微电子器件(测验)

1、 某硅突变某硅突变 PN 结的结的 ND = = 1.51015 cm-3，NA = = 1.51018 cm-3 ，试求室温下：试求室温下： 1、 VKN 与与 VKP 各为多少？各为多少？ 2、当外加电压当外加电压 V = 0.80 V 时，时，pn(xn) 与与np(-xp) 各为多少？各为多少？ 3、内建电势、内建电势 Vbi 为多少？为多少？ADbi2i3ln0.779VN NkTVqn、DAKNKPii22221ln0.617V,ln0.976VNNkTkTVVqnqn、2、对于对于 N 区，区，V VKN ，为大注入，为大注入， 对于对于 P 区，区，V ND 时，时，Jdn与与

2、 Jdp 中以哪种电流密度为主？中以哪种电流密度为主？二、二、1、某突变结的雪崩击穿临界电场为、某突变结的雪崩击穿临界电场为 EC = = 4.4105 V/ /cm，雪崩击穿电压为雪崩击穿电压为 220 V，试求发生击穿时的耗尽区宽度，试求发生击穿时的耗尽区宽度 xdB 。 2、当外加多大的反向电压时，耗尽区宽度达到、当外加多大的反向电压时，耗尽区宽度达到 xdB /2？2nnidnp0BBA2ppidpn0EEDexp1exp1exp1exp1qDqD nqVqVJnWkTW NkTqDqD nqVqVJpWkTW NkT一、一、 1、 2、当、当 NA ND 时，时， Jdp Jdn二、

3、二、1、BdBC3BdB5C1222 22010 cm10m4.4 10Vx EVxE2、B55V4VV 1、某、某 NPN 晶体管的晶体管的 ，试求该管的浮空电势。，试求该管的浮空电势。 2、试求该管当发射极开路集电结反偏时，基区中靠近发射、试求该管当发射极开路集电结反偏时，基区中靠近发射区一侧的少子浓度区一侧的少子浓度 nB(0) 是该处平衡少子浓度是该处平衡少子浓度 nB0 的多少倍。的多少倍。0.99BEBB0B0B02(0)exp10.01qVnnnnkT、BE1ln(1)0.026ln(10.99)0.1197VkTVq 、VCBICBOIE = 0浮空电势浮空电势EBCN+PNn

4、p0np(x)0WBP 型基区型基区 求下图共发射极求下图共发射极 T 形等效电路中形等效电路中 与与 并联支路的分界并联支路的分界频率，通常可以忽略哪个元件？频率，通常可以忽略哪个元件？erC 因通常因通常 ，所以可忽略，所以可忽略 。eeeTEDEebbecT11112222r CfrCr CCf eTr CfffC1、某、某 N 沟道沟道 MOSFET 的的 VT = = 1V， = = 10-3AV 2 ，试求当，试求当 VGS = = 4V ，而，而 VDS 分别为分别为 2V、3V、4V 时的漏极电流之值。时的漏极电流之值。 2、试求该、试求该 MOS 管当管当 VDS = = 2V，VGS 分别为分别为 2V、3V、4V 时的时的漏极电流之值。漏极电流之值。 2DSDSTGSD21)(VVVVITGSsatDVVV2TGS2DsatDsa