MEMS振荡器产业化报告20140310

1、1MEMS硅振荡器产业化报告Industry Report for MEMS Silicon Oscillator Ziping Yan201403102目录MEMS硅振荡器概述 - 04 MEMS硅振荡器简介- 05MEMS硅振荡器设计- 13MEMS硅振荡器规格说明及应用MEMS硅振荡器的设计原理MEMS硅谐振器项目规划MEMS硅谐振器的投资成本MEMS硅谐振器的财务总结MEMS硅谐振器产品价格分析MEMS硅振荡器的制造工艺MEMS硅谐振器的制造工艺MEMS硅振荡器的可靠性MEMS硅振荡器的优缺点MEMS硅振荡器市场分析 - - 35MEMS硅振荡器产业链分析MEMS国内上游产业链MEMS

2、谐振器和振荡器国外生产厂家调查MEMS谐振器和振荡器国内生产厂家调查3目录MEMS硅振荡器全球市场需求MEMS硅振荡器中国市场需求MEMS硅振荡器全球市场预测MEMS硅振荡器中国市场预测全球MEMS应用领域市场分析全球MEMS应用领域市场预测全球MEMS产品行业分析全球MEMS产品行业预测MEMS硅振荡器重点企业调查 - 56国外SiTime公司调查国内中芯国际公司调查MEMS专利技术 - - 66MEMS的国家政策 - 67康大MEMS硅谐振器技术 - 69MEMS硅振荡器产业化的反思 - 85MEMS硅振荡器产业化报告结论 - 864MEMS硅振荡器概述一场革命性的洗礼和升级一场革命性的洗

3、礼和升级未来，未来，MEMS硅振荡器将完全替代晶体硅振荡器。硅振荡器将完全替代晶体硅振荡器。代替代替5MEMS硅振荡器简介MEMS硅振荡器: 通过微机电系统制作出的一种可编程的硅振荡器，属于我们通常所说的有源晶振。MEMS硅振荡器透视图, 以SiTime的MEMS硅振荡器为例，其是由两个芯片堆栈起来，下方是CMOS PLL驱动芯片，上方则是MEMS谐振器，以标准QFN IC封装方式完成.6MEMS硅振荡器简介微机电系统（MEMS, Micro-Electro-Mechanical System）一种先进的制造技术平台，以半导体制造技术为基础发展起来的；采用了半导体技术中的光刻、腐蚀、薄膜等一系

4、列的现有技术和材料，基本的制造技术是成熟的；MEMS 有以下4部分组成7MEMS硅振荡器简介MEMS 相关技术开发历程MEMS技术的首次开发应用，并市场化历时36年；MEMS 技术应用在振荡器中，开发到市场化历时16年；新技术出现，替代和应用，人们给予研究人员的研发间在不停地缩短，同时要求研发人员开发降成本产品；8MEMS硅振荡器简介MEMS 相关技术开发历程部分公司开发时间和交付时间，获得收益最快的是SiTime公司和Discera公司公司产品开发时间交付3百万个3百万是销售额（$ Million)Freescale汽车加速器8131000Avago Technologies手机RF-FBA

5、R165210Knowles Acoustics麦克分154150Sitime, DisceraMEMS振荡器32150Invensense2轴陀螺仪24400Siimple, Varioptic自动对焦34400Infineon, GE,Sensing轮胎压力探测57750开发时间816153235交付3百万个13542447汽车加速器手机RF-FBAR麦克分MEMS振荡器2轴陀螺仪自动对焦轮胎压力探测024681012141618年开发时间和交付时间9MEMS硅振荡器简介MEMS硅振荡器经历了3个阶段，2003年提出到今天纳米技术MEMS振荡器： 不良的抖动和相位噪音；价格高传统硅振荡器：

6、不良的抖动和相位噪音；支持较窄的频率范围，如25 -30MHz、50-75 MHz全硅MEMS振荡器：解决了以上3个问题10 MEMS硅振荡器简介MEMS硅振荡器经历了3个阶段，2003年提出到今天11 MEMS硅振荡器简介封装在8寸标准晶圆片上的MEMS谐振器(晶圆级封装)和模拟IC(包括PLL，VCO)整合封装而成，并且采用了低成本可高量产的塑料封装技术；双晶片MEMS硅振荡器虽然采用了更加标准的封装技术，但仍然依赖主流批量CMOS工厂之外的专业MEMS工厂。此外，它对MEMS谐振器特性更加敏感，因此从系统性能和成本的角度来看不是最佳选择;得益于Silicon Labs设计团队在混合信号3

7、D设计方面积累的丰富经验，Silicon Labs专利的CMEMS技术在单晶片上集成了MEMS谐振器和CMOS硅振荡器电路，使硅振荡器具有更小尺寸、更高可靠性、更佳抗老化性以及更高集成度。12MEMS硅振荡器简介MEMS硅振荡器应用网络通讯存储电脑消费类工业类13MEMS硅振荡器的设计SiTime MEMS硅振荡器器件规格14MEMS硅振荡器的设计SiTime MEMS硅振荡器规格系列化，15MEMS硅振荡器的设计SiTime MEMS硅振荡器类型，16MEMS硅振荡器的设计MEMS硅振荡器设计原理频率信号对于所有电子产品就像是心跳对所有动物的生命一般重要，所有电子电路的动作都以此重复性且稳定

