命名规则培训

1、Operation Planning Dept.(DaLian) Chip BUOne Team One Vision One Standard命名规则培训资料命名规则培训资料2014.11.272014.11.27PIE TeamPIE TeamOperation Planning Dept.(DaLian) Chip BUOne Team One Vision One StandardModel命名规则命名规则目前产品编码公司名制程产品别长边电流码 版本别颜色新名称B0805HEEtiSapphire80ABlueETi-S080A-BZB0805HEDEtiSapphire8AABlue

2、ETi-S08AA-BZB0805HEDEtiSapphire8AABlueETi-S08AA-BLB1006HEDEtiSapphire101ABlueETi-S101A-BZB1107HEEtiSapphire111ABlueETi-S111A-BZB1107THLEtiDiamond 111ABlueETi-D111A-BLB1307THLEtiDiamond 131ABlueETi-D131A-BZB1307THLEtiDiamond 131ABlueETi-D131A-BLB1507THEEtiCrystal 151ABlueETi-C151A-BLB1507THLEtiDiamon

3、d 151ABlueETi-D151A-BLB1507THLEtiDiamond 151ABlueETi-D151A-BZB1811THLEtiDiamond 184ABlueETi-D184A-BLB2020THLEtiPlatinum206ABlueETi-P206A-BLB2112THLEtiDiamond 214ABlueETi-D214A-BLB2609THLEtiDiamond 261ABlueETi-D261A-BLB2812PHLFEtiFlip287ABlueETi-F287A-BLB2812THLEtiDiamond 284ABlueETi-D284A-BLB2813THL

4、EtiDiamond 285ABlueETi-D285A-BLB3014THLEtiDiamond 306ABlueETi-D306A-BLB3318THLEtiDiamond 336ABlueETi-D336A-BLB3434THMEtiPlatinum348ABlueETi-P348A-BLB3522THLEtiDiamond 356ABlueETi-D356A-BLB3535PHLFEtiFlip358ABlueETi-F358A-BLB3609THLEtiDiamond 361ABlueETi-D361A-BLB3612THEEtiCrystal 361ABlueETi-C361A-B

5、LB3820THEEtiCrystal 38HABlueETi-C38HA-BLB3820THLEtiDiamond 38HABlueETi-D38HA-BLB4022THEEtiDiamond 40JBBlueETi-D40JB-BLB4022THLEtiDiamond 40JABlueETi-D40JA-BLB4040XHMVEtiHigh Voltage401ABlueETi-H401A-BLB4211THLEtiDiamond 421ABlueETi-D421A-BLB4222THLEtiDiamond 426ABlueETi-D426A-BLB4223THLEtiDiamond 42

6、JABlueETi-D42JA-BLB4330THLEtiDiamond 438ABlueETi-D438A-BLB4522XHMVEtiHigh Voltage454ABlueETi-H454A-BLG0805HEDEtiSapphire80AGreenETi-S080A-GZG0805HEDEtiSapphire80AGreenETi-S080A-GLG1006HEDEtiSapphire101AGreenETi-S101A-GZG1107HEDEtiSapphire111AGreenETi-S111A-GZ12码对应表电极制程以及出货形式对应码Au 电极+方片LAu 电极+圆片MAl 电

7、极+方片ZAl 电极+圆片Y5码对应表字母名称对应制程SSapphire3道光罩无背镀(以后取消该命名，由C代替)CCrystal 无LERDDiamond 有LERPPlatinum背镀背金HHigh Voltage高压FFlip山猫ZDemo代工例：ETi-D336A-BL1-3码公司名称4码连接符5码制程码6-7码芯片尺寸8码电流码9码版本码10码连接符11码颜色码12码电极制程以及出货形式8码对应表 电流电流码015mA120mA230mA340mA460mA590mA6120mA7150mA8350mA9700mAA10mAB25mAC35mAD45mAE50mAF55mAH65mA

8、I70mAJ80mAK85mAL90mAM95mAN100mAO105mAP110mAQ130mAR140mAS160mAT180mAU200mAV250mAW300mAX400mAY500mAZ600mA例：例：Operation Planning Dept.(DaLian) Chip BUOne Team One Vision One StandardProduct ID命名规则命名规则解释：1.AA为光罩第一版，下一版本定为AB，依次类推。2.01（Run Card重大变更），包含：流程变更，Recipe变更，主要Follow 芜湖。3.A（Run Card细微变更），包含：Recipe

