合肥工业大学_模拟电子技术总复习重点内容_复习大纲

1、33 MHzAnalog Electronic模拟电子技术总复习第三章二极管及应用电路第三章二极管及应用电路第四章三极管及放大电路第四章三极管及放大电路第五章场效应管及放大电路第五章场效应管及放大电路第六章集成运算放大电路第六章集成运算放大电路第七章放大电路中的反馈第七章放大电路中的反馈第二章集成运放及应用第二章集成运放及应用第九章波形的发生与变换电路第九章波形的发生与变换电路第十章直流电源第十章直流电源第一章导言第一章导言33 MHzAnalog Electronic第一章导言第一章导言模拟电子系统的组成模拟电子系统的组成模拟信号和数字信号模拟信号和数字信号模拟电子电路模拟电子电路数字信号处

2、理电路数字信号处理电路信号的信号的提取提取信号的信号的预处理预处理信号的信号的加工加工信号的信号的执行执行第二章集成运放及应用第二章集成运放及应用33 MHzAnalog Electronic运放理想化运放理想化运算关系的推导方法：运算关系的推导方法：可利用虚断、虚短和虚地的概念求解，可利用虚断、虚短和虚地的概念求解，牢记基本运算电路及其运算关系，多个运放牢记基本运算电路及其运算关系，多个运放线性应用：必须有负反馈线性应用：必须有负反馈运放的电压传输特性运放的电压传输特性理想理想运放两个工作区域运放两个工作区域的特点的特点uouNuPi+i+Aod电压比较器：电压比较器：组合的运算电路的计算组

3、合的运算电路的计算33 MHzAnalog Electronic第三章二极管及应用电路第三章二极管及应用电路本征半导体本征半导体半导体半导体杂质半导体杂质半导体N型半导体：型半导体：P型半导体：型半导体：多子多子少子少子本征半导体掺杂本征半导体掺杂PN结结PN结的形成结的形成多子的扩散运动多子的扩散运动 内电场内电场少子的漂移运动少子的漂移运动形成一定宽度空间电荷区（耗尽层）形成一定宽度空间电荷区（耗尽层）动态平衡动态平衡PN结的单向导电性结的单向导电性反向偏置反向偏置正向偏置正向偏置导通导通截止截止33 MHzAnalog Electronic二极管伏安特性伏安特性符号符号 模型模型参数参数

4、恒压降模型恒压降模型:理想模型：理想模型：断开管断开管子子，分析管，分析管子子阳极和阴极的电位阳极和阴极的电位。共阴和共阳优先导通问题。共阴和共阳优先导通问题IF、 UR、 IR应用应用正向导通、反向截止（单向导电性）正向导通、反向截止（单向导电性）稳压二极管稳压电路稳压二极管稳压电路稳压二极管稳压二极管稳压工作区域（反向击穿区）稳压工作区域（反向击穿区）UZ 、IZmin 、IZmax限流电阻的作用限流电阻的作用符号、伏安特性及主要参数符号、伏安特性及主要参数33 MHzAnalog Electronic第四章三极管及放大电路第四章三极管及放大电路三极管三极管电流放大作用和电流分配关系电流放

5、大作用和电流分配关系输入、输出特性曲线输入、输出特性曲线三个工作区域及其偏置条件三个工作区域及其偏置条件结构结构晶体管工作在三种不同工作区外部的条件和特点晶体管工作在三种不同工作区外部的条件和特点工作状态工作状态 NPN型型 PNP型型 截止状态截止状态 特点特点 E结、结、C结均反偏结均反偏E结、结、C结均反偏结均反偏VBVE、VBVC VBVE、VBVC IC 0 放大状态放大状态 VC VB VE E结正偏、结正偏、C结反偏结反偏IC IB E结正偏、结正偏、C结反偏结反偏E结、结、C结均正偏结均正偏VC VB VE 临界临界VCEVBE饱和状态饱和状态 VB VE、VB VC E结、结

6、、C结均正偏结均正偏VB VE、VB VC 33 MHzAnalog Electronic晶体管的主要参数晶体管的主要参数性能参数和极限参数性能参数和极限参数温度对晶体管特性及参数的影响温度对晶体管特性及参数的影响1、三极管放大电路的基本接法（基本组态、三极管放大电路的基本接法（基本组态) ) 信号放大原理（从图解分析法来理解）信号放大原理（从图解分析法来理解）共射极放大电路：共射极放大电路： 包括：固定偏置电路包括：固定偏置电路(图图4.2.4）和静态工作点稳定电路和静态工作点稳定电路(图图4.4.2）共集电极放大电路共集电极放大电路(射极输出器射极输出器)，共基极放大电路，共基极放大电路基

7、本放大电路的分析计算（基本放大电路的分析计算（4.3，4.4） 直流通路、求静态工作点的估算法，电路直流通路、求静态工作点的估算法，电路参数对静态工作点的影响、直流负载线、静态工参数对静态工作点的影响、直流负载线、静态工作点及其稳定作点及其稳定2、基本放大电路的静态分析、基本放大电路的静态分析根据静态电位判断三极管及其工作状态根据静态电位判断三极管及其工作状态33 MHzAnalog Electronic3、基本放大电路的动态分析、基本放大电路的动态分析放大倍数、输入电阻和输出电阻的计算；放大倍数、输入电阻和输出电阻的计算；饱和失真与截止失真分析，输出波形反映出的失真、饱和失真与截止失真分析，