8、的频率信号作为参考信号源。MEMS硅振荡器内部框图，含温度补偿功能，备注：晶体谐振器是单只晶体本身，晶体本身就是一种谐振器，晶体硅振荡器是由晶体谐振器和震荡电路共同组成！他们的组合电路称为晶体硅振荡器！17MEMS硅振荡器的设计MEMS硅谐振器项目规划3年完成MEMS硅谐振器项目，2015年1月启动，2017年12月份结束；整个项目完成分5个阶段完成，从阶段1到阶段5.；阶段主题201520162017Q1Q2Q3Q4Q1Q2Q3Q4Q1Q2Q3Q4阶段1技术转移项目技术转移资料 可行性评估阶段2立项采购样品试作50验证评估阶段3小批量试作100食品安全测试200验证评估阶段4批量400验证评

9、估阶段5批量2800验证评估18MEMS硅振荡器的设计MEMS硅谐振器投资成本2012年，罕王微机电高科技产业园介绍 罕王微机电高科技产业园总投资30亿元,占地面积1200亩，与产能4000个；2002年，中芯国际投资12亿美元 ，在北京建8英寸晶圆厂，月产转产后月产能达到2万个；如果我们在内地投资30亩地，1万平米的厂房生产MEMS硅谐振器，开发为期3年，转产后月产能达到4000个，需要总投资1.79亿美金； Category Unit: $ Total People Related Expenses 4,018,065 Total Material & Supplies Expenses

10、32,760 Total Outside Services & Supporting Expenses - Total Capital Expenditure 175,000,000 Total 179,050,825 19MEMS硅振荡器的设计MEMS硅谐振器产品财务总结For Year Ending December 312015201620172018Market TAM (in millions) （营业收入）$0.00 $0.44 $8.70 $36.46 Total Units Sold（销售数量）075014,80048,000GCICT Target Share(市场份额）0.

11、0%100%100%100%GCICT Total Units（销售数量）075014,80048,000Unit DetailsGCICT ASP（销售单价）$588 $588 $588 Unit Product Cost（产品成本）$276 $265 $254 Income StatementRevenue (in millions)（营业收入）$0.00 $0.44 $8.70 $36.46 COGS (in millions)(销货成本)$0.00 $0.01 $0.40 $6.61 Gross Margin %(毛利率)97%95%82%EBITDA (in millions)(息税

12、折旧及摊销前利润)$6.23 $17.52 $29.06 $46.76 Net Income (Loss) (in millions)(净收益)($0.37)($0.36)$0.09 $5.68 Business AnalysisCumulative Investment (in millions)(累计投资额)$42.37 $97.28 $153.32 $215.28 NPV(净现值)($42.16)($92.30)($136.22)($173.26)20MEMS硅振荡器的设计MEMS硅谐振器产品销售价格8“的晶圆生产MEMS硅谐振器，每个晶圆上的合格率为60%，转产后合格率是80%，每个晶

13、圆的成本为$293#$BOM117DL88MOH88OS0Total29321MEMS硅振荡器的设计MEMS硅谐振器产品销售价格路线图项目在启动时直到量产，这个过程中始终考虑并推动降成本问题，启动时产品成本是$293,量产后产品成本是$179；假设产品售价不变，GM%会2016年的从58%升到2017年的70%。#Q214Q314Q414Q115Q215Q315Q415Q116Q216Q316Q416Q117Q217Q317Q417Units Sold0000000501002004008002,00012,00012,000ASP588588588588588588588588BOM Cos

14、t (incl. yield)*117.00117.00113.49110.09106.78103.58100.4797.4694.5391.7088.9586.2883.6971.8769.71DL Cost (incl. yield)*88.0088.0085.3682.8080.3277.9175.5773.3071.1068.9766.9064.8962.9554.0552.43MOH (incl. depreciation)*88.0088.0085.3682.8080.3277.9175.5773.3071.1068.9766.9064.8962.9554.0552.43Unit

15、product cost293.00293.00284.21275.68267.41259.39251.61244.06236.74229.64222.75216.07209.58179.98174.58GM%58.5%59.7%60.9%62.1%63.3%64.4%69.4%70.3% Consider Cost Reduction 22MEMS硅振荡器的设计MEMS硅振荡器的生产工艺主要包括6步，晶圆制作（现成的），晶圆切割，焊接，标示，测试和包装出货从晶圆切割到包装生产出货周期约24周；MEMS硅振荡器封装方式亦使用目前半导体封装厂通用设备以及标准IC后制封装流程；封装必须满足四大要求

