eq以及动态参数 Ad和Rio解：Rw滑动端在中点时管和T2管的发射极静态电流I EQ分析如下:- U BEQ I EQ 2IEQRe Vee0.517mA, VEE U BEQ, I EQ RRW 2Re 2动态参数

40、Ad和Ri分析如下:26mVrberbb(1)5.18kI EQRc 98 rbe (1)Rw/2R2rbe (1)Rw 20.5k电路如图所示，Ti和T2两管的3均为140, rbe均为4k Qo试问：若输入直流信号uI120mV , uI2 10mV ,则电路的共模输入电压 uIc?差模输入电压uId输出动态电压 uo ?解：电路的共模输入电压 5c、差模输入电压uId、差模放大倍数 Ad和动态电压Uli Ul2uO 分别为：uIC 15mV ; uIduI1 uI2 10mV2A 175;UoAdUId1.75V2 rbe电路如图所示，T1和T2的低频跨导gm均为10mS。试求解差模放大

41、倍数和输入电阻。AgmRd200 ； R 。试写出图 所示电路Ad和R的近似表达式。设 Ti和T2的电流放大系数分别为3和32, b-e间动态电阻分别为rbe1和%2。解：Ad和R的近似表达式分别为1 2(RcRL)Ad-=；R 2% (11%rbe1 (11)rbe2电路如图 所示，Ti T5的电流放大系数分别为31 , b-e间动态电阻分别为rbe1rbe5,写出 Au、R和Ro的表达式。解：Au、Ri和R的表达式分析如下:UO1l R2 / rbe4(14)&1 cUi2rbeiU024R/%e5(15网2Ui 2%e4(14) R5UO3(15)R73 二 TZ-UI3rbe5

42、(15)R7一 AuUoUiAi1 AU2 Au3 ;Rirbe1rbe2 ；RR7/e5R615电路如图 所示。已知电压放大倍数为 的饱和压降Uces=1V。试问：-100 ,输入电压UI为正弦波，T2和T3管（1）在不失真的情况下，输入电压最大有效值（2）若Ui= 10mV （有效值），则Uo =若此时Uimax为多少伏R3开路，则以=若R3短路，则Uo =解：（1）最大不失真输出电压有效值为:UomVCCU ces，27.78V故在不失真的情况下，输入电压最大有效值:Uimax U7177.8mVA(2)Ui= 10mV ,则 Uo = 1V (有效值)。若R3开路，则Tl和T3组成复合

43、管，等效1 3, T3可能饱和，使得Uo 11V （直流）若R短路，则UO11.3V （直流）。第4章集成运算放大电路自测题一、选择合适答案填入空内。（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为（C ）。A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大（B ）。A.高频信号B低频信号C任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的（C ）。A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一直性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（A ）。A.减小温漂B增大放大倍数C提高输入电阻为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（A ）。A.

44、共射放大电路B.共集放大电路C.共基放大电路二、判断下列说法是否正确，用 “谷口 “纸示判断结果。（1）运放的输入失调电压 Uio是两输入端电位之差。（X ）（2）运放的输入失调电流Iio是两输入端电流之差。（V），Ad，运放的共模抑制比 Kcmr o （ V）Ac有源负载可以增大放大电路的输出电流。（V）（5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。（X ）三、电路如图所示，已知解：分析估算如下：VcC UbE2 UbE1RR21 B0 I B0 2I B2112I R I B0 I B2 ("1图1 = 22. = ,= 100 。各管的Ube均为，试求IC2的值。1

45、00 AI B0 ；)I B0I C2I B2IB0。比较上两式，得I C2(22)_(1)IR IR 100 A四、电路如图所示。图（1）说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差 放）；（2）分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电 阻）。解：（1）三级放大电路，第一级为共集共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。（2）第一级采用共集共基形式，增大输入电阻，改善高频特性；利用有源负载（T5、T6 ）增大差模放大倍数， 使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路 的差模放大倍数，同时减小共模放大倍数

46、。第二级为共射放大电路，以丁7、T8构成的复合管为放大管、以恒流源作集电极负载，增大放大倍数。第三级为互补输出级，加 了偏置电路，利用 Di、D2的导通压降使T9和T10在静态时处于临界导通状态，从而消 除交越失真。习题根据下列要求，将应优先考虑使用的集成运放填入空内。已知现有集成运放的类型是：通用型高阻型高速型低功耗型 高压型大功率型 高 精度型(1)作低频放大器，应选用()。(2)作宽频带放大器，应选用()。(3)作幅值为1 V以下微弱信号的量测放大器，应选用 ()。(4)作内阻为I00ka。信号源的放大器，应选用 ()。(5)负载需5A电流驱动的放大器，应选用 ()。(6)要求输出电压幅

47、值为土 80V的放大器，应选用()。(7)宇航仪器中所用的放大器，应选用()。4. 2已知几个集成运放的参数如表所示，试分别说明它们各属于哪种类型的运 放。表特性指标AodridUioIioIib-3dBfHKdmrSR增益带宽单位dBM QmVnAnAHzdBV/VMHzAi10 025200600786A213 022407120A310010005865A410 022201509665解：Ai为通用型运放，A 2为高精度型运放，A3为高阻型运放，A4为高速型运放。多路电流源电路如 图所示，已知所有晶体管的特性均相同，UBE均为。试求IC1、IC2 各为多少。解：因为T1、T2、T3的特

48、性均相同，且 Ube均相同，所以它们的基极、集电极电 流均相等，设集电极电流为Ic。先求出R中电流，再求解IC1、IC2。IcVCCUBE4 UBE0RI C0 I B3 I C0当(1)3时，IC1 IC2 IR100 A3IB1100ICAo3Ic(1 )电路如图 所示，T1管的低频跨导为 gm , T1和T2管d-s间的动态电阻分别为rds1和rds2o试求解电压放大倍数 AuUo / UI的表达式。解：由于T2和T3所组成的镜像电流源是以Tl为放大管的共射放大电路的有源负载，Tl和T2管d -s间的动态电阻分别为rds1和rds2,所以电压放大倍数Au的表达式* AUOi D (rds1 / rds2)为：Augm(ds1 ds2)。uIuI电路如图所示，T与T2管特性相同，它们的低频跨导为gm ; T3与T4管特性对称；T2与 T4管d-s间的动态电阻分别为rds2和rds4。试求出电压放大倍数AuuO / (uI1uI2)的表达式。iD1 i D2 iD3 i D4 ；iD2i