大学薄膜物理蒸发源的特性及膜厚分布

1、 第二节蒸发源的蒸发特性及膜厚分布姓名：邬红班级：14级材料1班本节知识点概括：1. 掌握点蒸发源、小平面蒸发源、细长平面蒸发源的原理和膜厚。2. 了解环状蒸发源和球面基板上的膜厚分布。3. 了解实际蒸发源的发射特性。4. 了解蒸发源与基板的相对位置配置。 在真空蒸发镀膜过程中，能否在基板上获得均匀膜厚，是制膜的关键问题。 基板上不同蒸发位置的膜厚，取决于蒸发源的蒸发(或发射)特性、基板与蒸发源的几何形状、相对位置以及蒸发物质的蒸发量。 镀膜过程中对于膜厚的分布如何，也是人们十分关心的问题。 (1)蒸发原子或分子与残余气体分子间不发生碰撞； (2)在蒸发源附近的蒸发原子或分子之间也不发生碰撞；

2、 (3)蒸发淀积到基板上的原子不发生再蒸发现象，即第一次碰撞就凝结于基板表面上。 为了对膜厚进行理论计算，找出其分布规律，首先对蒸发过程作如下几点假设： 上述假设的实质就是设每一个蒸发原子或分子，在入射到基板表面上的过程中均不发生任何碰撞，而且到达基板后又全部凝结。 显然，这必然与实际的蒸发过程有所出入。但是，这些假设对于在10-3Pa或更低的压强下所进行的蒸发过程来说，它与实际情形是非常接近的。因此，可以说目前通常的蒸发装置一般都能满足上述条件。 蒸发源的种类繁多，下面分别介绍几种最常用的蒸发源。 一、点蒸发源 通常将能够从各个方向蒸发等量材料的微小球状蒸发源称为点蒸发源(简称点源)。 一个

3、很小的球dS，以每秒m克的相同蒸发速率向各个方向蒸发，则在单位时间内，在任何方向上通过如图2-4所示立体角d的蒸发材料总量为dm，则有: 4mdmd 因此，在蒸发材料到达与蒸发方向成角的小面积dS2的几何尺寸已知时，则淀积在此面积上的膜材厚度与数量即可求得。由图可知则有 式中，r是点源与基板上被观测点的距离。 12cosdSdS21dSr d22222coscosdSdSdrhx 所以，蒸发材料到达dS2上的蒸发速率dm可写成 假设蒸发膜的密度为；单位时间内淀积在dS2上的膜厚为t，则淀积到dS2上的薄膜体积为tdS2，则 22cos4mdSr2dmt dS 将此值代入式(2-23)，则可得基

4、板上任意一点的膜厚 经整理后得 2cos4mtr322 3/244()mhmhtrhx当dS2在点源的正上方，即0时，cos=1，用t0表示原点处的膜厚，即有 显然，t0是在基板平面内所能得到的最大膜厚。则在基板架平面内膜厚分布状况可用下式表示 024mth3/22011 ( /)ttx h二、小平面蒸发源 用小型平面蒸发源代源。由于这种蒸发源的发射特性具有方向性，使在角方向蒸发的材料质量和cos成正比例，即遵从所谓余弦角度分布规律。是平面蒸发源法线与接收平面dS2中心和平面源中心连线之间的夹角。则膜材从小型平面dS上以每秒m克的速率进行蒸发时，膜材在单位时间内通过与该小平面的法线成角度方向的

5、立体角d的蒸发量dm为 cosmdmd式中，1是因为小平面源的蒸发范围局限在半球形空间。如果蒸发材料到达与蒸发方向成角的小平面dS2几何面积已知，则淀积在该小平面薄膜的蒸发速率即可求得 同理，将代入上式后，则可得到小型蒸发源时，基板上任意一点的膜厚t为 cosmdmd22222coscos()mmhtrhx当dS2在小平面源正上方时(0，0)，用t0表示该点的膜厚为 同理，t0是基板平面内所得到的最大蒸发膜厚。基板平面内其他各处的膜厚分布，即t与t0之比为 02mth2 2011 ( / ) ttx h 图26比较了点蒸发源与小平面蒸发源两者的相对厚度分布曲线。另外，比较式(225)和(231