16、：(1)提供极其洁净的内部环境；(2)提供稳定的机械结构；(3)小型化，适合CMOS集成并能发挥MEMS的长处；(4)低成本;23 MEMS硅振荡器的设计MEMS硅谐振器工艺步骤用CMOS半导体代工厂的标准设备以及材料制造全硅MEMS谐振器，核心步骤如下：1. 通过窄信道蚀刻方式，从表面切割一空隙至硅晶氧化绝缘层（SOI），生成一谐振结构。这些谐振结构体在震动时，以水平方向在硅晶面上震动；2. 震动空隙上包覆着一层氧化层、硅晶层以及多晶硅层（Polysilicon），在多晶硅层以通过一些蚀刻的小细孔将氧化物取出后形成谐振体；3. 硅晶圆被置入1000oC的epitaxial反应炉内去除杂质，并

17、密封之前所蚀刻的小细孔，以及通过长晶生成较厚的硅晶和一层多晶硅电容层。这个高温工艺对谐振体而言也是一个退火（anneal）的过程，让谐振体表面达到光滑的程度，并将其永久密封在完全真空无污染的空间中。上述所描述的多晶硅电容层结构非常坚硬，可承受接下来超过100个大气压压力的塑模成型工艺（Plastic molding)；4. 如何在多晶硅层上生成一导电接点，来连接至内部谐振器的驱动感应电极。而后进行铝质导电层（Aluminum Layer）长晶过程、完成导线（metal trace）以及打线接点生成工艺,并被覆盖上一层非导电材质钝化层后（passivation layer），完成整个硅晶圆的生产

18、。24 MEMS硅振荡器的设计SiTime 硅谐振器工艺步骤(1)在10-20um厚SOI(绝缘体硅)衬底上通过反应离子刻蚀(DRIE)形成谐振器结构图案；(2)淀积一层氧化物并形成图案，以覆盖被选择的谐振器部分，并提供到驱动和感应电极的电气接触；(3)淀积1.5um厚的外延层并形成至氧化物的焊盘；(4)由通孔挖除谐振器结构自由空间上下的氧化物；(5)谐振腔用SiTime的EpiSeal工艺密封于外延环境，形成洁净的密封空间；(6)晶圆通过化学机械抛光(CMP)形成平面，绝缘延伸形成接触图案，弯曲成10-20um厚的外延多晶密封层；(7)淀积形成绝缘氧化层、金属连接和掩膜，或者制作CMOS。2

19、5MEMS硅振荡器设计MEMS硅谐振器的生产工艺名称和设备图形转换：将设计在掩膜板上的图形转移到晶片；光刻：接触光刻，接近光刻，投影光刻等；刻蚀：湿法腐蚀，干法刻蚀 ；掺杂：根据设计需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等；扩散:离子注入，退火等；薄膜技术：制作各种材料的薄膜；氧化：干氧氧化，湿氧氧化等；化学气相淀积法（CVD）：APCVD，LPCVD，PECVD；物理气相淀积法（PVD）：蒸发，溅射。26 MEMS硅振荡器设计MEMS硅振荡器的编程提供不同的频率，如图电压和频率的组合，27 MEMS硅振荡器设计SiTime的MEMS硅振荡器可靠性温漂影响小，全温度范围频率特性稳

20、定。28 MEMS硅振荡器设计SiTime的的MEMS硅振荡器的特性表现硅振荡器的特性表现Si50 x CMEMS硅振荡器最显著的优势在于，它将MEMS架构直接构建于标准CMOS晶圆上，从而获得更高的温度稳定性和抗老化性能。这种创新的结构使得温度传感器与MEMS谐振器的接触更紧密，温度补偿功耗极低，速度更快。传统的MEMS谐振器有-30至40ppm/ 的频率漂移，而采用硅锗合金+氧化硅材料的CMEMS频率漂移接近+/-1 ppm/。29 MEMS硅振荡器设计MEMS硅振荡器的可靠性测试给出了一种温补密封MEMS硅振荡器的初始频率稳定度测试数据。这些数据在50温度下起振几分钟后开始收集，结果显示

21、超过14天的振荡漂移小于50ppm。30 MEMS硅振荡器的可靠性测试MEMS硅振荡器的可靠性测试硅振荡器在25温度下工作8,000小时的长时频率稳定度数据，测量到的总漂移2ppm在测量仪器定义的3ppm范围内。31 MEMS硅振荡器的设计MEMS硅振荡器的可靠性测试三个不同的晶体振荡器、三个不同的双晶片MEMS振荡器和一个Silicon Labs单晶片Si501 CMEMS振荡器。从测试结果看，CMEMS振荡器变化范围在1ppm内，其他晶体和双晶片MEMS振荡器具有显著的变化，大约在30-150ppm范围。Si501 CMEMS振荡器出色的温度可靠性成为一个佐证，机械温度补偿和温度补偿电路的