9、工艺描述变更，大连厂内部细微变更。改版后编码A变为B，依次类推。4.出货时只打印“产品编码”的前九位，例如:产品B0907AA01A，出货时只打印B0907AA01。解释：1.制程码Follow产品Model制程码定义2.Size码根据实际Size定义3.A为光罩第一版，下一版本定为B，依次类推。4.A为流程第一版，下一版本定为B，依次类推。5.01（Run Card重大变更），包含：流程变更，Recipe变更，主要Follow 芜湖。6.A（Run Card细微变更），包含：Recipe工艺描述变更，大连厂内部细微变更。改版后编码A变为B，依次类推。旧旧命名命名规则规则 例：例： B3318

10、A01A B3318A01A新命名新命名规则规则 例：例： Z3318AA01A Z3318AA01AB/GB/G33183318AAAA0101A AB：Blue；G：GreenSize光罩版本光罩版本Run Card重重大变更大变更Run Card细细微变更微变更C/D/H/ZC/D/H/Z33183318A AA A0101制程码制程码 C：非：非LERD:LERH：HVZ：代工：代工Size光罩版本光罩版本流程版本流程版本Run Card细细微变更微变更Run Card细细微变更微变更A AOperation Planning Dept.(DaLian) Chip BUOne Team

11、 One Vision One Standard光罩版本命名规则光罩版本命名规则解释：1.制程码Follow产品Model制程码定义2.Size码根据实际Size定义3.A为光罩第一版，下一版本定为B，依次类推4.厂名为固定名称5.版本类型根据实际需求定义为量产或研发6.机台类型根据实际需求定义7.版本类型根据实际版本定义，下一版本定为V2.0，依次类推C/D/H/ZC/D/H/Z33183318A A3E-DL3E-DLMP/RDMP/RD制程码制程码 C：非：非LERD:LERH：HVZ：代工：代工Size光罩版本光罩版本厂名厂名版本类型版本类型机台类型机台类型(U/C/N)(U/C/N)

12、新命名新命名规则规则 例：例： Z3318A 3E-DL MP Z3318A 3E-DL MP（U U）V1.0V1.0Mask 版本版本V1.0V1.0例：例：Operation Planning Dept.(DaLian) Chip BUOne Team One Vision One StandardS-Code 命名规则命名规则12345678EPIFE ProcessEPI Tool+SubEPI RecipeMesa【0090-MESA刻蚀】ITO【0240-ITO沉积】Metal【0430-NI.AI.CR沉积】 Photo【0060-MESA对板】 Plasma【0140-SIO

13、2 CBL 沉积】Special processA-ZA-ZA-ZA-ZA-ZA-ZA-ZA-ZTThomas swan+PSS（3*1）PPHALAMAITO 700AAMetal 1.6um(ULVAC)ACanon/UshioAP-5000X大连前段制程+委外LERUThomas swan+Bare SapphireMP4BSamcoBITO 1800ABMetal 1.6um(FSE)BNikonBOxfordA大连全流程VVeeco+PSS（3*1）NP6CULVACCRPD 700AY芜湖半成品Y芜湖半成品CNLVSB大连前段制程+Optorun LERWVeeco+Bare Sa

14、pphire 0.3TT1Y芜湖半成品DRPD 1800ACMetal 1.6um(化镀)CCanon/Ushio-取消EBRY芜湖半成品C大连前段制程+SHOWA LERAAixtron+PSS（3*1） 0.3AA1EITO 700A meshDMetal 1.6um(ULVAC+O2)DNikon-取消EBRNNo CBLD芜湖前段制程+Optorun LERBAixtron+Bare sapphire 0.3GG1FITO 1800A meshEMetal 1.6um(FSE+O2)E芜湖半成品新卡环DP-5000 CBL ringE芜湖前段制程+SHOWA LERCThomas sw