6、)，可以看出。两种源在基片上所淀积的膜层厚度，虽然很近似，但是由于蒸发源不同，在给定蒸发料、蒸发源和基板距离的情况下，平面蒸发源的最大厚度可为点蒸发源的四倍左右。这一点也可从式(227)与(232)的比较中得出。 图27和28为两个蒸发用料重量简便计算图，可用以估计某一用途所需蒸发量的重量。要注意这个图适用于点蒸发源，并假定淀积簿膜密度为块状材料的密度。三、细长平面蒸发源 细长平面蒸发源的发射特性如图29所示。下面讨论这种蒸发源的膜厚分布问题。设基板平行放置于长度为l的细长蒸发源，源一基距为h，与中心点距离S的微险小面积为dS，在x一y平面上任意一点(x，y)的微小面积为d，在dS与d之间的距

7、离为r时，由几何关系可得 ， ， cos/h r222()rxSa222ahy当蒸发物质m均匀分布在蒸发源内时，在蒸发源dS面上的质量dm为 这样就可视dS为小平面蒸发源。所以，可参照式(230)求出在d上得到的蒸发质量为 mdmdSl222cos()dmdmdShxl 如果蒸发物质的密度为，在某一时间内淀积到d的膜厚为dt，则dmdtd。由此可得出 (2-35)积分后得出 (2-36) 2222 2cos()mdSmhdSdtlrlxSa 122122 22()madtlxSa 21122222112222tan ()tan ()2()()22llllxxxxmhlllaaaaaaxax整理

8、后得 (2-37)在原点O处，由于x0，nh，则膜厚为 （2-38）2222124222222222()14tan2()()4164ll axmhlatllll aaaxaxax 10222221(tan)2(/4)(/4)mllhtl ahlhhl 四、环状蒸发源四、环状蒸发源 为了在宽广面积上得到较好的膜厚均匀性，可以采用环状蒸发源(简称环源)。 如在环上取一单元面积dS1，则单位时间蒸发到接收面dS2上的膜材质量为环状平面蒸发源的膜厚分布如图211所示。选择适当的R与h比时，在蒸发平面上相当大范围内膜厚分布是均匀的。如在Rh0.7一0.8时，膜厚分布就比小平面蒸发源(曲线S)要均匀得多。

9、对于一定的R，可计算出源基距为h平面上的膜厚分布。五、球曲面基板上的膜厚分布 当蒸镀面积较大时，为获得镀层的膜厚有较好的均匀性，除了选择合适的蒸发源以及采用旋转基板架外，还可使基板处于球面分布状态。 图21 2示出了这种情况下的发射特性。这是实际生产中的一种重要选择。因为不论采用静止的或旋转的球曲面，其上的膜厚分布都比面积相同的平板情况有较好的均匀性 对于不同的n值，即不同的蒸发器形状，膜厚分布结果不同：n=1，cos-1-蒸发器： (2-49)n=3，cos-3-蒸发器： (2-50)n=5，cos-5-蒸发器： (2-51)322 3/20tcfegktfg22322 5/201322cf

10、cgefgtktfg3223322 7/2031222cfcfgef gegtktfg6 . 实际蒸发源的发射特性点蒸发源舟式蒸发源锥形蓝式蒸发源磁控靶源近似发针形蒸发源或电子束蒸发源近似小平面蒸发源平面蒸发源大面积蒸发源 七、蒸发源与基板的相对位置配置 1点源与基板相对位置的配置 如图214所示，为了获得均匀的膜厚，点源必须配置在基板所围成的球体中心。式(2.25)中的cos1时，t值为常数，即 在这种情况下，膜厚仅与蒸发材料的性质、半径r值的大小以及蒸发源所蒸发出来的质量m有关。这种球面布置在理论上保证了膜厚的均匀性。214mtr 2小平面源与基板相对位置的配置 当小平面蒸发源为球形工件架的一部分时，该小平面蒸发源蒸发时，在内球体表面上的膜厚分布是均匀的。这一点可从式(231)看出。因为当该式时，从图215中可知r=2Rcos，将其代入式(231)则得 由此可见，在这种情况下膜厚t的分布与角无关。所以对应于一定半径r的球形工件架来说，其内表面的膜厚只取决于蒸发材料的性质、r值的大小及蒸发源所能发出来的质量多少。214mtr3 . 小面积基板时蒸发源的位量配置 如果被蒸镀的面积比较小，这时可将蒸 发源直接配置于基板的中心线上，基板距蒸发源高度H可取为H=(11.5)D，如图2l 6所示。D为基板直径尺寸。 4大面积基板和蒸发源的配置 为了在较大平板形基板上获得均匀的