22、补偿速度能够在单体器件中相互作用。32 MEMS硅振荡器的设计MEMS硅振荡器的可靠性测试三个不同的晶体振荡器、三个不同的双晶片MEMS振荡器和一个Silicon Labs单晶片Si501 CMEMS振荡器。从测试结果看，CMEMS器件表现出显著的低频率偏移特性，而传统晶体和双晶片MEMS振荡器的频率偏移与老化时间相关，时间越长频率偏移越大。33 MEMS硅振荡器的设计MEMS硅振荡器的优势石英晶体与1st代MEMS硅振荡器技术比较，名称石英晶体MEMS-FirstMEMS-First谐振器尺寸2mm 5mm400um频率1MHz 80MHz1MHz 50MHz老化(第一年）3ppm 5ppm

23、3ppm补偿温度稳定性1ppm 10ppm1ppm 10ppm谐振Q值100k 200k75k 150k抗冲击/震荡差好CMOS集成不能能封装陶瓷或金属塑料34 MEMS硅振荡器的设计MEMS硅振荡器的优势MEMS硅振荡器与石英OCXO（恒温晶体振荡器）, TCXO（温度补偿晶体振荡器）相比较；35 MEMS硅振荡器市场分析MEMS硅振荡器产业链分析MEMS硅振荡器在产业链中既可以是上游产业也可以是中游产业，但MEMS硅谐振器属于上游产业；上游上游中游中游下游下游设备硅谐振器振荡器通讯设备商存储电脑设备手机运营商工厂手机消费电子振荡器汽车CMOS36 MEMS硅振荡器市场分析MEMS国内上游产

24、业链国内MEMS厂商为后起之秀，结合上下游厂商，打造本土设计制造紧密结合的产业链提供更具性价比的产品，才能在MEMS产业中赢得一席之地；苏州纳米所纳米加工平台作为苏州唯一一家微纳加工的公共服务平台37 MEMS硅振荡器市场分析MEMS谐振器和振荡器国外生产厂家调查国外主要生产厂家分布在美国和日本，美国4家，日本1家；序号国家公司百分比（%）技术1美国SiTime80% market share 硅MEMS硅振荡器2日本Epson Toyocom80% market shareQMEMS硅振荡器3美国Silicon Labs(收购了Silicon Clocks）CMOS+MEMS4美国Disce

25、ra90% market share in resonator;20% market share in oscillatorCMOS MEMS谐振器, Discera在MEMS谐振器技术上拥有27项专利;5美国WiSpry50% market share in mobileRFMEMS38 MEMS硅振荡器市场分析MEMS谐振器和振荡器生产厂家调查国外拟在建厂家主要分布在欧洲和日本欧洲的恩智浦半导体、意法半导体等大企业都在投资MEMS硅振荡器的开发；芬兰技术研究中心VTT、MEMS公司VTI；日本精工爱普生（Seiko Epson）在开发MEMS硅振荡器。序号国家公司工厂直接客户1荷兰恩智浦半

26、导体6座晶圆厂： 汉堡，吉林，曼彻斯特，奈梅亨（2家晶圆厂），新加坡6个封装测试厂：曼谷，卡布尧，广东，中国香港，高雄县，芙蓉(Seremban）最大的10家OEM客户是:苹果、博世、大陆、德菲尔、金雅拓、捷德、华为、诺基亚西门子通信、松下和三星2法国意法半导体MEMS麦克分3芬兰VTI Technologies3D MEMS传感器4日本Seiko EpsonQMEMS39 MEMS硅振荡器市场分析MEMS谐振器和振荡器生产厂家调查中国MEMS企业重点分布40 MEMS硅振荡器市场分析MEMS国内晶圆市场生产规模调查年份2007年2008年2009年2010年2011年2012年总产量（$,m

27、illion)40049051055069089041MEMS硅振荡器市场分析MEMS谐振器和振荡器生产厂家调查中国有主要晶圆厂，3家本土企业已得到国家资金扶持，4家外资；公司地址公司类型上市（Y/N)产能/月晶圆尺寸工艺投产时间研发/来料加工1中芯国际集成电路制造有限公司成都民营香港8“0.18um2007研发和生产2 和舰科技（苏州）有限公司苏州外资2.0万8“0.13um2006研发和生产3上海华虹NEC电子有限公司上海中日美3.0万8“0.18um2007研发和生产4上海宏力半导体制造有限公司上海台资4.7万8“0.15um5宁波中纬半导体公司浙江民营6“coms2004生产与研发6西

28、安西岳电子技术有限公司西安民营6“coms2007生产与研发7罕王集团抚顺国企0.48”mems2012生产与研发42 MEMS硅振荡器市场分析MEMS谐振器和振荡器生产厂家调查国内拟在建厂家： 3家公司地址公司类型上市（Y/N)产能/月晶圆尺寸工艺投产时间研发/来料加工5深圳方正微电子深圳民营2.0万8“coms正在建设研发和生产6上海力芯集成电路制造有限公司上海美资美国1.5万8“bicoms正在建设生产7茂德科技台资台资台湾1.5万8“0.18um正在建设生产43 MEMS硅振荡器市场分析MEMS硅振荡器市场需求硅谐振器遵循摩尔定律备注： 摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登摩