8、输出波形反映出的失真、交流通路、交流通路、h参数（简化）等效模型；参数（简化）等效模型； 第五章场效应管及其基本放大电路第五章场效应管及其基本放大电路器件的分类、结构、工作原理及特性曲线。器件的分类、结构、工作原理及特性曲线。(图图5.1.11） 最大不失真输出电压最大不失真输出电压场效应管的输出特性可分为四个区：场效应管的输出特性可分为四个区：夹断区、可变阻区、饱和区（或称恒流区、放大区）夹断区、可变阻区、饱和区（或称恒流区、放大区）和击穿区。在放大电路中，场效应管工作在饱和区和击穿区。在放大电路中，场效应管工作在饱和区（或称恒流区、放大区）。（或称恒流区、放大区）。4 4、上限频率、下限频

9、率和通频带的概念，、上限频率、下限频率和通频带的概念， 频率失真（线性失真）的概念频率失真（线性失真）的概念33 MHzAnalog Electronic第六章集成运算放大电路第六章集成运算放大电路直接耦合放大电路的零点漂移主要是晶体管的温漂造直接耦合放大电路的零点漂移主要是晶体管的温漂造成的，多级放大电路中第一级的零点漂移影响最大。成的，多级放大电路中第一级的零点漂移影响最大。2、直接耦合放大电路的零点漂移（、直接耦合放大电路的零点漂移（6.3.1）1、多级放大电路的耦合方式和静动态分析（、多级放大电路的耦合方式和静动态分析（6. 1）3、差分放大电路组成及其静态、动态分析（、差分放大电路组

10、成及其静态、动态分析（6.3) 差模信号和共模信号，差模放大倍数，共模差模信号和共模信号，差模放大倍数，共模放大倍数，共模抑制比，混合信号化为差模信号放大倍数，共模抑制比，混合信号化为差模信号和共模信号和共模信号 ；总输出电压；总输出电压若为阻容耦合，各级静态工作点可单独计算；若为阻容耦合，各级静态工作点可单独计算； 计算放大倍数时一定要考虑前后级放大器的相互影响计算放大倍数时一定要考虑前后级放大器的相互影响（如后级放大器的输入电阻为前级放大器的负载电阻）（如后级放大器的输入电阻为前级放大器的负载电阻）总输入和输出电阻总输入和输出电阻33 MHzAnalog Electronic甲类，乙类，甲

11、乙类。甲类，乙类，甲乙类。功放管的几种工作状态：功放管的几种工作状态： OCL，OTL电路的组成特点；交越失真及其消除电路的组成特点；交越失真及其消除分析计算：求输出功率（最大不失真输出功率）、分析计算：求输出功率（最大不失真输出功率）、管耗、电源提供的功率及效率管耗、电源提供的功率及效率4、功率放大电路（、功率放大电路（6.4）功率放大电路的特点：大信号工作，功率、效率、功率放大电路的特点：大信号工作，功率、效率、失真为主要技术指标失真为主要技术指标甲乙类，晶体管的导通角甲乙类，晶体管的导通角2，最大效率，最大效率介于甲类和乙类之间。介于甲类和乙类之间。乙类，晶体管的导通角乙类，晶体管的导通

12、角，最大效率为，最大效率为78.5%。 甲类，晶体管的导通角甲类，晶体管的导通角2，最大效率为，最大效率为50%。33 MHzAnalog Electronic它们常被用来作为各级放大电路的偏置元件和有它们常被用来作为各级放大电路的偏置元件和有源负载源负载,以提供稳定的工作电流和较大的动态电阻以提供稳定的工作电流和较大的动态电阻电流源是一个输出电流恒定的电路。电流源是一个输出电流恒定的电路。5、集成运放中的电流源、集成运放中的电流源:镜像电流源、微电流源（镜像电流源、微电流源（6.5）33 MHzAnalog Electronic5、深度负反馈的概念，在深度负反馈条件下，、深度负反馈的概念，在

13、深度负反馈条件下，放大倍数的估算；（放大倍数的估算；（7.3.1和和7.3.2）4、交流负反馈放大电路的一般表达式；（、交流负反馈放大电路的一般表达式；（7.2）3、交流负反馈的四种组态（电压反馈和电流反馈、交流负反馈的四种组态（电压反馈和电流反馈、并联反馈和串联反馈）及判断方法；（并联反馈和串联反馈）及判断方法；（7.2）2、反馈判断：是正反馈、还是负反馈？、反馈判断：是正反馈、还是负反馈？（瞬时极性法）；（瞬时极性法）；1、基本概念：反馈、正反馈和负反馈、基本概念：反馈、正反馈和负反馈、直流反馈和交流反馈等基本概念；（直流反馈和交流反馈等基本概念；（7.1）6、放大电路中引入不同组态的负反

14、馈后，、放大电路中引入不同组态的负反馈后，对电路性能的影响；（对电路性能的影响；（7.4）第七章放大电路中的反馈第七章放大电路中的反馈33 MHzAnalog Electronic第九章波形的发生与变换电路第九章波形的发生与变换电路1、 正弦波振荡电路的组成、产生正弦波的条件（正弦波振荡电路的组成、产生正弦波的条件（9.1.1）自激振荡建立过程是指自激振荡建立过程是指“起振起振增幅增幅等幅等幅”的过的过程，也就是从程，也就是从|AF|1到达到达| AF|=1 的过程的过程幅度平衡条件幅度平衡条件 =1.FA相位平衡条件相位平衡条件 AF = A+ F = 2n 3、 LC正弦波振荡电路（正弦波振荡电路（9.1.3）相位平衡条件的判别）相位平衡条件的判别，振荡频率，振荡频率2、 RC正弦波振荡电路，幅度平衡条件，相位平衡正弦波振荡电路，幅度平衡条件，相位平衡条件，起振与稳幅（稳幅电路），振荡频率（条件，起振与稳幅（稳幅电路），振荡