15、an+PSS（2*1） 0.3FFCGRPD 700A meshF Metal 1.6um(化镀+O2)EOxford CBL ringF芜湖前段制程+委外LERDVeeco+PSS（2*1） 0.3BPH+蓝宝石手册HRPD 1800A meshG芜湖半成品(O2)CD上线后统一切换，AB停用FNLVS CBL ringG大连前段制程+无LEREAixtron+PSS（2*1） 0.3CP6+蓝宝石手册IITO 350A(CBL 2100A+PV 750A)GP-5000 CBL ring 10umH芜湖前段制程+无LERF厂外Thomas swan+PSS（2*1） 0.3DT1+蓝宝石手

16、册JRPD 350A(CBL 2100A+PV 750A)HOxford CBL ring 10umI芜湖前段制程+蚌埠SHOWA LERG厂外Veeco+PSS（2*1） 0.3Y芜湖半成品INLVS CBL ring 10umJ芜湖前段制程+蚌埠无LERH厂外Aixtron+PSS（2*1） 0.3J芜湖半成品CBL ring 10umK蚌埠前段制程+蚌埠SHOWA LERIThomas swan+PSS（3*1） 0.2KHV CBL ring 10um+CBL不包边L蚌埠前段制程+蚌埠无LERJThomas swan+Bare Sapphire 0.2第3/4/5/7可统一合收，第8码

17、可分委外/厂内Showa/厂内Optorun三類分收 外延投片時決定KVeeco+PSS（3*1） 0.2第6码目前Nikon center key与canon&Ushio的center key不同（可实现相同），在手动选取（0,0）点时可以合收，在自动选取（0,0）点时不可合收 生管投片時決定LVeeco+Bare Sapphire 0.2經過站點check out才顯示*BCDEFGH上线后停用A代码MThomas swan+PSS（2*1） 0.2ESD-經由alloy ESD test才帶出*芜湖前段制程第37和10码记录为YNVeeco+PSS（2*1） 0.2未给出 0.2

18、 厂内 Aixtron编码黑白墊-BST後增加黑白墊判定O厂外Thomas swan+PSS（2*1） 0.2取消U/W/B/F/G/H化镀机台编号为ADMEP009*未使用S code請以【Z】顯示P厂外Veeco+PSS（2*1） 0.22X1与3X1不可合收Q厂外Aixtron+PSS（2*1） 0.20.2与0.3可以合收Operation Planning Dept.(DaLian) Chip BUOne Team One Vision One StandardS-Code 命名规则命名规则910111213alloyBE Process黑白墊ESD测试BackupESDBacken

19、dQCESD测试规格A-ZA-ZA-ZA-ZA-ZU测试电压2000V下，ESD92%A130umB正常A抽测ZS测试电压2000V下，92%ESD80%B150umA轻微B200V全测A测试电压2000V下，80%ESD60%CSoft polish+130umF严重C400V全测B测试电压2000V下，ESDESD60%E110umE800V全测D测试电压800V下，ESD92%FSoft polish+110umF2000V全测E测试电压800V 下，92%ESD80%G200umF测试电压800V下，80%ESD60%V芜湖半成品 Polish+150umG测试电压800V下，ESD9

20、2%X芜湖半成品 Polish+130umI测试电压4000V下，92%ESD80%Y芜湖半成品Soft polish+130um11位前段passi刻蚀后检查，发现异常hold，由IT后台改等级J测试电压4000V下，80%ESD60%H100umK测试电压4000V下，ESD92%J芜湖半成品Soft polish+蚌埠150umM测试电压6000V下，92%ESD80%K芜湖半成品 Polish+蚌埠130umO测试电压6000V下，80%ESD60%L芜湖半成品Soft polish+蚌埠130umP测试电压6000V下，ESD92%N蚌埠前段制程Soft polish+蚌埠150um

21、R测试电压8000V下，92%ESD80%O蚌埠前段制程 Polish+蚌埠130umT测试电压8000V下，80%ESD60%P蚌埠前段制程Soft polish+蚌埠130umV测试电压8000V下，ESD92%GVFD OKP变更前的默认值, 可代表 WLD 2.5mn, WLP 3nm 分BINMP4S测试电压2000V下，92%ESD80%NVFD NGAWLD 2.5nm 分BINNP6A测试电压2000V下，80%ESD60%XLER委外BWLP 3.0nm 分BINTT1B测试电压2000V下，ESDESD60%DWLP 2.5nm 分BINGG1D测试电压800V下，ESD92%FFCE测试电压800V 下，92%ESD80%BPH+蓝宝石手册F测试电压800V下，80%