29、尔（Gordon Moore）提出来的;其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻一倍以上。这一定律揭示了信息技术进步的速度。44 MEMS硅振荡器市场分析MEMS硅振荡器市场需求Silicon Labs公司资深营销经理James Wilson先生把硅振荡器市场分为四个层次小批量高端市场：恒温晶体硅振荡器OCXO，高端温度补偿晶体硅振荡器TCXO；高频市场：频率大于100MHz的晶体硅振荡器，压控硅振荡器VCXO；大批量低频市场：频率小于100MHz的晶体硅振荡器；更大批量的计时市场：

30、手机用TCXO，GPS用TCXO，晶体，谐振器。45 MEMS硅振荡器市场分析MEMS硅振荡器全球市场需求2009年到2013年，全球MEMS市场需求从78.2亿美元增长到126.88亿美元，年平均增长率为13%;2009年到2013年，全球MEMS振荡器市场需求0.12亿美元增长到0.88亿美元，年平均增长率为94%，其主要原因是许多领域将用MEMS 振荡器替换石英振荡器。#2009年2010年2011年2012年2013年MEMS总市场需求78.289.27101.18114.09126.88MEMS总市场需求增长率14%13%13%11%Oscillators振荡器需求0.120.240

31、.480.88Oscillators振荡器需求增长率100%100%83%Oscillators总量占MEMS总量0.13%0.24%0.42%0.69%MEMS总市场需求78.289.27 101.18 114.09 126.88MEMS总市场需求增长率14%13%13%11%2009年 2010年 2011年 2012年 2013年020406080100120140亿美元2009年 - 2013年全球MEMS市场总需求Oscillators振荡器需求0.120.240.480.88Oscillators振荡器需求增长率100%100%83%2009年 2010年 2011年 2012年

32、2013年00.20.40.60.811.2亿美元2009年 - 2013年全球振荡器市场总需求46 MEMS硅振荡器市场分析MEMS硅振荡器中国市场需求2009年到2013年，假设中国MEMS市场占全球20%的市场份额，中国MEMS市场需求从15.64亿美元增长到25.37亿美元，年平均增长率为13%;2009年到2013年，中国MEMS振荡器市场需求将从0.024亿美元增长到0.176亿美元，年平均增长率为94%; #2009年2010年2011年2012年2013年MEMS总市场需求15.6417.85420.23622.81825.376MEMS总市场需求增长率14%13%13%11%

33、Oscillators振荡器需求0.0240.0480.0960.176Oscillators振荡器需求增长率100%100%83%Oscillators总量占MEMS总量0.13%0.24%0.42%0.69%MEMS总市场需求15.64 17.85 20.23 22.81 25.37MEMS总市场需求增长率14%13%13%11%2009年2010年2011年2012年2013年051015202530亿美元2009年 - 2013年中国MEMS市场总需求Oscillators振荡器需求0.024 0.048 0.096 0.176Oscillators振荡器需求增长率100% 100%8

34、3%2009年2010年2011年2012年2013年00.20.40.60.811.2亿美元2009年 - 2013年中国振荡器市场总需求47MEMS硅振荡器市场分析MEMS硅振荡器全球市场预测2014年到2016年，MEMS全球市场预测将从145亿美元增长到209亿美元，年平均增长率为13%；2014年到2016年，MEMS振荡器全球市场预测将从1.68亿美金增长到4.63亿美金；年平均增长率为53%;#2014年2015年2016年2017年MEMS总市场需求预测145.47163.52184.05209.3MEMS总市场需求增长率预测15%12%13%14%Oscillators振荡器

35、市场预测1.682.723.674.63Oscillators振荡器增长率预测91%62%35%26%Oscillators预测总量占MEMS预测总量1.15%1.66%1.99%2.21%MEMS总市场需求预测145.47163.52184.05209.3MEMS总市场需求增长率预测15%12%13%14%2014年2015年2016年2017年050100150200250亿美元2014年 - 2017年全球MEMS市场总需求Oscillators振荡器市场预测1.682.723.674.63Oscillators振荡器增长率预测91%62%35%26%2014年2015年2016年201

36、7年00.511.522.533.544.55亿美元2014年 - 2017年全球振荡器市场总需求48MEMS硅振荡器市场分析MEMS硅振荡器中国市场预测2014年到2016年，假设中国MEMS市场占全球20%的市场份额，中国MEMS市场预测将从29亿美元增长到41亿美元，年平均增长率为15.4%；2014年到2016年，中国MEMS振荡器市场预测将从0.336亿美金增长到0.926亿美金；#2014年2015年2016年2017年MEMS总市场需求预测29.09432.70436.8141.86MEMS总市场需求增长率预测15%12%13%14%Oscillators振荡器市场预测0.336

37、0.5440.7340.926Oscillators振荡器增长率预测91%62%35%26%Oscillators预测总量占MEMS预测总量1.15%1.66%1.99%2.21%MEMS总市场需求预测145.47163.52184.05209.3MEMS总市场需求增长率预测15%12%13%14%2014年2015年2016年2017年050100150200250亿美元2014年 - 2017年中国MEMS市场总需求Oscillators振荡器市场预测1.682.723.674.63Oscillators振荡器增长率预测91%62%35%26%2014年2015年2016年2017年00.

