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陈江华 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK， 挖掘工艺潜力。英国VG Semicom公司型号为V80S-Si的MBE设备关键部分照片 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK， 挖掘工艺潜力。IC、Mask & Wafer图3.2Wafer图 3.3图 3.4图 3.5 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK， 挖掘工艺潜力。图 3.6图 3.7图 3.8举例:，y+2d=10m, 则有(y+2d)tg=0.5m图 3.9图 3.10图 3.11 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK， 挖掘工艺潜力。图3.12 场氧 除了作为栅的绝缘材料外，二氧化硅在很多制造工序中可以作为保护层。在器件之间的区域，也可以生成一层称为“场氧”（FOX）的厚SiO2层，使后面的工序可以在其上制作互连线。 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK， 挖掘工艺潜力。图 3.12 反应离子刻蚀RIE 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK， 挖掘工艺潜力。图 3.14
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