1章习习题答案

1、1半导体二极管自我检测题一选择和填空1纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。2在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。（A大于，B小于，C等于）3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。（A温度，B掺杂工艺，C杂质浓度）4. 当PN结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 （A大于，B小于，C等于，D变宽，E变窄，F

2、不变 ）5二极管实际就是一个PN结，PN结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于 导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。（A，B，C小于，D大于）7. 已知某二极管在温度为25时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T1时的伏安特性如图中虚线所示。在25时，该二极管的死区电压为 伏，反向击穿电压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T1 小于 25。（大于、小于、等于）图选择题78PN结的特性方程是。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；

3、稳压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。二判断题（正确的在括号内画，错误的画×）1N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ）2在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。 （ ）3P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （ × ）4PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。 （ ）5由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。（ × ）6PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。（ × ）7稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态

4、（ ），它不允许工作在正向导通状态（×）。习题图题各电路中，忽略D的导通压降和死区电压，画出各电路相应的输出电压波形。图题解：（a）图中，vi>0时，二极管截止，vo=0；vi<0时，二极管导通，vo= vi。（b）图中，二极管导通，vo= vi +10。（c）图中，二极管截止，vo=0。求图题所示电路中流过二极管的电流ID和A点对地电压VA。设二极管的正向导通电压为。图题解：（a） （b） 得 电路如图题所示，已知D1为锗二极管，其死区电压Vth，正向导通压降为；D2为硅二极管，其死区电压为Vth，正向导通压降为。求流过D1、D2的电流I1和I2。图题解：由于D1的死区

5、电压小于D2的死区电压，应该D1先导通。设D1通、D2截止，此时D2两端电压I1×100小于D2的开启电压，所以D2截止，因此I20 设二极管的正向导通压降可以忽略不计，反向饱和电流为10A，反向击穿电压为 30V，并假设一旦击穿反向电压保持30V不变，不随反向击穿电流而变化。求图题中各电路的电流I。图题解：（a）图中，两个二极管导通，（b）图中，由于D2反向截止，所以电流为反向饱和电流10A。（c）图中，D2反向击穿，保持击穿电压30V，所以（d）图中，D1导通，试确定图题（a）和图（b）中的二极管是否导通，并计算电压V1和V2的值（设二极管正向导通电压为 ）图题解：（a）图中，D

6、导通，V1+V2= （b）D截止，I=0，V112V， V20V忽略图题中二极管的死区电压，试判断图中二极管是否导通。图题解：先将D断开，计算A、B点对地电压（a） ，所以D1导通（b） ，所以D2截止设图题中二极管的导通压降为 ，判断图中各二极管是否导通，并求出Vo的值。图题解：先假设所有二极管都截止，看哪个二极管的正偏电压高，先导通。（a）图中，所以， D2先导通，导通后 VO=， D1截止。（b）图中， 所以，D2D4先导通，则，D1截止，VO设图题中二极管的导通压降为，求二极管上流过的电流ID的值。图题解：将二极管以外的电路进行戴维宁等效所以 已知图题电路中稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和9V，求电压VO的值。图题解：（a）图中DZ1 、DZ2均工作于稳压状态， （b）DZ1工作于稳压状态，DZ2工作于反向截止区，所以DZ2支路的电流近似为零， 已知图题所示电路中，稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为5V、3V，正向导通压降均为。试画出vO的波形。图题解：正半周时，DZ1承受正向压降，DZ2承受反向压降，在VDZ2=3V之前，DZ2反向截止，iD=0，vO=vi；