38、511.522.533.544.55亿美元2014年 - 2017年中国振荡器市场总需求49 MEMS硅振荡器市场分析全球MEMS应用领域市场分析2010年到2013年，全球MEMS应用领域最多的是：Microfluidics微流控技术，Accelerometers加速器，Inkjet Heads喷墨头和Pressure Sensors压力传感器；2010年到2013年，全球MEMS应用领域增长最快的是： Combos 过滤器组合， Microdisplays微显示， Oscillators振荡器；MEMS领域2010年2011年2012年2013年2011年2012年2013年平均平均Oth

39、er其他1.982.473.063.7925%24%24%2.83 24%Oscillators振荡器0.120.240.480.88100%100%83%0.43 94%RF MEMS射频微机电系统3.594.194.695.2717%12%12%4.44 14%Microfluidics微流控技术11.5414.4418.1820.0525%26%10%16.05 20%Optical MEMS 光学微机电系统9.6510.6111.6113.1910%9%14%11.27 11%Microdisplays微显示00.050.120.27140%125%0.11 133%Uncooled

40、IR非制冷红外3.033.513.794.0516%8%7%3.60 10%Combos 过滤器组合0.360.772.354.61114%205%96%2.02 138%Compassers罗盘仪2.393.644.484.9852%23%11%3.87 29%Gyroscopes陀螺仪10.0612.8714.9916.3428%16%9%13.57 18%Accelerometers加速器14.1115.215.71168%3%2%15.26 4%Microphones麦克分3.224.365.095.8935%17%16%4.64 23%Pressure Sensors压力传感器13.

41、5514.0615.0516.424%7%9%14.77 7%Inkjet Heads喷墨头15.6714.7714.4915.14-6%-2%4%15.02 -1%Total总计89.27101.18114.09126.8850 MEMS硅振荡器市场分析全球MEMS应用领域市场分析0204060801001201402010年2011年2012年2013年亿美元2010年 - 2013年全球MEMS应用领域市场需求Other其他Oscillators振荡器RF MEMS射频微机电系统Microfluidics微流控技术Optical MEMS 光学微机电系统Microdisplays微显示U

42、ncooled IR非制冷红外Combos 过滤器组合Compassers罗盘仪Gyroscopes陀螺仪Accelerometers加速器Microphones麦克分Pressure Sensors压力传感器Inkjet Heads喷墨头51 MEMS硅振荡器市场分析全球MEMS应用领域市场预测2014年到2017年，全球MEMS应用领域市场预测份额最多的是：Microfluidics微流控技术，Optical MEMS 光学微机电系统，Pressure Sensors压力传感器和Inkjet Heads喷墨头；2014年到2017年，全球MEMS应用领域市场预测增长最快的是： Microd

43、isplays微显示，Oscillators振荡器和Combos 过滤器组合；MEMS应用领域2014年2015年2016年2017年2014年2015年2016年2017年平均平均Other其他4.746.417.829.910.2506635%22%27%7.22 27%Oscillators振荡器1.682.723.674.630.9090962%35%26%3.18 53%RF MEMS射频微机电系统6.277.628.8710.280.1897522%16%16%8.26 18%Microfluidics微流控技术25.1331.1838.9347.940.2533724%25%23

44、%35.80 24%Optical MEMS 光学微机电系统15.0317.5720.9425.550.139517%19%22%19.77 18%Microdisplays微显示0.631.081.622.611.3333371%50%61%1.49 79%Uncooled IR非制冷红外4.655.426.456.520.1481517%19%1%5.76 13%Combos 过滤器组合7.4310.9213.516.920.6117147%24%25%12.19 39%Compassers罗盘仪5.024.854.584.480.00803-3%-6%-2%4.73 -3%Gyrosco

45、pes陀螺仪17.0816.1515.4514.680.04529-5%-4%-5%15.84 -3%Accelerometers加速器16.2116.0915.9315.640.01313-1%-1%-2%15.97 -1%Microphones麦克分6.597.047.528.350.118857%7%11%7.38 9%Pressure Sensors压力传感器17.6118.4820.1522.40.072475%9%11%19.66 8%Inkjet Heads喷墨头17.417.9918.6219.390.149273%4%4%18.35 6%Total总计145.47163.52

46、184.05209.352 MEMS硅振荡器市场分析全球MEMS应用领域市场预测0501001502002502014年2015年2016年2017年亿美元2014年 - 2017年全球MEMS应用领域市场预测Other其他Oscillators振荡器RF MEMS射频微机电系统Microfluidics微流控技术Optical MEMS 光学微机电系统Microdisplays微显示Uncooled IR非制冷红外Combos 过滤器组合Compassers罗盘仪Gyroscopes陀螺仪Accelerometers加速器Microphones麦克分Pressure Sensors压力传感器

47、Inkjet Heads喷墨头53 MEMS硅振荡器市场分析全球MEMS产品行业分析2008年到2012年，全球MEMS产品在以下4行业中占70%的比例：消费电子，医疗与生命科学，汽车和电信；2008年到2012年，全球MEMS产品在以下3行业中增长速度最快：电信，电信基础设施和医疗与生命科学；消费电子27.35925.07926.75429.83137.784汽车13.38212.34613.33414.3616.768医疗与生命科学9.86211.10912.7117.75721.918电信4.766.64110.77315.64523.709电信基础设施1.3281.7362.0182.

48、143.784工业9.78610.04610.86112.53414.844航空0.4850.4960.5080.5170.529国防2.4292.7333.1453.6874.2962008年2009年2010年2011年2012年020406080100120140亿美元全球MEMS产品行业分析#2008年 2009年 2010年 2011年2012年 2009年 2010年 2011年2012年 平均平均国防2.4292.7333.1453.6874.29613%15%17%17%3.26 15%航空0.4850.4960.5080.5170.5292%2%2%2%0.51 2%工业9.

49、786 10.046 10.861 12.53414.8443%8%15%18%11.61 11%电信基础设施1.3281.7362.0182.143.78431%16%6%77%2.20 32%电信4.766.641 10.773 15.64523.70940%62%45%52%12.31 50%医疗与生命科学9.862 11.109 12.71 17.75721.91813%14%40%23%14.67 23%汽车13.382 12.346 13.334 14.3616.768-8%8%8%17%14.04 6%消费电子27.359 25.079 26.754 29.83137.784-8

50、%7%12%27%29.36 9%54 MEMS硅振荡器的应用行业调查中国MEMS产品行业分析未来3年，中国MEMS市场需求将以13%以上的增长；主要应用在6个领域，2013年的统计数据，汽车电子和网络与通信领域占55%的市场；其他14%工业18%电信与电信基础设施28%医疗与生命科学8%汽车28%消费电子4%2013年中国MEMS产品行业分析国防4%航空1%工业13%电信基础设施2%电信14%医疗与生命科学17%汽车16%消费电子33%2008年 - 2012年 全球MEMS产品行业分析55 MEMS谐振器的原材料调查应用行业产品消费量预测(国外）MEMS器件5389126MEMS设备6.3

51、18.6111.65MEMS材料3.857.7111.72005年2010年2013年020406080100120140160亿美金2005年 - 2013年全球MEMS上游产业链分析#2005年2010年2013年复合增长率MEMS材料3.857.7111.715%MEMS设备6.318.6111.656%MEMS器件538912612%56MEMS硅振荡器重点企业调查SiTime公司（美国企业）SiTime硅振荡器和石英振荡器优劣对比势，57MEMS硅振荡器重点企业调查SiTime公司（美国企业）SiTime公司对上游企业的管控，曾取消8家供应商，由SiTime自己提供，58MEMS硅振

52、荡器重点企业调查SiTimeSiTime 公司副总裁Piyush Sevalia先生说，这个高达50亿美元的时钟市场有三种产品，共振器、振荡器和时钟发生器。这个市场比较分散，没有一个供应商能够开发适应三种产品的技术。SiTime公司有了SiT9103 和 SiT9104时钟发生器，成为唯一一家从事三种产品供应的硅时钟产品企业。2009年2月起，可以获得该种产品的样片；SiTime Corporation是一家增长最快的半导体公司，致力于用可取代传统石英产品的硅MEMS时钟解决方案改变50亿美元的时钟市场。凭借着80%的市场份额和超过1.5亿片器件的出货量，SiTime正在推动全硅时钟技术在电子

53、工业中的全面普及。 59MEMS硅振荡器重点企业调查SiTimeSiTime开发了30多个重大客户，如下，60MEMS硅振荡器重点企业调查中芯国际中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约证交所股票代码：SMI，香港联合交易所股票代码：981），是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业。中芯国际向全球客户提供0.35微米到40纳米晶圆代工与技术服务。中芯国际总部位于上海，在上海建有一座300mm晶圆厂和三座200mm晶圆厂。在北京建有两座300mm晶圆厂，在天津建有一座200mm晶圆厂，在深圳有一座200mm晶圆厂在兴建中。中芯国际还在

54、美国、欧洲、日本和台湾地区提供客户服务和设立营销办事处，同时在香港设立了代表处。此外，中芯国际代武汉新芯集成电路制造有限公司经营管理一座300mm晶圆厂；中芯国际于2007年开始MEMS技术的发展，并已通过许多客户的认证。主要应用在MEMS麦克风，晶圆堆栈微流体传感器(micro-fluidic sensor)，微显示(micro-display)和LED WLP (wafer-level-package)芯片级封装基座等。中芯除了累积了丰厚的MEMS产品的制造经验，同时也建立了强大的微机电系统的人才库，以能为客户量身定制并利用现有的CMOS晶圆工艺技术来实现客户的组件要求；为使CMOS技术平

55、台更容易被使用及整合以制造微机电器件，中芯国际目前专注在CMOS MEMS技术的发展。这种做法的目的是运用现有的CMOS技术平台，来说明客户生产各种所需的微机电器件，如加速度计，智能传感器（压力，语音智能传感器的）及射频（无极变速，开关）等等。61MEMS硅振荡器重点企业调查中芯国际中芯国际2009年到2012年利润表；生产经营成果的会计报表,也叫损益表；62MEMS硅振荡器重点企业调查中芯国际中芯国际2009年到2012年资产负债表（Statement Of Financial Position(SOFP)；前4年负载率50%,企业偿还债务的能力较强；63MEMS硅振荡器重点企业调查中芯国际

56、中芯国际2009年到2012年现金流量表现金流量表是反应一定时期内(如月度、季度或年度)企业经营活动、投资活动和筹资活动对其现金及现金等价物所产生影响的财务报表；投资性现金流经常是负数，但这预示着公司未来业绩可能出现的增长，道理很简单，若想业绩增长就必须要先投资。相反，如果投资性现金流长期数额不大，甚至是正值，很可能反映公司没有业绩扩张能力。所以，只要经营性现金流保持增长，投资者就不必紧张投资性现金流为负数融资性现金流（ Cash flow from financing） 现金流量表的第三项组成部分，反映公司融资活动产生的现金流状况。融资性现金流反映企业和债券等渠道的资金筹集，属于“接受输血”

57、的功能。融资性现金流为负数很多情况下不仅不是坏事，还是投资者乐于见到的状款，如减少负债、发放股利和回购股票都是有益于增加股东价值的行为。相反，发行新股或大额举债都有可能降低现有股东的利益；64MEMS硅振荡器重点企业调查（中芯国际)中芯国际股票走势（2004年，中芯国际3月日和日分别在美国纽约证券交易所和香港联合交易所上市）65MEMS硅振荡器重点企业调查罕王集团2011年，罕王微机电传感器产业园项目落户抚顺经济开发区沈抚新城，中国罕王微电子传感器产业基地正式动工兴建，此举将推动国内相关产业发展，集聚一大批以传感器、物联网和其配套电子产品为业务的企业，形成产业带动效应和聚集效应。“产业园”项目

58、建成后，预计可实现年总产值100亿元，并可形成千亿元的产业规模。66 MEMS专利调查中国科学院半导体研究所关于半导体专利情况67MEMS的国家政策68MEMS的国家政策69康大MEMS硅谐振器技术康大MEMS硅振荡器的专利文献简介 TBD70康大MEMS硅谐振器技术企业顶层设计系统商业模式资本模式组织模式GICIT企业顶层设计系统“企业顶层设计”就是用科学的方法论对企业未来五年的发展做出系统性的规划，即按照“以终为始”的原则，基于对目标市场的理解，对用户需求的把握，对竞争格局的认知，通过系统的分 析把经营管理目标设定好，把用户心目中理想的完整产品描述清楚，把实现目标的关键要素和 主要挑战罗列

59、出来，把潜在的问题和风险预见到，从而根据目标去配置资源，缺什么，补什么，倒排时间表，形成一个通俗易懂的“剧本”，然后让各个职能的管理者按照“剧本”上的分工扮演好自己的角色。企业“顶层设计“分成三个层面：企业商业模式、组织模式、资本模式。71康大MEMS硅谐振器技术GICIT企业顶层设计系统 - 商业模式商业模式，又称盈利模式，是管理学的重要研究对象之一， MBA、EMBA及CEO必读12篇等主流商业管理课程均对“商业模式”给予了不同程度的关注。在分析商业模式过程中，主要关注一类企业在市场中与用户、供应商、其他合作伙伴的关系，尤其是彼此间的物流、信息流和资金流；商业模式是创业者创意，商业创意来自

60、于机会的丰富和逻辑化，并有可能最终演变为商业模式。其形成的逻辑是：机会是经由创造性资源组合传递更明确的市场需求的可能性（schumpeter,1934; Kirzner,1973),是未明确的市场需求或者未被利用的资源或者能力；一个好的Business Model，成功就有了一半的保证。价值定位目标市场销售和营销生产分销收入模式成本结构竞争独特的销售方案市场大小、增长情况和份额“客户价值主张”，指在一个既定价格上企业向其客户或消费者提供服务或产品时所需要完成的任务。“资源和生产过程”，即支持客户价值主张和盈利模式的具体经营模式。“盈利公式”，即企业用以为股东实现经济价值的过程。10个基本元素三